KR100558472B1 - Method for Releasing Wafer from Electric Static Chuck for Radio Frequency Etching Process - Google Patents

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Abstract

본 발명은 고주파 에칭 공정용 척으로부터의 웨이퍼 분리 방법에 관한 것으로서, 고주파 전원을 차단하고, 공정 반응 가스의 공급도 차단시켜 공정 진행을 종료시키는 공정 반응 종료 단계; 반응 챔버 내부와 고정 척 및 웨이퍼의 배면 틈새로 소정의 웨이퍼 분리 가스를 공급하는 웨이퍼 분리 가스 공급 단계; 상기 고정 척과 웨이퍼의 배면 틈새로 공급되는 분리 가스의 최적 누설량을 산정하여 분리 여부를 일정 시간 체크한 후 공정 진행 여부를 판별하는 웨이퍼 분리 여부 판별 단계; 및 상기 웨이퍼 분리 여부 판별 단계를 거친 후 웨이퍼 분리 상태가 되었다고 판단되면 고진공 상태를 유지하고, 고정 척의 승강 핀을 상승시킨 후 상기 고정 척으로부터 웨이퍼를 분리시키는 웨이퍼 분리 단계를 포함한다. The present invention relates to a method for separating a wafer from a chuck for a high frequency etching process, comprising: a process reaction termination step of terminating a process by interrupting a high frequency power supply and also blocking a supply of process reaction gas; A wafer separation gas supplying step of supplying a predetermined wafer separation gas into the reaction chamber, the fixed chuck, and the rear gap of the wafer; A wafer separation determining step of determining an optimal leakage amount of the separation gas supplied to the rear gap between the fixed chuck and the wafer to check whether the process is performed for a predetermined time and then determine whether the process proceeds; And a wafer separation step of maintaining the high vacuum state after raising the lift pin of the fixed chuck after determining whether the wafer is separated after the separation of the wafer.

따라서, 본 발명에 의하면 정해진 시간 내에서 웨이퍼 분리 가스를 공급시키는 시간 체크 방법이 아니라 최적의 가스 공급량을 산정하여 분리 상태를 탐지하는 방법을 취하고 있으므로 웨이퍼의 손상을 방지하여 안정성을 더욱 높일 수 있을 뿐만 아니라 불필요한 시간적인 손실을 막을 수 있어서 전체 공정의 생산성을 향상시키는데 기여할 수 있다. Therefore, according to the present invention, it is not a time check method for supplying the wafer separation gas within a predetermined time, but a method of detecting the separation state by calculating an optimum gas supply amount, thereby preventing damage to the wafer and further increasing stability. In addition, unnecessary time loss can be prevented, contributing to improving the productivity of the entire process.

Description

고주파 에칭 공정용 척으로부터의 웨이퍼 분리 방법{Method for Releasing Wafer from Electric Static Chuck for Radio Frequency Etching Process} Method for separating wafer from chuck for high frequency etching process {Method for Releasing Wafer from Electric Static Chuck for Radio Frequency Etching Process}             

도 1 은 일반적인 고주파 에칭 공정 설비의 헬륨 가스 공급 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 블록도. 1 is a block diagram schematically showing the configuration of a helium gas supply apparatus of a general high frequency etching process equipment.

도 2 는 종래 실시예에 따른 고주파 에칭 공정용 척으로부터의 웨이퍼 분리 방법을 나타낸 플로우 챠트. 2 is a flow chart illustrating a wafer separation method from a chuck for a high frequency etching process according to a conventional embodiment.

도 3 은 본 발명에 따른 고주파 에칭 공정용 척으로부터의 웨이퍼 분리 방법을 나타낸 플로우 챠트. 3 is a flow chart illustrating a wafer separation method from a chuck for a high frequency etching process according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

1 : 반응 챔버, 3 : 고정 척, 1: reaction chamber, 3: fixed chuck,

3a : 승강 핀, 4 : 웨이퍼, 3a: lifting pin, 4: wafer,

7 : 헬륨 공급부. 7: helium supply unit.

본 발명은 고주파 에칭 공정용 척으로부터의 웨이퍼 분리 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 공정 반응 후 웨이퍼 고정 척으로부터 웨이퍼를 분리시킬 때 웨이퍼가 튀어 오르는 스티킹(Sticking) 현상을 효과적으로 방지할 수 있도록 하는 고주파 에칭 공정용 척으로부터의 웨이퍼 분리 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of separating a wafer from a chuck for a high frequency etching process, and more particularly, to effectively prevent sticking of the wafer when the wafer is separated from the wafer holding chuck after a process reaction. A wafer separation method from a chuck for a high frequency etching process.

반도체 제조 공정 중에서 고주파 에칭 공정(R.F Etching Process)은 웨이퍼 표면에 생성된 자연 산화막을 제거하거나 증착된 금속 박막 등을 원하는 모양으로 식각하기 위하여 사용되는 것이다. In the semiconductor manufacturing process, the R.F etching process is used to remove a natural oxide film formed on a wafer surface or to etch a deposited metal thin film into a desired shape.

이러한 고주파 에칭 공정을 수행하는 설비는, 도 1 에서 나타낸 바와 같이, 반응 챔버(1)의 내측 상부에 전극판(2)이 구비되고, 그 하부에는 웨이퍼(4)를 올려놓고 고정할 수 있는 고정 척(3), 즉 ESC(Electric Static Chuck)가 구비된다. 상기 고정 척(3) 위에는 복수의 승강 핀(3a)이 웨이퍼(4)를 로딩/언로딩 시킬 때 승강할 수 있도록 구비된다. 상기 전극판(2) 및 고정 척(3)에는 각 각 고주파 발생기(5)(6)가 고주파 전원을 공급할 수 있도록 연결된다. As shown in FIG. 1, a facility for performing such a high frequency etching process is provided with an electrode plate 2 provided on an inner upper portion of the reaction chamber 1, and a fixed portion on which a wafer 4 can be placed and fixed. The chuck 3, that is, the electric static chuck (ESC) is provided. A plurality of lifting pins 3a are provided on the fixed chuck 3 so as to be able to lift and lower when loading and unloading the wafer 4. The high frequency generators 5 and 6 are connected to the electrode plate 2 and the fixed chuck 3 so as to supply high frequency power.

이와 같이 구비된 고주파 에칭 장치는, 상호 대향하는 전극판(2)과 고정 척(3) 상에 고주파(RF)가 인가되고, 고 진공 상태의 반응 챔버(1) 내부로 아르곤(Ar)을 주입하여 방전시키면, 상기 챔버(1) 내부는 플라즈마(P; Plazma) 영역이 형성된다. 이 때, 아르곤 가스는 Ar+ 로 이온화되고, 이러한 양(+) 이온은 고주파(RF)에 의하여 (-)로 대전된 고정 척(3) 위에 놓여진 웨이퍼(4) 표면에 충돌된다. 이에 따라 Ar+ 이온의 에너지에 의하여 웨이퍼(4) 표면의 자연 산화막 등이 떨 어져 나와 전극판(2)이나 반응 챔버(1)의 내벽면에 달라붙게 되는 것이다. In the high frequency etching apparatus provided in this way, high frequency RF is applied to the electrode plate 2 and the fixed chuck 3 which face each other, and injects argon Ar into the reaction chamber 1 in a high vacuum state. When discharged, the plasma (P) region is formed in the chamber (1). At this time, the argon gas is ionized with Ar + , and these positive ions collide with the surface of the wafer 4 placed on the fixed chuck 3 charged negatively by high frequency RF. As a result, a natural oxide film or the like on the surface of the wafer 4 is separated by the energy of Ar + ions and adheres to the inner wall surface of the electrode plate 2 or the reaction chamber 1.

이러한 고주파 에칭 작업이 종료되면, 고정 척(3)으로부터 웨이퍼(4)를 분리(언로딩)시켜야 한다. 이 때, 고정 척(3)의 상면에 구비된 복수의 승강 핀(3a)이 웨이퍼(4)를 들어올릴 수 있도록 상승 작동되고, 도시되지 않은 로봇 암이 반응 챔버(1)로부터 웨이퍼(4)를 끄집어내게 된다. When this high frequency etching operation is finished, the wafer 4 must be separated (unloaded) from the fixed chuck 3. At this time, the plurality of lifting pins 3a provided on the upper surface of the fixed chuck 3 are lifted up to lift the wafer 4, and a robot arm (not shown) is moved from the reaction chamber 1 to the wafer 4. Will be pulled out.

종래에는, 고정 척(3)으로부터 웨이퍼(4)를 분리시키는 방법으로, 고정 척(3) 상에 웨이퍼(4)를 고정하고 있을 때의 고주파 극성과는 반대되는 극성을 인가함으로써 고정된 상태에서 웨이퍼(4)와 고정 척(3) 사이에 축적되어있던 전하를 방전시켜주는 분리 방법이 주로 사용되고 있었다. Conventionally, in the fixed state by applying a polarity opposite to the high frequency polarity when the wafer 4 is fixed on the fixing chuck 3 by a method of separating the wafer 4 from the fixing chuck 3. A separation method for discharging the charge accumulated between the wafer 4 and the fixed chuck 3 has been mainly used.

그러나, 이러한 방법을 이용하면, 웨이퍼(4)를 분리할 때 축적되어 있던 전하량이 완전히 방전되지 않고 어느 정도 남아 있게 되므로 승강 핀(3a)이 웨이퍼(4)를 들어올릴 때 상기 웨이퍼(4)는 고정 척(3)으로부터 제대로 분리되지 않고 튀어 오르는 스티킹(Sticking) 현상이 유발된다. 이러한 현상은 웨이퍼(4)의 정렬 상태를 변동시킬 수 있으며, 심할 경우 웨이퍼(4)의 손상을 유발시킨다. With this method, however, the amount of charge accumulated when the wafer 4 is separated is not completely discharged and remains to some extent so that the wafer 4 is lifted when the lifting pin 3a lifts the wafer 4. The sticking phenomenon that springs up without being properly separated from the fixed chuck 3 is caused. This phenomenon can change the alignment of the wafer 4 and, in severe cases, damage the wafer 4.

이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 고정 척(3) 쪽으로 헬륨 가스 공급 장치를 부설하여 웨이퍼(4) 후면에 헬륨(He) 가스를 공급케 하고 있다. 즉, 헬륨 가스 공급부(7)로부터 공급되는 헬륨 가스는 선택 밸브(8a)에 의하여 유입 및 차단되도록 조절되고, 반응 챔버(1) 쪽에는 헬륨 덤프 밸브(8b)가 잔류 헬륨 가스를 불어내기 위하여 구비된다. 8c 는 아이들 밸브이다. In order to solve such a problem, a helium gas supply device is installed toward the fixed chuck 3 so as to supply helium gas to the rear surface of the wafer 4. That is, the helium gas supplied from the helium gas supply unit 7 is controlled to be introduced and blocked by the selection valve 8a, and the helium dump valve 8b is provided on the reaction chamber 1 side to blow out the residual helium gas. do. 8c is an idle valve.

이와 같은 종래의 웨이퍼 분리 방법을 도 2 의 플로우챠트를 참조하여 더욱 상세히 살펴본다. 먼저 고주파 전원을 차단하고(S1 단계), 공정 반응 가스의 공급도 차단시켜 공정 진행을 종료시킨다(S2 단계). 이 후, S3 단계와 같이 반응 챔버(1) 내부로 염소(Cl2) 가스나 질소(N2) 가스를 공급시킨다. 여기서 상기 챔버(1) 내부의 압력은 15 mTorr 정도를 유지하고, 질소 가스는 20 SCCM 정도로 공급한다. 또한, 이그니션(Ignition) 온(ON) 상태에서 웨이퍼(4)의 배면에는 헬륨 공급부(7)로부터 헬륨(He) 가스를 일정 시간동안 공급시킨다. 이 때, 헬륨 가스 압력은 5 Torr 정도로 20 초간 공급된다. 설정된 가스 공급 시간이 경과되면, 고정 척(3)의 승강 핀(3a)을 상승시켜 웨이퍼(4)를 들어올린 후, 고 진공 상태를 유지한다(S4, S5 단계). 최종적으로 도시 생략된 로봇 암을 이용하여 웨이퍼(4)를 분리시켜 챔버(1) 외부로 언로딩시킨다(S6 단계). This conventional wafer separation method will be described in more detail with reference to the flowchart of FIG. 2. First, the high frequency power is cut off (step S1), and the supply of the process reaction gas is also cut off to terminate the process (step S2). Thereafter, as in step S3, chlorine (Cl 2 ) gas or nitrogen (N 2 ) gas is supplied into the reaction chamber 1. The pressure inside the chamber 1 is maintained at about 15 mTorr, and nitrogen gas is supplied at about 20 SCCM. In addition, helium (He) gas is supplied to the back surface of the wafer 4 from the helium supply unit 7 for a predetermined time in the ignition ON state. At this time, the helium gas pressure is supplied for about 20 seconds at about 5 Torr. When the set gas supply time has elapsed, the lifting pin 3a of the fixed chuck 3 is raised to lift the wafer 4, and the high vacuum state is maintained (steps S4 and S5). Finally, the wafer 4 is separated and unloaded to the outside of the chamber 1 by using a robot arm (not shown) (step S6).

그러나, 이러한 종래의 분리 방법에서 반응 챔버(1) 내부로 질소 가스 대신에 염소 가스를 사용하면 폴리머(Polymer) 집중 현상이 유발되어 파티클이 증가될 우려가 많다. 더욱이, 헬륨 가스의 공급 시간은 일정하게 세팅되어 있으므로 충분히 분리될 수 있는 시점에 도달했음에도 불구하고 설정 시간이 경과할 때까지는 기다려야 하는 시간적 손실이 많아진다. 그러므로 생산성을 저하시키는 요인이 된다. 반면에, 설정된 가스 공급 시간이 경과되면 웨이퍼(4)가 완전히 분리 가능한 상태가 되지 않았다 하더라도 계속하여 핀(3a)의 상승 동작이 이어지게 되므로 스티킹(Sticking) 현상이 완전히 제거되지 않아 여전히 웨이퍼(4)가 튀어 오를 수도 있게 된다. However, in such a conventional separation method, if chlorine gas is used instead of nitrogen gas into the reaction chamber 1, polymer concentration may be caused and particles may increase. Moreover, since the supply time of the helium gas is set at a constant, there is a large time loss to wait until the set time has elapsed even though the time at which it can be sufficiently separated has been reached. Therefore, it becomes a factor which reduces productivity. On the other hand, even after the set gas supply time has elapsed, even if the wafer 4 is not completely detachable, the rising operation of the pin 3a continues, so that the sticking phenomenon is not completely removed and the wafer 4 is still not removed. ) May spring up.

따라서, 본 발명은 상술한 문제점을 해소하기 위하여 창작된 것으로서, 본 발명의 목적은 적절한 분리 상태에 도달되지 않으면 후속 분리 공정을 진행시키지 않는 반면에, 세팅 시간전이라도 적정의 분리 상태에 도달되면 즉시 후속 분리 공정을 진행시킬 수 있도록 하는 고주파 에칭 공정용 척으로부터의 웨이퍼 분리 방법을 제공하는 데 있다.
Accordingly, the present invention has been created to solve the above-described problems, and the object of the present invention is not to proceed with the subsequent separation process if the proper separation state is not reached, whereas immediately after the proper separation state is reached even before the setting time. The present invention provides a method for separating a wafer from a chuck for a high frequency etching process that allows the subsequent separation process to proceed.

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 고주파 에칭 공정용 척으로부터의 웨이퍼 분리 방법은, 고주파 전원을 차단하고, 공정 반응 가스의 공급도 차단시켜 공정 진행을 종료시키는 공정 반응 종료 단계; 반응 챔버 내부와 고정 척 및 웨이퍼의 배면 틈새로 소정의 웨이퍼 분리 가스를 공급하는 웨이퍼 분리 가스 공급 단계; 상기 고정 척과 웨이퍼의 배면 틈새로 공급되는 분리 가스의 최적 누설량을 산정하여 분리 여부를 일정 시간 체크한 후 공정 진행 여부를 판별하는 웨이퍼 분리 여부 판별 단계; 및 상기 웨이퍼 분리 여부 판별 단계를 거친 후 웨이퍼 분리 상태가 되었다고 판단되면 고진공 상태를 유지하고, 고정 척의 승강 핀을 상승시킨 후 상기 고정 척으로부터 웨이퍼를 분리시키는 웨이퍼 분리 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. Wafer separation method from the high-frequency etching process chuck according to the present invention for achieving the above object, the process reaction termination step of terminating the process by cutting off the high-frequency power supply, supply of the process reaction gas; A wafer separation gas supplying step of supplying a predetermined wafer separation gas into the reaction chamber, the fixed chuck, and the rear gap of the wafer; A wafer separation determining step of determining an optimal leakage amount of the separation gas supplied to the rear gap between the fixed chuck and the wafer to check whether the process is performed for a predetermined time and then determine whether the process proceeds; And a wafer separation step of maintaining a high vacuum state after raising the lift pin of the fixing chuck after separating the wafer from the fixing chuck after determining whether the wafer is separated after the separation of the wafer.

상기 웨이퍼 분리 여부 판별 단계를 거친 후 일정 시간이 경과되더라도 웨이퍼의 분리 상태가 되지 않았다고 판단되면 계속하여 분리 가스를 공급시킬 수 있도 록 웨이퍼 분리 가스 공급 단계로 복귀되는 것이 바람직하다. If it is determined that the wafer has not been separated even after a predetermined time has passed after the wafer separation determination step, it is preferable to return to the wafer separation gas supply step so that the separation gas can be supplied continuously.

상기 웨이퍼 분리 가스 공급 단계에서 반응 챔버 내부로 공급되는 가스는 질소 가스이고, 고정 척 및 웨이퍼 배면 사이로 공급되는 가스는 헬륨 가스이면 바람직하다. The gas supplied into the reaction chamber in the wafer separation gas supplying step is nitrogen gas, and the gas supplied between the fixed chuck and the wafer backside is helium gas.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 의하여 더욱 상세히 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 3 은 본 발명에 따른 고주파 에칭 공정용 척으로부터의 웨이퍼 분리 방법을 나타낸 플로우 챠트이다. 단, 편의상 일반적인 장치의 구성 부분에 대한 도면은 생략하고, 필요한 경우 도 1 에 도시된 부호 및 명칭을 병용하기로 한다. 3 is a flow chart illustrating a wafer separation method from a chuck for a high frequency etching process according to the present invention. However, for the sake of convenience, the drawings of the constituent parts of the general apparatus will be omitted, and if necessary, the symbols and names shown in FIG. 1 will be used together.

도 1 및 도 3 에서, 본 발명의 웨이퍼 분리 방법을 살펴보면, 먼저 S10 및 S20 단계에서, 고주파 발생기(5)(6)로부터 공급되는 고주파(RF) 전원을 차단하고, 소정의 공정 반응 가스의 공급도 차단시켜 공정 진행을 종료시킨다. 1 and 3, in the wafer separation method of the present invention, first, in steps S10 and S20, the high frequency (RF) power supplied from the high frequency generator (5) 6 is cut off and a predetermined process reaction gas is supplied. The process is terminated.

상기 공정 반응 종료 단계(S10)(S20)를 거치면, S30 단계와 같이 소정의 웨이퍼 분리 가스를 반응 챔버(1) 내부뿐만 아니라 고정 척(ESC)(3) 및 웨이퍼(4)의 배면 사이로 공급시키게 된다. 즉, 반응 챔버(1) 내부로는 질소(N2) 가스를 공급하는 것이 바람직하고, 이 질소 가스는 20 SCCM 으로 공급되고, 반응 챔버(10)의 압력은 15 mTorr 정도를 유지시킨다. 한편, 고정 척(3) 및 웨이퍼(4)의 배면 틈새에는 헬륨(He) 가스를 공급하는 것이 바람직하다. 여기서, 헬륨 가스의 압력은 8 Torr 로 종래(5 Torr) 보다 더 높게 설정하는 것이 바람직하다. After the process reaction termination step (S10) (S20), as in step S30 to supply a predetermined wafer separation gas between the reaction chamber (1) as well as between the fixed chuck (ESC) 3 and the back of the wafer (4). do. That is, it is preferable to supply nitrogen (N 2 ) gas into the reaction chamber 1, this nitrogen gas is supplied at 20 SCCM, and the pressure of the reaction chamber 10 is maintained at about 15 mTorr. On the other hand, it is preferable to supply helium (He) gas to the rear gap of the fixed chuck 3 and the wafer 4. Here, the pressure of helium gas is preferably set to 8 Torr higher than that of the conventional (5 Torr).

이 후, S40 단계에서, 상기 고정 척(3)과 웨이퍼(4)의 배면 틈새로 공급되는 분리 가스, 즉 헬륨 가스의 최적 누설량을 산정하여 분리 여부를 일정 시간 체크한 후 공정 진행 여부를 판별하게 된다. 이 때, 가스 압력의 안정화를 위하여 5 초 정도의 지연시간을 두고, 분리 상태를 체크하기 위하여 헬륨 가스를 42 SCCM 정도로 유동시키는 것이 바람직하다. 또한 그 체크 시간은 60 초 정도로 설정해 두는 것이 바람직하다. 여기서 웨이퍼(4)가 고정된 상태에서는 헬륨 가스의 최초 누설량이 0.1 ~ 1.3 SCCM 정도에 불과하다. Thereafter, in step S40, the optimum leakage amount of the separation gas, that is, the helium gas supplied to the rear gap between the fixing chuck 3 and the wafer 4 is calculated to check whether the separation is performed for a predetermined time, and then determine whether to proceed with the process. do. At this time, it is preferable to give helium gas about 42 SCCM in order to check the separation state with a delay time of about 5 seconds to stabilize the gas pressure. The check time is preferably set to about 60 seconds. Here, when the wafer 4 is fixed, the initial leakage of helium gas is only about 0.1 to 1.3 SCCM.

이렇게 상기 웨이퍼 분리 여부 판별 단계(S40)를 거친 후 웨이퍼(4)가 최적의 분리 가능한 상태로 되었다고 판단되면, 고진공 상태를 유지하도록 배기시키고(S50 단계), 상기 고정 척(3)의 상면에 구비된 복수의 승강 핀(3a)을 상승 작동시켜(S60 단계). 이어서, 상기 고정 척(3)으로부터 웨이퍼(4)를 완전히 분리시킨 후(S70 단계), 도시 생략된 로봇 암을 이용하여 웨이퍼(4)를 챔버(1) 외부로 언로딩시키게 된다. When the wafer 4 is determined to be in an optimally detachable state after the wafer separation determination step (S40), it is exhausted to maintain a high vacuum state (step S50), and is provided on the upper surface of the fixed chuck 3. The plurality of lifting pins 3a which have been operated are lifted up (step S60). Subsequently, after completely removing the wafer 4 from the fixing chuck 3 (step S70), the wafer 4 is unloaded out of the chamber 1 by using a robot arm (not shown).

만일, 상기 웨이퍼 분리 여부 판별 단계(S40)를 거친 후 헬륨 가스의 유동 상태를 감지하는 시간(60 초)이 경과되는 동안 웨이퍼(4)의 분리 상태를 이행하기가 적절하지 않다고 판단되면, 다시 분리 가스를 계속하여 공급시킬 수 있도록 웨이퍼 분리 가스 공급 단계(S30)로 복귀시킨다. If it is determined that it is not appropriate to perform the separation state of the wafer 4 during the time (60 seconds) for detecting the flow state of helium gas after the wafer separation determination step (S40), the separation is performed again. The process returns to the wafer separation gas supply step S30 so that the gas can be continuously supplied.

이는 종래와 같이 일정 시간이 경과되면 후속 단계로 진행되는 것과 큰 차이가 있다. 즉, 헬륨 가스의 누설량을 체크하여 분리할 수 있는 최적의 상태가 되지 못하면, 비록 시간이 경과하더라도 후속 단계로 넘어가지 않게 막는다. 따라서, 웨 이퍼(4)를 분리시킬 때 튀어 오르는 스티킹(Sticking) 현상을 저지하는 작용을 하게 된다. This is a big difference from proceeding to a subsequent step after a certain time as in the prior art. In other words, if it is not an optimal state to check and separate the amount of leakage of helium gas, even if time passes, it is prevented from proceeding to the next step. Therefore, when the wafer 4 is separated, the sticking phenomenon is prevented.

반면에, 그 설정 시간 보다 훨씬 빨리 최적 상태에 도달되면 설정 시간이 종료될 때까지 기다릴 필요 없이 즉시 후속 단계로 진행될 수 있다. 따라서, 전체 공정의 시간적인 손실을 막을 수 있다. On the other hand, if the optimal state is reached much earlier than the set time, it can proceed immediately to the next step without having to wait for the set time to end. Therefore, time loss of the whole process can be prevented.

본 실시예는 웨이퍼의 분리 방법을 개선하고 있으므로 종래의 설비 라인을 별도로 개조시킬 필요 없이 그대로 적용 가능하다. Since the present embodiment improves the separation method of the wafer, it can be applied as it is without the need for retrofitting a conventional facility line.

상술한 본 발명에 의하면, 정해진 시간 내에서 웨이퍼 분리 가스를 공급시키는 시간 체크 방법이 아니라 최적의 가스 공급량을 산정하여 분리 상태를 탐지하는 방법을 취하고 있으므로 웨이퍼의 손상을 방지하여 안정성을 더욱 높일 수 있을 뿐만 아니라 불필요한 시간적인 손실을 막을 수 있어서 전체 공정의 생산성을 향상시키는데 기여할 수 있다.
According to the present invention described above, the method of detecting the separation state by estimating the optimum gas supply amount, rather than the time checking method of supplying the wafer separation gas within a predetermined time, can further improve stability by preventing damage to the wafer. In addition, unnecessary time loss can be prevented, contributing to improving the productivity of the entire process.

Claims (3)

고주파 전원을 차단하고, 공정 반응 가스의 공급도 차단시켜 공정 진행을 종료시키는 공정 반응 종료 단계; A process reaction termination step of terminating the process by cutting off the high frequency power supply and also interrupting supply of the process reaction gas; 반응 챔버 내부와 고정 척 및 웨이퍼의 배면 틈새로 소정의 웨이퍼 분리 가스를 공급하는 웨이퍼 분리 가스 공급 단계; A wafer separation gas supplying step of supplying a predetermined wafer separation gas into the reaction chamber, the fixed chuck, and the rear gap of the wafer; 상기 고정 척과 웨이퍼의 배면 틈새로 공급되는 분리 가스의 최적 누설량을 산정하여 분리 여부를 일정 시간 체크한 후 공정 진행 여부를 판별하는 웨이퍼 분리 여부 판별 단계; 및 A wafer separation determining step of determining an optimal leakage amount of the separation gas supplied to the rear gap between the fixed chuck and the wafer to check whether the process is performed for a predetermined time and then determine whether the process proceeds; And 상기 웨이퍼 분리 여부 판별 단계를 거친 후 웨이퍼 분리 상태가 되었다고 판단되면 고진공 상태를 유지하고, 고정 척의 승강 핀을 상승시킨 후 상기 고정 척으로부터 웨이퍼를 분리시키는 웨이퍼 분리 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 에칭 공정용 척으로부터의 웨이퍼 분리 방법.A high frequency etching process comprising: a wafer separation step of maintaining a high vacuum state after raising the lift pin of the fixed chuck after separating the wafer from the fixed chuck after determining whether the wafer has been separated or not; Wafer separation method from process chuck. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 웨이퍼 분리 여부 판별 단계를 거친 후 일정 시간이 경과되더라도 웨이퍼의 분리 상태가 되지 않았다고 판단되면 계속하여 분리 가스를 공급시킬 수 있도록 웨이퍼 분리 가스 공급 단계로 복귀되는 것을 특징으로 하는 고주파 에칭 공정용 척으로부터의 웨이퍼 분리 방법.If it is determined that the wafer has not been separated even after a predetermined time has passed after the wafer separation determination step, the wafer is returned to the wafer separation gas supplying step so that the separation gas can be supplied continuously. Wafer separation method. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 웨이퍼 분리 가스 공급 단계에서 반응 챔버 내부로 공급되는 가스는 질소 가스이고, 고정 척 및 웨이퍼 배면 사이로 공급되는 가스는 헬륨 가스인 것을 특징으로 하는 에칭 공정용 척으로부터의 웨이퍼 분리 방법.The gas supplied into the reaction chamber in the wafer separation gas supplying step is nitrogen gas, and the gas supplied between the fixed chuck and the wafer backside is helium gas.
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