KR100463308B1 - Vertical type electrical contactor and method for manufacturing its - Google Patents
Vertical type electrical contactor and method for manufacturing its Download PDFInfo
- Publication number
- KR100463308B1 KR100463308B1 KR10-2002-0066197A KR20020066197A KR100463308B1 KR 100463308 B1 KR100463308 B1 KR 100463308B1 KR 20020066197 A KR20020066197 A KR 20020066197A KR 100463308 B1 KR100463308 B1 KR 100463308B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- sacrificial substrate
- trench
- electrical contact
- trenches
- vertical electrical
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
Abstract
본 발명은 수직형 전기적 접촉체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a vertical electrical contact and a method of manufacturing the same.
본 발명에 따른 수직형 전기적 접촉체는, 도전성 재질의 기둥형상으로 이루어지는 본체부와 상기 본체부 저면에 도전성 재질로 구비된 복수의 팁을 구비하여 이루어지고, 본 발명에 따른 수직형 전기적 접촉체의 제조방법은, 희생기판 상에 보호막 패턴을 형성하는 단계, 상기 보호막 패턴을 마스크로 사용하여 상기 희생기판 상면을 깊게 건식식각함으로써 상기 희생기판 상에 저면이 라운딩된 복수의 제 2 트렌치를 형성하는 단계, 상기 보호막 패턴을 마스크로 사용하여 상기 희생기판 상면을 습식식각함으로써 상기 복수의 제 2 트렌치의 각 측벽을 과도식각하여 상기 제 2 트렌치를 서로 통합하며 저면에 소정의 경사각을 지닌 미세 트렌치가 형성된 제 3 트렌치를 형성하는 단계, 상기 보호막 패턴을 제거하는 단계, 상기 보호막 패턴이 제거된 상기 제 3 트렌치 내부에 금속물질을 매립하는 단계 및 상기 희생기판을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The vertical electrical contact body according to the present invention comprises a main body portion made of a pillar shape of a conductive material and a plurality of tips provided with a conductive material on the bottom of the main body portion, and the vertical electrical contact body according to the present invention. The manufacturing method may include forming a protective film pattern on the sacrificial substrate, and forming a plurality of second trenches having a bottom rounded on the sacrificial substrate by deeply etching the upper surface of the sacrificial substrate using the protective film pattern as a mask. And wet etching the upper surface of the sacrificial substrate using the protective layer pattern as a mask to overetch each sidewall of the plurality of second trenches to integrate the second trenches with each other, and to form a micro trench having a predetermined inclination angle at a bottom thereof. Forming a trench, removing the protective film pattern, and removing the protective film pattern The step of filling the metal material inside the trenches 3 and is characterized in that comprises the step of removing the sacrificial substrate.
따라서, 수직형 전기적 접촉체가 프로브 카드에 수직적으로 부착 고정되어 사용됨으로써 고집적화된 반도체소자의 파인피치에 대응할 수 있고, 기둥형상의 본체부 저면에 복수의 뿔형상의 팁을 구비함으로써 미끄럼 등의 발생에 의해서도 용이하게 볼타입의 전극패드와 접촉할 수 있도록 하는 효과가 있다.Therefore, the vertical electrical contact body is vertically attached to and fixed to the probe card, so that it can cope with the fine pitch of the highly integrated semiconductor device, and a plurality of horn-shaped tips are provided on the bottom of the columnar body to prevent slippage. There is an effect that can be easily in contact with the ball-type electrode pad.
Description
본 발명은 수직형 전기적 접촉체 및 이의 제조방법에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 볼타입(Ball type)의 전극 패드(Electrode pad)에 적용이 용이한 수직형 전기적 접촉체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a vertical electrical contact and a method of manufacturing the same, and more particularly to a vertical electrical contact and a method of manufacturing the same easily applicable to the ball pad (Electrode pad). will be.
통상, 반도체 제조 공정에서는, 웨이퍼 제조 프로세스를 종료한 후 프로빙 테스트에 의해 양품을 선별하고, 이 양품을 패키지에 수납하여 최종 제품의 형태로 마무리하고 있다. 그리고, 최종 제품의 형태로 마무리된 패키지 완료후의 반도체 장치를 대상으로 하여 번인(Burn-in)을 행하고 있다.Usually, in a semiconductor manufacturing process, after finishing a wafer manufacturing process, a good product is sorted by a probing test, this good product is accommodated in a package, and it finishes in the form of a final product. Then, burn-in is performed for the semiconductor device after package completion, which is finished in the form of a final product.
이와 같은 프로빙 테스트는, 반도체기판 상에 구현된 칩의 전극패드와 접촉한 프로브 카드의 프로브 팁을 통해서 테스트장치가 소정의 전기신호를 인가한 후, 이에 대응하는 전기신호를 다시 테스트장치가 수신함으로써 반도체 기판 상에 구현된 칩의 정상 및 비정상 유무를 테스트하게 된다.The probing test may be performed by applying a predetermined electrical signal to a test apparatus through a probe tip of a probe card in contact with an electrode pad of a chip implemented on a semiconductor substrate, and then receiving the electrical signal corresponding thereto. Test the normal and abnormality of the chip implemented on the semiconductor substrate.
이와 같이, 완성된 상태에 있는 웨이퍼 즉, 반도체 칩을 테스트하는 프로브 카드는 도1에 도시된 바와 같이, 회로가 구성된 인쇄회로기판(110)과, 인쇄회로기판(110)의 상면 중앙에 형성되는 보강판(112)과 도시하지 않은 웨이퍼의 전극패드에 접촉되는 프로브 팁(114')을 구비하며 인쇄회로기판(110)의 회로에 연결되는 니들(114)과, 인쇄회로기판(110)의 저면 중앙에 형성되어 프로브 팁(114')을 지지 고정하는 고정판(116)과 프로브 팁(114')을 고정판(116)에 고정하는 절연물(118)로 이루어진다.As described above, a probe card for testing a semiconductor chip, that is, a semiconductor chip, is formed in the center of the upper surface of the printed circuit board 110 and the printed circuit board 110 as shown in FIG. 1. A needle 114 having a reinforcement plate 112 and a probe tip 114 ′ contacting an electrode pad of a wafer (not shown) and connected to a circuit of the printed circuit board 110, and a bottom surface of the printed circuit board 110. It is formed of a fixed plate 116 formed in the center to support and fix the probe tip 114 'and an insulator 118 to fix the probe tip 114' to the fixed plate 116.
이때, 상기 프로브 팁(114')의 소정부는 수평방향에서 하방 즉, 전극패드 방향으로 소정각도 절곡되어 있다.In this case, the predetermined portion of the probe tip 114 ′ is bent at a predetermined angle downward in the horizontal direction, that is, in the electrode pad direction.
상기와 같이 구성된 프로브 카드는 도시하지 않은 지그에 의해 상하로 이동하면서 프로브 팁(114')이 전극패드의 중심부에 접촉되도록 하여 전극패드의 이상 유무를 검하하게 된다.The probe card configured as described above is moved up and down by a jig (not shown) to allow the probe tip 114 'to come into contact with the center of the electrode pad to check for abnormality of the electrode pad.
그러나, 종래의 프로브 카드에 장착되는 프로브 팁(114)은 니들(Needle) 타입으로써 소정부가 수평방향에서 하방 즉, 전극패드 방향으로 소정각도 절곡됨으로써 고집적화된 반도체소자에 대응이 용이하지 않은 문제점이 있었다.However, the probe tip 114 mounted on a conventional probe card has a needle type, and a predetermined portion of the probe tip 114 is bent downward in a horizontal direction, that is, a predetermined angle in an electrode pad direction, thereby making it difficult to cope with a highly integrated semiconductor device. .
즉, 상기 프로브 카드에 장착되는 프로브 팁(114)은 소정부가 수평방향에서 하방 즉, 전극패드 방향으로 소정각도 절곡되어 있음으로써 프로브 카드의 고정판에 프로브 팁을 고밀도로 배열 설치가 불가능하여 고집적화된 반도체소자의 전극패드에 대응할 수 없는 문제점이 있었다.That is, the probe tip 114 mounted on the probe card has a predetermined portion bent downward in a horizontal direction, that is, a predetermined angle in the direction of the electrode pad, so that the probe tips cannot be densely arranged on the fixed plate of the probe card, thereby highly integrated semiconductor. There was a problem that the electrode pad of the device could not be coped.
또한, 상기 니들 타입의 프로브 팁(114)은, 도 2에 도시된 바와 같이 최근에 주로 사용되는 볼타입의 전극패드(2) 즉, 상부 표면이 상부로 돌출된 볼타입의 전극패드(2)에는 미끄러 발생 등의 원인에 의해서 접촉이 용이하지 않은 문제점이 있었다.In addition, the needle-type probe tip 114, as shown in Figure 2, is a ball type electrode pad (2) that is mainly used recently, that is, a ball type electrode pad (2) whose upper surface protrudes upwards There was a problem that the contact is not easy due to the occurrence of slip.
본 발명의 목적은, 고집적화된 반도체소자의 파인피치에 대응할 수 있도록 수직형 수직형 전기적 접촉체의 제조방법 및 이에 따른 수직형 전기적 접촉체를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a vertical vertical electrical contact and a vertical electrical contact according to the fine pitch of a highly integrated semiconductor device.
본 발명의 다른 목적은, 상부 표면이 상부로 돌출된 볼타입의 전극패드에 용이하게 대응할 수 있는 수직형 전기적 접촉체의 제조방법 및 이에 따른 수직형 전기적 접촉체를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a vertical electrical contact and a vertical electrical contact according to which an upper surface can easily correspond to a ball-type electrode pad protruding upward.
도 1은 종래의 전기적 접촉체를 설명하기 위한 프로브 카드의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a probe card for explaining a conventional electrical contact.
도 2는 종래의 전기적 접촉체의 문제점을 설명하기 위한 도면이다.2 is a view for explaining the problem of the conventional electrical contact.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 수직형 전기적 접촉체의 사시도이다.3A and 3B are perspective views of a vertical electrical contact member according to a first embodiment of the present invention.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 수직형 전기적 접촉체의 사시도이다.4A and 4B are perspective views of a vertical electrical contact according to a second embodiment of the present invention.
도 5는 도 3 및 도 4에 도시된 수직형 전기적 접촉체의 사용 상태를 설명하기 위한 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a state of use of the vertical electrical contact shown in FIGS. 3 and 4.
도 6a 내지 도 6h는 본 발명에 따른 수직형 전기적 접촉체의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.6A to 6H are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a vertical electrical contact member according to the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
10, 20 : 본체부 12, 22 : 팁10, 20: main body 12, 22: tip
30 : 희생기판 32 : 보호막30: sacrificial substrate 32: protective shield
34 : 포토레지스트 패턴 36 : 보호막 패턴34 photoresist pattern 36 protective film pattern
38 : 제 1 트렌치 40 : 제 2 트렌치38: first trench 40: second trench
42 : 제 3 트렌치 44 : 도전성 물질42: third trench 44: conductive material
46 : 전기적 접촉체46: electrical contact
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 수직형 전기적 접촉체는, 도전성 재질의 기둥형상으로 이루어지는 본체부; 및 상기 본체부 저면에 도전성 재질로 구비된 복수의 팁;을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.Vertical electrical contact according to the present invention for achieving the above object, the main body portion made of a pillar shape of a conductive material; And a plurality of tips formed of a conductive material on the bottom surface of the main body.
여기서, 상기 본체부 및 팁은 일체로 이루어질 수 있으며, 상기 본체부 및 팁은 니켈 또는 니켈 합금 재질로 이루어질 수 있다.Here, the body portion and the tip may be integrally formed, and the body portion and the tip may be made of nickel or a nickel alloy material.
그리고, 상기 본체부 중앙에 홀(Hole)이 더 형성될 수 있고, 상기 팁은 하나으 접점을 가진 뿔상으로 이루어질 수 있다.And a hole (Hole) may be further formed in the center of the main body portion, the tip may be made of a cone shape having one contact.
또한, 본 발명에 따른 수직형 전기적 접촉체의 제조방법은, 희생기판 상에 보호막 패턴을 형성하는 단계; 상기 보호막 패턴을 마스크로 사용하여 상기 희생기판 상면을 깊게 건식식각함으로써 상기 희생기판 상에 저면이 라운딩된 복수의 제 2 트렌치를 형성하는 단계; 상기 보호막 패턴을 마스크로 사용하여 상기 희생기판 상면을 습식식각함으로써 상기 복수의 제 2 트렌치의 각 측벽을 과도식각하여 상기 제 2 트렌치를 서로 통합하며 저면에 소정의 경사각을 지닌 미세 트렌치가 형성된제 3 트렌치를 형성하는 단계; 상기 보호막 패턴을 제거하는 단계; 상기 보호막 패턴이 제거된 상기 제 3 트렌치 내부에 금속물질을 매립하는 단계; 및 상기 희생기판을 제거하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In addition, the manufacturing method of the vertical electrical contact according to the present invention, forming a protective film pattern on the sacrificial substrate; Forming a plurality of second rounded bottom trenches on the sacrificial substrate by deeply etching the upper surface of the sacrificial substrate using the passivation pattern as a mask; A third trench in which a plurality of sidewalls of the plurality of second trenches are over-etched by wet etching an upper surface of the sacrificial substrate using the passivation layer pattern as a mask to form fine trenches having a predetermined inclination angle at a bottom surface thereof. Forming a trench; Removing the protective film pattern; Filling a metal material into the third trench from which the protective layer pattern is removed; And removing the sacrificial substrate.
여기서, 상기 상기 보호막 패턴을 마스크로 사용하여 제 2 트렌치를 형성하기 이전에 상기 보호막 패턴을 마스크로 사용하여 습식식각공정을 수행함으로써 상기 희생기판 상에 내측면에 소정의 경사각을 지닌 제 1 트렌치를 형성하는 단계가 더 수행될 수도 있다.Here, before forming the second trench using the passivation layer pattern as a mask, a wet etching process is performed using the passivation layer pattern as a mask to form a first trench having a predetermined inclination angle on an inner surface of the sacrificial substrate. The forming step may be further performed.
그리고, 상기 보호막 패턴으로 산화막을 사용할 수 있으며, 상기 제 1 트렌치 및 제 3 트렌치를 형성하기 위한 습식식각공정은 일정량의 수산화칼륨(KOH)과 잔량으로 탈이온수(Deionized water)가 혼합된 케미컬(Chemical)을 사용할 수 있다.In addition, an oxide layer may be used as the passivation layer pattern, and a wet etching process for forming the first trench and the third trench may include a chemical mixture of potassium hydroxide (KOH) and deionized water in a residual amount. ) Can be used.
또한, 상기 제 2 트렌치를 형성하기 위한 건식식각공정은 SF6, C4F8및 O2가스가 일정비율로 혼합된 반응가스를 사용하여 수행될 수 있다.In addition, the dry etching process for forming the second trench may be performed using a reaction gas in which SF 6 , C 4 F 8 and O 2 gas are mixed at a predetermined ratio.
그리고, 상기 제 2 트렌치를 형성하기 위한 건식식각공정은 RIE(Reactive Ion Etching)로 이루어질 수 있다.The dry etching process for forming the second trench may be made of Reactive Ion Etching (RIE).
또한, 상기 금속물질로 니켈(Ni) 또는 니켈 합금을 사용할 수 있고, 상기 제 3 트렌치 내부에 금속 물질을 매립한 후, 상기 희생기판을 제거하기 이전에 상기 희생기판 상면을 평탄화하는 평탄화공정이 더 수행될 수 있다.In addition, nickel (Ni) or a nickel alloy may be used as the metal material, and after the metal material is embedded in the third trench, the planarization process of planarizing the top surface of the sacrificial substrate is further performed before removing the sacrificial substrate. Can be performed.
그리고, 상기 희생기판을 제거하는 단계는 케미컬을 이용한 습식식각공정에의해서 이루어질 수 있다.The removing of the sacrificial substrate may be performed by a wet etching process using chemicals.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3a 및 도 3는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 수직형 전기적 접촉체를 설명하기 위한 사시도이다.3A and 3 are perspective views illustrating a vertical electrical contact member according to a first embodiment of the present invention.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 수직형 전기적 접촉체는, 도 3a에 도시된 바와 같이 사각기둥 형상으로 이루어지는 본체부(10)와 상기 본체부(10) 저면에 돌기 형상으로 형성된 복수의 팁(Tip : 12)을 구비하여 이루어진다.The vertical electrical contact according to the first embodiment of the present invention, as shown in Figure 3a, a plurality of tips formed in a projection shape on the bottom of the main body portion 10 and the main body portion 10 having a rectangular pillar shape ( Tip: 12)
이때, 상기 팁(12)은 하나의 접점을 가진 피라밋형상 또는 절두형 피라밋형상 등으로 이루어져 본체부(10)와 일체로 형성되고, 상기 본체부(10) 및 팁(12)은 니켈(Ni), 니켈 합금 등과 같은 도전성 재질로 이루어진다.In this case, the tip 12 is formed of a pyramid shape or a truncated pyramid shape having one contact, and the like is integrally formed with the main body 10, and the main body 10 and the tip 12 are nickel (Ni). And a conductive material such as nickel alloy.
그리고, 도 3b에 도시된 바와 같이 본체부(10)를 원기둥형상으로 변형이 가능하다.And, as shown in Figure 3b it is possible to deform the body portion 10 in a cylindrical shape.
특히, 본 실시예에서는 본체부(10)를 사각기둥 또는 원기둥형상으로 한정하여 설명하였으나 기둥형상으로 다양한 변형이 가능하며, 상기 팁(12)의 배열, 크기 및 형상 등은 당업자에 의해서 다양하게 변형이 가능함은 당연하다할 것이다.Particularly, in the present embodiment, the main body 10 has been described as being limited to a rectangular pillar or a cylindrical shape, but various modifications are possible in the form of a column, and the arrangement, size, and shape of the tip 12 may be variously modified by those skilled in the art. This possibility will be natural.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 수직형 전기적 접촉체를 설명하기 위한 사시도이다.4A and 4B are perspective views illustrating a vertical electrical contact member according to a second embodiment of the present invention.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 수직형 전기적 접촉체는, 도 4a에 도시된 바와 같이 내부에 홀(넘버링되지 않음)이 형성된 사각기둥 형상으로 이루어지는 본체부(20)와 상기 본체부(20) 저면에 돌기 형상으로 형성된 복수의 팁(22)을 구비하여 이루어진다.In the vertical electrical contact according to the second embodiment of the present invention, as shown in Figure 4a, the main body portion 20 and the main body portion 20 formed of a rectangular pillar shape having a hole (not numbered) formed therein It is provided with the some tip 22 formed in the shape of protrusion in the bottom surface.
이때, 상기 팁(22)은 하나의 접점을 가진 피라밋형상 또는 절두형 피라밋형상 등으로 이루어져 본체부(20)와 일체로 형성되고, 상기 본체부(20) 및 팁(22)은 니켈(Ni) 및 니켈 합금 등과 같은 도전성 재질로 이루어진다.At this time, the tip 22 is formed of a pyramid shape or a truncated pyramid shape having one contact, and the like is integrally formed with the main body 20, and the main body 20 and the tip 22 are nickel (Ni). And conductive materials such as nickel alloys.
그리고, 도 4b에 도시된 바와 같이 본체부(20)를 원기둥형상으로 변형이 가능하다.And, as shown in Figure 4b it is possible to deform the body portion 20 in a cylindrical shape.
특히, 본 실시예에서는 본체부(10)를 사각기둥 또는 원기둥형상으로 한정하여 설명하였으나 기둥형상으로 다양한 변형이 가능하며, 상기 팁(22)의 배열, 크기 및 형상 등은 당업자에 의해서 다양하게 변형이 가능함은 당연하다할 것이다.Particularly, in the present embodiment, the main body 10 has been described as being limited to a rectangular column or a cylindrical shape, but various modifications are possible in the form of a column, and the arrangement, size and shape of the tip 22 may be variously modified by those skilled in the art. This possibility will be natural.
도 5는 전술한 본 발명의 제 1 실시예 및 제 2 실시예에 따른 수직형 전기적 접촉체의 사용상태를 설명하기 위한 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a state of use of the vertical electrical contact according to the first and second embodiments of the present invention described above.
본 발명에 따른 수직형 전기적 접촉체는, 도 5에 도시된 바와 같이 프로브 카드에 수직적으로 고정 부착되어 소정의 물리력(F)에 의해서 볼타입(Ball Type)의 반도체소자의 패드(Pad : 4) 등과 같은 피검사체의 검사부와 접촉한 후, 상기 패드(4)에 전기신호를 인가함으로써 반도체소자의 정상 유무를 테스트하게 된다.The vertical electrical contact member according to the present invention is fixedly attached to the probe card vertically as shown in FIG. 5 and has a pad (Pad: 4) of a ball type semiconductor device due to a predetermined physical force (F). After contact with the inspection unit of the inspected object such as the like, an electrical signal is applied to the pad 4 to test whether the semiconductor device is normal.
이때, 상기 수직형 전기적 접촉체는 프로브카드에 수직적으로 고정 부착됨으로써 최근에 고집적화된 반도체소자의 파인피치(Fine pitch)에 적극 대응할 수 있다.In this case, the vertical electrical contact body may be fixedly attached to the probe card vertically to actively correspond to the fine pitch of recently integrated semiconductor devices.
또한, 상기 수직형 전기적 접촉체는 패드(4)와 직접 접촉하는 팁(12, 22)이복수개 구비됨으로써 미끄러짐 등의 발생에 의해서 패드(4)와 팁(12, 22)의 접촉 불량이 발생하는 것을 미연에 방지할 수 있는 것이다.In addition, the vertical electrical contact member is provided with a plurality of tips 12 and 22 in direct contact with the pad 4, so that a poor contact between the pad 4 and the tips 12 and 22 occurs due to slippage or the like. This can be prevented in advance.
도 6a 내지 도 6h는 전술한 바와 같은 본 발명에 따른 수직형 전기적 접촉체의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.6A to 6H are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a vertical electrical contact member according to the present invention as described above.
본 발명에 따른 수직형 전기적 접촉체의 제조방법은, 도 6a에 도시된 바와 같이 (1,0,0) 등과 같이 일정한 방향성을 가진 실리콘(Silicon) 재질의 희생기판(30) 전면에 소정두께의 산화막(Oxidation layer)으로 이루어지는 보호막(32)을 형성한 후, 상기 보호막(32) 상부에 복수의 개구부를 가진 소정형상의 포토레지스트 패턴(34)을 형성한다.In the manufacturing method of the vertical electrical contact according to the present invention, as shown in Figure 6a (1,0,0) of a predetermined thickness on the front surface of the sacrificial substrate 30 of silicon (Silicon) material having a certain direction, such as After forming the passivation layer 32 formed of an oxide layer, a photoresist pattern 34 having a predetermined shape having a plurality of openings is formed on the passivation layer 32.
이때, 상기 보호막으로 사용되는 산화막은 공지의 열산화법(Thermal oxidation process)에 의해서 형성된다.At this time, the oxide film used as the protective film is formed by a known thermal oxidation process.
그리고, 상기 포토레지스트는 희생기판(30)을 회전시키면서 희생기판(30) 상에 포토레지스트(Photoresist)를 분사 코팅(Coating)하는 스핀코팅(Spin coating) 방식에 의해서 형성할 수 있으며, 상기 포토레지스트 패턴(34)은 후속공정에서 팁을 형성하기 위한 패턴이 설계된 마스크(Mask)를 포토레지스트가 코팅된 희생기판(30) 상에 위치시킨 후, 노광 및 현상함으로써 형성할 수 있다.The photoresist may be formed by a spin coating method of spray coating a photoresist on the sacrificial substrate 30 while rotating the sacrificial substrate 30. The pattern 34 may be formed by exposing and developing a mask on which the pattern for forming the tip is formed on the photoresist-coated sacrificial substrate 30 in a subsequent process.
다음으로, 도 6b에 도시된 바와 같이 상기 포토레지스트 패턴(34)을 마스크로 사용하여 습식 또는 건식 식각공정을 수행함으로써 보호막 패턴(36)을 형성한 후, 상기 포토레지스트 패턴(34)을 제거한다.Next, as shown in FIG. 6B, after the wet or dry etching process is performed using the photoresist pattern 34 as a mask, the protective layer pattern 36 is formed, and then the photoresist pattern 34 is removed. .
이때, 상기 포토레지스트 패턴(34)은 포토레지스트와 반응성이 뛰어난 케미컬(Chemical)을 이용한 습식식각공정에 의해서 제거할 수 있다.In this case, the photoresist pattern 34 may be removed by a wet etching process using a chemical having excellent reactivity with the photoresist.
계속해서, 도 6c에 도시된 바와 같이 상기 보호막 패턴(36)을 마스크로 사용하여 제 1 습식식각공정을 수행함으로써 희생기판(30) 상에 팁을 형성하기 위한 제 1 트렌치(38)를 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 6C, the first trench 38 for forming the tip on the sacrificial substrate 30 is formed by performing the first wet etching process using the passivation layer pattern 36 as a mask. .
이때, 상기 1차 습식식각공정은 수산화칼륨(KOH)과 탈이온수(Deionized water)가 소정비율로 혼합된 케미컬을 이용한 습식식각공정으로 이루어짐으로써 일정 방향성을 가진 희생기판(30)은 이방성 식각되고, 상기 이방성 식각에 의해서 제 1 트렌치(38)의 내면은 소정의 경사각을 지님으로써 제 1 트렌치(38)는 각뿔대 또는 원뿔대 형상으로 형성된다.At this time, the primary wet etching process is made of a wet etching process using a chemical mixture of potassium hydroxide (KOH) and deionized water in a predetermined ratio, so that the sacrificial substrate 30 having a predetermined direction is anisotropically etched, By the anisotropic etching, the inner surface of the first trench 38 has a predetermined inclination angle, so that the first trench 38 is formed in the shape of a pyramid or a truncated cone.
다음으로, 도 6d에 도시된 바와 같이 1차 습식식각공정의 수행에 의해서 내측면이 경사커팅된 각뿔대 또는 원뿔대 형상의 제 1 트렌치(38)가 형성된 희생기판(30) 상의 보호막 패턴(36)을 마스크로 사용하여 건식식각공정을 수행함으로써 제 1 트렌치(38)의 깊이를 한층더 깊게 형성하며 제 1 트렌치(38)의 저면을 라운딩(Rounding)하여 제 2 트렌치(40)를 형성한다.Next, as shown in FIG. 6D, the passivation layer pattern 36 on the sacrificial substrate 30 having the first trench 38 having an inclined truncated pyramid or truncated cone shape is formed by performing the first wet etching process. By performing a dry etching process as a mask, the depth of the first trench 38 is further deepened, and the bottom surface of the first trench 38 is rounded to form the second trench 40.
이때, 상기 건식식각공정은 SF6, C4F8및 O2가스가 일정 비율로 혼합된 혼합가스를 사용한 건식식각공정으로 이루어지며, 상기 건식식각공정은 딥 트렌치(Deep trench) 식각 방법의 하나로 소위, 보쉬 프로세서(Bosh process)로 불리우는 공지의 RIE(Reactive Ion Etching)에 의해서 이루어진다.In this case, the dry etching process is a dry etching process using a mixed gas in which SF 6 , C 4 F 8 and O 2 gas are mixed at a predetermined ratio, and the dry etching process is one of deep trench etching methods. It is made by the so-called Reactive Ion Etching (RIE), which is called the Bosch process.
보다 상세히 설명하면, 상기 1차 습식식각공정의 수행에 의해서 형성된 제 1트렌치(38)의 깊이는 건식식각공정에 의해서 그 깊이가 깊어지며, 상기 SF6가스의 등방성 식각 특성에 의해서 각뿔대 또는 원뿔대 형상의 제 1 트렌치(38)의 내측면 각도는 소정각도로 완화됨과 동시에 제 1 트렌치(38)의 저면부는 라운딩된다.In more detail, the depth of the first trench 38 formed by performing the first wet etching process is deepened by a dry etching process, and the pyramidal shape or the truncated cone shape is formed by the isotropic etching characteristic of the SF 6 gas. The inner side angle of the first trenches 38 may be relaxed to a predetermined angle, and the bottom portion of the first trenches 38 may be rounded.
또한, 전술한 바와 같이 본 실시예에서는 1차 습식식각에 의해서 제 1 트렌치(38)를 형성한 후, 건식식각에 의해서 깊이가 깊은 제 2 트렌치(40)를 형성하였으나 제 1 트렌치(38)를 형성하는 공정을 생략하고 건식식각에 의해서 바로 깊이가 깊은 제 2 트렌치(40)를 형성할 수도 있다.In addition, as described above, in the present embodiment, after forming the first trench 38 by primary wet etching, the second trench 40 having a deep depth is formed by dry etching, but the first trench 38 is formed. The formation process may be omitted, and the second trench 40 having a deep depth may be formed by dry etching.
이어서, 도 6e에 도시된 바와 같이 보호막 패턴(36)을 마스크로 사용하여 다시 2차 습식식각공정을 수행하여 우물형상의 제 3 트렌치(42)를 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 6E, the second wet etching process is performed again using the passivation layer pattern 36 as a mask to form a third trench 42 having a well shape.
이때, 상기 2차 습식식각공정은 1차 습식식각공정과 동일하게 수산화칼륨(KOH)과 탈이온수(Deionized water)가 소정비율로 혼합된 케미컬을 이용한 습식각공정으로 이루어진다.At this time, the second wet etching process is made of a wet etching process using a chemical mixture of potassium hydroxide (KOH) and deionized water (Deionized water) in the same ratio as the first wet etching process.
또한, 상기 2차 습식식각공정에 의해서 제 2 트렌치(30)의 측벽은 과도식각됨으로써 이웃하는 제 2 트렌치(30)는 서로 연결되어 우물형상의 제 3 트렌치(42)로 변형되며, 상기 제 2 트렌치(30)의 저면은 이방성 식각되어 다시 소정의 경사각을 지님으로써 각뿔대 또는 원뿔대 형상의 복수의 미세 트렌치를 우물형상의 제 3 트렌치(42) 저면에 형성하게 된다.In addition, the sidewalls of the second trenches 30 are over-etched by the second wet etching process, so that the neighboring second trenches 30 are connected to each other to be deformed into the well-shaped third trenches 42. The bottom surface of the trench 30 is anisotropically etched to have a predetermined inclination angle, thereby forming a plurality of fine trenches having a pyramidal or truncated cone shape on the bottom surface of the third trench 42 having a well shape.
그리고, 상기 2차 습식식각공정을 수행하는 과정에 제 2 트렌치(30)와 제 2 트렌치(30) 상부의 미세 패턴으로 이루어지는 보호막 패턴(36)은 제 2 트렌치(30)측벽의 과도식각에 의해서 함몰된다.In the process of performing the second wet etching process, the passivation layer pattern 36 including a fine pattern on the second trench 30 and the upper portion of the second trench 30 may be formed by transient etching of the side wall of the second trench 30. Is depressed.
다음으로, 도 6f에 도시된 바와 같이 희생기판(30) 상의 제 2 보호막 패턴(36) 및 선행된 2차 습식식각공정 과정에 탈착된 제 2 트렌치(30)와 제 2 트렌치(30) 상부의 미세 패턴으로 이루어지는 보호막 패턴(36)을 습식식각 등의 공정에 의해서 완전히 제거한다.Next, as shown in FIG. 6F, the second passivation pattern 36 on the sacrificial substrate 30 and the upper portions of the second trenches 30 and the second trenches 30 removed during the second wet etching process are described. The protective film pattern 36 which consists of a fine pattern is removed completely by processes, such as a wet etching.
계속해서, 도 6g에 도시된 바와 같이 제 3 트렌치(42)가 형성된 희생기판(30) 상의 제 3 트렌치(42) 내부에 니켈(Ni) 또는 니켈 합금 등의 도전성 물질(44)을 매립한 후, 상기 희생기판(30) 상면을 평탄화한다.Subsequently, as shown in FIG. 6G, a conductive material 44 such as nickel (Ni) or a nickel alloy is embedded in the third trench 42 on the sacrificial substrate 30 on which the third trench 42 is formed. The top surface of the sacrificial substrate 30 is planarized.
이때, 상기 제 3 트렌치(42) 내부에 도전성 물질(44)을 매립하는 공정은 CVD(Chemical Vapor Deposition) 또는 PVD(Physical Vapor Deposition) 등의 방법으로 희생기판(30) 상에 도전막을 형성함으로써 이루어질 수 있다.In this case, the process of embedding the conductive material 44 in the third trench 42 may be performed by forming a conductive film on the sacrificial substrate 30 by a method such as chemical vapor deposition (CVD) or physical vapor deposition (PVD). Can be.
그리고, 상기 희생기판(30) 상면의 평탄화공정은 CMP(Chemical Mechanical Polishing), 에치백(Etch back) 및 그라인딩(Grinding) 등의 방법으로 이루어질 수 있다.In addition, the planarization process of the upper surface of the sacrificial substrate 30 may be performed by a method such as chemical mechanical polishing (CMP), etch back and grinding.
마지막으로, 도 6h에 도시된 바와 같이 평탄화공정이 완료된 희생기판(30)을 습식식각 등의 방법으로 제거하여 본체부와 팁을 구비한 수직형 전기적 접촉체(46)를 완성한다.Finally, as shown in FIG. 6H, the sacrificial substrate 30 having the planarization process is removed by a wet etching method to complete a vertical electrical contact 46 having a main body and a tip.
본 발명에 의하면, 수직형 전기적 접촉체가 프로브 카드에 수직적으로 부착 고정되어 사용됨으로써 고집적화된 반도체소자의 파인피치에 대응할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, since the vertical electrical contact body is vertically attached and fixed to the probe card, it is possible to cope with the fine pitch of the highly integrated semiconductor device.
그리고, 수직형 전기적 접촉체는 기둥형상의 본체부 저면에 복수의 뿔형상의 팁을 구비함으로써 미끄럼 등의 발생에 의해서도 용이하게 볼타입의 전극패드와 접촉할 수 있도록 하는 효과가 있다.In addition, the vertical electrical contact member is provided with a plurality of horn-shaped tips on the bottom of the pillar-shaped main body, so that it is possible to easily contact the ball-type electrode pad by the occurrence of sliding or the like.
이상에서는 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술 사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical spirit of the present invention, and such modifications and modifications belong to the appended claims.
Claims (15)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0066197A KR100463308B1 (en) | 2002-10-29 | 2002-10-29 | Vertical type electrical contactor and method for manufacturing its |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0066197A KR100463308B1 (en) | 2002-10-29 | 2002-10-29 | Vertical type electrical contactor and method for manufacturing its |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040037630A KR20040037630A (en) | 2004-05-07 |
| KR100463308B1 true KR100463308B1 (en) | 2004-12-23 |
Family
ID=37335916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0066197A KR100463308B1 (en) | 2002-10-29 | 2002-10-29 | Vertical type electrical contactor and method for manufacturing its |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100463308B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101301738B1 (en) * | 2007-06-26 | 2013-08-29 | 주식회사 코리아 인스트루먼트 | Method for producing probe card and probe card thereby |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980052833U (en) * | 1996-12-31 | 1998-10-07 | 유기범 | Probe of measuring instrument |
| US6016060A (en) * | 1997-03-25 | 2000-01-18 | Micron Technology, Inc. | Method, apparatus and system for testing bumped semiconductor components |
| JP2000162241A (en) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Advantest Corp | Manufacture of contact structure |
| JP2002014137A (en) * | 2000-03-29 | 2002-01-18 | Micronics Japan Co Ltd | Method and device for electrical contact in instrument for inspecting semiconductor device |
| KR20020032332A (en) * | 2000-10-25 | 2002-05-03 | 가부시키가이샤 어드밴티스트 | Contact structure and production method thereof and probe contact assembly using same |
-
2002
- 2002-10-29 KR KR10-2002-0066197A patent/KR100463308B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980052833U (en) * | 1996-12-31 | 1998-10-07 | 유기범 | Probe of measuring instrument |
| US6016060A (en) * | 1997-03-25 | 2000-01-18 | Micron Technology, Inc. | Method, apparatus and system for testing bumped semiconductor components |
| JP2000162241A (en) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Advantest Corp | Manufacture of contact structure |
| JP2002014137A (en) * | 2000-03-29 | 2002-01-18 | Micronics Japan Co Ltd | Method and device for electrical contact in instrument for inspecting semiconductor device |
| KR20020032332A (en) * | 2000-10-25 | 2002-05-03 | 가부시키가이샤 어드밴티스트 | Contact structure and production method thereof and probe contact assembly using same |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101301738B1 (en) * | 2007-06-26 | 2013-08-29 | 주식회사 코리아 인스트루먼트 | Method for producing probe card and probe card thereby |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20040037630A (en) | 2004-05-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7579855B2 (en) | Method for manufacturing electrical contact element for testing electronic device and electrical contact element manufactured thereby | |
| CN100578748C (en) | Cantilever type probe and method of fabricating the same | |
| KR100749735B1 (en) | Method of fabricating cantilever type probe and method of fabricating probe card using the same | |
| US7642793B2 (en) | Ultra-fine pitch probe card structure | |
| US20080180123A1 (en) | Ultra-fine pitch probe card structure | |
| KR100920380B1 (en) | Method for fabricating probe tip | |
| US7119557B2 (en) | Hollow microprobe using a MEMS technique and a method of manufacturing the same | |
| KR100586675B1 (en) | Manufacture method of vertical-type electric contactor and vertical-type electric contactor thereof | |
| KR100703043B1 (en) | Probe substrate for test and manufacturing method thereof | |
| KR100463308B1 (en) | Vertical type electrical contactor and method for manufacturing its | |
| KR100580784B1 (en) | Method for manufacturing electric contactor | |
| KR100464681B1 (en) | Method for manufacturing tip of electric contactor for testing electro device | |
| US20080204060A1 (en) | Vertical-Type Electric Contactor And Manufacture Method Thereof | |
| KR100796207B1 (en) | Method for forming probe structure of probe card | |
| CN101354405B (en) | Method for manufacturing electrical contact element for testing electro device and electrical contact element thereby | |
| KR100627977B1 (en) | Vertical-type probe manufacturing method | |
| KR20080019366A (en) | Probe tip and manufacturing method | |
| KR100498780B1 (en) | Method for manufactuting MEMS structure object having the high step edge | |
| KR100806380B1 (en) | Method for producing probe card and probe card thereby | |
| KR100703042B1 (en) | Probe substrate for test and manufacturing method thereof | |
| KR101181519B1 (en) | Probe tip and the process of manufacture | |
| KR20080090913A (en) | Tip of a electrical contactor and method of manufacturing the same | |
| KR101097147B1 (en) | A Method For Fabricating Probe Structure of Probe Card | |
| KR100444436B1 (en) | Method for manufacturing cantilever type electrical contactor having the plural steps for testing electro device and electrical contactor thereby |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| AMND | Amendment | ||
| B701 | Decision to grant | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20110928 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |