KR100462905B1 - manufacturing apparatus for liquid crystal display - Google Patents

manufacturing apparatus for liquid crystal display Download PDF

Info

Publication number
KR100462905B1
KR100462905B1 KR10-2001-0075091A KR20010075091A KR100462905B1 KR 100462905 B1 KR100462905 B1 KR 100462905B1 KR 20010075091 A KR20010075091 A KR 20010075091A KR 100462905 B1 KR100462905 B1 KR 100462905B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid crystal
crystal display
substrate
chamber
diffuser
Prior art date
Application number
KR10-2001-0075091A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20030044369A (en
Inventor
하정민
Original Assignee
주성엔지니어링(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주성엔지니어링(주) filed Critical 주성엔지니어링(주)
Priority to KR10-2001-0075091A priority Critical patent/KR100462905B1/en
Publication of KR20030044369A publication Critical patent/KR20030044369A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100462905B1 publication Critical patent/KR100462905B1/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/54Arrangements for reducing warping-twist

Abstract

본 발명은 내부에 기판이 안착되는 챔버(chamber)와, 소스 및 반응물질을 저장하고 이를 상기 챔버 내부로 유입하는 공급관이 설치된 소스 및 반응물질 저장장치를 포함하는 액정표시장치용 제조장치에 관한 것으로, 상하로 관통된 다수의 패스홀(path hole)을 가지고, 상기 기판의 상부로 챔버의 내부를 종단하도록 설치되는 절연판과; 중앙에 상하로 관통되어, 상기 공급관의 끝단이 직 상단에 위치 맞춤되는 하나의 디퓨저홀(diffuser hole)과, 대응하는 양 측면을 연결하도록 내면을 관통하는 일정간격의 다수의 빔 홀(beam hole)을 가지고, 상기 절연판의 상부로 챔버 내부를 종단하도록 설치되는 디퓨저플레이트(diffuser plate)를 포함하여, 상기 소스 및 반응가스의 반응으로 상기 기판을 가공하는 액정표시장치용 제조장치를 제공한다.The present invention relates to a manufacturing apparatus for a liquid crystal display device including a chamber in which a substrate is seated therein, and a source and a reactant storage device having a supply pipe for storing a source and a reactant and introducing the same into the chamber. An insulating plate having a plurality of path holes penetrated up and down, and installed to terminate the interior of the chamber to an upper portion of the substrate; A single diffuser hole is vertically penetrated in the center, and a plurality of beam holes spaced through the inner surface to connect the corresponding side surfaces with one diffuser hole positioned at the upper end of the supply pipe. Including a diffuser plate (diffuser plate) is installed to terminate the inside of the chamber to the upper portion of the insulating plate, to provide a manufacturing apparatus for a liquid crystal display device for processing the substrate by the reaction of the source and the reaction gas.

Description

액정표시장치용 제조장치{manufacturing apparatus for liquid crystal display}Manufacturing apparatus for liquid crystal display

본 발명은 액정표시장치(LCD : Liquid Crystal Display)용 프로세스 모듈(process module)에 관한 것으로, 좀 더 자세하게는 액정표시장치를 구성하는 어레이기판 또는 공통전극기판의 제조를 위해서, 기판 상에 박막의 증착 또는 이를 식각하여 패터닝(patterning)하는 액정표시장치용 제조장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a process module for a liquid crystal display (LCD), and more particularly to manufacturing an array substrate or a common electrode substrate constituting a liquid crystal display device. The present invention relates to a manufacturing apparatus for a liquid crystal display device which is deposited or patterned by etching the same.

최근 정보화 사회로 시대가 급 발전함에 따라 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 보다 개선된 특성을 가지는 평판표시장치(plate panel display)의 필요성이 대두되었고, 이에 액정표시장치(liquid crystal display)가 개발되어 현재 노트북이나 데스크탑 모니터 등에 활발하게 사용되고 있다.Recently, as the information society has evolved rapidly, there is a need for a flat panel display having improved characteristics such as thinning, light weight, and low power consumption, and thus a liquid crystal display has been developed. Currently, it is actively used in laptops and desktop monitors.

액정표시장치는 서로 대향하는 두 기판의 일면에 각각 전계 생성 전극을 형성하고, 이들 기판의 일면을 서로 마주보도록 배치한 상태에서 그 사이에 액정 물질을 삽입하여 구성되는 것으로, 각각의 전극에 전압을 인가하여 생성되는 전기장의 변화로 액정을 구동시킴으로서, 변화하는 빛의 투과율을 통해 여러 가지 화상을 표현하는 장치이다.The liquid crystal display device is configured by forming a field generating electrode on one surface of two substrates facing each other and inserting a liquid crystal material therebetween with one surface of the substrate facing each other, and applying a voltage to each electrode. By driving the liquid crystal by the change of the electric field generated by the application, it is a device for representing a variety of images through the changing transmittance of light.

이에 액정표시장치의 제조공정은 각각 다른 공정을 통해 완성되는 두기판 즉, 어레이기판과 공통전극을 구비하여, 이 사이에 액정을 개재한 후 합착하여 구현되는 바, 특히 이러한 어레이기판 및 공통전극기판은 각각 유리등의 재질로 이루어지는 투명 기판 상에 수 차례에 걸친 박막의 증착 및 이의 패터닝(patterning) 공정을 통해 제조된다.The manufacturing process of the liquid crystal display device includes two substrates, each of which is completed through a different process, that is, an array substrate and a common electrode, and are implemented by interposing a liquid crystal between them, in particular, such an array substrate and a common electrode substrate. Is manufactured through several times of deposition and patterning process of a thin film on a transparent substrate made of a material such as glass.

이와 같이 기판 상에 박막을 증착하거나 또는 이를 패터닝 하는 등의 공정은 통상 액정표시장치용 프로세스 모듈을 통해 이루어지는 바, 이하 이의 일례로 기판 상에 박막을 증착하는 액정표시장치용 박막증착장치에 대하여 설명한다.As such, a process of depositing or patterning a thin film on a substrate is generally performed through a process module for a liquid crystal display device. Hereinafter, a thin film deposition apparatus for a liquid crystal display device for depositing a thin film on a substrate will be described. do.

도 1은 일반적인 액정표시장치용 박막증착장치의 개략적인 구조를 도시한 단면도로서, 그 내부에 기판(1)이 안착되어 이의 상면에 박막을 증착하는 직접적인 공정이 진행되는 챔버(10)와, 상기 챔버(10)의 내부 공정에 필요한 기체 상의 소스 및 반응물질을 저장하고, 이를 챔버로 공급하는 공급관(62)을 가지는 소스 및 반응물질 저장장치(60)를 포함하고 있다.1 is a cross-sectional view showing a schematic structure of a thin film deposition apparatus for a general liquid crystal display device, a chamber 10 in which a substrate 1 is mounted and a direct process of depositing a thin film on an upper surface thereof is performed. It includes a source and reactant storage device (60) having a supply pipe 62 for storing the source and reactant in the gas phase required for the internal process of the chamber 10, and supplies it to the chamber.

이때 특히 그 내부에 안착된 기판(1)의 처리공정이 진행되는 밀폐된 반응용기인 챔버(10)는 각각 상단의 상부커버(30) 및 이의 하단에 결합되는 하부베이스(50)로 구분되는 바, 이 중 상부커버(30)는 금속재질로 이루어지는 리드플레이트(lid plate)(34) 및 디퓨저플레이트(diffuser plate)(36)와, 절연판(38)이 차례로 평행하게 복층 배열된 상태에서 이들의 측면을 둘러싸는 커버프레임(cover frame)(32)이 측벽을 정의하게 된다. 이때 절연판(38)의 재질은 알루미늄이 사용되는 것이 일반적인데, 이의 표면에 절연물질이 코팅되므로 절연 코팅된 판 이라 하는 것이 정확하나, 이하 약칭으로 절연판이라 한다.At this time, in particular, the chamber 10, which is a sealed reaction vessel in which the processing process of the substrate 1 seated therein, is divided into an upper cover 30 at the top and a lower base 50 coupled to the lower end thereof. Among them, the upper cover 30 is a lid plate 34 and a diffuser plate 36 made of a metal material, and side surfaces thereof in a state in which the insulating plates 38 are sequentially arranged in parallel and in parallel. A cover frame 32 surrounding the wall defines a side wall. In this case, the material of the insulating plate 38 is generally used aluminum, but since the insulating material is coated on its surface, it is precisely referred to as an insulating coated plate, hereinafter referred to as an insulating plate.

다시 말해 상부커버(30)는 리드플레이트(34)로 이루어지는 상면과, 절연판(38)으로 이루어지는 저면을 가지는 박스형상의 커버프레임(32)을 포함하는 바, 이러한 커버프레임(32)의 내부에는 디퓨저플레이트(36)가 종단하도록 설치되는 것이다.In other words, the upper cover 30 includes a box-shaped cover frame 32 having a top surface made of a lead plate 34 and a bottom surface made of an insulating plate 38, and a diffuser is formed inside the cover frame 32. The plate 36 is installed to terminate.

이때 전술한 디퓨저플레이트(36)의 중앙에는 하나의 디퓨저홀(diffuser hole)(36b)이 상하 방향으로 관통 설치되고(도 2 참조), 이의 하단에 위치하는 절연판(38)에는 상하로 관통된 다수의 패스홀(path hole)(38a)이 설치되어 있는데, 전술한 소스 및 반응물질 저장장치(60)로부터 분기한 공급관(62)은 상부커버(30)의 측벽인 커버프레임(32)을 관통하여 리드플레이트(34)와 디퓨저플레이트(36) 사이로 인입된 상태에서, 그 말단은 디퓨저홀(36a)의 직 상단에 위치 맞춤되어 있다.At this time, one diffuser hole (36b) is installed in the center of the above-described diffuser plate 36 in the vertical direction (see FIG. 2), and a plurality of vertically penetrating the insulating plate 38 positioned at the lower end thereof. The path hole 38a of the supply hole is provided, and the supply pipe 62 branched from the source and reactant storage device 60 passes through the cover frame 32 which is a side wall of the upper cover 30. In the state led in between the lead plate 34 and the diffuser plate 36, the end thereof is aligned with the upper end of the diffuser hole 36a.

이러한 상부커버(30)의 하단에 결합되는 하부베이스(50)는, 그 상면에 상기 상부커버(30)의 절연판(38)에 대응하는 개구부를 가지는 박스형상의 베이스프레임(52)을 포함하고 있어, 이 베이스프레임(52)의 상면과 커버프레임(32)의 저면이 결합됨으로써 그 내부에 밀폐된 반응영역을 정의하게 된다.The lower base 50 coupled to the lower end of the upper cover 30 includes a box-shaped base frame 52 having an opening corresponding to the insulating plate 38 of the upper cover 30 on an upper surface thereof. The upper surface of the base frame 52 and the bottom surface of the cover frame 32 are combined to define a closed reaction region therein.

특히 이러한 하부베이스(50)의 반응영역 내에는 저면을 관통하여 설치되는 서셉터(54)가 부설되어 그 상면에 기판(1)이 안착되는 것으로, 후술하는 박막증착공정에 있어서 보다 균일한 박막을 구현하기 위하여 통상 서셉터(54)의 내부에는 300 내지 350 도(℃) 정도로 발열 가능한 히터(미도시)가 실장되는 것이 일반적이다.In particular, in the reaction region of the lower base 50, a susceptor 54 is installed to penetrate the bottom surface, and the substrate 1 is seated on the upper surface thereof. In order to implement, it is common to mount a heater (not shown) that can generate heat at about 300 to 350 degrees (° C.) in the susceptor 54.

따라서 소스 및 반응물질 저장장치(60)로부터 공급되는 기체상의 소스 및 반응물질은 공급관(62)의 말단을 경유하여 디퓨저홀(36a)로 분사되는 데, 그 하단에는 다수의 관통된 패스홀(38a)을 가지는 절연판(38)이 설치되어 있으므로, 소스 및 반응물질은 하부베이스(50)의 반응영역으로 확산된다.Therefore, the gaseous source and the reactant supplied from the source and the reactant storage device 60 are injected into the diffuser hole 36a via the end of the supply pipe 62, and a plurality of passage holes 38a are provided at the bottom thereof. Since the insulating plate 38 having the () is provided, the source and the reactant diffuse into the reaction region of the lower base 50.

이와 같이 반응영역으로 확산된 소스 및 반응물질은 화학반응을 하여 그 반응생성물을 기판(1)의 표면에 박막으로 증착하게 되는데, 특히 이들 기체물질을 반응영역 전(全)면적으로 고르게 확산시키고 반응성을 향상시키기 위하여, 상부커버(30)의 디퓨저플레이트(36)가 가지는 디퓨저홀(36a)의 하단에는 디퓨저디스크(diffuser disk)(40)가 개재되며, 하부베이스(50) 내부 반응영역에는 10-3토르(Torr) 정도의 고진공이 부여된다.As such, the source and the reactant diffused into the reaction zone are chemically reacted to deposit the reaction product as a thin film on the surface of the substrate 1. In particular, these gaseous materials are evenly dispersed and reacted over the entire reaction zone. In order to improve the efficiency, a diffuser disk 40 is interposed at the lower end of the diffuser hole 36a of the diffuser plate 36 of the upper cover 30, and the reaction region inside the lower base 50 is 10- . 3 Torr high vacuum is given.

그러나 이러한 일반적인 액정표시장치용 박막증착장치를 통해 기판(1) 상에 박막을 증착함에 있어서, 디퓨저플레이트(36)를 경계로 상하의 급격한 압력 차이에 의해 상부커버(30)를 종단하도록 설치되는 디퓨저플레이트(36)가 휘거나 틀어지는 등의 변형이 발생하는 문제점을 가지고 있다.However, in depositing a thin film on the substrate 1 through such a thin film deposition apparatus for a general liquid crystal display device, the diffuser plate is installed so as to terminate the upper cover 30 by a sharp pressure difference between the diffuser plate 36 up and down. There is a problem that deformation such as bending or twisting of 36 occurs.

즉, 일반적인 액정표시장치용 박막증착장치에 포함되는 디퓨저플레이트 만을 한정하여 도시한 사시도인 도 2를 참조하면, 디퓨저플레이트(36)를 경계로 하여 그 위쪽인 리드플레이트(34)와의 사이공간에는 대기압 정도의 압력이 부여되는 것과 비교하여, 그 아래쪽으로는 고진공 상태를 이루고 있어 이들 압력의 차이에 따라디퓨저플레이트(36)가 변형되는 현상이 빈번하게 관찰되는 것이다.That is, referring to FIG. 2, which is a perspective view of only a diffuser plate included in a general thin film deposition apparatus for a liquid crystal display device, an atmospheric pressure is formed in a space between the diffuser plate 36 and a lead plate 34 above it. Compared with the degree of pressure applied, a phenomenon in which the diffuser plate 36 is deformed in accordance with the difference in these pressures is frequently observed.

이러한 디퓨저플레이트(36)의 변형은 특히 기판(1)의 대면적화에 따라 챔버 및 디퓨저플레이트(36)의 면적이 증가함에 따라 더욱 심화되고 있는 실정이다.The deformation of the diffuser plate 36 is intensified as the area of the chamber and the diffuser plate 36 increases, in particular, as the area of the substrate 1 increases.

또한 디퓨저플레이트(36) 변형의 원인 중 하나로 기판(1)이 안착되는 서셉터(54) 내부에 실장된 히터(미도시)의 발열이 크게 영향을 미치고 있는데, 즉, 히터는 기판(1) 상에 증착되는 박막의 균일도 향상을 위하여 통상 300 내지 350 도(℃) 정도의 고온을 발생하게 되므로, 이러한 열이 금속재질의 디퓨저플레이트(36)에 전달됨에 따라 더욱 쉽게 변형된다.In addition, as one of the causes of deformation of the diffuser plate 36, heat generation of a heater (not shown) mounted inside the susceptor 54 on which the substrate 1 is seated is greatly influenced, that is, the heater is formed on the substrate 1. Since a high temperature of about 300 to 350 degrees (° C.) is generally generated to improve the uniformity of the thin film deposited on the film, such heat is more easily deformed as it is transferred to the metal diffuser plate 36.

이에 디퓨저플레이트(36)의 두께(h)를 크게 하여 변형을 감소시키고자 하는 시도가 있었으나, 이는 결국 장비의 대형화 및 제조비용의 증가 등의 부수적인 문제점을 일으키게 됨은 물론, 디퓨저플레이트(36)의 변형에 근본적인 해결책이 되지도 못하는 실정이다.Attempts have been made to reduce the deformation by increasing the thickness h of the diffuser plate 36, but this, in addition, causes additional problems such as an increase in equipment size and an increase in manufacturing cost. It is not a fundamental solution to transformation.

또한 전술한 구성은 박막의 증착을 위한 액정표시장치용 박막증착장치 뿐만 아니라 박막을 식각하여 패터닝하는 식각장치 등에도 동일하게 적용되는데, 이에 이상에서 설명한 디퓨저플레이트의 변형은, 상하의 급격한 압력의 차이를 구분하기 위한 디퓨저플레이트가 설치되는 액정표시장치용 프로세스 모듈에 공통적으로 나타나는 문제점이다.In addition, the above-described configuration is equally applicable to not only a thin film deposition apparatus for a liquid crystal display device for deposition of a thin film but also an etching apparatus for etching and patterning a thin film. This is a problem common to the process modules for liquid crystal display devices in which a diffuser plate for discriminating is installed.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 디퓨저플레이트가 대면적을 가지더라도 이의 변형을 효과적으로 방지할 수 있으며, 이를 통해 보다 신뢰성 있는 액정표시장치의 구현공정을 가능하게 하는 액정표시장치용 제조장치를 구현하는 데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, even if the diffuser plate has a large area can effectively prevent its deformation, thereby enabling a more reliable liquid crystal display device implementation process The purpose is to implement a manufacturing apparatus for.

도 1은 일반적인 액정표시장치용 박막증착장치의 내부구조를 도시한 개략 단면도1 is a schematic cross-sectional view showing the internal structure of a thin film deposition apparatus for a general liquid crystal display device

도 2는 일반적인 액정표시장치용 박막증착장치에 포함되는 디퓨저플레이트 만을 한정하여 도시한 사시도FIG. 2 is a perspective view illustrating only a diffuser plate included in a general thin film deposition apparatus for a liquid crystal display device. FIG.

도 3은 본 발명에 따른 액정표시장치용 박막증착장치의 내부구조를 도시한 개략 단면도3 is a schematic cross-sectional view showing the internal structure of a thin film deposition apparatus for a liquid crystal display device according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 액정표시장치용 박막증착장치에 포함되는 디퓨저플레이트 만을 한정하여 도시한 사시도Figure 4 is a perspective view showing only the diffuser plate included in the thin film deposition apparatus for a liquid crystal display according to the present invention

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

1 : 기판 130 : 상부커버1 substrate 130 upper cover

132 : 커버프레임 134 : 리드플레이트132: cover frame 134: lead plate

136 : 디퓨저플레이트 136a : 빔 홀136: diffuser plate 136a: beam hole

136b : 디퓨저홀 138 : 절연판136b: diffuser hole 138: insulating plate

138a : 패스홀 140 : 디퓨저디스크138a: pass hole 140: diffuser disk

150 : 하부베이스 152 : 베이스프레임150: lower base 152: base frame

154 : 서셉터 160 : 소스 및 반응물질 저장장치154 susceptor 160 source and reactant storage device

162 : 공급관162: supply pipe

본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 내부에 기판이 안착되는 챔버(chamber)와, 소스 및 반응물질을 저장하고 이를 상기 챔버 내부로 유입하는 공급관이 설치된 소스 및 반응물질 저장장치를 포함하는 액정표시장치용 제조장치로서, 상하로 관통된 다수의 패스홀(path hole)을 가지고, 상기 기판의 상부로 챔버의 내부를 종단하도록 설치되는 절연판과; 중앙에 상하로 관통되어, 상기 공급관의 끝단이 직 상단에 위치 맞춤되는 하나의 디퓨저홀(diffuser hole)과, 대응하는 양 측면을 연결하도록 내면을 관통하는 일정간격의 다수의 빔 홀(beam hole)을 가지고, 상기 절연판의 상부로 챔버 내부를 종단하도록 설치되는 디퓨저플레이트(diffuser plate)를 포함하여, 상기 소스 및 반응가스의 반응으로 기판을 처리하는 액정표시장치용 제조장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention includes a chamber in which a substrate is mounted therein, and a source and a reactant storage device having a supply pipe for storing a source and a reactant and introducing the same into the chamber. An apparatus for manufacturing a liquid crystal display, comprising: an insulating plate having a plurality of path holes penetrating up and down, and installed to terminate the interior of the chamber above the substrate; A single diffuser hole is vertically penetrated in the center, and a plurality of beam holes spaced through the inner surface to connect the corresponding side surfaces with one diffuser hole positioned at the upper end of the supply pipe. And a diffuser plate installed to terminate the inside of the chamber to an upper portion of the insulating plate, and provides a manufacturing apparatus for a liquid crystal display device for treating a substrate by reaction of the source and the reaction gas.

이때 특히 상기 빔 홀은 단면이 사각형인 것을 특징으로 하는 바, 이하 본 발명에 대한 올바른 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.In this case, in particular, the beam hole is characterized in that the cross section is a bar, the following will be described in detail with reference to the accompanying drawings a preferred embodiment of the present invention.

본 발명은 액정표시장치용 제조장치에 포함되는 디퓨저플레이트의 변형을 막기 위하여, 상기 디퓨저플레이트의 내부에 관통된 다수의 홀을 부여하는 것을 특징으로 하는데, 이러한 본 발명에 따른 액정표시장치용 제조장치의 일례로 액정표시장치용 박막증착장치에 대하여 설명한다.The present invention is characterized by providing a plurality of holes penetrated inside the diffuser plate in order to prevent the deformation of the diffuser plate included in the manufacturing apparatus for a liquid crystal display device, the apparatus for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention As an example, a thin film deposition apparatus for a liquid crystal display device will be described.

도 3은 본 발명에 따른 액정표시장치용 박막증착장치의 개략적인 구조를 도시한 단면도로서, 그 내부에 기판(1)이 안착되어 이의 상면에 박막을 증착하는 직접적인 공정이 진행되는 챔버(100)와, 상기 챔버(100)의 내부 공정에 필요한 기체 상의 소스 및 반응물질을 저장하고, 이를 챔버로 공급하는 공급관(162)을 가지는 소스 및 반응물질 저장장치(160)를 포함하고 있다.3 is a cross-sectional view illustrating a schematic structure of a thin film deposition apparatus for a liquid crystal display according to the present invention, in which a substrate 1 is mounted therein and a chamber 100 in which a direct process of depositing a thin film on the upper surface thereof is performed. And a source and reactant storage device 160 having a supply pipe 162 for storing a gaseous source and a reactant required for an internal process of the chamber 100 and supplying the source and the reactant to the chamber.

특히 그 내부에 안착되는 기판(1)의 처리 공정이 진행되는 밀폐된 반응용기인 챔버(100)는, 각각 상단의 상부커버(130) 및 이의 하단에 결합되는 하부베이스(150)로 구분되는 바, 이 중 상부커버(130)는 금속재질의 리드플레이트(134)로 이루어지는 상면과, 상하로 관통된 다수의 패스홀(path hole)(138a)을 가지는 절연판(138)으로 이루어지는 저면을 가지는 박스형상의 커버프레임(132)을 포함하고 있으며, 이러한 커버프레임(132)의 내부에는, 중앙에 하나의 디퓨저홀(diffuser hole)(136b)이 상하 방향으로 관통된 디퓨저플레이트(136)가 종단하도록 설치되어 있다.In particular, the chamber 100, which is a sealed reaction vessel in which the processing process of the substrate 1 seated therein, is divided into upper upper cover 130 and lower base 150 coupled to the lower end thereof, respectively. Among these, the upper cover 130 has a box shape having a top surface made of a lead plate 134 made of metal and a bottom surface made of an insulating plate 138 having a plurality of path holes 138a vertically penetrated. The cover frame 132 of the cover frame 132, inside the cover frame 132, one diffuser hole (136b) in the center is installed so that the diffuser plate 136 is vertically penetrated through have.

이때 바람직하게는 상기 절연판(138)은 알루미늄 등의 금속재질로 이루어지고, 그 표면은 절연물질로 코팅되어 이루어진다. 또한 소스 및 반응물질 저장장치(160)로부터 분기한 공급관(162)은, 상부커버(130)의 측벽인 커버프레임(132)을 관통하여 리드플레이트(134)와 디퓨저플레이트(136) 사이로 인입된 상태에서, 그 말단은 디퓨저홀(136a)의 직 상단에 위치 맞춤되어 있다.In this case, preferably, the insulating plate 138 is made of a metal material such as aluminum, and the surface thereof is coated with an insulating material. In addition, the supply pipe 162 branched from the source and the reactant storage device 160 passes through the cover frame 132 which is a side wall of the upper cover 130 and is led between the lead plate 134 and the diffuser plate 136. In which the distal end is positioned directly on top of the diffuser hole 136a.

이러한 상부커버(130)의 하단에 결합되는 하부베이스(150)는, 그 상면에 상기 상부커버(130)의 절연판(138)에 대응하는 개구부를 가지는 박스형상의 베이스프레임(152)을 포함하고 있어, 베이스프레임(152)의 상면과 커버프레임(132)의 저면이 결합됨으로써 그 내부에 기판이 안착되는 밀폐된 반응영역을 정의하게 되는데, 특히 이러한 하부베이스(150)의 반응영역 내에는 저면을 관통하여 설치되는 서셉터(154)가 부설되어 그 상면에 기판이 안착된다.The lower base 150 coupled to the lower end of the upper cover 130 includes a box-shaped base frame 152 having an opening corresponding to the insulating plate 138 of the upper cover 130 on an upper surface thereof. The upper surface of the base frame 152 and the bottom surface of the cover frame 132 are coupled to define a sealed reaction area in which the substrate is seated therein. In particular, the bottom surface penetrates the reaction area of the lower base 150. Susceptor 154 is installed to be installed is placed on the upper surface of the substrate.

따라서 소스 및 반응물질 저장장치(160)로부터 공급되는 기체상의 소스 및 반응물질은 공급관(162)의 말단을 경유하여 디퓨저홀(136a)로 분사되는 바, 그 하단에는 다수의 관통된 패스홀(138a)을 가지는 절연판(138)이 설치되어 있으므로, 소스 및 반응물질은 하부베이스(150)의 반응영역으로 확산된다.Therefore, the gaseous source and the reactant supplied from the source and the reactant storage device 160 are injected into the diffuser hole 136a via the end of the supply pipe 162, and a plurality of through holes 138a are provided at the bottom thereof. Since the insulating plate 138 having a) is installed, the source and the reactant are diffused into the reaction region of the lower base 150.

이와 같이 반응영역으로 확산된 소스 및 반응물질은 화학반응을 하여 반응 생성물을 기판 상에 박막으로 증착하게 되는데, 이를 위하여 챔버의 반응영역에는 소스 및 반응물질의 화학반응을 용이하게 유도하기 위한 반응환경이 조성된다.As such, the source and the reactant diffused into the reaction zone are chemically reacted to deposit the reaction product as a thin film on the substrate. For this purpose, the reaction environment of the chamber facilitates the chemical reaction of the source and the reactant. This is formulated.

즉, 하부베이스(150) 내부 반응영역에는 10-3토르(Torr) 정도의 고진공이 부여됨과 동시에 서셉터(154)의 내부에 300 내지 350 도(℃) 정도로 발열 가능한 히터(미도시)가 실장되는데, 특히 이들 소스 및 반응물질의 반응영역 전(全)면적으로 고르게 확산시키기 위하여 상부커버(130)의 디퓨저플레이트(136)가 가지는 디퓨저홀(136a)의 하단에는 디퓨저디스크(diffuser disk)(140)가 개재되는 것이 바람직하다.That is, a high vacuum of about 10 -3 Torr is applied to the reaction region inside the lower base 150 and a heater (not shown) capable of generating heat at about 300 to 350 degrees (° C) is mounted inside the susceptor 154. In particular, a diffuser disk 140 is disposed at the bottom of the diffuser hole 136a of the diffuser plate 136 of the upper cover 130 to evenly spread the entire area of the reaction region of these sources and reactants. ) Is preferably interposed.

이때 특히 본 발명은 디퓨저플레이트(136)를 경계로 그 상하 부분의 압력이급격하게 차이남에 있어서, 이 디퓨저플레이트(136)가 변형되지 않도록 그 내부에 다수의 빔 홀(136b)을 부여하는 바, 이를 도 4를 참조하여 설명한다.In this case, in particular, the present invention provides a plurality of beam holes 136b therein so that the diffuser plate 136 is not deformed when the pressure of the upper and lower portions of the diffuser plate 136 is sharply different. This will be described with reference to FIG. 4.

도 4는 본 발명에 따른 액정표시장치용 박막증착장치에 포함되는 디퓨저플레이트(136) 만을 한정하여 도시한 사시도로서, 이는 일반적인 디퓨저플레이트(도 2 참조)와 비교하면, 외관상 금속재질로 이루어지는 직사각형의 판(plate)으로서, 중앙에는 전술한 공급관(162)의 말단이 위치 맞춤되는 디퓨저홀(136a)을 가지고 있음은 유사하다 할 것이다.Figure 4 is a perspective view showing only the diffuser plate 136 included in the thin film deposition apparatus for a liquid crystal display according to the present invention, which is a rectangular made of a metallic material in appearance compared to the general diffuser plate (see Figure 2) As a plate, it will be similar that the center has a diffuser hole 136a in which the end of the above-described supply pipe 162 is positioned.

그러나 본 발명에 따른 디퓨저플레이트(136)는 특히 서로 대응하는 양 측면을 연결하도록 내면에 다수의 관통된 빔 홀(136b)을 가지고 있음이 상이한데, 특히 바람직하게는 이러한 다수의 빔 홀(136b)은 그 단면이 사각형상을 가지는 것이 유리하다.However, the diffuser plate 136 according to the present invention differs in particular in that it has a plurality of perforated beam holes 136b on the inner surface to connect both sides corresponding to each other, particularly preferably such a plurality of beam holes 136b. It is advantageous that the cross section has a rectangular shape.

즉, 본 발명에 따른 디퓨저플레이트(136)의 측면 일부를 확대하여 도시한 K와 같이, 빔 홀(136b)은 사각형 형상을 가지고 일정간격 다수개가 배열되어 결국 건축용 구조물에 사용되는 H 자 형강과 같은 형상을 디퓨저플레이트(136)에 부여하게 된다.That is, as shown in the enlarged portion of the side of the diffuser plate 136 according to the present invention, as shown in K, the beam hole 136b has a rectangular shape and a plurality of predetermined intervals are arranged, such as H-shaped steel that is eventually used in a building structure. The shape is given to the diffuser plate 136.

이러한 H 자 형강은 잘 알려진 바와 같이 구조상 횡 또는 측면에서 가해지는 압력에 강한 안정적인 특성을 가지는 바, 서로 대응하는 양 측면을 연결하도록 관통하는 다수의 일정 배열된 사각 형상의 빔 홀(136b)에 의하여, 디퓨저플레이트(136)는 상 또는 하 방향에서 가해지는 압력에 강한 저항력을 가지게 되는 것이다.This H-shaped steel has a stable characteristic strong against the pressure applied from the side or side of the structure as is well known, by a plurality of regularly arranged square beam holes 136b penetrating to connect both sides corresponding to each other , The diffuser plate 136 is to have a strong resistance to the pressure applied in the up or down direction.

즉, 디퓨저플레이트(136)를 경계로 그 상부는 대기압 상태이고, 이 하부에 10-3토르(Torr)정도의 고진공이므로 디퓨저플레이트(136)에는 큰 압력이 가해지게 되는데, 특히 서셉터(154)의 히터에서 발생된 열에 의하여 그 변형은 더욱 심화되고 있는 바, 이를 해결하기 위하여 본 발명은 디퓨저플레이트(136)의 서로 대응하는 양 측면을 연결하는 다수의 사각 빔 홀(136b)을 관통 설치함으로써, H 자 형강의 원리를 디퓨저플레이트(136)에 응용하는 것이다.That is, the upper portion of the diffuser plate 136 is at atmospheric pressure and a high vacuum of about 10 −3 Torr is applied to the lower portion thereof, so that a large pressure is applied to the diffuser plate 136, in particular, the susceptor 154. The deformation is further intensified by the heat generated by the heater of the present invention. In order to solve the problem, the present invention is provided through a plurality of rectangular beam holes 136b connecting the corresponding sides of the diffuser plate 136 to each other. The principle of the H-shaped steel is to apply to the diffuser plate (136).

이에 본 발명에 따른 디퓨저플레이트는 일반적인 디퓨저플레이트의 두께(도 2의 h) 보다 그 두께를 작게 하는 것이 가능하며, 보다 신뢰성 있는 공정을 가능하게 한다.Therefore, the diffuser plate according to the present invention can be made smaller than the thickness of the general diffuser plate (h of Figure 2), and enables a more reliable process.

이때 이러한 빔 홀을 부여함으로써 압력에 쉽게 변형되지 않도록 하는 본 발명에 따른 디퓨저플레이트는, 전술한 박막증착장치 뿐만이 아니라 액정표시장치의 모든 제조장치에 있어서, 이와 유사한 형상을 가지고 동일역할을 하는 모든 디퓨저플레이트에 적용이 가능함은 당업자에게는 자명한 사실일 것이다.In this case, the diffuser plate according to the present invention, which is not easily deformed in pressure by applying such a beam hole, is not only the above-described thin film deposition apparatus but also all the apparatuses for manufacturing the liquid crystal display apparatus, and all the diffusers having the same shape and playing the same role. Applicability to the plate will be apparent to those skilled in the art.

본 발명은 디퓨저플레이트에 서로 대응하는 측면을 연결하도록 관통하는 다수의 빔 홀을 부여하여, 액정표시장치의 제조 공정 중 발생되는 디퓨저플레이트의 변형을 방지하는 효과를 가지고 있다.The present invention has an effect of preventing deformation of the diffuser plate generated during the manufacturing process of the liquid crystal display device by providing a plurality of beam holes penetrating so as to connect the sides corresponding to each other to the diffuser plate.

특히 이러한 다수의 빔 홀은 그 단면이 사각형 형상을 가지도록 함으로써 구조적으로 더욱 강도를 높일 수 있으며, 이를 통해 디퓨저 플레이트의 두께를 줄일 수 있는 장점 또한 가지고 있다.In particular, such a plurality of beam holes can have a higher structural strength by making the cross section have a rectangular shape, thereby also reducing the thickness of the diffuser plate.

Claims (2)

내부에 기판이 안착되는 챔버(chamber)와, 소스 및 반응물질을 저장하고 이를 상기 챔버 내부로 유입하는 공급관이 설치된 소스 및 반응물질 저장장치를 포함하는 액정표시장치용 제조장치로서,An apparatus for manufacturing a liquid crystal display including a chamber in which a substrate is placed therein, and a source and a reactant storage device having a supply pipe for storing a source and a reactant and introducing the same into the chamber. 상하로 관통된 다수의 패스홀(path hole)을 가지고, 상기 기판의 상부로 챔버의 내부를 종단하도록 설치되는 절연판과;An insulating plate having a plurality of path holes penetrated vertically and installed to terminate the interior of the chamber to the upper portion of the substrate; 중앙에 상하로 관통되어, 상기 공급관의 끝단이 직 상단에 위치 맞춤되는 하나의 디퓨저홀(diffuser hole)과, 대응하는 양 측면을 연결하도록 내면을 관통하는 일정간격의 다수의 빔 홀(beam hole)을 가지고, 상기 절연판의 상부로 챔버 내부를 종단하도록 설치되는 디퓨저플레이트(diffuser plate)A single diffuser hole is vertically penetrated in the center, and a plurality of beam holes spaced through the inner surface to connect the corresponding side surfaces with one diffuser hole positioned at the upper end of the supply pipe. A diffuser plate installed to terminate the interior of the chamber with an upper portion of the insulating plate; 를 포함하여, 상기 소스 및 반응가스의 반응으로 기판을 처리하는 액정표시장치용 제조장치Including, a manufacturing apparatus for a liquid crystal display device for processing a substrate by the reaction of the source and the reaction gas 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 빔 홀은 단면이 사각형인 액정표시장치용 제조장치The beam hole manufacturing apparatus for a liquid crystal display device having a rectangular cross section
KR10-2001-0075091A 2001-11-29 2001-11-29 manufacturing apparatus for liquid crystal display KR100462905B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0075091A KR100462905B1 (en) 2001-11-29 2001-11-29 manufacturing apparatus for liquid crystal display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0075091A KR100462905B1 (en) 2001-11-29 2001-11-29 manufacturing apparatus for liquid crystal display

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030044369A KR20030044369A (en) 2003-06-09
KR100462905B1 true KR100462905B1 (en) 2004-12-23

Family

ID=29572152

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-0075091A KR100462905B1 (en) 2001-11-29 2001-11-29 manufacturing apparatus for liquid crystal display

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100462905B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04132213A (en) * 1990-09-25 1992-05-06 Furukawa Electric Co Ltd:The Vapor phase growth apparatus of semiconductor thin film
JPH06151411A (en) * 1992-11-04 1994-05-31 Hitachi Electron Eng Co Ltd Plasma cvd device
KR960037002A (en) * 1995-04-04 1996-11-19 김상호 Source gas constant temperature shower device
KR19990010957A (en) * 1997-07-19 1999-02-18 김상호 Shower head device having a plasma generator

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04132213A (en) * 1990-09-25 1992-05-06 Furukawa Electric Co Ltd:The Vapor phase growth apparatus of semiconductor thin film
JPH06151411A (en) * 1992-11-04 1994-05-31 Hitachi Electron Eng Co Ltd Plasma cvd device
KR960037002A (en) * 1995-04-04 1996-11-19 김상호 Source gas constant temperature shower device
KR19990010957A (en) * 1997-07-19 1999-02-18 김상호 Shower head device having a plasma generator

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030044369A (en) 2003-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7267724B2 (en) Thin-film disposition apparatus
KR20090069826A (en) System for treatmenting substrate
JP3501715B2 (en) Plasma process equipment
CN1555424A (en) Process for controlling thin film uniformity and products produced thereby
KR100904038B1 (en) Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Display
KR20070036844A (en) Plasma enhanced chemical vapor deposition chamber for the fabrication of semiconductor and liquid crystal display panel
KR100734773B1 (en) Plasma Processing apparatus of Equipped Multi MICP
KR100462905B1 (en) manufacturing apparatus for liquid crystal display
KR100462906B1 (en) manufacturing apparatus for liquid crystal display
US20030000472A1 (en) Vacuum plate having a symmetrical air-load block
JP4709862B2 (en) Large area substrate processing system susceptor / heater assembly
KR20060135184A (en) Chemical vapor deposition repair equipment
KR100684359B1 (en) Deformation preventing apparatus for susceptor
CN109935519B (en) Method for improving film forming uniformity of gate insulating layer
KR100877822B1 (en) Chemical vapor deposition apparatus for flat display
US20190390342A1 (en) Thin film processing apparatus and thin film processing method
KR20040015931A (en) chamber for manufacturing substrate of liquid crystal display device
KR100764627B1 (en) Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Display
US20230386796A1 (en) Substrate treatment apparatus
KR20030061554A (en) chamber for manufacturing liquid crystal display
JPH0341722A (en) Thin-film manufacturing apparatus
KR100878295B1 (en) Planar evaporation device for depositing material onto a substrate and apparatus for forming a thin layer using the same
KR100756227B1 (en) Atmospheric pressure plasma etching apparatus used in manufacturing flat panel display devices
KR100877823B1 (en) Chemical vapor deposition apparatus for flat display
KR20130088549A (en) Chemical vapor deposition apparatus for flat display

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110729

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121011

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee