KR100462772B1 - Cleaning apparatus using plasma - Google Patents
Cleaning apparatus using plasma Download PDFInfo
- Publication number
- KR100462772B1 KR100462772B1 KR10-2002-0075733A KR20020075733A KR100462772B1 KR 100462772 B1 KR100462772 B1 KR 100462772B1 KR 20020075733 A KR20020075733 A KR 20020075733A KR 100462772 B1 KR100462772 B1 KR 100462772B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- plasma
- main body
- electrode
- unit
- sample
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
플라즈마를 이용하여 시료를 직접 세정하는 세정장치가 개시된다. 상기 세정장치는 제어부가 마련된 본체, 상기 본체의 상면에 설치되며 상기 제어부에 의하여 제어되면서 상기 시료를 이송시키는 이송부, 상기 본체의 내부에 설치되며 상기 제어부에 의하여 제어되면서 교류 고전압을 발생하는 고전압발생부, 상기 본체의 상면 중앙부측에 설치되며 상기 고전압발생부로부터 전압이 인가되면 플라즈마를 발생시켜 상기 이송부에 의하여 이송되는 상기 시료를 세정하는 플라즈마발생부, 상기 본체에 설치되며 상기 플라즈마발생부에서 발생된 가스를 흡입하여 상기 플라즈마발생부로 다시 공급하는 가스순환부 및 상기 본체에 설치되며 상기 플라즈마발생부가 정지한 상태에서 작동하는 초기에, 상기 플라즈마발생부로 고압공기를 공급하여 플라즈마의 발생을 도와주는 압축기를 구비한다. 상기 세정장치는 상호 소정간격을 가지는 전극판과 전극봉 사이 또는 하부전극봉과 상부전극봉 사이에서 플라즈마 방전이 발생되고 상기 전극판과 전극봉 사이 또는 하부전극봉과 상부전극봉 사이로 시료가 통과하면서 세정된다. 즉, 시료가 플라즈마 방전시 발생되는 오존에 의하여 직접 세정될 뿐만 아니라, 시료의 양면이 동시에 세정되므로 세정효율이 향상된다.Disclosed is a cleaning apparatus for directly cleaning a sample using plasma. The cleaning device is installed on the main body provided with a control unit, an upper surface of the main body and a transfer unit for transferring the sample while being controlled by the control unit, a high voltage generating unit installed inside the main body and controlled by the control unit to generate an AC high voltage A plasma generator installed at the central portion of the upper surface of the main body to clean the sample transferred by the transfer unit by generating a plasma when a voltage is applied from the high voltage generator; A gas circulation unit for sucking gas and supplying it back to the plasma generation unit and a compressor installed in the main body and operating in a state in which the plasma generation unit is stopped, and supplying high pressure air to the plasma generation unit to help generate plasma. Equipped. The cleaning device generates a plasma discharge between the electrode plate and the electrode having a predetermined interval or between the lower electrode and the upper electrode and is cleaned while passing the sample between the electrode plate and the electrode or between the lower electrode and the upper electrode. That is, the sample is not only directly washed by the ozone generated during the plasma discharge, but also the both sides of the sample are simultaneously cleaned, thereby improving the cleaning efficiency.
Description
본 발명은 플라즈마를 이용하여 시료의 양면을 직접 세정하는 세정장치에 관한 것이다.The present invention relates to a cleaning apparatus for directly cleaning both sides of a sample using plasma.
종래에는 실리콘기판 또는 유리기판 등과 같은 시료를 세정하기 위하여 강산 등과 같은 화학약품을 사용하였다. 그러나, 상기와 같은 종래의 세정방법은 화학약품에 의하여 세정장치가 부식되고, 증발되는 화학약품을 작업자가 흡입하므로 인하여 작업자의 건강에 해롭고, 환경을 오염시키는 문제점이 있다.Conventionally, chemicals such as strong acids are used to clean samples such as silicon or glass substrates. However, the conventional cleaning method as described above has a problem in that it is harmful to the health of the worker and pollutes the environment because the worker inhales the chemicals that are corroded by the chemicals and evaporates the chemicals.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 플라즈마를 이용한 세정장치가 개발되었으나, 종래의 플라즈마 세정장치는 진공상태에서 플라즈마를 발생하고 상기 플라즈마를 시료측으로 전달하여 시료를 세정하므로 시료의 양면을 동시에 세정하기 어려워 효율이 저하되는 단점이 있다.In order to solve the above problems, a cleaning apparatus using plasma has been developed, but the conventional plasma cleaning apparatus generates plasma in a vacuum state and transfers the plasma to the sample side to clean the sample, which makes it difficult to simultaneously clean both sides of the sample. This has the disadvantage of deteriorating.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 창작된 것으로, 본 발명의 목적은 대기에서 플라즈마를 발생시키고 상기 플라즈마로 시료의 양면을 동시에 직접 세정하므로써 효율을 향상시킬 수 있는 플라즈마를 이용한 세정장치를 제공함에 있다.The present invention was created in order to solve the problems of the prior art as described above, an object of the present invention is to generate a plasma in the atmosphere and the cleaning by using a plasma which can improve the efficiency by simultaneously directly cleaning both sides of the sample with the plasma. In providing a device.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 세정장치의 사시도.1 is a perspective view of a cleaning device using a plasma according to an embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 세정장치의 플라즈마발생부 및 가스순환부의 사시도.Figure 2 is a perspective view of the plasma generating unit and the gas circulation of the cleaning device according to an embodiment of the present invention.
도 3은 도 2에 도시된 세정장치의 플라즈마발생부 및 가스순환부의 평면도.3 is a plan view of the plasma generating unit and the gas circulation of the cleaning device shown in FIG.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 세정장치의 가스순환부의 흡입/토출케이스의 일부 절개 사시도.Figure 4 is a partially cutaway perspective view of the suction / discharge case of the gas circulation unit of the cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 5는 도 2에 도시된 세정장치의 플라즈마발생부 및 가스순환부의 개략 정면도.5 is a schematic front view of the plasma generating unit and the gas circulation unit of the cleaning device shown in FIG.
도 6는 본 발명의 다른 실시예에 따른 세정장치의 플라즈마발생부의 사시도.6 is a perspective view of a plasma generation unit of the cleaning apparatus according to another embodiment of the present invention.
도 7은 도 6에 도시된 세정장치의 플라즈마발생부 및 가스순환부의 평면도.7 is a plan view of the plasma generating unit and the gas circulation of the cleaning device shown in FIG.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
110 : 본체 120 : 이송부110: main body 120: transfer unit
130 : 고전압발생부 140 : 플라즈마발생부130: high voltage generator 140: plasma generator
150 : 가스순환부 160 : 압축기150: gas circulation unit 160: compressor
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 세정장치는, 제어부가 마련된 본체; 상기 본체의 상면에 설치되며 상기 제어부에 의하여 제어되면서 상기 시료를 이송시키는 이송부; 상기 본체의 내부에 설치되며 상기 제어부에의하여 제어되면서 교류 고전압을 발생하는 고전압발생부; 상기 본체의 상면 중앙부측에 설치되며 상기 고전압발생부로부터 전압이 인가되면 플라즈마를 발생시켜 상기 이송부에 의하여 이송되는 상기 시료를 세정하는 플라즈마발생부; 상기 본체에 설치되며 상기 플라즈마발생부에서 발생된 가스를 흡입하여 상기 플라즈마발생부로 다시 공급하는 가스순환부; 그리고, 상기 본체에 설치되며 상기 플라즈마발생부가 정지한 상태에서 작동하는 초기에, 상기 플라즈마발생부로 고압공기를 공급하여 플라즈마의 발생을 도와주는 압축기를 구비한다.Cleaning apparatus using a plasma according to the present invention for achieving the above object, the control unit is provided with a main body; A transfer unit installed on an upper surface of the main body and controlled by the control unit to transfer the sample; A high voltage generator installed inside the main body and configured to generate an AC high voltage while being controlled by the controller; A plasma generation unit installed at a central side of an upper surface of the main body and generating plasma when the voltage is applied from the high voltage generation unit to clean the sample transferred by the transfer unit; A gas circulation unit installed in the main body and sucking the gas generated in the plasma generator and supplying the gas back to the plasma generator; In addition, the compressor is installed in the main body and initially operated in a state in which the plasma generating unit is stopped, the compressor is provided to supply high pressure air to the plasma generating unit to help generate plasma.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 플라즈마를 이용한 세정장치를 상세히 설명한다.Hereinafter, a cleaning apparatus using plasma according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 세정장치의 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 세정장치의 플라즈마발생부 및 가스순환부의 사시도이며, 도 3은 도 2에 도시된 세정장치의 플라즈마발생부 및 가스순환부의 평면도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 세정장치의 가스순환부의 흡입/토출케이스의 일부 절개 사시도로써, 이를 설명한다.1 is a perspective view of a cleaning apparatus using a plasma according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a perspective view of the plasma generating unit and the gas circulation of the cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is 4 is a plan view of the plasma generating unit and the gas circulation unit of the cleaning apparatus, and FIG. 4 is a partial cutaway perspective view of the suction / discharge case of the gas circulation unit of the cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 세정장치(100)는 플라즈마를 발생시켜 실리콘기판 또는 유리기판 등과 같은 시료(50)를 세정하는데, 본체(110), 이송부(120), 고전압발생부(130), 플라즈마발생부(140), 가스순환부(150) 및 압축기(160)를 가진다.As shown in FIG. 1, the cleaning apparatus 100 according to the present embodiment generates plasma to clean a sample 50 such as a silicon substrate or a glass substrate, and includes a main body 110, a transfer unit 120, and high voltage generation. The unit 130, the plasma generating unit 140, the gas circulation unit 150 and the compressor 160.
본체(110)에는 세정장치(100)의 제반사항을 제어하는 제어부(113)가 설치된다. 이송부(120)는 본체(110)의 상면에 설치되어 본체(110)의 일측으로 유입되는시료(50)를 플라즈마발생부(140)측으로 이송시킴과 동시에 다음의 공정을 위하여 본체(110)의 타측으로 이송시킨다.The main body 110 is provided with a control unit 113 for controlling the general matters of the cleaning device (100). The transfer unit 120 is installed on the upper surface of the main body 110 to transfer the sample 50 introduced to one side of the main body 110 to the plasma generating unit 140 and at the same time, the other of the main body 110 for the next process. To the side.
이송부(120)는 모터(121), 제 1 회전바(123) 및 다수의 제 2 회전바(125)를 가진다. 모터(121)는 본체(110)의 일측에 설치되어 제어부(113)의 제어에 의하여 회전된다. 제 1 회전바(123)는 시료(50)의 진행방향과 평행하게 양단부가 본체(110)에 지지되어 회전가능하게 설치된다. 제 1 회전바(123)의 중앙부에는 모터(121)의 축(121a)의 회전력을 제 1 회전바(123)로 전달하는 벨트풀리(124)가 설치된다. 제 2 회전바(125)는 제 1 회전바(123)와 연결되어 시료(50)의 진행방향으로 회전가능하게 설치된다. 상세히 설명하면, 제 2 회전바(125)의 일단부는 제 1 회전바(123)와 직각으로 연결되고 타단부는 본체(110)에 지지된다. 이때, 제 1 회전바(123) 및 제 2 회전바(125)의 일단부에는 압입되어 상호 맞물린 차동기어(127)가 설치되는데, 차동기어(127)에 의하여 제 1 회전바(123)의 회전력이 90°변환되어 제 2 회전바(125)로 전달되는 것이다. 그리고, 제 2 회전바(125)에는 탄성을 가진 다수의 롤러(129)가 각각 설치되는데, 롤러(129)는 제 2 회전바(125)와 동일하게 회전하면서 시료(50)를 받쳐서 지지함과 동시에 이송시킨다.The transfer part 120 includes a motor 121, a first rotation bar 123, and a plurality of second rotation bars 125. The motor 121 is installed at one side of the main body 110 and rotates under the control of the controller 113. Both end portions of the first rotation bar 123 are rotatably installed to be supported by the main body 110 in parallel with the traveling direction of the sample 50. The belt pulley 124 for transmitting the rotational force of the shaft 121a of the motor 121 to the first rotation bar 123 is installed at the center of the first rotation bar 123. The second rotating bar 125 is connected to the first rotating bar 123 so as to be rotatable in the advancing direction of the sample 50. In detail, one end of the second rotation bar 125 is connected to the first rotation bar 123 at a right angle, and the other end is supported by the main body 110. At this time, one end of the first rotation bar 123 and the second rotation bar 125 is fitted with a differential gear 127, which is press-fitted to each other, the rotational force of the first rotation bar 123 by the differential gear 127. This 90 ° is converted and transmitted to the second rotation bar 125. In addition, a plurality of rollers 129 having elasticity are respectively installed on the second rotation bar 125, and the roller 129 supports and supports the sample 50 while rotating in the same manner as the second rotation bar 125. At the same time.
고전압발생부(130)는 본체(110)의 내부에 설치되며 제어부(113)에 의하여 제어되면서 33,000V의 교류 고전압을 발생한다. 고전압발생부(130)가 교류 고전압을 발생하여 플라즈마발생부(140)로 인가하는 이유는 플라즈마발생부(140)가 대기압 상태에서 플라즈마 방전을 일으킬 수 있도록 하기 위함이다. 고전압발생부(130)는 변압기 등으로 마련된다.The high voltage generator 130 is installed inside the main body 110 and is controlled by the controller 113 to generate an AC high voltage of 33,000V. The reason why the high voltage generator 130 generates the AC high voltage and applies the plasma to the plasma generator 140 is to enable the plasma generator 140 to generate a plasma discharge in an atmospheric pressure state. The high voltage generator 130 is provided with a transformer or the like.
플라즈마발생부(140)는, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본체(110)의 상면 중앙부측에 설치되어 고전압발생부(130)로부터 전압이 인가되면 방전되어 플라즈마를 발생한다. 플라즈마에는 살균작용을 하는 오존(O3)이 함유되어 있는데, 상기 오존에 의하여 시료(50)가 세정되는 것이다.1 to 3, the plasma generating unit 140 is installed at the center of the upper surface of the main body 110 and discharged when a voltage is applied from the high voltage generating unit 130 to generate plasma. Plasma contains ozone (O 3 ) which acts as a sterilizer, and the sample 50 is cleaned by the ozone.
플라즈마발생부(140)는 지지대(141), 전극판(143), 상호 소정간격을 가지는 4개의 전극봉(145) 및 석영관(147)을 가진다. 지지대(141)는 절연체로 마련되어 본체(110)의 상면 중앙부 양단부측에 대향되게 설치되는데, 대향하는 지지대(141)를 연결한 가상의 선은 시료(50)의 진행방향과 수직한다. 전극판(143)은 스테인레스재로 마련되어 고전압발생부(130)와 접속되며, 양단부는 지지대(141)에 고정되어 지지된다. 전극봉(145)은 스테인레스재로 마련되며 전극판(143) 바로 상측에 위치되게 지지대(141)에 양단부가 지지되어 전극판(143)과 평행을 이루면서 대향한다. 고전압발생부(130)에서 전극판(143)으로 전압이 인가되면 전극판(143)과 전극봉(145) 사이에서 플라즈마 방전이 발생되고, 이때 오존이 발생된다. 그런데, 시료(50)가 전극판(143)과 전극봉(145) 사이를 통과하면서 이송되므로 상기 오존에 의하여 시료(50)의 양면이 세정되는 것이다. 이때, 최외곽에 위치하는 전극봉(145a,145d)은 전극판(143)의 내측, 즉 전극판(143)의 폭(W1)의 내측에 위치되어야 플라즈마가 원활하게 발생한다. 전극봉(145)의 외면에는 석영관(147)이 덮히는데, 석영관(147)은 전극판(143)과 전극봉(145) 사이의 유전율을 높혀 고전압에 의한 플라즈마 방전이 발생되게 한다. 석영관(147)과 전극판(143) 사이의 수직 갭(G1)은 원활한 플라즈마의 발생을 위하여 8㎜로 마련되는 것이 바람직하고, 갭(G1)으로 시료(50)가 통과한다.The plasma generator 140 has a support 141, an electrode plate 143, four electrode rods 145 having a predetermined interval therebetween, and a quartz tube 147. The support 141 is provided as an insulator and is installed to be opposite to both ends of the central portion of the upper surface of the main body 110. The imaginary line connecting the opposing support 141 is perpendicular to the traveling direction of the sample 50. The electrode plate 143 is made of stainless material and is connected to the high voltage generator 130, and both ends thereof are fixed to and supported by the support 141. Electrode rod 145 is provided with a stainless material and both ends are supported on the support 141 so as to be positioned directly above the electrode plate 143 to face parallel to the electrode plate 143. When a voltage is applied from the high voltage generator 130 to the electrode plate 143, plasma discharge is generated between the electrode plate 143 and the electrode 145, and ozone is generated at this time. However, since the sample 50 is transported while passing between the electrode plate 143 and the electrode rod 145, both surfaces of the sample 50 are cleaned by the ozone. In this case, the outermost electrode rods 145a and 145d should be positioned inside the electrode plate 143, that is, inside the width W1 of the electrode plate 143, so that plasma can be generated smoothly. The outer surface of the electrode 145 is covered with a quartz tube 147. The quartz tube 147 increases the dielectric constant between the electrode plate 143 and the electrode 145 to generate a plasma discharge due to a high voltage. The vertical gap G1 between the quartz tube 147 and the electrode plate 143 is preferably 8 mm in order to generate smooth plasma, and the sample 50 passes through the gap G1.
가스순환부(150)는, 도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이, 플라즈마발생부(140)의 상ㆍ하측에 위치되어 플라즈마발생부(140)에서 발생된 가스를 흡입하여 플라즈마발생부(140)로 다시 공급한다.As shown in FIGS. 2 and 4, the gas circulation unit 150 is positioned above and below the plasma generating unit 140 to suck gas generated from the plasma generating unit 140 to generate the plasma generating unit 140. Supply again).
가스순환부(150)는 흡입/토출케이스(151), 필터(153), 흡입깔때기(155) 및 송풍기(157)를 가진다. 흡입/토출케이스(151)는 플라즈마발생부(140)의 전극봉(145)의 바로 상측에 위치되는데, 후술할 압축기(160)와 연통된다. 그리고, 전극봉(145)과 대향하는 흡입/토출케이스(151)의 면은 개방되고, 흡입/토출케이스(151)의 개방면에는 망(152)이 형성되며, 망(152)에는 필터(153)가 덮힌다. 그리하여, 압축기(160)에서 공급되는 고압공기는 흡입/토출케이스(151)의 필터(153)를 통과하여 플라즈마발생부(140)로 토출된다. 흡입깔때기(155)는 플라즈마발생부(140)의 전극판(143) 바로 하측에 위치되어 흡입/토출케이스(151)에서 토출되어 플라즈마발생부(140)를 통과하면서 가스를 함유한 공기를 흡입한다. 송풍기(157)는 일측은 흡입깔때기(155)와 연통되고 타측은 흡입/토출케이스(151)와 연통되어 가스를 함유한 공기가 흡입깔때기(155)로 흡입되게 함과 동시에 가스를 함유한 공기를 흡입/토출케이스(151)로 유입시켜 플라즈마발생부(140)로 재 토출되게 한다. 즉, 송풍기(157)에 의하여 유해한 오존 등과 같은 가스가 흡입깔때기(155)로 흡입되고, 흡입/토출케이스(151)로 유입되어 다시 플라즈마발생부(140)로 토출되는 과정이 반복되므로 유해한 가스의 배출을 최소로 줄일 수 있다. 그리고, 필터(153)는 흡입/토출케이스(151)에서 토출되는 공기 및 가스가 균일하게 플라즈마발생부(140)로 토출되게 함과 동시에 이물질도 걸러준다.The gas circulation unit 150 has a suction / discharge case 151, a filter 153, a suction funnel 155, and a blower 157. The suction / discharge case 151 is located directly above the electrode rod 145 of the plasma generator 140 and communicates with the compressor 160 to be described later. Then, the surface of the suction / discharge case 151 facing the electrode rod 145 is opened, and the mesh 152 is formed on the open surface of the suction / discharge case 151, and the filter 153 is disposed on the mesh 152. Is covered. Thus, the high pressure air supplied from the compressor 160 passes through the filter 153 of the suction / discharge case 151 and is discharged to the plasma generator 140. The suction funnel 155 is positioned directly below the electrode plate 143 of the plasma generator 140 and is discharged from the suction / discharge case 151 to suck air containing gas while passing through the plasma generator 140. . The blower 157 communicates with the suction funnel 155 on one side and the suction / discharge case 151 on the other side to allow the air containing the gas to be sucked into the suction funnel 155 and at the same time receive the air containing the gas. It is introduced into the suction / discharge case 151 to be discharged again to the plasma generator 140. That is, by the blower 157, a gas such as harmful ozone is sucked into the suction funnel 155, and introduced into the suction / discharge case 151 and discharged to the plasma generating unit 140 again. Emissions can be reduced to a minimum. In addition, the filter 153 allows the air and the gas discharged from the suction / discharge case 151 to be uniformly discharged to the plasma generating unit 140 and at the same time to filter foreign matter.
압축기(160)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 가스순환부(150)의 흡입/토출케이스(151)와 연통된다. 그리하여, 플라즈마발생부(140)가 정지한 후 작동하는 초기에, 플라즈마발생부(140)로 고압공기를 공급하여 플라즈마 방전을 도와준다. 즉, 본 실시예에 따른 플라즈마발생부(140)는 대기압 상태에서 플라즈마 방전을 일으키므로, 플라즈마 방전을 일으키는 최초의 상태에 고압의 공기 흐름을 인위적으로 발생시켜 원활한 플라즈마 방전을 도와준다.As shown in FIG. 2, the compressor 160 communicates with the suction / discharge case 151 of the gas circulation unit 150. Thus, at the initial stage of operation after the plasma generator 140 stops, the plasma generator 140 supplies high pressure air to the plasma generator 140 to assist the plasma discharge. That is, since the plasma generating unit 140 according to the present embodiment generates the plasma discharge in the atmospheric pressure state, it helps to smoothly discharge the plasma by artificially generating a high-pressure air flow in the first state that causes the plasma discharge.
도 1에서 미설명한 115는 시료(50)를 감지하는 센서이고, 도 2에서 미설명한 149는 커버이다.115, which is not described in FIG. 1, is a sensor for sensing the sample 50, and 149, which is not described in FIG. 2, is a cover.
시료(50)가 이송부(120)에 의하여 플라즈마발생부(140)로 이송되는 동작을 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한다. 도 5는 도 2에 도시된 세정장치의 플라즈마발생부 및 가스순환부의 개략 정면도로써, 이를 설명한다.An operation of transferring the sample 50 to the plasma generator 140 by the transfer unit 120 will be described with reference to FIGS. 1 to 5. FIG. 5 is a schematic front view of the plasma generating unit and the gas circulation unit of the cleaning apparatus shown in FIG. 2, which will be described.
시료(50)가 이송부(120)에 탑재되어 플라즈마발생부(140)로 이송되면 센서(115)가 시료(50)를 감지하여 제어부(113)로 신호를 송신한다. 그러면, 제어부(113)는 흡입/토출케이스(151)로 압축공기를 공급함과 동시에 고전압발생부(130)의 전압을 플라즈마발생부(140)로 인가하여 플라즈마를 발생한다. 또한, 송풍기(157)를 구동시켜 공기 및 가스를 흡입깔때기(155)로 흡입시켜 다시 흡입/토출케이스(151)로 유입시킨다. 이때, 플라즈마가 정상적으로 발생하면, 제어부(113)는 압축기(160)를 정지시킨다. 즉, 제어부(113)는 플라즈마발생부(140)가 작동하는 초기에만 압축기(160)를 구동시켜 흡입/토출케이스(151)로 압축공기가 공급되게 한다. 그리고, 이송부(120)에 의하여 이송되는 시료(50)는 플라즈마발생부(140)의 전극판(143)과 전극봉(145) 사이의 갭(G1)을 통과하면서 세정된다.When the sample 50 is mounted in the transfer unit 120 and transferred to the plasma generator 140, the sensor 115 detects the sample 50 and transmits a signal to the control unit 113. Then, the control unit 113 supplies compressed air to the suction / discharge case 151 and at the same time applies the voltage of the high voltage generator 130 to the plasma generator 140 to generate plasma. In addition, the blower 157 is driven to suck air and gas into the suction funnel 155 to flow into the suction / discharge case 151 again. At this time, if the plasma is generated normally, the control unit 113 stops the compressor 160. That is, the controller 113 drives the compressor 160 only at the initial stage of the operation of the plasma generator 140 so that the compressed air is supplied to the suction / discharge case 151. In addition, the sample 50 transferred by the transfer unit 120 is cleaned while passing through the gap G1 between the electrode plate 143 and the electrode rod 145 of the plasma generator 140.
도 6는 본 발명의 다른 실시예에 따른 세정장치의 플라즈마발생부의 사시도이고, 도 7은 도 6에 도시된 세정장치의 플라즈마발생부 및 가스순환부의 평면도로써, 도 2 및 도 3과의 차이점만을 설명한다.FIG. 6 is a perspective view of a plasma generating unit of the cleaning apparatus according to another embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a plan view of the plasma generating unit and the gas circulation unit of the cleaning apparatus shown in FIG. Explain.
플라즈마발생부(240)는 지지대(241), 상호 소정간격을 가지는 5개의 하부전극봉(243), 상호 소정간격을 가지는 4개의 상부전극봉(245) 및 상부석영관(247)을 가진다. 즉, 지지대(241)와 상부전극봉(245) 및 상부석영관(247)은 도 2 및 도 3에 도시된 지지대(141)와 상부전극봉(145) 및 석영관(147)과 동일하고, 전극판(143) 대신 하부전극봉(243)이 마련된 구성이다. 이때, 최외곽에 위치된 상부전극봉(245a,245d)은 하부전극봉(243)의 폭(W2)의 내측에 위치되게 설치되고, 하부전극봉(243)과 상부석영관(247) 사이의 수직 갭(G2)은 3㎜인 것이 바람직하다. 이는 원활하게 플라즈마 방전이 되도록 하기 위함이다.The plasma generator 240 includes a support 241, five lower electrode bars 243 having predetermined intervals therebetween, four upper electrode bars 245 having predetermined intervals therebetween, and an upper quartz tube 247. That is, the support 241, the upper electrode 245, and the upper quartz tube 247 are the same as the support 141, the upper electrode 145, and the quartz tube 147 illustrated in FIGS. 2 and 3. A lower electrode 243 is provided instead of 143. In this case, the outermost upper electrode rods 245a and 245d are installed to be positioned inside the width W2 of the lower electrode rod 243, and the vertical gap between the lower electrode rod 243 and the upper quartz tube 247 ( It is preferable that G2) is 3 mm. This is for smooth plasma discharge.
이상에서 설명하듯이, 본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 세정장치는 상호 소정간격을 가지는 전극판과 전극봉 사이 또는 하부전극봉과 상부전극봉 사이에서 플라즈마 방전이 발생되고 상기 전극판과 전극봉 사이 또는 하부전극봉과 상부전극봉 사이로 시료가 통과하면서 세정된다. 즉, 시료가 플라즈마 방전시 발생되는 오존에 의하여 직접 세정될 뿐만 아니라, 시료의 양면이 동시에 세정되므로 세정효율이 향상된다.As described above, in the cleaning apparatus using the plasma according to the present invention, plasma discharge is generated between the electrode plate and the electrode having a predetermined interval or between the lower electrode and the upper electrode, and between the electrode plate and the electrode or between the lower electrode and the upper electrode. The sample is washed while passing between the electrodes. That is, the sample is not only directly washed by the ozone generated during the plasma discharge, but also the both sides of the sample are simultaneously cleaned, thereby improving the cleaning efficiency.
이상에서는, 본 발명의 일 실시예에 따라 본 발명을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 변경 및 변형한 것도 본 발명에 속함은 당연하다.In the above, the present invention has been described in accordance with one embodiment of the present invention, but those skilled in the art to which the present invention pertains have been changed and modified without departing from the spirit of the present invention. Of course.
Claims (6)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0075733A KR100462772B1 (en) | 2002-12-02 | 2002-12-02 | Cleaning apparatus using plasma |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0075733A KR100462772B1 (en) | 2002-12-02 | 2002-12-02 | Cleaning apparatus using plasma |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040047991A KR20040047991A (en) | 2004-06-07 |
KR100462772B1 true KR100462772B1 (en) | 2004-12-23 |
Family
ID=37342923
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2002-0075733A KR100462772B1 (en) | 2002-12-02 | 2002-12-02 | Cleaning apparatus using plasma |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100462772B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101213709B1 (en) | 2012-04-20 | 2012-12-18 | 비전세미콘 주식회사 | Plazma cleaning apparatus for asemiconductor panel with air cleaner |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20240010160A (en) * | 2022-07-15 | 2024-01-23 | 김해동 | Eletrode assembly for plasma cleaning apparatus, manufacturing method for the same, and plasma cleaning apparatus including same |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1131600A (en) * | 1997-07-09 | 1999-02-02 | Samuko Internatl Kenkyusho:Kk | Plasma surface treatment device |
KR20000029287A (en) * | 1998-10-26 | 2000-05-25 | 이마이 기요스케 | Plasma treatment apparatus and plasma treatment method performed by use of the same apparatus |
JP2002018276A (en) * | 2000-07-10 | 2002-01-22 | Pearl Kogyo Kk | Atmospheric pressure plasma treatment apparatus |
KR20020027395A (en) * | 2002-01-25 | 2002-04-13 | 곽 노 권 | A cleaning apparatus with atmospheric-pressure plasma |
KR20030018121A (en) * | 2001-08-27 | 2003-03-06 | 주식회사 우광유니텍 | Apparatus for cleanning by plasma |
-
2002
- 2002-12-02 KR KR10-2002-0075733A patent/KR100462772B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1131600A (en) * | 1997-07-09 | 1999-02-02 | Samuko Internatl Kenkyusho:Kk | Plasma surface treatment device |
KR20000029287A (en) * | 1998-10-26 | 2000-05-25 | 이마이 기요스케 | Plasma treatment apparatus and plasma treatment method performed by use of the same apparatus |
JP2002018276A (en) * | 2000-07-10 | 2002-01-22 | Pearl Kogyo Kk | Atmospheric pressure plasma treatment apparatus |
KR20030018121A (en) * | 2001-08-27 | 2003-03-06 | 주식회사 우광유니텍 | Apparatus for cleanning by plasma |
KR20020027395A (en) * | 2002-01-25 | 2002-04-13 | 곽 노 권 | A cleaning apparatus with atmospheric-pressure plasma |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101213709B1 (en) | 2012-04-20 | 2012-12-18 | 비전세미콘 주식회사 | Plazma cleaning apparatus for asemiconductor panel with air cleaner |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20040047991A (en) | 2004-06-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7568574B2 (en) | Substrate transportation method and apparatus | |
KR100464118B1 (en) | Substrate cleaning device and substrate cleaning method | |
JP2001033165A (en) | Drying nozzle, drying apparatus and washing apparatus using the same | |
JP2005317922A (en) | Processing apparatus and processing method of substrate | |
JP2003334499A (en) | Apparatus and method for removing dust | |
JP3926593B2 (en) | Substrate processing equipment | |
KR100462772B1 (en) | Cleaning apparatus using plasma | |
CN110553489B (en) | Substrate processing apparatus | |
KR20010070778A (en) | Multi functional cleaning module of manufacturing apparatus for liquid crystal display device and Cleaning apparatus using the same | |
KR200433078Y1 (en) | One body type cleaning apparatus for flat panel display | |
JP3901635B2 (en) | Acid treatment equipment for plate materials | |
KR20100073507A (en) | Dry type cleaning device for cleaning organic and inorganic matter on substrate | |
KR100710886B1 (en) | One body type cleaning apparatus for flat panel display | |
JP2000252254A (en) | Substrate processing equipment | |
JP2000107706A (en) | Cleaning apparatus | |
KR20080109495A (en) | Ion air knife and cleaning system of glass using the same | |
JPH05166789A (en) | Cleaner/drier for substrate | |
JP2006093591A (en) | Processor of substrate | |
KR20030046056A (en) | Air Knife Dryer | |
KR20190000865U (en) | Substrate cleaning apparatus | |
JP3792384B2 (en) | Substrate rubbing method, liquid crystal electro-optic element manufacturing method, and substrate rubbing apparatus | |
JP2003092277A (en) | Wet treatment apparatus | |
JPH11300300A (en) | Method and device for treatment of substrate | |
CN220550115U (en) | Glass surface etching device | |
JP3843252B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20081201 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |