KR100455699B1 - surface acoustic wave filter device - Google Patents
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Abstract
이 발명은 표면 탄성파 필터 장치에 관한 것으로, 필터 칩의 패턴 형성 면적을 넓히거나 또는 인덕턴스 값을 낮추어 필터 특성을 향상시킬 수 있도록, 상부에 일정 깊이의 요홈부가 형성되고, 상기 요홈부의 바닥면에는 다수의 도전성 배선패턴이 형성되어 있는 절연성의 기판과, 상기 기판의 배선패턴 상부에 위치되어 있으며, 하면에 다수의 전극패드 및 표면 탄성파 필터 패턴이 형성된 필터 칩과, 상기 필터 칩의 전극패드와 기판의 배선패턴을 상호 연결하는 다수의 도전성 볼과, 상기 기판의 상면에 접착제로 접착되어 상기 필터 칩 등을 외부 환경으로부터 격리시키는 캡과, 상기 기판을 관통하는 도전성 비아에 의해 상기 배선패턴에 연결된 다수의 도전성 패드로 이루어진 표면 탄성파 필터 장치에 있어서, 상기 기판에 형성된 도전성 배선패턴은 대칭되는 형태로 서로 마주보며 일정거리 이격된 채 양단에 각각 돌기 패턴이 형성되고, 상기 각 돌기 패턴의 끝단에는 직선패턴이 연결되어 있으며, 상기 각 직선패턴에는 다수의 볼랜드가 형성된 한쌍의 그라운드 패턴과, 상기 한쌍의 그라운드 패턴 사이에 형성되고, 표면에는 볼랜드가 형성된 시그널 패턴으로 이루어진 것을 특징으로 함.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave filter device, wherein a groove having a predetermined depth is formed on an upper portion of the filter chip to improve a filter characteristic by increasing a pattern forming area of a filter chip or lowering an inductance value. An insulating substrate having conductive wiring patterns formed thereon, a filter chip having a plurality of electrode pads and surface acoustic wave filter patterns formed on a lower surface thereof, and having a plurality of electrode pads and surface acoustic wave filter patterns formed thereon; A plurality of conductive balls connected to the wiring pattern by a plurality of conductive balls interconnecting wiring patterns, a cap bonded to an upper surface of the substrate with an adhesive to isolate the filter chip, etc. from the external environment, and conductive vias penetrating the substrate. In the surface acoustic wave filter device consisting of a conductive pad, the conductive wiring pattern formed on the substrate Protruding patterns are formed at both ends facing each other in a shape called a predetermined distance, and a linear pattern is connected at each end of each of the protruding patterns, and each of the linear patterns has a pair of ground patterns having a plurality of ball lands. And a signal pattern formed between the pair of ground patterns and having a borland formed on the surface thereof.
Description
본 발명은 표면 탄성파 필터 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게 설명하면 필터 칩의 표면 탄성파 필터 패턴 면적을 넓히거나 또는 인덕턴스 값을 낮추어 필터 특성을 향상시킬 수 있는 표면 탄성파 필터 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a surface acoustic wave filter device, and more particularly, to a surface acoustic wave filter device capable of improving the filter characteristics by increasing the surface acoustic wave filter pattern area of the filter chip or lowering the inductance value.
도1을 참조하면, 통상적인 표면 탄성파 필터 장치의 단면도가 도시되어 있다.Referring to Fig. 1, a cross-sectional view of a conventional surface acoustic wave filter device is shown.
도시된 바와 같이 통상적인 표면 탄성파 필터 장치는 상부에 일정 깊이의 요홈부(2)가 형성되고, 상기 요홈부(2)의 바닥면에는 다수의 도전성 배선패턴(40,50)이 형성되어 있는 절연성의 기판(4)과, 상기 기판(4)의 배선패턴(40,50) 상부에 위치되어 있으며, 하면에 다수의 전극패드(60,70) 및 표면 탄성파 필터 패턴(16)(도2a 및 도2b 참조)이 형성된 필터 칩(6)과, 상기 필터 칩(6)의 전극패드(60,70)와 기판(4)의 배선패턴(40,50)을 상호 연결하는 다수의 도전성 볼(8)과, 상기 기판(4)의 상면에 접착제(10)로 접착되어 상기 필터 칩(6) 등을 외부 환경으로부터 격리시키는 캡(12)과, 상기 기판(4)을 관통하는 도전성 비아(13)를 통하여 상기 배선패턴(40,50)에 연결된 다수의 도전성 패드(14)로 이루어져 있다.As shown in the drawing, a conventional surface acoustic wave filter device has an insulating portion having a recessed portion 2 having a predetermined depth thereon, and a plurality of conductive wiring patterns 40 and 50 formed on the bottom surface of the recessed portion 2. And a plurality of electrode pads 60 and 70 and a surface acoustic wave filter pattern 16 (FIGS. 2A and FIG. 2) located above the substrate 4 and the wiring patterns 40 and 50 of the substrate 4, respectively. 2B), a plurality of conductive balls 8 for interconnecting the filter chip 6 having the filter chip 6 formed thereon with the electrode pads 60 and 70 of the filter chip 6 and the wiring patterns 40 and 50 of the substrate 4. And a cap 12 adhered to the upper surface of the substrate 4 with an adhesive 10 to isolate the filter chip 6 from the external environment, and a conductive via 13 penetrating the substrate 4. It consists of a plurality of conductive pads 14 connected to the wiring patterns 40 and 50 through.
한편, 도2a를 참조하면, 상기 표면 탄성파 필터 장치중 기판(4)에 형성된 도전성 배선패턴(40,50)의 평면도가 도시되어 있다.Meanwhile, referring to FIG. 2A, plan views of conductive wiring patterns 40 and 50 formed on the substrate 4 of the surface acoustic wave filter device are illustrated.
도시된 바와 같이 절연성 기판(4)에 형성된 도전성 배선패턴(40,50)은 대칭되는 형태로 서로 마주보며 각각 3개의 돌기패턴(41)이 형성되고, 상기 각 돌기패턴(41)의 단부에는 직선패턴(42)이 연결된 한쌍의 그라운드 패턴(40)과, 상기 그라운드 패턴(40) 사이에 형성된 시그널 패턴(50)으로 이루어져 있다.As illustrated, the conductive wiring patterns 40 and 50 formed on the insulating substrate 4 face each other in a symmetrical form, and three protrusion patterns 41 are formed, respectively, and a straight line is formed at an end of each of the protrusion patterns 41. A pair of ground patterns 40 connected to the pattern 42 and a signal pattern 50 formed between the ground patterns 40.
여기서, 상기 그라운드 패턴(40) 및 시그널 패턴(50)에는 필터 칩(6)에 융착된 도전성 볼(8)이 접속될 수 있도록 각각 다수의 랜드(43,53)가 형성되어 있다.Here, a plurality of lands 43 and 53 are formed in the ground pattern 40 and the signal pattern 50 so that the conductive balls 8 fused to the filter chip 6 can be connected.
더불어, 도2b를 참조하면, 상기 도2a의 기판(4)에 형성된 도전성 배선패턴(40,50)과 대응되는 전극 패드(60,70)를 갖는 필터 칩(6)의 평면도가 도시되어 있다.In addition, referring to FIG. 2B, a plan view of the filter chip 6 having electrode pads 60 and 70 corresponding to the conductive wiring patterns 40 and 50 formed on the substrate 4 of FIG. 2A is illustrated.
도시된 바와 같이 필터 칩(6)은 전극 패드(60,70)가 다수의 그라운드 전극 패드(60)와 시그널 전극 패드(70)로 분리 형성되어 있는데, 상기 그라운드 전극 패드(60)는 네모서리에 각각 1개씩 형성되어 있고, 또한 중앙 부근에 서로 인접하여 2개가 형성되어 있다. 또한 시그널 전극 패드(70)는 좌,우변의 중앙에 근접하여 2개가 형성되어 있다. 물론, 상기 그라운드 전극 패드(60)와 시그널 전극 패드(70)는 모두 기판(4)에 형성된 그라운드 패턴(40) 및 시그널 패턴(50)의 볼랜드(43,53)와 정확히 대응되는 위치에 형성되어 있다. 여기서, 중앙의 그라운드 전극 패드(60) 양측에는 각각 표면 탄성파 필터 패턴(16)이 형성되어 신호 지연이나 대역 주파수 필터로 작용할 수 있도록 되어 있다.As illustrated, the filter chip 6 is formed by separating the electrode pads 60 and 70 into a plurality of ground electrode pads 60 and a signal electrode pad 70. The ground electrode pads 60 are formed at four corners. One each is formed, and two are formed adjacent to each other near the center. In addition, two signal electrode pads 70 are formed close to the center of the left and right sides. Of course, the ground electrode pad 60 and the signal electrode pad 70 are both formed at positions exactly corresponding to the ground patterns 40 formed on the substrate 4 and the ball lands 43 and 53 of the signal pattern 50. have. Here, surface acoustic wave filter patterns 16 are formed on both sides of the center ground electrode pad 60 so as to act as a signal delay or a band frequency filter.
그러나, 이러한 종래의 표면 탄성파 필터 장치는 필터 칩의 중앙에 2개의 그라운드 전극 패드가 위치됨으로써, 상기 필터 칩에 형성되는 표면 탄성파 필터 패턴의 형성 영역이 크게 제한되는 단점이 있다. 이와 같은 표면 탄성파 필터 패턴의 영역 제한은 필터 특성 등을 최적화시키는데 장애 요인으로 작용한다.However, the conventional surface acoustic wave filter device has a disadvantage in that two ground electrode pads are positioned at the center of the filter chip, thereby greatly limiting the formation area of the surface acoustic wave filter pattern formed on the filter chip. Such area limitation of the surface acoustic wave filter pattern acts as a barrier to optimizing the filter characteristics and the like.
또한, 이러한 종래의 표면 탄성파 필터 장치는 기판에 2개의 그라운드 패턴이 분리되어 있음으로써, 인덕턴스 값이 높게 나타나는 단점이 있으며, 이로 인하여 필터 특성이 저하되는 되는 문제가 있다.In addition, the conventional surface acoustic wave filter device has a disadvantage in that the inductance value is high because two ground patterns are separated from the substrate, thereby deteriorating the filter characteristics.
따라서 본 발명은 상기와 같은 종래의 단점 또는 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 본 발명의 목적은 필터 칩의 필터 표면 탄성파 필터 패턴 면적을 넓힐 수 있는 표면 탄성파 필터 장치를 제공하는데 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned disadvantages or problems, it is an object of the present invention to provide a surface acoustic wave filter device that can widen the filter surface acoustic wave filter pattern area of the filter chip.
본 발명의 또다른 목적은 그라운드 패턴이 전기적으로 1개가 되도록 하여 인덕턴스 값을 낮추고 필터 특성을 향상시킬 수 있는 표면 탄성파 필터 장치를 제공하는데 있다.Still another object of the present invention is to provide a surface acoustic wave filter device capable of lowering inductance and improving filter characteristics by having one ground pattern electrically.
도1은 통상적인 표면 탄성파 필터 장치를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a conventional surface acoustic wave filter device.
도2a는 종래 표면 탄성파 필터 장치에서 기판에 형성된 배선패턴을 도시한 평면도이고, 도2b는 이와 대응되는 필터 칩의 평면도이다.Figure 2a is a plan view showing a wiring pattern formed on a substrate in a conventional surface acoustic wave filter device, Figure 2b is a plan view of a filter chip corresponding thereto.
도3a는 본 발명에 의한 표면 탄성파 필터 장치에서 기판에 형성된 배선패턴을 도시한 평면도이고, 도3b는 이와 대응되는 필터 칩의 평면도이다.3A is a plan view showing a wiring pattern formed on a substrate in the surface acoustic wave filter device according to the present invention, and FIG. 3B is a plan view of a filter chip corresponding thereto.
도4a는 본 발명에 의한 다른 표면 탄성파 필터 장치에서 기판에 형성된 배선패턴을 도시한 평면도이고, 도3b는 이와 대응되는 필터 칩의 평면도이다.4A is a plan view showing a wiring pattern formed on a substrate in another surface acoustic wave filter device according to the present invention, and FIG. 3B is a plan view of a filter chip corresponding thereto.
- 도면중 주요 부호에 대한 설명--Description of the main symbols in the drawing-
2; 요홈부 4; 기판2; Groove 4; Board
6; 필터 칩 8; 도전성 볼6; Filter chip 8; Conductive ball
10; 접착제 12; 캡10; Adhesive 12; cap
12; 도전성 비아 14; 도전성 패드12; Conductive via 14; Conductive pad
16; 표면 탄성파 필터 패턴 40; 그라운드 패턴16; Surface acoustic wave filter pattern 40; Ground pattern
41; 돌기패턴 42; 직선패턴41; Projection pattern 42; Straight pattern
43; 볼랜드 50; 시그널 패턴43; Borland 50; Signal pattern
53; 볼랜드 60; 그라운드 전극 패드53; Borland 60; Ground electrode pad
70; 시그널 전극 패드70; Signal electrode pads
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명은 상부에 일정 깊이의 요홈부가 형성되고, 상기 요홈부의 바닥면에는 다수의 도전성 배선패턴이 형성되어 있는 절연성의 기판과, 상기 기판의 배선패턴 상부에 위치되어 있으며, 하면에 다수의 전극패드 및 표면 탄성파 필터 패턴이 형성된 필터 칩과, 상기 필터 칩의 전극패드와 기판의 배선패턴을 상호 연결하는 다수의 도전성 볼과, 상기 기판의 상면에 접착제로 접착되어 상기 필터 칩 등을 외부 환경으로부터 격리시키는 캡과, 상기 기판을 관통하는 도전성 비아에 의해 상기 배선패턴에 연결된 다수의 도전성 패드로 이루어진 표면 탄성파 필터 장치에 있어서, 상기 기판에 형성된 도전성 배선패턴은 대칭되는 형태로 서로 마주보며 일정거리 이격된 채 양단에 각각 돌기 패턴이 형성되고, 상기 각 돌기 패턴의 끝단에는 직선패턴이 연결되어 있으며, 상기 각 직선패턴에는 다수의 볼랜드가 형성된 한쌍의 그라운드 패턴과, 상기 한쌍의 그라운드 패턴 사이에 형성되고, 표면에는 볼랜드가 형성된 시그널 패턴으로 이루어진 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention is a groove having a predetermined depth is formed in the upper portion, the bottom surface of the groove is an insulating substrate having a plurality of conductive wiring patterns are formed, and is located on the wiring pattern of the substrate A filter chip having a plurality of electrode pads and a surface acoustic wave filter pattern formed on a lower surface thereof, a plurality of conductive balls interconnecting the electrode pads of the filter chip and the wiring pattern of the substrate, and an adhesive adhered to an upper surface of the substrate to form the filter In a surface acoustic wave filter device including a cap that isolates a chip from an external environment and a plurality of conductive pads connected to the wiring pattern by conductive vias penetrating the substrate, the conductive wiring pattern formed on the substrate is symmetrical. Protruding patterns are formed at both ends facing each other and spaced a predetermined distance apart, and each of the protruding patterns A straight line pattern is connected to an end, and each of the straight line patterns is formed between a pair of ground patterns having a plurality of ball lands, and a pair of ground patterns, and a signal pattern having a ball land formed on a surface thereof.
여기서, 상기 한쌍의 그라운드 패턴은 중앙에 브리지패턴이 형성되어 상호 전기적으로 연결될 수 있다.Here, the pair of ground patterns may be electrically connected to each other by forming a bridge pattern at the center.
더불어, 상기 도전성 배선패턴에 도전성볼로 연결되는 필터 칩은 다수의 전극 패드가, 상기 배선패턴의 볼랜드에 대응하도록, 둘레 근처에만 형성되어 있다.In addition, in the filter chip connected to the conductive wiring pattern by conductive balls, a plurality of electrode pads are formed only around the circumference so as to correspond to the ball lands of the wiring pattern.
상기와 같이 하여 본 발명에 의한 표면 탄성파 필터 장치에 의하면, 그라운드 패턴에 있는 볼랜드 및 필터 칩에 있는 전극 패드를 모두 둘레로 위치시킴으로써, 필터 칩에 형성될 수 있는 필터 패턴의 면적을 최대한 확보 또는 넓힐 수 있는 장점이 있다.According to the surface acoustic wave filter device according to the present invention as described above, by placing all the electrode pads in the ball land and the filter chip in the ground pattern, the area of the filter pattern that can be formed on the filter chip as possible to maximize or increase There are advantages to it.
더불어, 2개의 그라운드 패턴을 브리지 패턴으로 연결하여 전기적으로는 하나의 그라운드 패턴이 되도록 함으로써, 인덕턴스 값을 낮추고 결국 필터 특성을 향상시킬 수 있는 장점도 있다.In addition, by connecting two ground patterns in a bridge pattern to electrically form one ground pattern, the inductance value can be lowered and the filter characteristic can be improved.
이하 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings such that those skilled in the art may easily implement the present invention.
도3a를 참조하면, 본 발명에 의한 표면 탄성파 필터 장치에서 기판(6)에 형성된 도전성 배선패턴(40,50)이 도시되어 있고, 도3b를 참조하면, 도3a와 대응되는 필터 칩(6)이 도시되어 있다.Referring to FIG. 3A, the conductive wiring patterns 40 and 50 formed on the substrate 6 in the surface acoustic wave filter device according to the present invention are illustrated. Referring to FIG. 3B, the filter chip 6 corresponding to FIG. 3A is illustrated. Is shown.
먼저, 본 발명에 의한 표면 탄성파 필터 장치 역시 상부에 일정 깊이의 요홈부(2)가 형성되고, 상기 요홈부(2)의 바닥면에는 다수의 도전성 배선패턴(40,50)이 형성되어 있는 절연성의 기판(4)과, 상기 기판(4)의 배선패턴(40,50) 상부에 위치되어 있으며, 하면에 다수의 전극패드(60,70) 및 표면 탄성파 필터 패턴(16)이 형성된 필터 칩(6)과, 상기 필터 칩(6)의 전극패드(60,70)와 기판(4)의 배선패턴(40,50)을 상호 연결하는 다수의 도전성 볼(8)과, 상기 기판(4)의 상면에 접착제(10)로 접착되어 상기 필터 칩(6) 등을 외부 환경으로부터 격리시키는 캡(12)과, 상기 기판(4)을 관통하는 도전성 비아(13)를 통하여 상기 배선패턴(40,50)에 연결된 다수의 도전성 패드(14)로 이루어져 있으며, 이러한 구성은 종래와 동일하다.First, the surface acoustic wave filter device according to the present invention also has an insulating groove portion 2 having a predetermined depth formed thereon, and a plurality of conductive wiring patterns 40 and 50 are formed on the bottom surface of the groove portion 2. A filter chip disposed on the substrate 4 and the wiring patterns 40 and 50 of the substrate 4 and having a plurality of electrode pads 60 and 70 and a surface acoustic wave filter pattern 16 formed on a lower surface thereof. 6) a plurality of conductive balls 8 interconnecting the electrode pads 60 and 70 of the filter chip 6 and the wiring patterns 40 and 50 of the substrate 4, and the substrate 4 The wiring patterns 40 and 50 are formed through a cap 12 adhered to an upper surface with an adhesive 10 to isolate the filter chip 6 from the external environment and a conductive via 13 penetrating the substrate 4. It is composed of a plurality of conductive pads (14) connected to the same, this configuration is the same as the conventional.
다만, 본 발명은 상기 기판(4)에 형성된 도전성 배선패턴(40,50)이 대칭되는형태로 서로 마주보며 일정거리 이격된 채 양단에 각각 돌기패턴(41)이 형성되고, 상기 각 돌기패턴(41)의 끝단에는 직선패턴(42)이 연결되어 있으며, 상기 각 직선패턴(42)에는 다수의 볼랜드(43)가 형성된 한쌍의 그라운드 패턴(40)과, 상기 한쌍의 그라운드 패턴(40) 사이에 형성되고, 표면에는 볼랜드(53)가 형성된 시그널 패턴(50)으로 이루어진 것을 주요 특징으로 한다.(도3a 참조)However, in the present invention, the conductive wiring patterns 40 and 50 formed on the substrate 4 are symmetrical to face each other, and the projection patterns 41 are formed at both ends with a predetermined distance from each other. A straight line pattern 42 is connected to an end of the pair 41, and each of the straight line patterns 42 has a pair of ground patterns 40 having a plurality of ball lands 43 formed therebetween, and the pair of ground patterns 40. And a signal pattern 50 having a borland 53 formed on a surface thereof (see FIG. 3A).
한편, 도전성 배선패턴(40,50)에 도전성볼(8)로 연결되는 필터 칩(6)은 다수의 전극 패드(60,70)가, 상기 배선패턴(40,50)의 볼랜드(43,53)에 대응하도록, 둘레 근처에만 형성되어 있다. 즉, 다수의 볼랜드(43,53)가 대략 사각라인 형태를 한다.(도3b 참조)On the other hand, in the filter chip 6 connected to the conductive wiring patterns 40 and 50 by the conductive balls 8, a plurality of electrode pads 60 and 70 are connected to the ball lands 43 and 53 of the wiring patterns 40 and 50. Is formed only around the perimeter. That is, the plurality of ball lands 43 and 53 have a substantially rectangular line shape (see FIG. 3B).
이와 같은 표면 탄성파 필터 장치는 그라운드 패턴(40)에 있는 볼랜드(43) 및 필터 칩(6)에 있는 전극 패드(60)가 모두 둘레로 위치됨으로써, 결국 필터 칩(6)에 형성될 수 있는 필터 패턴(16)의 면적을 최대한 확보할 수 있게 된다.This surface acoustic wave filter device is a filter that can be formed on the filter chip 6, as the ball land 43 in the ground pattern 40 and the electrode pad 60 in the filter chip 6 are all positioned around each other. The area of the pattern 16 can be secured as much as possible.
도4a를 참조하면, 본 발명에 의한 다른 표면 탄성파 필터 장치에서 기판(4)에 형성된 배선패턴(40,50)이 도시되어 있고, 도4b를 참조하면, 도4a와 대응되는 필터 칩(6)이 도시되어 있다.Referring to FIG. 4A, the wiring patterns 40 and 50 formed on the substrate 4 in another surface acoustic wave filter device according to the present invention are illustrated. Referring to FIG. 4B, the filter chip 6 corresponding to FIG. 4A is illustrated. Is shown.
도시된 바와 같이 기판(4)의 구성은 도3a에 도시된 것과 유사하나, 그라운드 패턴(40)중 중앙에는 브리지 패턴(44)이 더 형성되어 있고, 이것의 양단은 각각의 그라운드 패턴(40)에 전기적으로 연결되어 있다. 즉, 그라운드 패턴(40)중 직선 패턴(42)이 브리지 패턴(44)으로 상호 연결되어 있다.As shown, the configuration of the substrate 4 is similar to that shown in FIG. 3A, but a bridge pattern 44 is further formed at the center of the ground patterns 40, and both ends thereof have respective ground patterns 40. Is electrically connected to That is, the linear patterns 42 of the ground patterns 40 are connected to each other by the bridge pattern 44.
따라서, 2개의 그라운드 패턴(40)이 브리지 패턴(40)으로 연결되어 마치 하나의 그라운드 패턴(40)과 같은 구성이 되도록 함으로써, 인덕턴스 값이 작아지고, 결국 필터 특성이 향상된다.Therefore, the two ground patterns 40 are connected to the bridge pattern 40 so as to have the same configuration as one ground pattern 40, so that the inductance value is reduced and the filter characteristics are improved.
물론, 상기 기판(4)과 대응되는 필터 칩(6)의 구성은 도3b에 도시된 것과 같게 도시되어 있으나, 이것으로만 한정되는 것은 아니다. 즉, 기판(4)에 형성된 그라운드 패턴(40)에 형성된 볼랜드(43)는 임의의 위치에 형성될 수도 있으며, 이것과 대응되도록 필터 칩(6)의 전극 패드(60) 위치도 변경될 수 있다.Of course, the configuration of the filter chip 6 corresponding to the substrate 4 is shown as shown in Figure 3b, but is not limited to this. That is, the ball land 43 formed on the ground pattern 40 formed on the substrate 4 may be formed at an arbitrary position, and the position of the electrode pad 60 of the filter chip 6 may also be changed to correspond to this. .
이상에서와 같이 본 발명은 비록 상기의 실시예에 한하여 설명하였지만, 본 발명은 이것으로만 한정되는 것은 아니며 본 발명의 범주와 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러가지로 변형된 실시예도 가능할 것이다.As described above, although the present invention has been described with reference to the above embodiments, the present invention is not limited thereto, and various modified embodiments may be possible without departing from the scope and spirit of the present invention.
따라서 본 발명에 의한 표면 탄성파 필터 장치에 의하면, 그라운드 패턴에 있는 볼랜드 및 필터 칩에 있는 전극 패드를 모두 둘레로 위치시킴으로써, 필터 칩에 형성될 수 있는 필터 패턴의 면적을 최대한 넓힐 수 있는 효과가 있다.Therefore, according to the surface acoustic wave filter device according to the present invention, by placing all of the land pads in the ground pattern and the electrode pads in the filter chip, the surface area of the filter pattern that can be formed on the filter chip can be maximized. .
더불어, 2개의 그라운드 패턴을 브리지 패턴으로 연결하여 전기적으로는 하나의 그라운드 패턴이 되도록 함으로써, 인덕턴스 값을 낮추고 결국 필터 특성을 향상시킬 수 있는 효과도 있다.In addition, by connecting two ground patterns in a bridge pattern to electrically form one ground pattern, the inductance value can be lowered and the filter characteristic can be improved.
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Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0061520A KR100455699B1 (en) | 2002-10-09 | 2002-10-09 | surface acoustic wave filter device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0061520A KR100455699B1 (en) | 2002-10-09 | 2002-10-09 | surface acoustic wave filter device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040032400A KR20040032400A (en) | 2004-04-17 |
| KR100455699B1 true KR100455699B1 (en) | 2004-11-06 |
Family
ID=37332298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0061520A KR100455699B1 (en) | 2002-10-09 | 2002-10-09 | surface acoustic wave filter device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100455699B1 (en) |
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-
2002
- 2002-10-09 KR KR10-2002-0061520A patent/KR100455699B1/en not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20040032400A (en) | 2004-04-17 |
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