KR100444006B1 - 강유전체액정디스플레이및멀티플렉스어드레싱방법 - Google Patents

Abstract

본 발명의 강유전체 액정 디스플레이는 표면이 경사진 층 안의 재료를 정렬하도록 처리된 두 셀 벽 사이에 함유된 강유전체 액정 재료층을 포함한다. 그 벽은 어드레싱 가능한 소자 또는 픽셀의 x, y 행렬을 형성하는 행과 열을 갖는다. 멀티플렉스 어드레싱 전압은 구동기 회로에 의해 제공된다. 액정 분자 상에 인가된 토크를 최대화하기 위해 픽셀을 스위칭하는 동안 인가된 어드레싱 전압을 변화시킴으로써 개선된 어드레싱이 얻어진다. 어드레싱 전압은 두 개의 데이터 파형과 하나의 스트로브 파형이며, 데이터 파형은 라인 어드레싱 시간, 2 이상의 전압 레벨, dc 균형, 및 동등한 rms를 형성하는 기간 동안 3 이상의 시간 슬롯을 가지며, 스트로브 파형은 2 이상의 전압 레벨(제로 레벨을 포함할 수 있다)을 가진다. 스트로브 파형과 데이터 파형은 각 픽셀에서 어드레싱 전압을 형성하는 스위칭 및 비 스위칭 결과 파형을 제공하도록 조합된다. 스위칭 결과 파형은 라인 어드레싱 시간 전체를 통해서 점점 증가하는 전압 레벨을 갖는다. 비 스위칭 결과 파형은, 스위칭을 억제할 만큼 충분히 큰 진폭의 1 이상의 레벨을 포함할 수 있는 나중의 전압 레벨의 것과 반대 극성의 제1 전압을 갖는다.

Description

강유전체 액정 디스플레이 및 멀티플렉스 어드레싱 방법

한 종류의 디바이스가 표면 안정화된 FELC 디스플레이로서 공지되어있다. 예를 들면, [Meyer, R.B 1977 Molec. Crystals liq. Crystals 40, 33, and Clark, N.A and Lagerwall, S.T, 1980, Appl Phys. Lett. 36, 899]를 참조하시오. 이것은 적합한 진폭, 시간 및 신호의 dc 펄스에 의해 두 개의 분자 배향들 사이에 스위칭될 수 있다. 개념적으로는, 액정 분자들은 그 재료가 스위칭됨에 따라 원뿔 표면 둘레를 회전하는 것으로 여겨질 수 있다.

한가지 선행기술의 어드레싱 방법은 2개의 시간 슬롯(들) 기간의 스트로브 펄스와, 제1 시간 슬롯에 있는 진폭 제로, 및 제2 시간 슬롯의 Vs를 사용하며, 이들은 차례로 각 x행 전극에 순차적으로 인가된다. 그동안, 두 개의 데이터 파형들 중의 하나는 각 y 열 전극에 인가된다. 데이터 파형들은 교번 극성과 동등한진폭(+Vd, -Vd)의 dc 펄스이며, 각 펄스는 1ts를 유지한다. 한 데이터 파형은 다른 파형의 반대이다. 이것을 모노 펄스 스트로브 어드레싱 방법(mono pulse strobe addressing scheme)이라고 부른다.

GB 2,232,802호에 기재된, 또 다른 어드레싱 방법은 두 펄스들을 갖는 스트로브 파형을 사용하며, 각각은 모노 펄스 스트로브 방법에서처럼 데이터 파형들과 조합하여 1ts를 유지한다. 선도하는 스트로브 펄스는 제로이거나 제로가 아니고 가변 진폭 및 신호일 수 있다. 스트로브와 데이터(결과 파형)의 조합은 두개의 상이한 결과를 제공한다. 이것은 액정 재료의 스위칭 특성들을 변화시키는 데에 유용하다. 행에서 각 픽셀을 어드레싱하기 위해 취해진 시간은 라인 어드레싱 시간(1at)이고 상기 방법의 경우에는 2ts이다.

상기의 변형은 GB2,262,831에 기재되어있다. 여기서, 스트로브는 상기 방법에서와 같이, 각 새로운 행에 스트로브들의 응용들 사이의 2ts 간격을 가지고 차례로 각 행에 적용된다. 또한, 스트로브 파형은 다음번 어드레싱된 행의 어드레싱 시간으로 연장된다. 즉, 시간 스트로브 파형들의 일부는 같은 시간에 2행들에 인가된다.

또다른 어드레싱 방법은 일시에 각 픽셀을 어드레싱하기 위해 4ts를 사용한다. 그 스트로브는 1ts의 경우 제로이고, 3ts의 경우 Vs이다. 데이터 파형들은 연속적인 시간 슬롯들에서 진폭(-V_d, +V_d, +V_d, -V_d)(또는 반대)이다.

모든 어드레싱 방법들은 필요할 때 재료를 스위칭해야 하고, 그 방법들 사이의 차이는 그들의 실행이다. 실행은 사용된 전압(낮은 것이 바람직함), 스위칭 속도(빠른 것이 바람직함), 작동 범위(선택된 전압과 선택되지 않은 전압들 사이에 넓은 차이), 및 픽셀 패턴에 대한 낮은 의존성에 관련하여 정의된다. 온도에 있어서 넓은 작동 범위도 마찬가지로, 두 개의 스위칭된 상태들 사이의 높은 콘트라스트가 유리하다.

앞서 설명한 바와 같이 분자들은 각각의 분자상에 스위칭 토크를 인가하는 dc전압의 인가로 인해 원뿔의 한쪽에서 다른 쪽으로 스위칭한다(예를 들면 정렬 방향으로 ±22° 사이로 스위칭한다). 이 스위칭 토크는 원뿔의 (가상)표면 둘레를 스위칭시킨다.

이전의 어드레싱 방법들은 본질적으로 경험적이었으며, 그들의 디자인은 경험적인 관찰의 결과에 기초한 것이다. 결과적으로, 선행기술의 어드레싱 방법들, 특히 펄스 형상들은 최적화되지 않았다.

본 발명은 강유전체 액정(FELC) 디스플레이의 멀티플렉스 어드레싱에 관한 것이다.

그러한 디스플레이는 두 개의 셀벽들 사이에 포함된 FELC 재료층을 포함하며, 각 셀벽은 전극 교점들에서 어드레싱 가능한 원소의 x,y 행렬을 형성하는 스트립 전극을 갖는다.

도1은 행렬 구동기를 갖는 x, y 디스플레이의 도면.

도2는 도1의 디스플레이 셀의 단면도.

도3은 많은 가능한 정렬 구성 중의 하나를 보여주는 강유전체 액정 재료층의 개략도.

도4는 원뿔의 가상 표면 둘레의 운동의 그의 봉입 및 LC 분자의 두 개의 허용되는 쌍안정성 위치 중의 하나를 보여주는 개략도.

도5는 스위칭 동안 액정 분자의 몇가지 위치를 지시하는 도4의 단부 도면.

도6a 및 도6b는 각각 도5의 액정 분자의 위치에 대한 강유전 및 유전 토크를 도시하는 도면.

도7a 및 도7b는 스위칭 원뿔 둘레의 지시자 위치에 대한 스위칭 토크와 전압을 도시하는 도면.

도8은 도5의 재료를 스위칭하기 위해 적합한 결과 파형의 예를 도시하는 도면.

도9는 스위칭을 유발하지 않는, 도8의 파형과 사용하기 위한, 결과 파형을 도시하는 도면.

도10은 도11 및 도12에 도시된 두 개의 상이한 어드레싱 구조를 갖는 하나의 재료의 스위칭 특성을 도시하는 그래프.

도11은 선행기술의 어드레싱 방법의 스트로브, 두 개의 데이터, 두 개의 결과 파형을 도시하는 도면.

도12 및 도12a는 본 발명의 두 개의 4-슬롯 구조의 스트로브, 데이터 및 결과 파형을 도시하는 도면.

도13 내지 도16은 4-슬롯 구조의 상이하게 형성된 스위칭 특성을 도시하는 도면.

도17은 3-슬롯 구조의 스트로브 데이터 및 결과 파형을 도시하는 도면.

도18은 6-슬롯 구조의 스트로브, 데이터 및 결과 파형을 도시하는 도면.

도19는 8-슬롯 구조의 스트로브, 데이터 및 결과 파형을 도시하는 도면.

도20은 도17의 3-슬롯 구조의 스위칭 구조를 도시하는 도면.

도21 및 도22는 도19의 8-슬롯 구조의 비선택 및 선택 결과 파형의 스위칭 특정을 도시하는 도면.

도23은 디스플레이의 상이한 픽셀 패턴의 선행기술 어드레싱 방식의 Vs/V에 대한 라인 어드레싱 시간을 도시하는 도면.

도24는 디스플레이의 상이한 픽셀 패턴에 대한 본 발명의 3-슬롯 어드레싱 방식의 Vs/V에 대한 라인 어드레싱 시간을 도시하는 도면.

도25는 도11에서와 같은 방식에 의해 어드레싱된 디바이스의 스위칭 특성을 도시하는 도면.

도26은 본 발명에 의해 어드레싱된 디바이스의 스위칭 특성과 스위칭 점 위의 상이한 픽셀 패턴의 효과를 도시하는 도면.

본 발명은, 재료가 스위칭될 때 인가되는 필드의 형태를 고려함으로써 스위칭을 개선하도록 펄스 형상들이 어떻게 설계될 수 있는지를 설명한다.

본 발명은 분자가 원뿔 표면 둘레를 회전할 때 분자에 가해진 스위칭 토크를 최대화함으로써 스위칭 실행을 개선하며, 이것은 스위칭 동안 결과 전압을 변화시킴으로써 달성된다.

본 발명에 따라, 강유전체 액정 디스플레이를 멀티플렉스 어드레싱하는 방법이 청구항 1에 상세하게 기재되어있다.

본 발명에 따라, 두 개의 데이터 파형들은 다중 레벨(단지 (+/- Vd가 아님), 바람직하게는 dc 밸런스, 동등 rms 레벨을 갖지만, 반드시 같은 형상을 가질 필요는 없다. 스트로브 펄스는 선택 및 비선택 데이터 파형들을 사용할 때 같은 것이 바람직하지만, 다중 전압 레벨들을 가질 수 있다.

본 발명에 따라, 멀티플렉스 어드레싱된 강유전 액정 디스플레이는 두 셀 벽들 사이에 포함된 카이럴 스메틱(chiral smectic) 액정 재료층, 액정 재료를 정렬하기 위해 처리된 양쪽 표면, 하나의 벽 위의 간격을 둔 스트립(행) 전극들의 제1 시리즈 및 어드레싱 가능한 소자들(픽셀들)의 매트릭스를 제공하기 위해 배열된 다른 벽 위의 간격을 둔(열) 스트립 전극의 제2 시리즈, 차례로 전극들의 제1 세트에 스트로브 파형을 인가하고, 전극들의 제2 세트에 있는 전극들에 두 개의 데이터 파형들(선택 및 비선택) 중의 하나를 인가하기 위한 구동기 회로를 포함하며,

(제로 레벨을 포함할 수 있는) 두 개 이상의 전압레벨들을 갖는 선택 및 비선택 파형을 발생하기 위한 수단으로서, 이 두개의 데이터 파형은 dc 밸런스와 동등한 rms 값을 가지며,

스트로브 파형을 발생하기 위한 수단, 및

스위칭된 재료 분자들 상의 스위칭 토크를 개선시키고 스위칭되지 않은 분자들상의 스위칭 토크를 줄이기 위해 라인 어드레싱 시간 동안 변화하는 결과치들을 제공하기 위해 협동하는 스트로브 파형 및 두 개의 데이터를 포함하는 것을 특징으로 한다.

데이터 파형은 적어도 3ts를 가질 수 있으며, 바람직하게는 4ts 이상, 예를들면 5ts, 6ts, 7ts, 8ts 이상을 갖는다.

스트로브 파형은 제로 레벨을 포함할 수 있는 2 이상의 레벨일 수 있다. 스트로브 파형에 있는 제1 펄스는 진폭과 신호가 다양할 수 있어서, 재료 스위칭 특성들을 변화시키고, 파형은 GB-2,262,831에서와 같이 또다른 행의 라인 어드레싱 시간으로 시간 연장될 수 있다.

디스플레이 재료는 교번 필드들에서 스트로브 극성의 반대로 두 필드들에서 어드레싱될 수 있으며, 전체 디스플레이가 그의 필요한 패턴으로 어드레싱되는 프레임을 만든다. 대안으로, 디스플레이가 블랭크될 수 있고 그후 하나의 스트로브 파형에 의해 선택적으로 스위칭되고, 블랭킹과 스트로브의 극성은 dc 밸런스를 유지하기 위해 주기적으로 반전될 수 있다. 블랭킹은 충분한 진폭-시간 프라덕트(product)의 하나 이상의 펄스들의 응용을 포함하여, 어떤 데이터 파형이 열 전극들에 인가되는지에 무관하게 스위칭을 유발한다. 블랭킹은 임의의 원하는 시퀀스에서 어떤 시간에에 하나 이상의 라인들 상에 있을 수 있다. 블랭킹 펄스는 스트로브와 균형잡힌 DC 일 수 있고, dc 밸런스를 제공하기 위한 여분의 부분들을 가질 수 있다.

이 디바이스에 사용된 재료는 하나이며, 여기서 자발 분극(Ps)과 유전 2축성(∂ ε)의 비율(ratio)의 값은 바람직하기로 0.01Cm-2 보다작고, 예를 들면 0.001Cm-2 보다작다.

첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체예를 설명할 것이지만, 이것은 단지 예시하기 위한 것이지 본 발명은 여기에만 한정되는 것이 아니다.

도1 및 도2에 도시된 디스플레이(1)는 스페이서 링(spacer ring ; 4) 및/또는 분포된 스페이서들에 의해 약 1 내지 6μm 떨어진 두 개의 유리벽들(2, 3)을 포함한다. 투명 주석산화물의 전극 구조들(5, 6)은 양쪽 벽들의 내면 위에 형성되어 있다. 이들 전극들은 x,y 행렬을 형성하는 행 및 열로서 도시되어있지만 다른 형태들도 가능하다. 예를 들면, r,θ 디스플레이를 위한 방사 및 만곡된 형상, 또는 디지털 7 막대 디스플레이를 위한 세그멘트들 형태의 것도 가능하다.

액정 재료의 층(7)은 벽들(2, 3)과 스페이서 링(4) 사이에 포함되어 있다. 편광기들(polarisers ; 8, 9)은 셀(1)의 전후에 배치되어있다. 행(10)과 열(11) 구동기들은 그 셀에 전압 신호를 인가한다. 두 세트의 파형은 행과 열 구동기들(10, 11)을 공급하기 위해 발생된다. 스트로브 파형 발생기(12)는 행 파형들을 공급하고, 데이터 파형 발생기(13)는 ON 및 OFF 파형들을 열 구동기들(11)에 공급한다. 타이밍과 디스플레이 포맷의 전체 제어는 콘트라스트 로직 유닛(14)에 의해 제어된다.

조립하기 전에, 벽들(2, 3)은 폴리아미드 또는 폴리이미드의 박층 위에 스피닝시키고, 건조시키고 적당한 경화를 시킨 다음 단일 방향(R₁, R₂)으로 부드러운 천으로 문지름으로써 처리된 표면이다. 이러한 공지된 처리법은 액정 분자의 표면 정렬을 제공한다. 인가된 전기장의 부재중에, 분자는 문지르는 방향(R₁, R₂)을 따라, 표면에 대해 약 2° 의 각도로 그들을 정렬하는 경향이 있다. 문지르는 방향(R₁, R₂)은 도시된 것과 동일한 방향으로 평행하거나, 어떤 종류의 디바이스에 대해서는 평행하지만 방향이 반대인 반-평행(Aantiparallel)일 수 있다. 적합한 1방향 전압이 가해지면, 분자 지시자는 전압의 극성에 따른 두 방향(D₁, D₂) 중의 하나를 따라 분자 지시자(molecular director)가 정렬된다. 이상적으로는, 방향(D₁, D₂)사이의 각도가 약 45° 이지만, 재료에 따라 다양하다.

이 디바이스는 투과 또는 반사 방식으로 작동할 수 있다. 전자의 경우, 예를들면 텅스텐 전구(15)로부터 디바이스를 통과하는 광은 선택적으로 투과하거나 뭉쳐져서, 원하는 디스플레이를 형성한다. 반사 방식의 경우에는, 거울(16)을 제2 편광기(9) 뒤에 놓아서, 두 개의 편광기(8, 9)와 셀(1)을 통해서 주변 빛이 되돌아가도록 반사된다. 부분적으로 반사하도록 거울(16)을 만듦으로서, 이 장치는 투과 및 반사 방식 두개로 작동될 수 있다.

도3은 한 층에 있는 액정 분자(21)의 한가지 정렬을 도면으로 보여준다. 분자(지시자를 더욱 정확하게)는 원뿔(22)의 표면 위에서 놓는 경우도 있으며, 도4에서 더 명료하게 보여준다. 셀 벽(2, 3)에 인접하여, 강하게 정렬된 힘은 경사지거나 정렬된 방향으로 분자를 고정하고, 그 벽으로부터 멀리, 그 분자는 두개의 안정된 위치(21, 21') 중의 하나에 도시된 그들 자신을 배열하려는 경향이 있다. 적당한 극성의 dc 전기장은 인가할 경우, 분자와 필드 사이에 결합이 있으며, 분자는(점선으로 보여주는) 다른 스위칭된 위치(21')로 (실선으로 도시된) 하나의 스위칭된 위치(21)로부터 원뿔(22) 둘레를 회전한다.

본 발명은 스위칭 동안 인가된 전기장의 진폭을 변화시킴으로써 스위칭 동안 분자에 토크를 최대화하기 위해 목적함으로써 스위칭을 개선한다.

도5, 도6a 도6b는 Φ ac(ac 안정된 전압 아래 위치)로부터 분자가 A, B를 통해서 그의 스위칭된 상태 사이의 중간점인 Φs로 이동함에 따라 토크가 얼마나 변화하는지를 보여주며, (그런 다음에, 그의 다른 스위칭된 위치 Φac'로 계속 이동한다). 지시자에 대해 작용하는 두 개의 상이한 토크, 즉 강유전성 토크와 유전성 토크가 있다. 강유전성 토크(도6a)는 그것이 원뿔 표면(22) 둘레를 회전하게 만드는 지시자에 대해 작용하는 인가된 전압에 비례하는 힘이다. 유전성 토크(도6)는 지시자의 운동을 유지하는 경향이 있는 토크로서 V2에 비례한다. 분자 스위칭을 개선하기 위해서, 재료에 인가된 전압은, 지시지가 Φac로부터 A, B를 통해서, 스위칭하기 위해 필요한 픽셀의 Φs로 스위칭하면, 스위칭 토크(강유전성 토크와 유전성 토크 사이의 차이)가 최대가 되도록 배열된다. 스위칭하는데 필요하지 않은 픽셀의 경우에는, 스위칭 토크가 최소화된다.

도7a에 도시된 바와 같이, 스위칭하기 전에 지시자는 제로로부터 50°의 각도를 갖는다. 10v의 비교적 작은 전압을 인가하면, 작은 포지티브 스위칭 토크를 가져오고, 지지자는 움직이기 시작한다. 74°주변에서, 그 전압은 20v로 증가될 수 있으며, 약 82° 에서, 도7a로 나타낸 바와 같이, 30v, 40v, 및 60vs 까지 증가한 전압 이상이다. 반대로, 초기에 인가된 전압이 예를 들면 50v로 크면, 스위칭 토크는 크고 네거티브이다. 그 이유는 스위칭 속도를 낮춤으로써 유전성 토크가 강유전성 토크를 능가하기 때문이다.

본 발명이 멀티플렉스된 디바이스의 성능을 얼마나 개선시키는지의 설명은 도5, 도6a 및 도6b에 도시되어있다. 도5는 지시자의 가능한 배향의 원뿔의 평면도를 설명한다. 액정은 인가된 전기장에 응답해서 배향 각도(Φ)에서의 변화를 통해서 이 원뿔에 대해 움직인다. 한쪽 표면으로부터 다른쪽 표면으로의 실제 디바이스 구조는, 정렬방식 및 인가된 전기장에 따라서 복잡하다. 간단히 하기 위해서, 지시자가 시료 전체를 통해서 특정 배향(Φ)을 하고 있는 일정한 구조인 것으로 가정된다. 전기장이 변화량(Φ)을 향한 분자에 대한 순 토크를 가져올 때 스위칭이 발생한다. 스위칭은 토크의 크기에 의존하고 분자의 운동하는 배향의 전체 변화에 의존할 만큼 빠르다. 강유전성 액정 디바이스는 원뿔 주의 한쪽의 선호하는 순 dc 필드의 결과로서 스위칭된다(도5의 좌우측). 시작 배향은 Φac(데이터 파형으로부터 통상 AC 전계 효과로부터 발생함)이고, 정확한 극성의 순 DC가 Φs를 향해서 재배향되게 하는 경향이 있을 때 스위칭은 발생한다 (일단 지시자가 Φs를 통과하면, 픽셀은 래치될 것이고, 원뿔의 다른쪽으로 이완될 것이다. 이 예에서는 dc 전압을 제거할 때 좌측).

도6a에 도시된 형태를 갖는 스위칭 토크를 발생한다. 이 토크는 V에서 선형이며 극성 의존성이며, 인가된 dc 전압이 높을수록, 및/또는 인가하는 동안, 스위칭이 더 빠르다. 그러나, 강유전성 액정(FLC)은 또한, 도6b에 도시된 유전 특성으로부터 토크에 기여한다. 이들은 0° 또는 180° 에 가까운 Φac의 특정값에서 정전기 자유 에너지를 최소화하는 경향이 있으며, 이 토크는 V2에 관련된다(또한 극성에 의존하지 않는다). 전형적인 강유전성 재료의 경우, 유전체 용어(ε_0.E _ε E)는 높은 전기장을 제외한 강유전 용어(P_sE)보다 더 작다. 따라서, 필드가 증가함에 따라, 이 디바이스가 최소일 때까지 빠르게 되고, 유전성 용어의 효과는 이 장치를 느리게 한다. 이렇게 되면, ιV 곡선에서 최소가 된다.

탄성과 관성 토크를 무시하면, 지시자 위의 토크 Γ 는,

도7a는 표1로부터 셀 변수와 재료의 10V 내지 60V의 전압에 대한 토크의 지시자 배향 Φ 의존성을 나타낸 것이다. Γ가 양의 값이면, Φ는 90° 를 향하여 이동하고, 반면 음의 값이며, 지시자는 ac 필드 안정화된 조건 Φac 쪽으로 이동한다.

[표 1]

스위칭 토크를 계산하기 위해 사용된 셀 및 재료 변수

본 발명의 뒤에 숨은 정당성은 제공된 지시자 배향의 경우에 아래 식으로 주어진 최대 토크를 주는 스위칭 전압이 있다는 사실에 있다.

또한, 무시할 정도의 경우(V=0)에는, 스위칭 토크가 없는 전압이 있다.

또는, 강유전성 및 유전성 토크가 균형이 잡히면, 반대로,

이다(여기서, 최대 토크에 필요한 전압의 2배이다. 이 세가지 조건의 Φ의존성은 도7b에 도시되어있다.

주어진 지시자 배향(Φ)의 경우에, 스위칭 토크가 0 내지 최대치 사이에서 변화하고 다시 0으로 되돌아가는 전압의 범위가 있다. 이 범위의 밖에서, 스위칭 토크는 0이다. 이 범위의 폭은, 점선으로 나타낸 제로 토크의 한계, 및 실선으로 나타낸 최대 토크의 값을 갖는 해치된 영역처럼, 도7b에 도시된 Φ 만큼 변화한다.

라인 어드레싱 시간(1at) 동안 픽셀의 더 빠른 스위칭을 위해서, 픽셀에 인가된 전압(스트로브와 데이터의 발생결과)은 도7b에 도시된 최대 토크 곡선을 따라야 한다.

스위칭하는데 필요하지 않은 픽셀의 경우, 세가지 가능한 해결책; 즉, (i) 제로 스위칭 토크를 주는 제로 전압(그러나, 라인에 있는 모든 픽셀에 인가된 스트로브 때문에 비실용적); (ii) 필요한 스위칭 방향에 반대 방향으로 지시자를 움직이는 경향이 있는 전압; 및 (iii) 그 픽셀에서 제로 (또는 불충분) 스위칭 토크가 발생되는 충분히 높은(또는 낮은) 전압이 있다. 실제에서는, 픽셀이 스위칭되지 않은 어드레싱 동안 스위칭 토크가 최대 곡선으로부터 충분히 멀리 떨어지도록, 도8 및 도9에 도시된 바와 같은 (ii)과 (iii)의 조합이 사용될 수 있다.

스트로브 전압이 일시에 한 라인에 인가되도록 디바이스가 멀티플레스되면, 하나의 데이터 파형을 갖는 픽셀의 스위칭을 발생하지만, 다른 것을 갖지는 않는다. 선택(S)과 비선택(NS) 픽셀 사이의 구별은 데이터 전압 하나에만 기인한다. 왜냐면, 전체 열을 따라서 동일한 스트로브가 인가되기 때문이다. 종래의 방식은 동일한 형상이지만 반대 극성을 가진 S 및 NS 데이터 형태를 사용한다. 도11의 선행기술의 방식은 아래 두개의 방법으로 두개의 시간 슬롯을 가지고 작동한다.

(0, 1)Vs+(1, -1)Vd 및

(0, 1)Vs-(1, -1)Vd

이들 방법은 01_11로 간략화할 수 있으며, 제1 방법은 두 슬롯 위의 스트로브 레벨을 나타내고, 제2 방법은 데이터 전압을 나타낸다(도11 참조). 설명된 모든 방법에서, 데이터 파형은 하나의 라인 어드레싱 시간을 통해 dc 밸런스되어있다(액정의 전기 단절과, 동일한 픽셀 패턴을 갖는 몇 개의 프레임을 통한 원치않는 스위칭을 방지하는 것이 중요하다). 따라서, 이 요약에서 데이터 파형의 극성을 명시할 필요가 없다. 또다른 유형의 방법은 0111_1111로 나타낸 방법이다.

도11의 방법은 다음 방식에서의 작업과, τV 최소치를 갖는 재료에 적용되는 것이 최상인 선행기술이다. 스트로브 전압은 시간 슬롯의 제1 부분에서 제로이고, 따라서, 결과는 ±Vd의 프리펄스를 가지며, 다음에, Vs±Vd의 슬롯을 갖는다. τV 최소치에 가깝게 작동하는 것은 (+Vd, Vs-Vd)의 결과를 선택 펄스에게 주고, (+Vd, Vs-Vd)의 결과를 비선택 펄스에 제공한다. 프리펄스(Vd)는 그의 극성에 따라 DC 스위칭 조건 Φ =0 또는 Φ =90° 를 향해서 그의 초기 상태로부터 지시자를 스위칭하기 시작할 것이다. 다음에 Vs를 인가하면, 지시자는 초기 위치(Φac)에 더 이상 있지 않고, 비선택의 경우의 Φ=0 또는 선택 펄스(도5)의 경우의 위치 A에 있게 된다. 이것은 자동적으로, S 와 NS 파형 사이의 개선된 구별을 유도한다. 다음에 스위칭은 그 결과의 Vs-Vd 부분으로부터 생기지만, Vs+Vd로부터 생기지는 않는다.

본 발명의 상기 방법들의 목적은 인가된 스트로브 전압과 관련하여 (가장 빠른 응답으로 이끄는) 반대 상태로 래치될 픽셀들에 대한 스위칭 과정을 통해서 최대 토크 또는 (가장 넓은 구별을 위해) 변하지 않고 유지되어야 하는 픽셀들에 대한 가장 낮은 토크 실제를 유도하는 데이터 파형들을 제공한다. 이들 방법들에서, Vs와 Vd는 둘다 3 이상의 시간 슬롯을 상으로 인가된 다중 전압 레벨들을 가질 수 있다. 이것은 결과 파형들의 정밀한 형태에 대해 훨씬 더 큰 제어를 할 수 있고, 따라서, 최적 속도, 전압 및 작동 범위에 더 가깝다. 사용되는 슬롯들의 수가 클수록, 제어의 정도가 더 크고 최적 성능에 더욱 가깝게 되는 것이 가능할 것이다.

도11 방법에 대해 위에서 설명한 간단한 그림은 결과 형상을 얼마나 최적화하는지를 아는 데에 도움을 준다. 즉,

(i) 프리펄스는 우수한 판별력을 주도한다. 이것이 원뿔 주위를 더 높이 선회할수록 (또는 그의 기간이 더 길수록), Vs에서 스트로브의 부분을 받기 전에 지시자가 움직이고, 작동 범위가 더 넓을 것이다.

(ii) 스위칭의 대다수는 레벨 Vs에서 스트로브의 부분에 의해 수행된다 (이것은 상기 참고한 선행 기술 방법에서처럼, 다음 라인으로 연장될 수 있음을 주의하시오). 빠른 작동을 제공하기 위해 충분한 기간과 진폭의 것이어야 하지만(바람직하게는 약 ιVmin), S 및 NS를 횡단하여 인가되고, 판별은 단지 Vd에 기인한다. 따라서, 라인 어드레싱 시간과 작동 범위 사이에서 교환된다.

도8 및 도9는 개선된 방법을 설계하는 방법을 설명하기 위해 5개의 시간 슬롯을 갖는 최적의 성능을 어떻게 접근하는지를 보여주는 결과 전압이다. 포지티브 전압은 Φ=180° 쪽으로의 스위칭을 유도한다고 가정하자. 도8의 선택 펄스를 고려하자. 이것은 각 시간 슬롯에서의 도7b에 도시된 최대 토크를 접근하도록 설계된다. 시작 조건은 액정의 정렬, 예전의 라인(들)로부터 데이터 파형의 효과와 RMS 전압(이것은 AC 필드를 안정화시킴)에 의해 설정된다. 이 시작 조건은, 전형적으로 약 60° 이며, 도7b가 설명하는 것처럼, 스위칭 토크는 비교적 낮은 전압에 대해 최대이다(그 이유는, 이러한 배향에서, 도6b에 도시된 바와 같이, 유전체 토크로부터의 기여도가 강하기 때문이다). 지시자가 Φ=90° 쪽으로 스위칭되기 시작하면, 유전체 토크는 덜 중요하게 증가되며, 최대 스위칭 토크는 더 높은 전압에 도달된다. 따라서, 도8에 도시된 형태의 결과 파형은 스위칭에 필요하다.

가장 넓은 작동 범위는, 불변이어야 하는 픽셀(비선택)이 제로(또는 그 이하)를 수신하거나, 상기 수학식 4로 주어진 전압보다 더 크면 결과를 발생한다. 후자는 비실용적일 수 있다. 왜냐면, 동일한 스트로브 전압은 최대 토크에 가깝게 제공하는 결과를 가져오기 때문이다. 비선택 결과의 제로 토크 로직에 가까운 작동은 필요한 것이다. 그러한 파형의 예는 도9에 도시되어있다. 구동 방법이 프리펄스를 갖도록 설계되면(NS 결과의 경우 네거티브), 지시자는 Φ =0°, 즉 40° 쪽으로 그의 초기 상태로부터 부분적으로 스위칭될 것이다. 여기서, 지시자 토크는 비교적낮고, 비교적 낮은 전압은 제로 토크를 제공한다. 지시자가 원뿔을 Φ =90° 쪽으로 후진 선회함에 따라, 가장 낮은 토크를 주는 전압이 증가한다. 어떤 점에서, 수학식 4에 따른 가장 작은 토크를 갖는 전압은 비실용적이 될 것이므로, 점차로 감소하는 작은 전압은 토크가 최소치를 유지하도록 사용될 수 있다.

실제로는, 데이터 파형은 각 라인 어드레싱 기간 내에 dc 밸런스되어야 하며, 선택 및 비선택 파형은 디스플레이를 횡단하여 콘트라스트 변화를 방지하도록 동일한 RMS 전압 레벨을 가져야 한다. 본 발명의 명명법에서, 이것은 함축적인 것으로 가정된다. 본 발명의 방법일부 방법의 예는 표2에 도시되어있다. 본 발명의 방법의 일부 방법의 예는 표2에 도시되어있다. 이들 방법은 모두 우수한 판별을 제공하기 위한 데이터 전압에서 높은 레벨과 함께 스트로브의 제1 슬롯에서 제로를 사용한다. 이러한 방법으로 비교적 낮은 RMS 전압 레벨을 가지고 판별이 개선될 수 있다.

[표 2]

3슬롯 방법의 예

최상의 성능을 주도하는 전압의 정밀한 형태는 재료, 그 셀의 배열과 온도에따라서 다양할 것이다. 디스플레이의 온도 변화를 보상하기 위한 수단을 구비하는 것이 중요하다. Vs 또는 Vd의 크기를 변화시키는 것과 같은 방법 전에, 또는 다음 라인으로 스트로브 연장은 동등하게 이들 방법에 적용할 수 있다. 그러나, 추가의(및 신규한) 방법은 또한, 데이터 파형들(하나 또는 둘)의 형상, 스트로브 파형의 형상을 변경하는 것과, 슬롯의 수를 변경시키는 것(예를 들면, 011_110 내지 0111_1100 내지 11000 등), 및 이들의 조합을 포함하여, 이들 방법을 가지고 이용가능하다.

도5에 도시된 회전을 위한 스위칭(선택) 및 비 스위칭(비선택)을 개선하기 위한 두개의 결과 파형은 도8 및 도9에 도시되어있다. 결과 전압의 개시에서 지시자는 Φac의 낮은 값을 갖고, 낮은 전압이 인가된다(도8). 전압은 단계적으로 증가되지만, 지시자는 위치 A, B 및 Φs를 통해서 이동하며, 그 다음에, 전압의 추가 인가 없이 Φac'로 계속 이동한다. 스위칭할 필요가 없는 픽셀의 결과 전압은 도9에 도시되어있다. 처음에 전압은 작고, 네거티브이며, 이것은 지시자의 운동이 잘못된 방향으로 가게 만든다. 그 다음에, 전압은 지시자가 ΦA 위치에 있을 때까지 증가된다. 그 다음에, 그 결과는 감소된다. 이 도9의 결과의 순 효과는 유전토크가 스위칭 방해를 지배하는 것이다.

도10은 스위칭 특성, 두 개의 상이한 어드레싱 방법 하의 카이럴 스메틱 재료의 τ(스위칭하기 위해 걸리는 시간) 및 V(인가된 전압)을 보여주며, 점선으로 나타낸 것은 선행기술의 방법과 본 발명의 하나의 방법이다. 재료는 인가된 전압과 시간의 제품의 스위치를 켠다. 곡선 위에서 그 재료는 스위칭될 것이다. 도시된 바와 같이, 그 재료는 인가된 전압 파형의 형상에 민감하고, 상부 곡선 A, C는 반대 극성의 더 큰 펄스에 의해 따르는 하나의 극성의 작은 펄스를 갖는 파형을 신청하며, 더 낮은 곡선 B, D는 동일한 극성의 더 큰 펄스에 의해 따른 하나의 극성의 작은 펄스를 갖는 파형을 응용한다. 따라서, 전압 시간 결과 뿐만 아니라 파형의 형상을 고려할 필요가 있다.

도11의 선행기술의 방법에서(두개의 슬롯 방법), 하나의 라인 어드레싱 시간동안 존재하는 스트로브와 데이터 파형은 완전히 긴 라인으로 도시되어있고, 스트로브는 라인 어드레싱 기간 안에 "어두운" 것을 선택하거나 "밝은" 것을 선택할 수 있으며, 단 하나의 가능성이 도시되어있다. 스트로브 파형은 하나의 시간 슬롯(1ts)의 경우에 제로이고, 1ts의 경우에 +Vs이며, 연속 행에 적용되지만, 두 개의 데이터 파형 중의 하나는 각 열에 공급된다. 데이터 파형은 +Vd와 -Vd의 교류 펄스이며, 각각은 다른 것과 반대인 하나의 데이터 파형과 함께 1ts를 유지한다.

데이터 A(즉 비선택 또는 어두운 상태)는 (포지티브) 스트로브와 조합될 때 스위칭을 발생하지 않을 것이며, 데이터 B, (즉 선택 또는 밝은 상태)는 (포지티브)스트로브와 조합될 때 스위칭을 발생할 것이다. 도시된 스트로브에 의해 모든 열이 어드레싱된 후(즉, 하나의 필드 시간), 스트로브 파형의 극성은 반전되고, 제2 필드 시간에 어드레싱된 모든 행, 선택 데이터는 비선택 데이터가 되고 비선택 데이터는 선택 데이터가 된다.

두 개의 필드 시간은 디스플레이를 완전히 어드레싱할 필요가 있으며, 이것은 프레임 시간이다. 도시된 스트로브는 행과 열의 교점에서 선택된 픽셀을 어드레싱할 것이며(다시말하면 D1(도1) 또는 업 상태(데이터 B와 조합)), 반면, 그의 반전은 D2 또는 다운 상태로 선택된 픽셀을 스위칭할 것이다(데이터 A와 조합하여).

포지티브 스트로브와 데이터 다크의 결과 전압은 스위칭되지 않은 (-Vd); (V_s+V_d) 이고, 데이터 라이트를 갖는 포지티브 스트로브는 스위칭되는 (+Vd); (+V_s-V_d)이다. 네거티브 스트로브와 데이터의 결과 전압은 반대이다. 즉, 네거티브 스트로브는 데이터 다크 파형과 조합하여 스위칭되지만, 데이터 라이트 파형을 갖지 않는다. 이들 두개의 결과의 스위칭 특성은 도10에서 점선으로 도시되어있다.

도12는 본 발명의 어드레싱 방법, 네 개의 슬롯 방법은 도시한다. 하나의 라인 어드레싱 시간(즉, 4ts) 동안 스트로브와 데이터 파형은 완전한 선으로 도시되어 있고, 스트로브는 라인 어드레싱 기간 밖에서 제로이고, 그 데이터는 다른 라인 어드레싱 기간에 선택 "어두운" 또는 선택 "밝은"일 수 있으며 단하나의 가능성만이 도시되어있다. 스트로브 파형은 다음번 4시간 슬롯(ts2-ts4)의 제1 시간 슬롯(ts1)에서 제로이다. 비선택 또는 어두운 상태 데이터는 ts1의 경우에 +Vd1이고, ts2-ts4의 경우에 -Vd2이고, 이 예에서 Vd1=3xVd2이다. 선택 또는 밝은 상태 데이터는 ts1의 경우에 -Vd1이고, ts2-ts4의 경우에는 +Vd2이다. 결과 파형(C & D)은 비선택 및 선택의 경우에 각각 -Vd2, Vs+Vd1, 및 +Vd2, Vs-Vd1(및 반대 극성)이다. 도10은 이들 결과의 스위칭 특성을 보여주며, C 와 D로 표시되어있다. 도11의 것으로부터 도12의 것의 데이터 파형의 변화는 변화, 즉 저하하는 것으로 보이고, 주어진 전압의 스위칭 시간이다.

도12a는 도12에 도시된 4-슬롯 방법의 수정을 보여준다. 도18a에서, 스트로브는 제1 필드 시간에서 반전에 의해 따른 제1 필드 시간에, 0, +Vs1, +Vs2, +Vs2이다. 두 개의 데이터 파형은 도12에서와 같이 Vd1=3xVd2이다. 결과 파형은 도12에서보다 도8 및 도9에 도시된 것에 더 가깝다. 비선택 결과는, -Vd2, +Vs1+Vd1, Vs2+Vd1, Vs2+Vd1이고, 반대 극성이다. 선택 결과는 -Vd2, -(Vs1-Vd1), -(Vs2-Vd1), -(Vs2-Vd1)이며, 반대 극성이다.

데이터 파형의 형상은 τV 곡선을 상당히 변화시킨다. 도13 내지 도16은 각각 4 펄스의 제1의 진폭의 변화의 효과, 제4의 변화의 효과, 제3의 변화의 효과, 및 4 시간 슬롯 내에서 Vs+Vd 펄스의 위치의 변화의 효과를 보여준다.

상기 도10 내지 도16은 4 슬롯 구동 방법을 설명하며, 선행기술이 2 슬롯 방법과 그들을 비교한다. 본 발명은 슬롯의 홀수 또는 짝수로, 4 슬롯 이하 또는 이상을 사용할 수 있다. 예를 들면, 3 슬롯, 6 슬롯 및 8 슬롯.

도17은 시간 슬롯(ts1, ts2, ts3)에서 스트로브 펄스가 0, Vs, Vs인 3 슬롯 방법을 보여준다. 이것은 제2 필드 시간 동안 반대 극성에 의해 추종된다. 어두운 상태 펄스는 3 슬롯에서 +Vd, -Vd 및 0이다. 밝은 상태 데이터 펄스는 3개의 시간 슬롯에서 -Vd, +Vd, 및 0이다. 3 슬롯 방법의 라인 어드레싱 시간은 3ts이다. 포지티브 스트로브와 어두운 상태 데이터의 결과 전압은 -Vd, Vs+Vd, Vs이며, 이것은 스위칭을 만들지 않는다. 포지티브 스트로브와 밝은 상태 데이터의 결과는 스위칭을 만드는 Vd, Vs-Vd, Vs이다. 도시된 바와 같이, 제2 필드 시간에 네거티브 스트로브에는 반대가 인가된다.

GB-2,262,831에서와 같이, 스트로브 파형은 다음 행의 라인 어드레싱으로 제시간에 연장될 수 있다. 예를 들면, 스트로브 파형은 0, Vs, Vs, Vs일 수 있다. 2이상의 전압 레벨이 스트로브 파형에 사용될 수 있다.

6 슬롯 방법의 스트로브와 데이터(2) 파형은 도18에 도시되어있다. 스트로브 펄스는 ts1에서 0이고, 제1 필드 시간에 인가하기 위한 ts2 내지 ts6에서 +Vs이다. 스위칭을 주는 데이터 펄스는 ts1 내지 ts6에서, -2, +2, +1, 0, 0, -1이다. 비선택 데이터 펄스는 ts1 내지 ts6에서, +2, 0, -2, -1, +1이다. 비 스위칭 데이터 펄스는 ts1 내지 ts6에서 +2, 0, -2, 0, +1이다. 제2 필드 시간에 사용된 스트로브 파형이 형태는 도시되지 않았지만, 도시된 스트로브의 반대이다.

도19는 8 슬롯 방법이다. 라인 어드레싱 시간 동안 존재하는 스트로브와 데이터 파형은 완전 라인으로 도시된 것이며, 그 스트로브는 라인 어드레싱 기간 밖에서 제로이며, 그 데이터는 다른 라인 어드레싱 기간에 "어두운" 또는 "밝은" 을 선택할 수 있으며, 하나의 가능성만이 도시되어있다. 제1 필드 시간 스트로브 파형은 ts에서 0이고, ts2-ts8에서 Vs이며, 제2 필드 스트로브는 반대이다. 어두운 상태 데이터 파형은 펄스 -2Vd, -Vd, -Vd, -Vd, 0, 0, 0, +Vd이다. 밝은 상태 데이터 파형은 ts1-ts8에서 -2Vd, +Vd, +Vd, +Vd, 0, 0, 0, -Vd이다. 스트로브의 2이상의 레벨과, 데이터 펄스의 3 이상의 레벨이 사용될 수 있다. 포지티브 스트로브와 어두운 상태 데이터의 비 스위칭 결과는 -(Vs-Vd), Vs+Vd, Vs+Vd, Vs+Vd, Vs, Vs, Vs, Vs-Vd이다. 포지티브 스트로브와 밝은 상태 데이터의 스위칭 결과는 2Vd, Vs-Vd, Vs-Vd, Vs-Vd, Vs, Vs, Vs, Vs+Vd이다. 도8 및 도9에 도시된 결과와 유사함이주목된다.

도20은 3 슬롯 방법의 τV 상의 상대 진폭과 진폭을 변화시키는 효과를 보여준다. 다음번 비선택 및 선택 결과 전압은 도시된 곡선을 만들기 위해 사용되었다.

주: 비 스위칭 결과 중의 임의의 하나는 스위칭 결과 중의 임의의 하나와 함께 사용되어, 동일한 rms 값을 제공하도록 그들이 일치하게 한다.

도21은 다음의 비선택 결과 전압과 함께 8 슬롯 방법의 τV 특성을 보여준다.

샘플2가 최상의 특성을 갖는다.

도22는 다음번 선택 결과 전압을 갖는 도19에서와 같은 8 슬롯 방법의 τV 특성을 보여준다.

샘플2가 최상의 특성을 갖는다.

본 발명의 어드레싱 방법은 두 개의 데이터 파형의 발생을 필요로 하며, 유사한 형태의 것이 아니고, 이 두 개의 데이터 파형은 일부 선행기술 방법에서와 같이 반대 극성이다.

다른 방법으로는, 상기 두개의 필드 방법에서, 픽셀들은 한가지 상태로 블랭크될 수 있고, 다음에 선택적으로 다른 상태로 스위칭된다. 그러한 블랭킹은 일시에 하나 이상의 행이 될 수 있으며, 선택적 어드레싱 앞의 몇가지 행이 될 수 있다.

디스플레이를 어드레싱할 때, 픽셀들의 패턴은 픽셀들의 스위칭에 대한 효과를 갖는다. 즉, 어드레싱된 라인측에 인가된 전압, 도23 및 도24는 4개의 상이한 픽셀 패턴을 어드레싱하는 두 개의 상이한 어드레스 방법을 보여주며, 데이터 파형의 4개의 상이한 조합이 도시되어있다. 도23은 도11에 도시된 어드레스 방법이며, 도24는 본 발명의 3 슬롯 방법이다. 3 라인 어드레싱 기간이 도시되고, 중심의 것은 모든 데이터 조합에 대해 동일하지만, 이 중심 기간의 어느 쪽의 결과는 픽셀 패턴에 따라 변화한다. 4개의 상이한 데이터 파형은 라인 어드레싱 기간의 어느쪽 위의 데이터의 상이한 가능한 데이터이다. (십자 해치로 표시된) 그 결과는 4개의 상이한 픽셀 패턴의 데이터 파형과 스트로브의 조합이다. (해치되어 도시된) 협동하는 펄스는 그것을 돕기 위한 결과 펄스와 조합한 이들 데이터 파형이다.

도25 및 도26은 각각 도11의 선행기술의 방법의 스위칭 특성과 본 발명의 3 슬롯 방법(도24)이다. 도25에서, 상이한 픽셀 패턴의 스위칭을 위한 넓은 변화를 나타내는 그래프에서 상당한 스캐터링이었다. 즉, 밝은 픽셀과 어두운 픽셀의 패턴은 주어진 픽셀을 스위칭하기 위해 필요한 시간 전압 제품에 영향을 준다. 반대로,도26은 상이한 픽셀 패턴의 스위칭에서 작은 스캐터링을 보여준다. 이것은 개선된 디스플레이 현상을 가져온다. 선행기술의 가장 빠른 라인 어드레싱 시간은 약 85μs이지만, 도26의 경우에는 약 50μs이다. 도26의 그래프는 (E Merk, FRG로부터 얻은) ZLI-5014-000을 가지고 채운 셀에 대해 얻은 실험 결과이며, 그 층은, 25℃에서 측정한, (동일한 방향으로) 평행으로 문지른 폴리이미드 표면 사이에서 1.8μm 두께이다.

한가지 적합한 액정 재료는 ZLI-5014-000인데, 이것은 Ps 측정치가 2.88nCcm^-2(=2.88x10^-5cm^-2)이고, 25℃에서 유전체 2축성(∂ε)의 측정치가 0.2이다.

Claims (12)

1. 강유전체 액정 셀내의 제1 세트의 전극들내의 복수의 전극들과 제2 세트의 전극들내의 복수의 전극들의 교점들에 의해 형성된 어드레싱 가능한 픽셀들의 행렬을 멀티플렉스 어드레싱하는 방법으로서,

   어드레싱 기간 동안 스트로브 파형(strobe waveform)을 발생시켜 순차로 상기 제1 세트 내의 각 전극에 인가하는 단계, 및

   각 어드레싱 기간에 두개의 데이터 파형들 중의 하나를 발생시켜 상기 제2 세트의 각 전극에 인가하는 단계를 포함하는 멀티플렉스 어드레싱 방법에 있어서,

   상기 어드레싱 기간을 형성하는 적어도 3개의 시간 슬롯들(3ts)의 기간과 함께 적어도 3개의 상이한 진폭 전압 레벨들(0, +Vd, -Vd, 또는 0, Vd1, Vd2)을 갖는 두개의 상이하게 형성된 데이터 파형을 발생시키는 단계로서, 상기 두 개의 데이터 파형들은 상기 어드레싱 기간 내에 동등한 rms. 값들과 dc 밸런스를 갖는, 상기 두개의 상이하게 형성된 데이터 파형을 발생시키는 단계, 및

   각각 적어도 어드레싱 기간 동안 지속하는 스위칭 및 비 스위칭 결과 파형들(resultant waveforms)을 생성하기 위해 상기 두 개의 데이터 파형들과 협동하는 적어도 3개의 시간 슬롯들(3ts)의 기간과 적어도 두 개의 전압 레벨들(0, Vs)을 갖는 스트로브 파형을 발생시키는 단계를 포함하고,

   상기 스위칭 결과 파형은 상기 어드레싱 기간(3ts) 동안 연속적인 시간 슬롯들에서 진폭은 증가하지만 극성은 같은 적어도 3개의 상이한 전압 레벨들을 갖고,

   상기 비 스위칭 결과 파형은 상기 제2 시간 슬롯에서의 전압에 반대되는 극성인 상기 제1 시간 슬롯에서의 제1 전압 레벨을 갖고 상기 제1 전압 레벨보다 상기 제2 시간 슬롯에서 더 높은 전압을 갖는 것을 특징으로 하는, 멀티플렉스 어드레싱 방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 비 스위칭 결과는 스위칭을 억제하기 위해 적당한 진폭의, 어드레싱 기간의 상기 제2 및/또는 3개의 시간 슬롯에서의 고전압 레벨을 갖는, 멀티플렉스 어드레싱 방법.
3. 제 1 항에 있어서, 자발 분극(Ps)과 유전체 2축성(∂ε)의 비(ratio)의 값은 0.01Cm^-2보다 작은, 멀티플렉스 어드레싱 방법.
4. 제 1 항에 있어서, 자발 분극(Ps)과 유전체 2축성(∂ε)의 비의 값은 0.001Cm^-2보다 작은, 멀티플렉스 어드레싱 방법.
5. 제 1 항에 있어서, 상기 결과의 형상은 상기 셀의 온도 변화와 함께 변화하는, 멀티플렉스 어드레싱 방법.
6. 제 1 항에 있어서, 상기 스트로브 파형은 온도 보상을 제공하기 위해 상이한전극의 라인 어드레싱 기간으로 연장되는, 멀티플렉스 어드레싱 방법.
7. 제 1 항에 있어서, 상기 스트로브 파형의 제1 레벨은 온도 보상을 제공하기 위해 변화하는, 멀티플렉스 어드레싱 방법.
8. 제 1 항에 있어서, 상기 스트로브 파형은 상기 반대 극성의 파형이 뒤따르는 하나의 극성 파형이고, 디스플레이는 2 필드 어드레싱 시간들에서 어드레싱되는, 멀티플렉스 어드레싱 방법.
9. 제 1 항에 있어서, 상기 스트로브 파형은 데이터 파형에 무관하게 스위칭을 일으키는 블랭킹 파형이고, 스위칭을 실행하도록 데이터 파형과 협동하는 스트로브가 뒤따르는 것인, 멀티플렉스 어드레싱 방법.
10. 제 9 항에 있어서, 상기 블랭킹 및 스트로브 파형들은 DC 밸런스되는, 멀티플렉스 어드레싱 방법.
11. 멀티플렉스 어드레싱 가능한 강유전체 액정 디스플레이로서,

    두 표면이 액정 재료를 정렬하도록 처리되는 두 셀 벽들(cell walls) 사이에 포함된 카이럴 스메틱 액정 재료층(a layer of chiral smectic liquid crystal material)과,

    어드레싱 가능한 요소들(픽셀들)의 행렬을 제공하도록 배열된, 한쪽 벽 상의 간격을 갖는 스트립 (행) 전극들의 제1 시리즈와 다른 벽 상의 간격을 갖는 (열) 스트립 전극들의 제2 시리즈, 및

    전극들의 제1 시트에 순차적으로 스트로브 파형을 인가하고, 전극들의 제2 세트내의 전극들에 두 데이터 파형들(선택 및 비선택) 중의 하나를 인가하기 위한 구동기 회로들을 포함하는, 멀티플렉스 어드레싱 가능한 강유전체 액정 디스플레이에 있어서,

    어드레싱 기간을 형성하는 적어도 3개의 시간 슬롯들(3ts)의 기간과 함께 적어도 3 전압 레벨들(0,Vd1,Vd2)을 갖는 선택 및 비선택 데이터 파형을 발생시키는 수단으로서, 상기 두 데이터 파형들은 dc 밸런스와 동등한 rms 값들을 갖는, 상기 선택 및 비선택 데이터 파형을 발생시키는 수단, 및

    각각 적어도 어드레싱 기간 동안 지속하는 스위칭 및 비 스위칭 결과 파형들을 생성하기 위해 상기 두 개의 데이터 파형들과 협동하는, 적어도 3개의 시간 슬롯들(3ts)의 기간과 적어도 두 개의 전압 레벨들(0,Vs)을 갖는 스트로브 파형을 발생시키는 수단을 포함하고,

    상기 두 데이터와 상기 스트로브 파형은, 스위칭되는 재료분자들 상의 토크를 개선시키고 스위칭되지 않는 분자들 상의 토크를 감소시키기 위해, 어드레싱 기간 동안 변화하는 스위칭 및 비 스위칭 결과 파형들을 제공하도록 협동하고,

    상기 스위칭 결과 파형은, 어드레싱 기간(3ts) 동안 연속적인 시간 슬롯들에서 진폭은 증가하지만 동일한 극성인 적어도 3개의 상이한 전압 레벨들을 갖고,

    상기 비 스위칭 결과 파형은 상기 제2 시간 슬롯에서의 전압과 반대 극성인 상기 제1 시간 슬롯에서의 제1 전압 레벨을 갖고 상기 제1 전압 레벨보다 상기 제2 시간 슬롯에서 더 높은 전압을 갖는 것을 특징으로 하는, 멀티플렉스 어드레싱 가능한 강유전체 액정 디스플레이.
12. 제 11 항에 있어서, 상기 두 데이터 파형들은 상이한 형상인, 멀티플렉스 어드레싱 가능한 강유전체 액정 디스플레이.

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