KR100434546B1 - 진공 용기 - Google Patents

진공 용기 Download PDF

Info

Publication number
KR100434546B1
KR100434546B1 KR10-2002-0021951A KR20020021951A KR100434546B1 KR 100434546 B1 KR100434546 B1 KR 100434546B1 KR 20020021951 A KR20020021951 A KR 20020021951A KR 100434546 B1 KR100434546 B1 KR 100434546B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
vacuum container
vacuum
high vacuum
container
pump
Prior art date
Application number
KR10-2002-0021951A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20030083782A (ko
Inventor
이재철
박시현
한귀영
Original Assignee
삼성전자주식회사
주식회사 아미테크
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사, 주식회사 아미테크 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR10-2002-0021951A priority Critical patent/KR100434546B1/ko
Publication of KR20030083782A publication Critical patent/KR20030083782A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100434546B1 publication Critical patent/KR100434546B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)

Abstract

진공용기가 개시된다. 개시된 진공용기는, 시료가 내부에 마련되며 증착을 위한 반응용기로 사용되는 저진공 용기와, 저진공 용기의 내부에 하단부가 위치하며 저진공 용기에서 발생되는 물질의 성분을 분석하는 분석기가 설치되는 고진공 용기와, 고진공 용기와 저진공 용기의 사이에 마련되며 고진공 용기와 저진공 용기의 진공차이를 극복하기 위해 응차 펌핑을 하는 차등 펌핑기와, 고진공 용기의 측면에 설치되며 고진공 용기의 위치이동에 따라 신축하는 제1신축기와, 차등 펌핑기의 측면에 설치되며 제1신축기의 신축과 반대로 신축하는 제2신축기와, 고진공 용기 및 저진공 용기와 연결되며 고진공 용기 및 저진공 용기의 진공을 유지하는 진공펌프 및, 저진공 용기와 고진공 용기 사이에 가스가 이동하도록 차등 펌핑기를 관통하여 저진공 용기와 고진공 용기를 연결하는 미세관을 구비한다. 본 발명은 화학기상증착이나 원자층 증착을 수행함과 동시에 발생하는 반응가스를 분석할 수 있다.

Description

진공 용기{Vacuum chamber}
본 발명은 진공용기에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 시료의 분석과 동시에 TPD(Temperature Programmed Desorption)를 실행할 수 있는 진공용기에 관한 것이다.
진공용기는 용기 내 잔류가스를 분석하기 위해 사용되는 용기로서, 사중극자 질량 분석기(QMS; Quadrupole Mass Spectroscopy) 또는 잔류가스분석기(Residual Gas Analyzer)에 채용된다. 이러한 장치는 화학기상 증착기(Chemical Vapor Deposition)나 원자층 증착기(Atomic Layer Deposition)와 연결되어 증착공정을 하는 동안이나 증착이 완료된 다음 진공용기에 남아있는 가스를 분석하는데 이용된다.
도 1은 종래의 시료분석을 시행할 수 있는 사중극자 질량 분석기(Quadrupole Mass Spectroscopy)가 설치되어 있는 진공용기를 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 종래의 진공용기에는, 고진공 용기(11)와, 고진공 용기(11)의 외부를 둘러싸는 분위기 가스를 함유하는 저진공 용기(13)와, 고진공 용기(13)의 내부에 마련되어 인입되는 가스의 성분 분석을 실행하는 사중극자 질량 분석기(15)와, 저진공 용기(13)와 고진공 용기(11)를 관통하는 미세관(17)과, 고진공 용기의 진공을 유지시키는 진공펌프(21)와, 저진공 용기(13)에 가스를 공급하는 가스공급용 펌프(23)와, 상기 고진공 용기(11)의 위치를 유지시키는 지지대(19)가 구비된다.
원자층 증착의 경우 시료의 위치와 진공용기 내부의 가스 흐름은 박막 형성에 중요한 영향을 미친다. 종래의 진공용기에서는, 고진공 용기(11)가 저진공 용기(13)의 벽면에 부착되므로, 위치 이동은 어려워 가스 공급위치와 시료의 위치의 조정이 최적 조건이 아닌 경우 이를 조정하기가 용이하지 않다. 또한, 종래의 진공용기만을 구비하는 분석장비를 이용해 TPD 실험을 하기 위해서는 별도의 장비를 구비해야 하는 단점이 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는 상술한 종래 기술의 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 저진공 용기의 잔류가스를 분석함과 동시에 TPD를 실행할 수 있는 진공용기를 제공하는 것이다.
도 1은 종래의 진공용기를 나타낸 도면,
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 진공용기를 나타낸 도면.
<도면의 주요부분에 대한 부호설명>
31 ; 고진공 용기 33 ; 저진공 용기
35 ; 차등 펌핑기 37 ; 제1신축기
39 ; 제2신축기 41 ; 진공펌프
43 ; 냉각장치 45 ; 이동장치
47 ; 지지대 49 ; 미세관
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은, 시료가 내부에 마련되며, 증착을 위한 반응용기로 사용되는 저진공 용기;와 상기 저진공 용기의 내부에 하단부가 위치하며, 상기 저진공 용기에서 발생되는 물질의 성분을 분석하는 분석기가 설치되는 고진공 용기;와 상기 고진공 용기와 저진공 용기의 사이에 마련되며, 상기 고진공 용기와 저진공 용기의 진공차이를 극복하기 위해 응차 펌핑을 하는 차등 펌핑기;와 상기 고진공 용기와 연결되며, 상기 고진공 용기를 이동시키는 이동장치;와 상기 고진공 용기의 측면에 설치되며, 상기 고진공 용기의 위치이동에 따라 신축하는 제1신축기;와 상기 차등 펌핑기의 측면에 설치되며, 상기 제1신축기의 신축과 반대로 신축하는 제2신축기;와 상기 고진공 용기 및 저진공 용기와 연결되며, 상기 고진공 용기 및 저진공 용기의 진공을 유지하는 진공펌프; 및 상기 저진공 용기와 상기 고진공 용기 사이에 가스가 이동하도록 상기 차등 펌핑기를 관통하여 상기 저진공 용기와 상기 고진공 용기를 연결하는 미세관;을 구비하는 것을 특징으로 하는 진공용기를 제공한다.
상기 분석기를 일정 온도 이하로 유지시키는 냉각장치를 더 구비하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 고진공 용기와 상기 이동장치에 연결되며, 상기 고진공 용기의적정 위치를 유지시키는 지지대를 더 구비할 수 있다.
상기 미세관은, 상기 저진공 용기와 상기 차등 펌핑기를 연결하는 제1관;과
상기 차등 펌핑기와 상기 고진공 용기를 연결하는 제2관;을 포함하도록 제작될 수 있다.
상기 고진공 용기에 마련되며, 상기 진공펌프와 연결되는 진공펌프용 제1포트를 더 구비할 수 있다.
상기 차등 펌핑기에 마련되며, 상기 진공펌프와 연결되는 진공펌프용 제2포트를 더 구비할 수 있다.
상기 저진공 용기에 마련되며, 상기 저진공 용기에 가스를 공급하는 가스라인과 연결되는 가스라인용 포트를 더 구비할 수 있다.
상기 저진공 용기에 마련되며, 상기 저진공 용기에 전력을 공급하는 전원과 연결되는 가열용 포트를 더 구비할 수 있다.
상기 차등 펌핑기에 마련되며, 상기 차등 펌핑기 내부의 관찰이 가능하도록 하는 관찰용 포트를 더 구비할 수 있다.
본 발명은 증착 공정의 진행 중이나 완료 후 진공용기 내 잔류하는 가스를 분석하여 시료의 성분을 알아내는 동시에 높이를 조절하여 시료의 표면을 구성하는 원소성분을 분석하는 TPD(Temperature Programmed Desorption)가 가능하다.
여기서, TPD란 시료의 온도를 일정한 간격으로 올리면서 시료 표면으로부터 탈착되어 나오는 물질의 성분의 질량을 분석하여 시료 표면을 구성하고 있는 원소 성분에 관한 정보를 얻을 수 있는 분석방법이다. 일반적으로 TPD는 시료의 온도를올릴 수 있는 장치, 시료로부터 탈착되어 나오는 원소성분의 질량을 분석할 수 있는 질량분석기, 시료 및 질량분석기를 진공상태로 유지하기 위한 진공용기, 진공을 만들어주시 위한 펌프 등으로 구성된다. 시료로부터 많은 신호를 받기 위하여 시료와 질량분석기 사이의 거리는 가능한한 가깝게(2~5mm 정도) 하는 것이 좋다. 시료와 질량분석기 사이의 거리가 멀어지면 시료 바깥에서 발생되는 불필요한 성분들이 질량분석기로 유입되어 노이즈의 원인이 된다. 환경분석용 전자현미경의 경우, 전자총 부분은 고진공을 유지해야 하고, 시료가 놓이는 부분은 대기압 수준을 유지하므로 본 발명을 활용할 수 있다.
이하 본 발명의 실시예에 따른 진공용기를 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 진공용기를 나타낸 도면이다.
본 발명의 실시예에 따른 진공용기는, 응차 펌핑(differential pumping) 원리를 이용하여 약 10-6torr의 압력차이가 있는 두 공간을 하나의 시스템으로 연결한다. 여기서, 응차 펌핑이란 진공 차이가 나는 두 공간을 각각 용량이 다른 별도의 진공 펌프를 이용해 진공을 유지하는 방법이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 진공용기는, 시료가 내부에 마련되며 증착을 위한 반응용기로 사용되는 저진공 용기(33)와, 상기 저진공 용기(33)의 내부에 하단부가 위치하며 저진공 용기(33)의 내부에 잔류하는 물질의 성분을 분석하는 분석기(미도시)가 설치되는 고진공 용기(31)와, 상기 고진공 용기(31)와 저진공 용기(33)의 사이에 마련되며 고진공 용기(31)와 저진공 용기(33)의 진공차이를 극복하기 위해 응차 펌핑을 하는 차등 펌핑기(35)를 구비한다. 고진공 용기(31)의 진공을 유지하기 위해 제1진공펌프(42)가 고진공 용기(31)에 더 연결되어 있으며, 차등 펌핑기(35)가 적절한 진공 상태를 유지하도록 제2진공펌프(44)가 차등 펌핑기(35)에 더 연결되어 있다.
저진공 용기(33)는 그 내부에 시료가 위치하며, 필요에 따라 화학기상증착기 또는 원자층 증착기의 반응용기로 사용될 수 있다. 저진공 용기(33)의 압력은 화학기상증착 또는 원자층 증착을 위해 대략 0.1~10 torr 정도의 압력을 유지한다. 시료 (32)내의 반응에 필요한 가스공급을 위해 가스라인이 연결되며, 저진공 용기(33) 내의 분위기 가스를 화학반응을 위한 온도로 상승시키기 위해 가열장치등이 연결될 수 있다. 이를 위해 저진공 용기(33)에 가스공급용 포트, 가열용 포트등이 더 마련되는 것이 바람직하다.
저진공 용기(33)의 내부에 마련된 시료(32)에 근접하게 고진공 용기(31)가 설치되며 그 내부에 다시 고진공 용기(31)가 중심부로 위치한다. 저진공 용기(33)는 주로 반응용기로 이용되어 그 내부 온도가 250℃ 이상으로 가열된다. 따라서, 저진공 용기(33)의 가열을 위한 전력공급용 포트가 마련되어 외부 전원과 연결될 수 있다.
차등 펌핑기(35)는 고진공 용기(31)와 저진공 용기(33) 사이에 마련된 공간으로 고진공 용기(31)의 이동에 따라 그 부피가 변하면서 두 진공 용기 사이의 압력의 차이를 완화시키는 기능을 한다. 차등 펌핑기(35)의 온도는 저진공 용기(33)의 온도로 인해 250℃정도로 가열되게 된다. 이 분위기 가스의 온도에 의해 고진공용기(31)의 벽면이 가열된다.
고진공 용기(31)는 시료(32)의 성분가스 또는 잔류가스의 성분을 분석하기 위해 사중극자 질량분석기 또는 잔류가스 분석기 등이 설치된다. 저진공 용기(33)의 진공이 10-6torr이하 압력인 경우 고진공 용기(31)는 10-8torr 이하 압력의 진공을 유지하며, 저진공 용기(33)의 진공이 2 torr 이하 압력인 경우 고진공 용기(31)의 진공은 10-6torr 이하 압력의 진공을 유지한다. 이와 같은 압력관계를 간단히 아래표에서 도시한다.
저진공 용기의 압력 ~10-9 ~10-6 2 10
고진공 용기의 압력 ~10-9 ~10-8 10-6 2.5×10-6
고진공 용기(31)의 온도는 상기 분석기의 원활한 성능을 위해 대략 50℃이하로 유지되어야 하므로, 고진공 용기(31)의 벽면으로 냉각수가 순환하도록 하여 고진공 용기(31)의 온도를 하강시키는 냉각장치(43)가 더 구비되는 것이 바람직하다.
본 발명의 실시예에 따른 진공용기에는, 또한 고진공 용기(31) 및 저진공 용기(33)와 연결되어 고진공 용기(31) 및 저진공 용기(33)의 진공을 유지하는 진공펌프(43)와, 저진공 용기(33)와 고진공 용기(31) 사이에 가스가 이동하도록 차등 펌핑기(35)를 관통하여 저진공 용기(33)와 고진공 용기(35)를 연결하는 미세관(49)을 구비하여 저진공 용기(33)내 가스 분석을 실행할 수 있도록 한다.
여기서, 상기 미세관(49)(orfice)은, 저진공 용기(33)와 고진공 용기(31)를 연결하도록 차등 펌핑기(35)를 관통하는 하나의 관으로 형성되거나, 저진공 용기(33)와 차등 펌핑기(35)를 연결하는 제1관(48)과, 차등 펌핑기(35)와 고진공용기(31)를 연결하는 제2관(46)으로 이루어질 수 있다. 미세관(49)은 0.1mm 정도의 내경을 가지며, 부착과 탈착이 용이하게 나사로 제작될 수 있다.
여기서, 제1관(48)은 저진공 용기(33) 내 미량의 가스만이 차등 펌핑기(35)로 인입될 수 있도록 통로기능을 하며, 제2관(46)은 미량의 가스가 차등 펌핑기(35)에서 고진공 용기(31)로 인입될 수 있는 통로가 된다.
진공용기(30)내의 가스는 압력이 높은 저진공 용기(33)에서 낮은 고진공 용기(31)로 미세관(49)을 통해 이동한다. 이 때 이동하는 가스량은 미세관(49)의 길이, 단면적, 펌핑 스피드 등에 의해 결정된다.
본 발명의 실시예에 따른 진공용기(30)는 저진공 용기(33)에서 진행되는 화학적, 물리적 반응과 동시에 고진공 용기(31)에 마련된 분석기에서 상기 반응물질들의 성분분석을 실행한다. 본 발명의 실시예에 따른 진공용기(30)는 이와 같은 두 기능에 더하여 TPD를 실행할 수 있도록 고진공 용기(31)의 높이를 시료에 더욱 근접시킬 수 있도록 차등 펌핑기(35)와 고진공 용기(31)에 신축이 가능한 벨로우즈와 같은 신축기(37, 39)를 마련하는 것을 특징으로 한다.
ALD(Atomic Layer Deposition)을 실행하는 경우 고진공 용기(31) 말단과 시료(32)와의 간격은 대략 2cm 정도이며, TPD를 실행하기 위한 간격은 5mm 이하, 바람직하게는 2mm이하로 설정된다. 고진공 용기(31)와 시료(32)간의 간격이 ALD를 실행하기 위해 설정된 간격으로 고정되는 경우 거리의 제곱에 반비례하여 분석기에 인입되는 입자들의 수가 감소하므로 감도가 저하되고 주위로부터 분석대상이외의 입자의 간섭이 증가하므로 정확한 분석이 어려워지게 된다. 따라서, 고진공용기(31)의 위치를 이동시키는 수단인 제1 및 제2신축기(37, 39)가 필요하게 된다.
제1신축기(37)는 고진공 용기(31)의 측면에 설치되며 고진공 용기(31)의 위치 이동에 따라 신축되며, 제2신축기(39)는 차등 펌핑기(35)의 측면에 설치되며 제1신축기(37)의 신장 및 수축과 반대로 신장 및 수축을 한다. 즉, 제2신축기(39)는 제1신축기(37)의 수축에 의해 고진공 용기(31)가 시료(32)에 근접하는 경우, 제1신축기와 반대로 신장되며, 역으로 제1신축기(37)가 신장되어 고진공 용기(31)가 시료(32)로부터 멀어지는 경우 수축된다. 이러한 제1 및 제2신출기(37, 39)의 신축을 통해 고진공 용기(31)와 저진공 용기(33)의 진공이 유지된다.
이러한 제1 및 제2신축기(37, 39)의 신축을 위해, 상술한 장치 이외에 본 발명의 실시예에 따른 진공용기(30)에는, 고진공 용기(31)의 우측에 이 고진공 용기(31)와 연결되며 고진공 용기(31)를 이동시키는 이동장치(45)가 구비되며, 고진공 용기(31)와 이동장치(45)를 연결하며 고진공 용기(31)의 적정 위치를 유지시키는 지지대(47)를 더 구비한다.
여기서, 이동장치(45)는 이동 장치(45)의 손잡이를 회전시키는 경우 발생하는 회전운동을 나사를 이용해 직선운동으로 변환시킴으로써 고진공 용기(31)의 위치를 원하는 곳에 이동시킬 수 있다. 이동장치(45)는 미세관(49) 내의 가스흐름에 따라 진공차이가 발생하도록 제1 및 제2신축기(37, 39)를 이동시킨다.
이러한 제1 및 제2신축기(37, 39), 이동장치(45) 및 지지대(47)의 상호결합된 작용으로 고진공 용기(31)가 높이 방향으로 움직이는 거리는 ±2.5cm 정도가 된다.
고진공 용기(31), 차등 펌핑기(35) 및 저진공 용기(33)에는 필요에 따라, 진공펌프용, 가스라인용, 가열용, 관찰용 등의 필요에 따라 복수개의 포트가 설치될 수 있다.
예를 들어, 고진공 용기(31)에 마련되며 상기 진공펌프와 연결되는 진공펌프용 제1포트, 차등 펌핑기(35)에 마련되며 상기 진공펌프와 연결되는 진공펌프용 제2포트, 저진공 용기(33)에 마련되며 저진공 용기(33)에 가스를 공급하는 가스라인과 연결되는 가스라인용 포트, 저진공 용기(33)에 마련되며 저진공 용기(33)에 전력을 공급하는 전원과 연결되는 가열용 포트 및, 차등 펌핑기(35)에 마련되며 차등 펌핑기(35) 내부의 관찰이 가능하도록 하는 관찰용 포트등이 있다.
본 발명의 실시예에 따른 진공용기는, 저진공 용기를 화학기상증착기 또는 원자층 증착기의 반응이 일어나는 반응용기로 이용하고, 증착공정 중 또는 증착공정이 완료된 다음 진공용기에 잔류하는 가스를 고진공 용기에 마련되는 사중극자 질량분석기 또는 잔류가스 분석기로 분석할 수 있어서, 화학반응과 분석을 동시에 수행할 수 있다. 또한 고진공 용기의 위치이동을 가능하게 하여 TPD를 실행할 수 있다는 장점이 있다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다.
예를 들어 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상에 의해 고진공 용기에 마련되는 분석기를 예시한 분석기 이외의 다른 종류의 분석기를 이용할 수 있을 것이며, 저진공 용기도 예시한 화학기상증착기나 원자층 증착기의 반응용기 이외에 다른 화학적 물리적 반응을 위한 반응용기로 이용할 수 있을 것이다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 진공용기의 장점은, 저진공 용기와 고진공 용기 및 차등 펌핑기를 구비함으로써 화학기상증착이나 원자층 증착과 같은 물리적 화학적 반응을 수행함과 동시에 별도의 분석장비를 갖추지 않고도 이와 같은 반응에서 발생되는 반응가스를 정밀하게 분석할 수 있다는 것이다.

Claims (11)

  1. 시료가 내부에 마련되며, 증착을 위한 반응용기로 사용되는 저진공 용기;
    상기 저진공 용기의 내부에 하단부가 위치하며, 상기 저진공 용기에서 발생되는 물질의 성분을 분석하는 분석기가 설치되는 고진공 용기;
    상기 고진공 용기와 저진공 용기의 사이에 마련되며, 상기 고진공 용기와 저진공 용기의 진공차이를 극복하기 위해 응차 펌핑을 하는 차등 펌핑기;
    상기 고진공 용기와 연결되며, 상기 고진공 용기를 이동시키는 이동장치;
    상기 고진공 용기의 측면에 설치되며, 상기 고진공 용기의 위치이동에 따라 신축하는 제1신축기;
    상기 차등 펌핑기의 측면에 설치되며, 상기 제1신축기의 신축과 반대로 신축하는 제2신축기;
    상기 고진공 용기 및 저진공 용기와 연결되며, 상기 고진공 용기 및 저진공 용기의 진공을 유지하는 진공펌프; 및
    상기 저진공 용기와 상기 고진공 용기 사이에 가스가 이동하도록 상기 차등 펌핑기를 관통하여 상기 저진공 용기와 상기 고진공 용기를 연결하는 미세관;을 구비하는 것을 특징으로 하는 진공용기.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 분석기를 일정 온도 이하로 유지시키는 냉각장치를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 진공용기.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 고진공 용기와 상기 이동장치에 연결되며, 상기 고진공 용기의 적정 위치를 유지시키는 지지대를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 진공용기.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 미세관은,
    상기 저진공 용기와 상기 차등 펌핑기를 연결하는 제1관;
    상기 차등 펌핑기와 상기 고진공 용기를 연결하는 제2관;을 포함하는 것을 특징으로 하는 진공용기.
  5. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 고진공 용기에 마련되며, 상기 진공펌프와 연결되는 진공펌프용 제1포트를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 진공용기.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 고진공 용기에 마련되며, 상기 진공펌프와 연결되는 진공펌프용 제1포트를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 진공용기.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 차등 펌핑기에 마련되며, 상기 진공펌프와 연결되는 진공펌프용 제2포트를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 진공용기.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 차등 펌핑기에 마련되며, 상기 진공펌프와 연결되는 진공펌프용 제2포트를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 진공용기.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 저진공 용기에 마련되며, 상기 저진공 용기에 가스를 공급하는 가스라인과 연결되는 가스라인용 포트를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 진공용기.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 저진공 용기에 마련되며, 상기 저진공 용기에 전력을 공급하는 전원과 연결되는 가열용 포트를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 진공용기.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 차등 펌핑기에 마련되며, 상기 차등 펌핑기 내부의 관찰이 가능하도록 하는 관찰용 포트를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 진공용기.
KR10-2002-0021951A 2002-04-22 2002-04-22 진공 용기 KR100434546B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0021951A KR100434546B1 (ko) 2002-04-22 2002-04-22 진공 용기

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0021951A KR100434546B1 (ko) 2002-04-22 2002-04-22 진공 용기

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030083782A KR20030083782A (ko) 2003-11-01
KR100434546B1 true KR100434546B1 (ko) 2004-06-05

Family

ID=32379944

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2002-0021951A KR100434546B1 (ko) 2002-04-22 2002-04-22 진공 용기

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100434546B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9359667B2 (en) 2012-01-09 2016-06-07 Samsung Display Co., Ltd. Low temperature deposition apparatus

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03274275A (ja) * 1990-03-26 1991-12-05 Mitsubishi Electric Corp 有機金属ガス利用薄膜形成装置
JPH09153484A (ja) * 1995-11-29 1997-06-10 Sony Corp 薄膜製造方法および装置
JPH10135196A (ja) * 1996-10-30 1998-05-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 真空薄膜堆積装置
JP2000162188A (ja) * 1998-11-23 2000-06-16 Aviv Amirav 溶液中のサンプルを分析する質量分析法及び装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03274275A (ja) * 1990-03-26 1991-12-05 Mitsubishi Electric Corp 有機金属ガス利用薄膜形成装置
JPH09153484A (ja) * 1995-11-29 1997-06-10 Sony Corp 薄膜製造方法および装置
JPH10135196A (ja) * 1996-10-30 1998-05-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 真空薄膜堆積装置
JP2000162188A (ja) * 1998-11-23 2000-06-16 Aviv Amirav 溶液中のサンプルを分析する質量分析法及び装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9359667B2 (en) 2012-01-09 2016-06-07 Samsung Display Co., Ltd. Low temperature deposition apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030083782A (ko) 2003-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111295730B (zh) 低温转运系统
JP5306650B2 (ja) 透過型電子顕微鏡用のマイクロリアクタおよび加熱要素とその製造方法
US8277544B2 (en) Thermal modulation device for two dimensional gas chromatography
US10598609B2 (en) Universal liquid sample device and process for high resolution transmission electron microscope imaging and multimodal analyses of liquid sample materials
JP6337293B2 (ja) ガス透過度測定装置
US20160225596A1 (en) Method And Apparatus For Transporting Samples In A Mass Spectrometer
CN108490104B (zh) 一种微型气相色谱柱芯片及其制备方法
CN111684564A (zh) 真空转移组件
KR100434546B1 (ko) 진공 용기
US20090045337A1 (en) Charged-Particle Beam Instrument
CN102103382A (zh) 小型恒温反应装置
US7281700B2 (en) Gate valve apparatus for vacuum processing system
AU2005205838A1 (en) Method for Operating Liquid in the Vacuum or Low-Pressure Environment and Observing the Operation and Device for the Operation and Observation
US9362095B1 (en) Method and apparatus for transporting samples in a mass spectrometer
US20120217389A1 (en) Electrospray ionization for chemical analysis of organic molecules for mass spectrometry
Folkman et al. Modular instrument mounting system for variable environment in operando X-ray experiments
US6864487B1 (en) Environmental sampler for mass spectrometer
JP6764902B2 (ja) 試料ホルダー
US8043565B1 (en) Analytical instrumentation and processes
US20080315096A1 (en) Portable Electron Microscope Using Micro-Column
US20170140912A1 (en) Systems and methods for analyzing a sample from a surface
KR100459900B1 (ko) 원자층 적층 분석기
JP2009238962A (ja) 真空搬送機構及びそれを備えたマルチチャンバシステム
JP2000260750A (ja) 昇温脱離ガス分析装置
JP2619731B2 (ja) 脱離ガスの検出装置および方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080312

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee