KR100388899B1 - 도전막조성물및이를사용하여형성된도전막을채용한음극선관용벌브 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 도전막 조성물 및 이를 사용하여 형성된 도전막을 채용한 음극선관용 벌브에 관한 것으로서, 알콜 용매의 중량을 기준으로하여 무기 도전물질인 산화주석(SnO2) 0.8 내지 1.0중량%, 분산제 4.5 내지 5.0중량%, 흡수방지제 3.5 내지 4.0중량%, 증발억제제 0.8 내지 1.0중량% 및 계면활성제 0.020 내지 0.025중량%를 포함하는 도전막 조성물이 개시되어 있다. 본 발명의 도전막 조성물로 형성된 도전막은 종래의 도전막 조성물에 의한 도전막에 비하여 도포성, 용해성, 열안정성이 우수하고 표면저항값이 낮으며 소성시의 잔류를 양이 적어 휘도 향상에 기여한다는 특징을 갖는다.

Description

도전막 조성물 및 이를 사용하여 형성된 도전막을 채용한 음극선관용 벌브
본 발명은 도전막 조성물 및 이를 사용하여 형성된 도전막을 채용한 음극선관용 벌브(bulb)에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 도포성 및 용매에 대한 용해성이 우수하고, 소성후 잔류물이 남지 않음으로써 이로 인한 휘도 감소를 효과적으로 방지할 수 있는 도전막 조성물 및 이를 사용하여 형성된 도전막을 채용한 음극선관용 벌브에 관한 것이다.
도전막 조성물은 복사기, 레이저프린터 등 전자사진기법을 응용하는 여러 분야, 특히 칼라 음극선관 형광막의 제조시에 유용하게 이용될 수 있다.
상기 언급된 칼라 음극선관의 형광막은 슬러리 도포법과 전자사진기법에 의해 제조될 수 있다.
먼저 슬러리 도포법에 의한 칼라 음극선관 형광막의 형성방법을 보면, 주성분인 폴리비닐알콜 (PVA), 녹색, 청색 및 적색 발광형광체, 중크롬산암모늄 등으로 구성된 형광체 슬러리를 형성하여 음극선관 판넬 내면에 도포하고 섀도우 마스크를 통하여 소정부위만을 노광처리한 다음, 비노광부를 세척하여 현상함으로써 스트라이프상 또는 도트상의 형광막을 형성한다. 그러나 슬러리법에 의한 형광막 형성방법에 의하면, 제 1형광체 형성시 비노광 부위의 현상이 완전히 이루어지지 않음으로써 잔류하는 PVA의 하이드록시기 및 중크롬산 암모늄염의 크롬 등이 제 2형광체 형성시 제 2형광체 조성물과 물리화학적으로 결합하여 혼색을 일으키는 단점이 있다.
이에 반하여, 전자사진기법을 응용하여 칼라 음극선관의 형광막을 제조하는 방법은 상기 슬러리법에 비하여 공정이 단순할 뿐만 아니라, 선명도와 휘도가 보다 우수한 칼라 음극선관을 형성할 수 있는 방법이다. 이 방법에 따르면, 먼저 판넬을 화약약품, 계면활성제 등으로 세정처리하고 순수 (distilled water)로 린스하여 건조시킨다. 다음으로, 스핀코팅방법 또는 스프레이방법 등에 의해 1판넬의 내면에 도전막을 형성한후, 그 상부에 광도전막을 형성시킨다. 코로나 대전기를 이용하여 광도전막을 대전시키고 섀도우마스크를 통하여 소정부위만을 노광처리한 다음 비노광부를 현상함으로써 형광막을 형성한다.
전자사진기법을 응용한 복사기의 경우, 알루미늄 원통에 도체물질을 직접 도포하여 광도전체로서 사용할 수 있다. 그러나 이와는 달리 음극선관 전면이 절연물질인 유리 (판넬)로 만들어진 칼라 음극선관의 경우에는 광도전성 물질을 음극선관 전면에 직접 도포할 수 없으므로 광도전막의 형성에 앞서 도전막을 먼저 형성하여야 한다.
그러나, 이러한 도전막을 형성하기 위해 종래부터 사용되어 오던 폴리브텐-프로판올계의 도전막 조성물은 용매에 대한 용해성이 낮고 도전막 형성시의 도포성이 불량하며 표면저항이 109~1011Ω/단위면적 정도로 높게 나타나는 등, 물리·화학적 특성상의 한계가 있어 전자사진기법에는 적합하지 않으며, 또한 소성시 열분해성이 좋지 않아 잔류물이 남게되므로 이를 제거해야 한다는 문제점을 수반한다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위한 수단으로서, 본 발명의 목적은 전자사진기법을 응용한 칼라 음극선관의 제조시 유용하게 사용될 수 있는 도전막 조성물로서, 용해성이 우수하고 막형성시 도포성이 양호하며 표면저항이 낮을 뿐 아니라 건조시간이 짧고 상온에서도 건조되는 도전막 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기의 도전막 조성물로 형성된 도전막을 갖는 음극선관용 벌브를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 알콜 용매의 중량을 기준으로하여 무기 도전물질인 산화주석(SnO2) 0.8 내지 1.0중량%, 분산제 4.5 내지 5.0중량%, 흡수방지제 3.5 내지 4.0중량%, 증발억제제 0.8 내지 1.0중량% 및 계면활성제 0.020 내지 0.025중량%를 포함하는 도전막 조성물을 제공한다.
상기의 알콜 용매로서 메탄올, 에탄올 또는 그들의 혼합물을 사용할 수 있다. 또한 산화주석을 이들 용매에 균일하게 분산시키기 위한 분사제로서는 t-부탄올, t-아밀알콜로부터 선택하여 사용할 수 있다.
상기의 흡수방지제는 도전막의 흡습성을 저하시킴으로써 정전기 발생을 방지하기 위한 목적으로 사용되는데, 바람직한 흡수방지제로서 메틸셀로솔브, 2-에톡시에탄을 등을 사용할 수 있다.
상기의 증발억제제는 용매로 사용되는 알콜의 급속한 휘발로 인해 도전막 상에 얼룩이 생기는 등 도포상태가 불량해지는 것을 방지하기 위해 사용하는 것으로서, 디메틸포름아미드, 디옥틸프탈레이트 등으로부터 선택하여 사용할 수 있다.
또한, 도전막 조성물의 표면장력을 감소시킴으로써 도전막의 웨팅성을 향상시키기 위하여 소량의 계면활성제를 첨가하는 것이 바람직한데, 트리론-CF54 (Sigma 제품) 등으로부터 선택된 비이온성 계면활성제가 사용될 수 있다.
본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 도전막, 광도전막 및 형광막이 순차적으로 형성된 페이스 플레이트, 판넬 및 네크부로 구성된 음극선관용 벌브에 있어서,
상기 도전막이 무기 도전물질인 산화주석(SnO2) 0.8 내지 1.0중량% 및 계면활성제 0.020 내지 0.025중량%로 이루어진 음극선관용 벌브를 제공한다.
본 발명의 도전막 조성물은 유기 고분자 도전물질인 폴리브렌을 함유하는 도전막 조성물에 비하여 알콜용매에 대한 용해성이 우수하고, 도전막 형성시의 도포성이 양호하며, 이를 사용하여 형성한 도전막의 표면저항값이 107내지 108Ω/단위면적 정도로 낮고, 열안정성이 우수하여 소성시 잔류물의 양이 적다.
또한, 본 발명의 도전막 조성물의 용매로서 휘발성이 강한 알콜 또는 그들의 혼합용매를 사용하기 때문에 별도의 장치가 없이도 상온에서 건조될 수 있다.
본 발명의 도전막 조성물은 전자사진기법을 응용하는 여러분야에서 사용될 수 있는데, 특히 칼라 음극선관 형광막의 제조시에 유용하다.
따라서, 본 발명의 도전막 조성물을 사용하는 한 예로서 전자사진기법을 응용한 칼라음극선관의 형광막 형성방법에 대해 설명하고자 한다.
먼저, 판넬을 세정처리하고 순수로 린스하여 건조시킨다. 이 판넬의 내면에 알콜 용매의 중량을 기준으로 하여 무기 도전물질인 산화주석(SnO2) 0.8 내지 1.0중량%, 분산제 4.5 내지 5.0중량%, 흡수방지제 3.5 내지 4.0중량%, 증발억제제 0.8 내지 1.0중량% 및 계면활성제 0.020 내지 0.025중량%를 함유하는 본 발명의 도전막 조성물을 스핀코팅법이나 스프레이 방법 등으로 코팅하여 두께가 0.5 내지 1㎛인 도전막을 형성한다. 이렇게 형성된 도전막의 상부에 유기광도전막 조성물을 도포하여 광도전막을 형성한다. 코로나 대전기를 이용하여 광도전막을 대전시키고 섀도우마스크를 고정시킨후 노광한다. 비노광부의 전하를 중화시키고 정전기적 현상에 의하여 형광체를 형성시킨다. 휘발성이 강한 아세톤이나 알콜과 같은 용매를 사용하여 형광막을 반고착시킨다. 70℃의 적외선 히터를 사용하여 20초간 완전융착시킴으로써 형광막을 형성한다. 이때 상기 도전막의 두께가 0.5㎛ 미만이면 도전성이 저하되고, 1㎛를 초과하게 되면 막투명성 및 안정성이 저하되어 바람직스럽지 못하다.
이하, 본 발명을 실시예를 들어 상세히 설명하기로 하는데, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
하기와 같은 조성을 갖는 도전막 조성물을 제조한고, 이 조성물을 사용하여칼라 음극선관의 유리 판넬 내면에 도전막을 형성한다:
상기와 같은 조성을 갖는 도전막 조성물을 스핀코팅방법이나 스프레이 방법으로 판넬 내면에 도포하였다. 이때 형성된 도전막 두께는 1㎛였다.
이와 같이 형성된 도전막을 상온에서 건조시킨 후, 도전막의 표면저항값을 측정한 결과 108Ω/단위면적으로 낮게 나타났다.
또한, 상기 도전막을 소성시켰을 때, 종래의 경우에 비하여 잔류물이 감소하였으며 이에 따라 위도가 중가되는 효과를 얻을 수 있었다.
상기에서 언급한 바와 같이, 전자사진기법에 의한 칼라 음극선관의 형광막 제조시 사용되는 본 발명의 산화주석-함유 도전막 조성물은 종래에 사용되어 오던 폴리브렌계 도전막 조성물에 비하여 도전막 형성시의 도포성, 용해성, 열안정성, 건조성 등이 우수하며, 형성된 도전막의 표면저항값이 낮다는 효과를 갖는다. 또한소성시에 잔류하는 잔류물이 양이 감소됨에 따라 휘도가 증가한다.

Claims (4)

  1. 메탄올, 에탄올 및 그들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 알콜용매의 중량을 기준으로 하여, 무기 도전물질인 산화주석 (SnO2) 0.8 내지 1.0중량%, t-부탄올 및 t-아밀알콜로 이루어진 군으로부터 선택된 분산제 4.5 내지 5.0중량%, 메틸셀로솔브 및 2-에톡시에탄올로 이루어진 군으로부터 선택된 흡수방지제 3.5 내지 4.0중량%, 디메틸포름아미드 및 디옥틸프탈레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 증발억제제 0.8 내지 1.0중량%, 및 도전막의 웨팅성을 향상시키는 계면활성제 0.020 내지 0.025중량%를 포함하는 도전막 조성물.
  2. 도전막, 광도전막 및 형광막이 순차적으로 형성된 페이스 플레이트, 판넬 및 네크부로 구성된 음극선관용 벌브에 있어서,
    상기 도전막이 무기 도전물질인 산화주석(SnO2) 0.8 내지 1.0중량%와 도전막의 웨팅성을 향상시키는 계면활성제 0.020 내지 0.025중량%로 이루어진 것임을 특징으로 하는 음극선관용 벌브.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 도전막 조성물로 형성된 도전막의 두께가 0.5 내지 1㎛임을 특징으로 하는 음극선관용 벌브.
  4. 제 2항에 있어서, 상기 도전막 조성물로 형성된 도전막의 표면저항값이 107내지 108Ω/단위면적임을 특징으로 하는 음극선관용 벌브.
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