KR100388403B1 - 방전 가공 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 병렬 방전을 확실하게 실시할 수 있고, 방전 가공 속도를 향상시킬 수 있는 방전 가공 장치를 얻는 것으로, 층형상 이방성 반도체(11)와 저항체(12)와 급전체(13)로 방전용 가공 전극(14)을 구성하고, 층형상 이방성 반도체(11)는 절연 피막을 코팅한 금속 박판을 겹쳐 쌓아 눌러 붙인 부재이고, 층형상에 도전층과 불량 도전층이 교대로 적층되어 있고, 불량 도전층에 평행한 방향의 도전도가 불량 도전층을 횡단하는 방향의 도전도보다도 현저하게 높은 이방성 도전도를 갖는다. 저항체(12)는 층형상 이방성 도전체(11)의 적층 횡단 단면(11c)에 접속되고, 또한 급전체(13)는 저항체(12)에 접속되어 있다.

Description

방전 가공 장치{ELECTRICAL DISCHARGE MACHINING APPARATUS}

본 발명은 방전 가공 장치에 관한 것이다.

방전 가공에 있어서의 가공 속도를 향상시키는 방책의 하나로서, 동시에 복수의 방전을 발생시키는 경우(이하, 병렬 방전이라고 칭함)가 생각된다. 이 병렬 방전을 실현하는 방법은 대면적의 마무리 가공 영역에서의 가공면 조도(roughness) 악화의 대책에서, 그 단서를 찾아낼 수 있다.

예컨대, 일본 특허 공개 소화 제61-71920호 공보에서는, 전극의 표면을 저항체로 하는 것에 의해, 대면적의 마무리 가공 영역에서 가공면 조도를 개선하는 방법(이하, 저항체 전극법이라고 칭함)이 개시되어 있다.

도 11은 저항체 전극법에 있어서의 전극을 나타내는 구조도이다. 도면에 있어서, 두께 1.5㎜의 실리콘 박판으로 이루어지는 저항체(1)와, 동으로 이루어지는 급전체(2)를 도전성 접착제로 접착하여 전극을 구성하고 있다.

저항체 전극법의 원리는 전극과 공작물 사이(이하, 가공 간극이라고 칭함)에 형성되는 부유 용량을, 전극 표면에 설치한 저항체(1)에 내재하는 저항에 의해 분할하여 분포 정수 상태로 되고, 상기 부유 용량으로부터 방전 발생 지점에의 투입 에너지량을 소면적 가공 시와 같은 수준으로 감소시킴으로써, 대면적 가공에 있어서의 가공면 조도의 악화를 방지하는 것에 있다. 그런데, 조금이지만, 상기 개시예 중에서, 전극의 표면을 저항체라고 하면 전극 내에 전위 구배가 발생하기 때문에, 복수의 방전이 동시에 발생할(즉, 병렬 방전이 실현될) 가능성에 대하여 언급되어 있지만, 후술하는 바와 같은 문제점이 있다.

또, 상기와 유사한 방전 가공 방법으로서, 일본 특허 공개 소화 제58-186532호 공보나 일본 특허 공개 소화 제62-84920호 공보가 있고, 전극을 기둥 형상으로 분할하는 것에 의해, 대면적의 마무리 가공 영역에서 가공면 조도를 개선하는 방법(이하, 분할 전극법이라고 칭함)이 개시되어 있다.

도 12는 분할 전극법에 있어서의 전극을 나타내는 구조도, 도 13은 분할 전극법에 있어서의 전극 전체를 나타내는 사시도이다. 도 11과 동일 또는 상당 부분에는 동일한 부호를 부여하고 설명을 생략한다. 도 12, 도 13에 있어서, 참조부호 3은 절연체, 참조부호 4는 동(銅) 등의 저 저항 재료로 이루어지는 기둥 형상 부재이다.

분할 전극법의 원리는, 도 12에 나타내는 바와 같이, 절연체(3)에 의해서 상호 절연된 복수의 기둥 형상 부재(4)를 저항체(1)를 거쳐서 급전체(2)에 접속하는 것에 의해, 전극 전체를, 도 13에 나타내는 바와 같이, 기둥 형상 전극의 결속체로 하여, 가공 간극에 형성되는 부유 용량을 소면적 가공 시와 같이 작게 분할하여 감소시키고, 대면적 가공에 있어서의 가공면 조도의 악화를 방지하는 것이다. 그러나, 상기 분할 전극법의 개시예에는, 병렬 방전에 대한 언급은 찾아볼 수 없다.

또한, 상기 저항체 전극법과 분할 전극법의 방전 가공 방법을 정리한 문헌(정밀 공학회지 vol.53, No.1, P124∼130 참조)에 있어서도, 병렬 방전에 대해서는, 저항체 전극법에서 조금 언급되어 있을 뿐이며, 분할 전극법에 있어서는 전혀 언급이 없다. 또, 상기 문헌의 경우의 병렬 방전은 후술하는 바와 같은 문제점이 있다.

이상과 같이, 저항체 전극법에서는, 대면적의 마무리 가공에 있어서, 마무리면 거칠기가 악화하는 문제에 대하여, 가공 간극에 형성되는 부유 용량을 저항에 의해서 작게 분할함으로써, 소면적 가공 시와 동등한 마무리면 거칠기를 얻는 것을 주안(主眼)으로 하고 있다. 즉, 전극 표면에 설치한 저항체에 의해, 방전 발생 시에 가공에 기여하는 부유 용량을 방전 발생 지점 근방(대체로 반경 수백 미크론 정도의 원 내)에 형성되는 용량으로 한정하여, 대면적의 마무리 가공 시에 문제로 되는 가공 간극에 형성되는 부유 용량의 영향을 될 수 있는 한 작게 하고 있다.

따라서 이 경우, 가공 간극에 형성되는 부유 용량에 의한 가공 분량은 무시할 수 있을 정도로 작으므로, 가공에 공급된 에너지는 모두 가공 전원으로부터 펄스 형상으로 공급되는 것으로 간주해도 된다. 이 때문에, 병렬 방전 발생의 유무에 관계없이, 가공에 제공되는 에너지는 거의 일정하다고 생각할 수 있기 때문에, 병렬 방전이 발생한 경우에는 가공 전원으로부터 공급되는 가공 전류가 복수의 방전점으로 분류되는 것에 지나지 않아, 병렬 방전이더라도 방전 가공 속도가 향상되지 않는다는 문제점이 있었다.

또한, 분할 전극법에 의한 전극에서는, 실제로는 병렬 방전이 거의 발생하지 않는다는 문제점이 있었다. 이것은 방전 가공에서는 가공 부스러기 농도가 높을수록 방전이 발생할 수 있는 극간 거리가 길게 되기 때문에, 일단 방전이 시작되면 그 근방에서 방전이 연속 발생하는 성질이 있어, 상기 문헌에 기술되어 있는 바와 같은, 예컨대 일변 10㎜ 정도의 기둥 형상 부재를 결속한 분할 전극에서는, 방전이시작된 특정한 기둥 형상 부재에서 방전이 연속 발생하기 때문이라고 생각된다. 또, 분할 전극법에 있어서, 상기 문헌 중에 병렬 방전에 대한 언급이 없는 것은 이 문제에 기인하고 있다고 미루어 생각된다.

또한, 분할 전극법에서는 전극의 구조가 복잡하게 된다고 하는 문제점이 있었다.

본 발명은, 상술한 바와 같이, 과제를 해결하기 위해서 된 것으로, 제 1 목적은 방전 가공 속도를 향상시킬 수 있는 방전 가공 장치를 얻는 것이다.

또한, 제 2 목적은 병렬 방전을 확실하게 실시할 수 있고, 또한 전극 구조를 간단하게 할 수 있는 방전 가공 장치를 얻는 것이다.

본 발명의 상기 및 그 밖의 목적, 특징, 국면 및 이익 등은 첨부 도면을 참조로 하여 설명하는 이하의 상세한 실시예로부터 더욱 명백해질 것이다.

도 1은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 방전 가공용 전극의 구조를 나타내는 사시도,

도 2는 도 1의 방전 가공 장치의 방전 원리를 나타내는 등가 회로도,

도 3은 도 1의 방전 가공용 전극을 구비한 방전 가공 장치의 개략 구성을 나타내는 구성도,

도 4는 본 발명의 실시예 1에 있어서의 다른 방전 가공용 전극의 구조를 나타내는 사시도,

도 5는 본 발명의 실시예 2에 있어서의 방전 가공용 전극의 구조를 나타내는 사시도,

도 6은 도 5의 방전 가공용 전극을 구비한 방전 가공 장치의 개략 구성을 나타내는 구성도,

도 7은 본 발명의 실시예 3에 있어서의 방전 가공용 전극의 구조를 나타내는 사시도,

도 8은 도 7의 방전 가공용 전극을 구비한 방전 가공 장치의 개략 구성을 나타내는 구성도,

도 9는 본 발명의 실시예 4에 있어서의 방전 가공용 전극의 구조를 나타내는 사시도,

도 10은 본 발명의 실시예 4에 있어서의 다른 방전 가공용 전극을 나타내는 사시도,

도 11은 종래의 저항체 전극법에 있어서의 전극을 나타내는 구조도,

도 12는 종래의 분할 전극법에 있어서의 전극을 나타내는 구조도,

도 13은 종래의 분할 전극법에 있어서의 전극 전체를 나타내는 사시도.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

11, 11e : 층형상 이방성 도전체 11a : 적층면

11b : 적층 평행 단면 11c : 적층 횡단 단면

12, 12e : 저항체

13, 13e, 33a, 33b, 43a, 43b : 급전체

14, 14e, 24, 34, 44 : 방전 가공용 전극

15 : 피가공물 21 : 유전체

22 : 접지체 36a, 36b : 전류 검출 수단

본 발명에 따른 방전 가공 장치에서는, 피가공물과 가공 간극을 거쳐 대향하는 방전 가공용 전극을 구비한 방전 가공 장치에 있어서, 방전 가공용 전극이 도전층과 불량 도전층이 교대로 적층된 층형상 이방성 도전체와, 이 층형상 이방성 도전체의 적층 횡단 단면에 접속된 저항체와, 이 저항체에 접속된 급전체로 이루어지는 것이다.

또한, 피가공물과 가공 간극을 거쳐서 대향하는 방전 가공용 전극을 구비한 방전 가공 장치에 있어서, 방전 가공용 전극이 도전층과 불량 도전층이 교대로 적층된 층형상 이방성 도전체와, 이 층형상 이방성 도전체의 적층 횡단 단면에 접속된 저항체와, 이 저항체에 접속된 급전체와, 층형상 이방성 도전체의 적층 횡단 단면에, 유전체를 거쳐서 도전성의 접지체를 마련하여, 접지체가 피가공물과 접속되는 것이다.

또한, 피가공물과 가공 간극을 거쳐서 대향하는 방전 가공용 전극을 구비한 방전 가공 장치에 있어서, 방전 가공용 전극이 도전층과 불량 도전층이 교대로 적층된 층형상 이방성 도전체와, 이 층형상 이방성 도전체의 적층 횡단 단면에 접속된 저항체와, 이 저항체에 접속된 급전체와, 이 급전체가 적어도 2개의 급전체로 이루어지고, 각 급전체가 층형상 이방성 도전체의 적층면에 평행한 방향으로 서로 떨어진 상태에서, 또한 층형상 이방성 도전체의 각 도전층과 각 급전체와의 대향 면적의 차이 또는 비가, 각 도전층마다 다른 상태로 저항체에 접속되어, 각 급전체에 흐르는 전류를 계측하는 전류 검출 수단을 구비하는 것이다.

(실시예 1)

도 1은 본 발명의 실시예 1에 있어서의 방전 가공용 전극의 구조를 나타내는 사시도, 도 2는 도 1의 방전 가공 장치의 방전의 원리를 나타내는 등가 회로도, 도 3은 도 1의 방전 가공용 전극을 구비한 방전 가공 장치의 개략 구성을 나타내는 구성도이다. 도 1에 있어서, 층형상 이방성 도전체(11)와 저항체(12)와 급전체(13)로 전극(14)이 구성되어 있다. 층형상 이방성 도전체(11)는, 예컨대 표면에 알루미나 등의 세라믹이나 에나멜 등으로 이루어진 절연 피막을 코팅한 동(銅) 등으로이루어지는 금속 박판을 겹쳐 쌓아 압착한 부재이고, 층형상으로 도전층과 불량 도전층이 교대로 적층되어 있고, 불량 도전층에 평행한 방향의 도전도가 불량 도전층을 횡단하는 방향의 도전도보다도 현저하게 높은 이방성 도전도를 갖는다.

또, 이하에서는 설명을 위해서, 이 도전층이나 불량 도전층과 평행한 면을 적층면(11a)라고 부르고, 층형상 이방성 도전체(11)의 단면 중, 적층면(11a)과 평행한 단면을 적층 평행 단면(11b), 적층면(11a)을 횡단하는 단면을 적층 횡단 단면(11c)이라고 부르기로 한다. 또한, 도시할 경우에는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 적층 횡단 단면(11c)에는 적층면(11a)을 복수 그리는 것에 의해 적층 평행 단면(11b)과 구별하는 것으로 한다.

층형상 이방성 도전체(11)의 제작에 대해서는, 예컨대 얇은 시트 형상의 재료를 절단하여 적층하는 방식을 이용하는 고속 프로토타이핑(rapid prototyping) 장치에 대하여 절연 피막을 코팅한 금속 박판을 공급하면, 3차원 CAD 데이터로부터 직접 소망하는 형상의 전극을 간편하게 제작할 수 있다. 또, 각 도전층의 두께는 1㎜ 이하가 바람직하고, 100㎛ 이하이면 바람직하다. 또한, 불량 도전층의 두께는 될 수 있는 한 얇을수록 바람직하고, 도전층의 두께와 같은 정도 이하를 목표로 한다.

저항체(12)는 층형상 이방성 도전체(11)의 적층 횡단 단면(11c)에 접속된 전기 저항을 갖는 탄소나 니켈 크롬 합금 등으로 이루어지고, 예컨대 전기 저항을 갖는 박판을 적층 횡단 단면(11c) 상에서 층형상 이방성 도전체(11)에 압착하거나, 진공 프로세스로 전기 저항 박막을 형성하는 등에 의해 구성된다.

또한, 급전체(13)는 저항체(12)에 접속된 도전성을 갖는 동(銅) 등으로 이루어져, 저항체(12)의 경우와 마찬가지로 압착이나 박막 형성 등에 의해 저항체(12)에 접속된다.

이러한 구성에 의해, 층형상 이방성 도전체(11) 내의 각각의 도전층은 저항체(12)를 거쳐서 급전체(13)에 접속되게 된다. 급전체(13)로부터 도전층으로의 전기 저항값은 다양한 요인에 의해서 바람직한 값이 변화되지만, 대체로 10Ω∼10kΩ정도가 바람직하다.

다음에, 상기 구조를 갖는 전극(14)을 사용한 경우의 특징을 도 2를 이용하여 설명한다. 방전 가공에서는 전극과 공작물을 미소한 간극을 막아 대향시키기 때문에, 가공 간극에 부유 용량에 의한 축전기가 형성되는 것은 이미 설명한 대로이다. 그 전극(14)을 이용하는 경우에는, 도 2에 나타낸 등가 회로와 같이, 층형상 이방성 도전체(11) 내의 각각의 도전층이 저항체(12) 내의 전기 저항을 거쳐서 상호 병렬 접속된 축전기를 형성하게 된다.

따라서, 전극(14)과 공작물(15) 사이에 전압을 인가하면, 각각의 축전기에 충전된 후, 가공 간극에 방전이 발생한다. 각각의 축전기는 서로 저항을 거쳐서 병렬 접속되어 있기 때문에, 그 단자간 전압은 각각 다른 값을 취한다. 즉, 어떤 축전기에서 방전이 발생하더라도, 그 방전 위치로부터 충분히 떨어진 축전기의 단자간 전압은 대개 변화하지 않기 때문에, 병렬 방전을 발생할 수 있다.

이 실시예 1이 종래의 저항체 전극법과 다른 점을 다음에 설명한다. 그 저항체 전극법의 경우에는, 도 11에 도시하는 바와 같이, 실리콘 박판으로 이루어지는 저항체(1)와 동으로 이루어지는 급전체(2)를 도전성 접착제로 접착하여 전극을 구성하는 것에 의해, 전극과 공작물의 가공 간극에 형성되는 부유 용량을 저항에 따라서 작게 분할하고 있다. 즉, 전극 표면에 설치한 저항체에 의해, 방전 발생 시에 가공에 기여하는 부유 용량을 방전 발생 지점 근방(대체로 반경 수백 미크론 정도의 원 내)에 형성되는 용량으로 한정하고, 대면적의 마무리 가공 시에 문제로 되는 가공 간극에 형성되는 부유 용량의 영향을 될 수 있는 한 작게 하고 있다.

따라서 이 경우, 가공 간극에 형성되는 부유 용량에 의한 가공 분량은 무시할 수 있을 정도로 작으므로, 가공에 제공되는 에너지는 모두 가공 전원으로부터 펄스 형상에 공급된다고 간주하여도 된다. 이 때문에, 병렬 방전 발생의 유무에 관계없이, 가공에 제공되는 에너지는 거의 일정하다고 생각할 수 있기 때문에, 병렬 방전이 발생한 경우에는 가공 전원으로부터 공급되는 가공 전류가 복수의 방전점으로 분류되는 것에 지나지 않고, 병렬 방전에 있어서도 방전 가공 속도가 향상되지 않는다.

한편, 본 발명에서는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 도전층과 불량 도전층이 적층된 층형상 이방성 도전체(11)와, 이 층형상 이방성 도전체(11)의 적층 횡단 단면(11c)에 접속된 전기 저항을 갖는 저항체(12)와, 이 저항체(12)에 접속된 도전성을 갖는 급전체(13)를 구비한 전극(14)을 제시하고 있다. 이 경우, 동일한 도전층 내에서의 2점간의 전기 저항은 거의 0이므로, 각각의 도전층은 각각 하나의 축전기로 간주할 수 있기 때문에, 하나의 축전기라고 간주할 수 있는 범위는 방전 발생 지점으로부터의 거리에 의존하지 않고, 동일한 도전층인 한 하나의 축전기라고 간주할 수 있는 점이 그 저항체 전극법과 크게 다른 점이다. 각 도전층은 두께는 얇지만 공작물(15)과의 대향면이 가늘고 길게 존재하고 있기 때문에, 동일한 축전기하고 간주할 수 있는 대향 면적을 그 저항체 전극법보다도 넓게 할 수 있기 때문에, 각각의 도전층이 형성하는 축전기에 의한 가공의 기여를 무시할 수 없을 정도로 정전 용량을 크게 하는 것이 가능해진다.

즉, 공작물(15)과의 가공 간극에 형성되는 부유 용량은 그 저항체 전극법에서는 배제해야 할 대상으로서, 가공은 주로 가공 전원으로부터 공급되는 펄스 전류에 따르고 있었다. 그러나, 본 발명에서는 이 부유 용량을 적극적으로 이용하여, 가공 전원으로부터 공급되는 전류를, 이 부유 용량에서 형성되는 각 축전기에 한번 축전(蓄電)한 후에 가공에 제공하기 때문에, 각각의 도전층이 형성하는 축전기의 방전에 의한 병렬 방전 가공을 실현할 수 있어, 간단한 구조의 전극(14)을 이용하여 방전 가공 속도를 향상하는 것이 가능해진다. 또, 본 발명의 경우에는 가공 전원으로부터 공급되는 전류는 각 축전기에의 충전 전류에 있어서, 상기 저항체 전극법과 같이 직접 방전에 이용되는 것만은 아니기 때문에, 공급 전류 파형은 반드시 펄스 형상일 필요는 없고, 정상 전류 파형 등의 임의 전류 파형으로 공급할 수 있다.

다음에, 본 발명의 실시예 1이 종래의 분할 전극법과 다른 점을 설명한다. 상기 분할 전극법의 경우에는, 도 12에 도시하는 바와 같이, 절연체(3)에 의해서 서로 절연된 복수의 기둥 형상 부재(4)를, 저항체(1)를 거쳐서 급전체(2)에 접속함으로써, 전극 전체를 도 13에 나타내는 바와 같이, 기둥 형상 전극의 결속체로 하고, 가공 간극에 형성되는 부유 용량을 소면적 가공 시와 같은 수준으로 작게 분할하여 감소시키고 있다. 그러나, 이미 설명한 바와 같이, 방전 가공에서는 한번 방전이 발생하면, 그 주위에 연속하여 발생하기 쉬운 성질이 있고, 병렬 방전을 발생시키기 위해서는 각각의 기둥 형상 부재를, 예컨대 수백 미크론 정도로 충분히 근접시켜 설치해야 한다. 그러나, 기둥 형상 부재를 서로 근접시키기 위해서는 각각의 기둥 형상 부재를 가늘게 해야 하기 때문에, 필연적으로 각각의 기둥 형상 부재와 공작물의 대향 면적을 작게 하지 않을 수 없고, 각각의 기둥 형상 부재가 형성하는 부유 용량도 작아지기 때문에, 이 부유 용량에 축전된 전하는 거의 가공에 기여할 수 없다.

즉, 각각의 기둥 형상 부재가 공작물(15)과 대향하는 것에 의해 형성하는 부유 용량에 축전하여 가공하기 위해서는 기둥 형상 부재(4)가 충분히 굵고, 예컨대 1㎟ 이상이 넓은 면적으로 공작물(15)과 대향해야 한다. 한편, 병렬 방전을 발생시키기 위해서는 기둥 형상 부재(4)가 충분히 가늘고, 예컨대 수백 미크론 정도 이하의 거리에서 다른 기둥 형상 부재와 인접할 필요가 있어, 양립은 대단히 곤란하다. 따라서, 실제로 전극을 제작할 수 있는 사방 수 ㎜ 정도 이상의 크기를 가지는 기둥 형상 부재를 이용한 분할 전극법에서는, 방전이 시작된 특정한 기둥 형상 부재에 있어서, 방전이 연속 발생하기 때문에, 병렬 방전이 거의 발생하지 않는다.

그러나, 본 발명의 경우에는, 상술한 바와 같이, 각각의 도전층은 얇고 또한 길기 때문에, 각각의 도전층은 가공에 기여할 수 있을 정도로 큰 정전 용량을 형성하므로 충분한 대향 면적을 공작물(15)과의 사이에 유지하면서, 다른 도전층과는병렬 방전의 발생이 충분히 가능한 거리로 인접할 수 있다. 예컨대, 각 도전층간의 거리가 수백 미크론 정도이고, 1㎟ 정도 이상의 대향 면적을 실현하기 위해서는, 수 ㎜ 정도의 길이에 걸쳐 각 도전층과 공작물이 대향하고 있으면 된다. 이와 같이, 본 발명에서는 큰 용량을 가지는 축전기를 근접시켜 배치하는 것이 가능해지기 때문에, 상기 분할 전극법과 같이 실질적으로 하나의 축전기에만 방전이 발생하는 상황으로는 되지 않고, 병렬 방전 가공을 확실하게 실현할 수 있어, 간단한 구조의 전극(14)을 이용하여 방전 가공 속도를 향상하는 것이 가능해진다.

다음에, 본 발명의 실시예 1에 따른 방전 가공용 전극을 구비한 방전 가공 장치의 구성 및 동작에 대하여, 도 3을 이용하여 설명한다. 상기에서 설명한 구조의 전극(14)은 방전 가공 장치의 주축(16)에 장착되고, 공작물(15)은 가공조(17) 내에 설치된다. 여기서, 전극(14) 내의 각 도전층과 공작물(15)의 대향 면적은 상당히 좁으면 저항체 전극의 경우와 마찬가지로 가공에 기여하는 부유 용량이 너무 작게 된다. 바람직한 대향 면적은 전극(14)과 공작물(15)의 거리에 따라서 다르지만, 대체로 0.1㎟ 이상이 바람직하고, 1㎟ 이상이면 된다. 즉, 도전층의 두께가 100㎛ 정도이면, 길이 10㎜ 이상에 걸쳐 도전층과 공작물이 대향하고 있으면 된다고 할 수 있다.

가공조(17) 내는 가공액(18)이 채워져 있다. 가공 전원(19)은 충분한 전류 공급 능력을 갖는 정전압 전원이고, 전극(14) 상에 마련된 급전체(13)와 공작물(15)에 접속되어 있다. 제어 장치(20)는 전극(14)과 공작물(15)의 간극이 일정하게 되도록 주축(16)을 거쳐서 전극(14)의 위치를 제어한다. 그 제어 방법은, 예컨대 가공 전류가 일정하게 되도록 전극 위치를 제어하는 등의 기지의 방법을 채용할 수 있다. 즉, 가공 간극에 형성된 축전기에의 충전 전류를 홀 소자나 변류기 등의 전류 검출기나, 충전 회로에 직렬로 삽입한 분로(shunt) 저항의 단자간 전압값을 이용하여 측정하고, 가공 전류가 미리 설정된 값을 하회(下回)한 경우에는 전극(14)과 공작물(15)의 거리를 감소시키고, 상회(上回)한 경우에는 증대시키도록 전극(14)의 위치를 제어하면 된다. 가공 전류는 가공 전원(19)으로부터 급전체(13), 저항체(12)를 경유하여 각 도전층과 공작물(15) 사이에 형성되는 개개의 축전기에 충전된 후, 동시에 병렬로 발생하는 방전에 의해서 가공에 제공된다.

또, 상기 실시예 1의 예에서는, 가공 전원(19)은 일정 전압을 공급했었지만, 통상의 방전 가공 장치나 그 저항체 전극법과 같이 펄스 형상으로 전압을 인가하는 전원 등을 사용하여도 되고, 이 경우, 아크 방전의 발생을 억제하는 효과를 기대할 수 있다. 또한, 인가하는 전압값이 변경 가능한 전원을 이용하면, 다양한 면 거칠기의 가공을 실현할 수 있거나, 이상 방전 상태의 회피 제어에 이용 가능하게 되기 때문에 편리하다.

또한, 상기 실시예 1의 예에서는 축전기에의 충전 전류를 측정하여 전극(14)의 위치를 제어하도록 구성했지만, 가공 전원(19)의 출력 전압값은 기지이기 때문에, 축전기의 충전 회로에 직렬로 저항을 삽입하거나, 출력 임피던스가 높은 가공 전원을 이용하면, 충전 전류값은 급전체(13)와 공작물(15)의 전위차로부터도 얻을 수 있기 때문에, 충전 전류값의 측정을 생략하고, 이 급전체(13)와 공작물(15)의 전위차에 근거하여 전극(14)의 위치를 제어하여도 좋은 것은 말할 필요도 없다.즉, 급전체(13)와 공작물(15)간의 전압이 미리 설정된 값을 하회하면, 전극(14)과 공작물(15)의 거리를 증대시키고, 상회하면 감소시키도록 전극(14)의 위치를 제어하는 기지의 제어 방법을 사용할 수 있다.

또, 상기 실시예 1의 예에서는 층형상 이방성 도전체(11)로서 절연 피막을 코팅한 금속 박판의 층형상 이방성 도전체(11)를 예시했지만, 불량 도전층은 완전한 절연체일 필요는 없고, 전기 저항체이더라도 되며, 상기와 마찬가지의 작용 효과를 얻는다. 이 경우는, 저렴하게 전극을 실현할 수 있다. 다만, 다른 적층면 사이에 유의한 전위차를 생기게 할 정도로는 저항값이 클 필요가 있으므로, 적층 두께 1㎝ 대해 100Ω이상의 저항값을 갖는 물질을 채용하는 것이 바람직하다.

또한, 층형상 이방성 도전체(11)로서, 예컨대 열분해 탄소 재료 등으로 이루어지는 이방성 도전 재료를 이용하면, 재료가 구비하고 있는 이방 도전성을 그대로 이용할 수 있기 때문에, 전극의 제작이 용이하게 된다. 해당 재료는 탄소 원자가 라미네이트 형상으로 적층되어 있기 때문에, 적층면과 평행한 방향의 도전도가 수직인 방향의 1000배 정도로 되는 층형상 이방성 도전 재료이다. 해당 재료의 적층 횡단 단면에 급전체를 직접 형성하면, 모든 도전층이 동전위로 되기 때문에 통상의 방전 가공용 전극 재료로서 사용 가능하지만, 상기 실시예 1에 나타낸 바와 같이, 해당 재료의 적층 횡단 단면에 저항체를 형성하여, 이 저항체를 거쳐서 급전체를 형성하면, 상기 실시예 1에서 기술한 메커니즘에 따라서 병렬 방전의 발생이 가능해진다.

또, 상기 실시예 1에 있어서는 저항체 및 급전체는 전극의 상면에 형성했지만, 이들의 위치는 적층면을 횡단하는 적층 횡단 단면(11c) 상에 있으면 어디라도 되고, 예를 들면 전극의 측면에 형성하더라도 좋다.

또한, 상기 실시예 1에 있어서는 급전체(13)의 형상에 대해서는 특히 언급하지 않았지만, 가공 진행 방향의 단위 전극 이동 거리당의 각 도전층마다의 가공 부피가 클수록, 도전층에 대향하는 급전체(13) 폭의 총합을 크게 설정하면, 가공량이 많은 부분만큼 축전기에의 충전 저항이 낮게 되기 때문에 방전 주파수를 높게 할 수 있다. 따라서, 단위 가공 부피 당 방전 주파수가 균일화되기 때문에, 좁은 범위에 높은 주파수로 방전이 집중하여 발생하는 일이 없어, 전극의 이상 소모가 방지되는 이점이 있다.

예컨대, 통상의 황(荒) 가공의 경우와 같이, 가공 진행 방향이 연직 하향일 경우에는, 연직 방향으로의 전극 투영 면적이 큰 도전층에 접속하는 부분만큼 급전체의 폭을 넓힌다. 이 때문에, 도 4에 도시하는 바와 같이, 전극(14e)을 수평면으로 절단하고, 절단면 전체에 저항체(12e) 및 급전체(13e)를 형성하면 좋다. 또, 예컨대 마무리 가공 단계의 요동 가공의 경우와 같이, 가로 방향의 가공이 주(主)이고, 어떤 도전층의 가공 진행 방향의 투영 면적도 거의 같은 경우에는, 급전체의 형상은 적층면과 평행한 방향의 폭이 일정하게 하면 좋다.

이상, 이 실시예 1에 의하면, 도전층과 불량 도전층이 교대로 적층된 층형상 이방성 도전체와, 이 층형상 이방성 도전체의 적층 횡단 단면에 접속된 저항체와, 이 저항체에 접속된 급전체로부터 방전 가공용 전극이 구성되어 있는 것에 의해, 각각의 도전층의 두께는 얇지만, 공작물과의 대향면이 가늘고 길게 존재하고 있기때문에, 동일한 축전기로 간주할 수 있는 대향 면적을 넓게 할 수 있다. 이 때문에, 공작물과의 가공 간극에 형성되는 정전 용량은 서로 저항을 거쳐서 병렬 접속된 미소한 축전기의 집합체로 되고, 각각의 축전기는 그 정전 용량이 방전 가공을 하는 것에 충분한 정전 용량이고, 또한 병렬 방전의 발생이 충분히 가능한 거리에 근접하여 존재하고 있기 때문에, 동시 병행적으로 방전 가공을 확실하게 실행할 수 있어, 간단한 구조의 방전 가공용 전극을 이용하여 방전 가공 속도를 향상하는 것이 가능해진다.

또한, 층형상 이방성 도전체의 불량 도전층이 전기 저항체로 이루어지는 것에 의해, 전극을 저렴하게 제작할 수 있다.

또한, 층형상 이방성 도전체가 이방성 탄소재로 이루어지는 것에 의해, 전극을 용이하게 제작할 수 있다.

또한, 가공 진행 방향의 단위 전극 이동 거리 당 각 도전층마다의 가공 부피가 클수록, 도전층에 대향하는 급전체 폭의 총합을 크게 설정하는 것에 의해, 가공량이 많은 부분일수록 방전 주파수를 높게 할 수 있기 때문에, 전극의 이상 소모를 방지할 수 있다.

(실시예 2)

도 5는 본 발명의 실시예 2에 있어서의 방전 가공용 전극의 구조를 나타내는 사시도, 도 6은 도 5의 방전 가공용 전극을 구비한 방전 가공 장치의 개략 구성을 나타내는 구성도이다. 도 5, 도 6에 있어서, 도 1 내지 도 3과 동일 부호는 동일또는 상당 부분을 나타내므로, 그 설명을 생략한다. 도 5에 있어서, 층형상 이방성 도전체(11)와 저항체(12)와 급전체(13)와 유전체(21)와 접지체(22)로 전극(24)이 구성되어 있다. 유전체(21)는 층형상 이방성 도전체(11)의 적층 횡단 단면(11c)에 설치된 유전성을 갖는 부재로서, 예컨대 산화 티타늄이나 티타늄산 바륨의 박막 등으로 형성된다. 접지체(22)는 유전체(21)에 설치된 도전성을 갖는 부재로, 급전체(13)와 마찬가지로 압착이나 박막 형성 등으로 형성된다.

다음에, 동작에 대하여 설명한다. 실시예 2에 따른 방전 가공 장치와 실시예 1의 그것과는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 접지체(22)와 공작물(15)을 와이어 등으로 접속하고 있는 점이 다르다. 실시예 1에서는 가공액(18)을 거쳐서 대향하고 있는 각 도전층과 공작물(15) 사이에 형성되는 부유 용량에 따라서 가공했었지만, 실시예 2에서는 이것에 더하여 각 도전층과 접지체(22) 사이에 형성되는 정전 용량도 가공에 기여한다. 여기서, 각 도전층과 접지체(22) 사이에 존재하는 유전체(21)에는 여러 가지 재료가 사용 가능하고, 예컨대 상기 티타늄산 바륨 등의 고유전율 재료를 사용하면, 가공액을 거쳐서 대향하는 경우보다도 동일 면적에서 수천 배의 정전 용량을 용이하게 얻을 수 있다.

또한, 유전체(21)를 형성하는 적층 횡단 단면(11c)은 전극의 상면뿐만 아니라 측면에도 존재하기 때문에, 예컨대, 적층 횡단 단면(11c)의 표면에 미세한 슬릿을 다수 마련하는 것도 가능하고, 다수 마련한 미세한 슬릿의 표면 모두에 유전체(21)를 형성하는 등의 방법에 의해, 적층 횡단 단면(11c)과 접지체(22)의 대향 면적을 현저히 증대시키는 것도 가능하므로, 실시예 1보다도 현저하게 큰 정전용량을 얻을 수 있다.

따라서, 이 실시예 2에 따르면, 층형상 이방성 도전체(11)의 적층 횡단 단면(11c)에, 유전체(21)를 거쳐서 도전성의 접지체(22)를 마련하여, 접지체(22)를 공작물(15)과 접속하는 것에 의해, 실시예 1의 경우에 비하여, 전극(24)과 공작물의 가공 간극에 형성되는 정전 용량이 또한 커지기 때문에, 동시 병행적으로 방전 가공을 보다 확실하게 실행할 수 있어, 간단한 구조의 방전 가공용 전극을 이용하여 방전 가공 속도를 또한 향상시키는 것이 가능해진다.

또한, 실시예 1의 경우에는 전극(14)과 공작물(15)간의 거리가 변화되면 가공에 이용하는 정전 용량이 변동해 버리지만, 실시예 2의 경우에는 접지체(22)와 층형상 이방성 도전체(11)의 적층 횡단 단면(11c) 사이에 형성되는 정전 용량값은 가공 간극 길이의 영향을 받지 않기 때문에, 전극(24)과 공작물의 대향 면적에 좌우되지 않는 균일한 거칠기의 가공면을 실현할 수 있다.

또, 상기 실시예 2에 있어서는 유전체 및 접지체는 전극의 측면에 형성했지만, 이들의 위치는 적층면을 횡단하는 적층 횡단 단면 상(上)이면 어디라도 되고, 예컨대 전극의 상면에 형성하더라도 좋다. 또한, 급전체(13)의 형상에 대해서는, 도 4와 마찬가지로, 가공 진행 방향의 단위 전극 이동 거리 당 각 도전층마다의 가공 부피가 클수록, 도전층에 대향하는 급전체(13) 폭의 총합을 크게 설정하더라도 좋고, 실시예 1의 경우와 마찬가지의 작용 효과를 얻는다.

(실시예 3)

도 7은 본 발명의 실시예 3에 있어서의 방전 가공용 전극의 구조를 나타내는 사시도, 도 8은 도 7의 방전 가공용 전극을 구비한 방전 가공 장치의 개략 구성을 나타내는 구성도이다. 도 7, 도 8에 있어서, 도 1 내지 도 3과 동일 부호는 동일 또는 상당 부분을 나타내므로, 그 설명을 생략한다. 도 7에 있어서, 층형상 이방성 도전체(11)와 저항체(12)와 급전체(33)로 전극(34)이 구성되어 있다. 급전체(33)는 제 1 급전체(33a) 및 제 2 급전체(33b)로 이루어져, 층형상 이방성 도전체(11)의 적층면(11a)을 횡단하는 방향으로, 서로 떨어진 2개소에 저항체(12)에 접속되고, 도전성을 갖는 동(銅) 등으로 이루어져, 압착이나 박막 형성 등에 의해 저항체(12)로 형성된다.

실시예 3에 따른 방전 가공 장치와 실시예 1의 그것과는, 도 8에 도시하는 바와 같이, 제 1 급전체(33a) 및 제 2 급전체(33b)가, 급전선(35a),(35b)을 거쳐서 가공 전원(19)에 접속되고, 각 급전선(35a),(35b)에는 제어 장치(20)에 접속되어 있는 제 1 전류 검출기(36a) 및 제 2 전류 검출기(36b)가 마련되어 있는 점이 실시예 1과 다르다.

다음에, 동작에 대하여 설명한다. 병렬 방전이 발생하는 구조는 실시예 1과 동일하기 때문에, 그 설명을 생략한다.

일반적으로, 흑연 등 비교적 전기 저항이 높은 전극 재료를 이용한 경우, 복수의 급전점을 마련하여, 각각의 가공 전류를 계측하는 것으로 방전의 발생 위치를 특정할 수 있는 것은 기지이다.

층형상 이방성 도전체(11)는 적층면(11a)에 평행한 방향의 전기 저항은 낮지만, 적층면(11a)을 횡단하는 방향의 전기 저항은 현저하게 높다. 따라서, 충전 전류가 적층면(11a)을 횡단하는 방향으로 흐를 때는, 층형상 이방성 도전체(11)의 내 부가 아니라 저항체(12)의 내부를 흐른다.

따라서, 상기 흑연 전극의 경우와 마찬가지로, 제 1 및 제 2 전류 검출기(36a),(36b)를 이용하여 제 1 및 제 2 급전체(33a),(33b)를 흐르는 급전 전류를 각각 계측하는 것에 의해, 두개의 급전점간의 어떤 축전기에 충전하고 있는지를 검출할 수 있다. 이 때문에, 실시예 1에서 기술한 바와 같은 가공 전류가 일정하게 되도록 전극 위치를 제어하는 기지의 방법이나, 동일하게 실시예 1에서 기술한 바와 같은 급전체와 공작물의 전위차에 근거하여 전극 위치를 제어하는 기지의 방법에 더하여, 두개의 전류 검출기(36a),(36b)의 출력으로부터 특정한 축전기에 충전 전류가 집중되고 있다고 판단할 수 있는 경우에는, 단락이 발생하고 있다고 간주하여 전극과 공작물을 분리하는 제어를 가할 수 있어, 공작물(15) 가공면의 손상을 피하는 것이 가능해진다.

또, 상기 실시예에서는 급전체를 2개소 마련했지만, 3개소 이상에 급전체를 마련하여도 된다.

이상과 같이, 이 실시예 3에 의하면, 급전체가 적어도 2개의 급전체로 이루어지고, 각 급전체가 층형상 이방성 도전체의 적층면을 횡단하는 방향으로 서로 분리되어 저항체에 접속되고, 각 급전체에 흐르는 전류를 계측하는 전류 검출기를 구비하는 것에 의해, 특정한 축전기에 충전 전류가 집중하고 있는지 여부를 판별할수 있기 때문에, 공작물의 가공면 손상을 피할 수 있다.

(실시예 4)

도 9는 본 발명의 실시예 4에 있어서의 방전 가공용 전극의 구조를 나타내는 사시도, 도 10은 본 발명의 실시예 4에 있어서의 다른 방전 가공용 전극을 나타내는 사시도이다. 도 9, 도 10에 있어서, 도 1과 동일 부호는 동일 또는 상당 부분을 나타내므로, 그 설명을 생략한다. 도 9, 도 10에 있어서, 층형상 이방성 도전체(11)와 저항체(12)와 급전체(43)로 전극(44)이 구성되어 있다. 급전체(43)는 도전성을 갖는 동(銅) 등으로 이루어지고, 제 1 급전체(43a) 및 제 2 급전체(43b)로 이루어진다.

제 1 급전체(43a) 및 제 2 급전체(43b)는 적층면(11a)에 평행한 방향에 서로 떨어진 상태이고, 또한 층형상 이방성 도전체(11)의 각 도전층과 두개의 급전체 각각과의 대향 면적의 차이 또는 비가, 각 도전층마다 다른 상태로 설치되어 있다. 이것은, 예컨대, 도 9에 도시하는 바와 같이, 제 1 급전체(43a)를 적층면(11a)에 평행한 방향의 폭을 일정하게 하고, 제 2 급전체(43b)를 적층면(11a)에 평행한 방향의 폭을 서서히 증가시키도록 설치하면 실현할 수 있다.

실시예 4에 따른 방전 가공 장치는 도 8과 마찬가지로 구성되어 있다. 예컨대, 제 1 급전체(43a) 및 제 2 급전체(43b)가, 급전선(35a),(35b)을 거쳐서 가공 전원(19)에 접속되고, 각 급전선(35a),(35b)에는 제어 장치(20)에 접속되어 있는 제 1 전류 검출기(36a) 및 제 2 전류 검출기(36b)가 마련되어 있다.

다음에, 동작에 대하여 설명한다. 병렬 방전이 발생하는 구조는 실시예 1과 동일하기 때문에, 그 설명을 생략한다. 본 실시예의 경우에는, 제 1 및 제 2 급전체(43a),(43b)로부터 각 도전층으로는, 저항체(12)의 두께 방향으로 전류가 흐른다. 따라서, 각 도전층과 공작물(15) 사이에 형성되는 축전기에의 충전 저항은 각 도전층과 제 1 및 제 2 급전체(43a),(43b)와의 대향 면적에 반비례한다.

또한, 각 축전기에의 충전 전류는 충전 저항에 반비례하는 것이므로, 충전 전류는 상기 대향 면적에 비례하여 흐르게 된다. 이미 기술한 급전체의 설치 형태로부터 명백하듯이, 도전층과 제 1 및 제 2 급전체(43a),(43b)의 대향 면적 차이 또는 비(比)는, 도전층마다 다른 상태로 설치되어 있기 때문에, 제 1 및 제 2 급전체(43a),(43b)를 흐르는 충전 전류의 차이 또는 비(比)도, 도전층마다 다르다. 따라서, 제 1 및 제 2 급전체(43a),(43b)를 흐르는 충전 전류를 실시예 3과 마찬가지로 개별적으로 계측하는 것에 의해, 어떤 축전기에 충전하고 있는지를 검출할 수 있기 때문에, 특정한 축전기에 충전 전류가 집중되고 있는지 여부를 판별할 수 있기 때문에, 공작물 가공면의 손상을 피할 수 있다.

또, 본 실시예 4에서는, 각 도전층과 두 개의 급전체 각각의 대향 면적 차이 또는 비와 각 도전층의 위치 관계에 대해서는 특히 언급하지 않았지만, 대향 면적 차이 또는 비가 각 도전층의 위치에 대하여 단조롭게 증가 또는 감소하도록, 더욱 바람직하게는, 도 10에 도시하는 바와 같이, 일차 함수의 관계로 변화되도록 구성하면 전류 검출기의 출력으로부터 충전 위치를 특정하는 처리가 용이하게 되는 이점을 갖는다.

또한, 본 실시예 4에 있어서의 충전 저항은 각 도전층과 두개의 급전체(43a),(43b)의 대향 면적의 합으로 결정되기 때문에, 이 대향 면적의 합은 실시예 1에 있어서의 각 도전층과 급전체의 대향 면적에 상당한다. 따라서, 실시예 1과 마찬가지로, 단위 전극 이동 거리 당 각 도전층마다의 가공 부피가 클수록, 도전층에 대향하는 급전체 폭의 합이 큰 형상으로 하면, 가공량이 많은 부분일수록 방전 주파수를 높게 할 수 있기 때문에, 전극의 이상 소모를 방지할 수 있다.

또, 상기 실시예에서는 급전체를 2개소 마련했지만, 3개소 이상의 급전체를 마련하여, 필요에 따라서 그들 중 2개소를 이용하여도 된다.

이상과 같이, 본 실시예 4에 의하면, 급전체가 적어도 2개의 급전체로 이루어지고, 각 급전체가 층형상 이방성 도전체(11)의 적층면(11a)에 평행한 방향으로 서로 떨어진 상태이고, 또한 층형상 이방성 도전체(11)의 각 도전층과 각 급전체의 대향 면적 차이 또는 비가, 각 도전층마다 다른 상태로 저항체에 접속되어, 각 급전체에 흐르는 전류를 계측하는 전류 검출기를 구비함으로써, 특정한 축전기에 충전 전류가 집중되고 있는지 여부를 판별할 수 있기 때문에, 공작물의 가공면 손상을 피할 수 있다.

또한, 각 도전층과 각 급전체의 대향 면적 차이 또는 비가 각 도전층의 위치에 대하여 일차 함수의 관계로 변화되도록 구성했기 때문에, 전류 검출기의 출력으로부터 충전 위치를 특정하는 처리가 용이하게 된다.

본 발명은, 이상 설명한 바와 같이, 구성되어 있기 때문에 이하에 나타낸 바와 같은 효과를 갖는다.

피가공물과 가공 간극을 거쳐서 대향하는 방전 가공용 전극을 구비한 방전 가공 장치에 있어서, 도전층과 불량 도전층이 교대로 적층된 층형상 이방성 도전체와, 이 층형상 이방성 도전체의 적층 횡단 단면에 접속된 저항체와, 이 저항체에 접속된 급전체로부터 방전 가공용 전극이 구성되어 있는 것에 의해, 각각의 도전층 두께는 얇지만, 피가공물과의 대향면이 가늘고 길게 존재하고 있기 때문에, 동일한 축전기로 간주할 수 있는 대향 면적을 넓게 할 수 있다. 이 때문에, 피가공물과의 가공 간극에 형성되는 정전 용량은 서로 저항을 거쳐서 병렬 접속된 미소한 축전기의 집합체로 되고, 각각의 축전기는 그 정전 용량이 방전 가공을 하기에 충분한 정전 용량이고, 또한 병렬 방전의 발생이 충분히 가능한 거리에 근접하여 존재하고 있기 때문에, 동시 병행적으로 방전 가공을 확실하게 실행할 수 있어, 간단한 구조의 방전 가공용 전극을 이용하여 방전 가공 속도를 향상하는 것이 가능해진다.

또한, 층형상 이방성 도전체의 적층 횡단 단면에, 유전체를 거쳐서 도전성의 접지체를 마련하고, 접지체가 피가공물과 접속되는 것에 의해, 방전 가공용 전극과 피가공물과의 가공 간극에 형성되는 정전 용량이 더욱 커지기 때문에, 동시 병행적으로 방전 가공을 보다 확실하게 실행할 수 있어, 간단한 구조의 방전 가공용 전극을 이용하여 방전 가공 속도를 더욱 향상시키는 것이 가능해진다.

또한, 급전체가 적어도 2개의 급전체로 이루어지고, 각 급전체가 층형상 이방성 도전체의 적층면에 평행한 방향으로 서로 떨어진 상태이고, 또한 층형상 이방성 도전체의 각 도전층과 각 급전체의 대향 면적 차이 또는 비가, 각 도전층마다 다른 상태로 저항체에 접속되어, 각 급전체에 흐르는 전류를 계측하는 전류 검출 수단을 구비하는 것에 의해, 특정한 축전기에 충전 전류가 집중하고 있는지 여부를 판별할 수 있기 때문에, 피가공물의 가공면 손상을 피할 수 있다.

이상 본 발명자에 의해서 이루어진 발명을 상기 실시예에 따라 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것이 아니고, 그 요지를 이탈하지 않는 범위에서 여러 가지로 변경 가능한 것은 물론이다.

Claims (3)

1. 피가공물과 가공 간극을 거쳐서 대향하는 방전 가공용 전극을 구비한 방전 가공 장치에 있어서,

   상기 방전 가공용 전극이,

   도전층과 불량 도전층이 교대로 적층된 층형상 이방성 도전체와,

   상기 층형상 이방성 도전체의 적층 횡단 단면에 접속된 저항체와,

   상기 저항체에 접속된 급전체로 이루어진 것을 특징으로 하는

   방전 가공 장치.
2. 피가공물과 가공 간극을 거쳐서 대향하는 방전 가공용 전극을 구비한 방전 가공 장치에 있어서,

   상기 방전 가공용 전극이,

   도전층과 불량 도전층이 교대로 적층된 층형상 이방성 도전체와,

   상기 층형상 이방성 도전체의 적층 횡단 단면에 접속된 저항체와,

   상기 저항체에 접속된 급전체와,

   상기 층형상 이방성 도전체의 적층 횡단 단면에, 유전체를 거쳐서 도전성의 접지체를 구비하되,

   상기 접지체는 상기 피가공물과 접속되는 것을 특징으로 하는 방전 가공 장치.
3. 피가공물과 가공 간극을 거쳐서 대향하는 방전 가공용 전극을 구비한 방전 가공 장치에 있어서,

   상기 방전 가공용 전극이,

   도전층과 불량 도전층이 교대로 적층된 층형상 이방성 도전체와,

   상기 층형상 이방성 도전체의 적층 횡단 단면에 접속된 저항체와,

   상기 저항체에 접속된 급전체와,

   상기 각 급전체에 흐르는 전류를 계측하는 전류 검출 수단을 구비하되,

   상기 급전체가 적어도 2개의 급전체로 이루어지고, 상기 각 급전체가 층형상 이방성 도전체의 적층면에 평행한 방향으로 서로 떨어진 상태이고, 또한 상기 층형상 이방성 도전체의 각 도전층과 상기 각 급전체의 대향 면적 차이 또는 비가, 상기 각 도전층마다 다른 상태로 저항체에 접속되는 것을 특징으로 하는 방전 가공 장치.