KR100383736B1 - Sensor Interface for Resistance and Capacitance using CMOS Gates - Google Patents
Sensor Interface for Resistance and Capacitance using CMOS Gates Download PDFInfo
- Publication number
- KR100383736B1 KR100383736B1 KR10-2000-0075365A KR20000075365A KR100383736B1 KR 100383736 B1 KR100383736 B1 KR 100383736B1 KR 20000075365 A KR20000075365 A KR 20000075365A KR 100383736 B1 KR100383736 B1 KR 100383736B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- resistive
- sensor
- circuit
- period
- dummy
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
- G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
- G01D5/14—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
- G01D5/24—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage by varying capacitance
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/282—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
- G01R31/2829—Testing of circuits in sensor or actuator systems
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/353—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/354—Astable circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H2239/00—Miscellaneous
- H01H2239/05—Mode selector switch, e.g. shift, or indicator
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Indication And Recording Devices For Special Purposes And Tariff Metering Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 CMOS 게이트(gate)를 이용한 저항형 및 용량형 센서용 인터페이스의 회로에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 저항형 및 용량형 센서의 저항 또는 용량에 비례하는 주기를 갖는 발진기를 CMOS 게이트로 구성하여 그 주기를 마이크로프로세서를 통해 측정하여 저항값 또는 용량값을 얻어내는 구성을 갖는 센서용 인터페이스의 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a circuit of an interface for resistive and capacitive sensors using a CMOS gate. More specifically, an oscillator having a period proportional to the resistance or capacitance of a resistive and capacitive sensor is configured as a CMOS gate. It relates to a circuit of a sensor interface having a configuration in which the period is measured by a microprocessor to obtain a resistance value or a capacitance value.
본 발명의 CMOS 게이트를 이용한 저항형 및 용량형 센서용 인터페이스는 CMOS 게이트를 사용한 종래의 비안정 멀티바이브레이터(multivibrator)에 CMOS 스위치, 그리고 더미(dummy) 저항과 작은 더미 커패시터, 그리고 저항형 또는 용량형 센서를 각각 첨가시킨 회로 구성으로 되어 있으며, 더미 저항과 더미 커패시터에 의해 발생되는 주기를 먼저 마이크로프로세서를 사용하여 측정하고 그 다음 더미 커패시터와 더미 저항과 저항형 센서 변화의 합에 대한 주기를 측정하여 이들의 차를 가지고 저항형 센서의 저항값을 각각 계산하는 알고리즘과, 더미 저항과 더미 커패시터에 의해 발생되는 주기를 먼저 마이크로프로세서를 사용하여 측정하고 그 다음 더미 저항과 더미 커패시터와 용량형 센서 변화의 합에 대한 주기를 측정하여 이들의 차를 가지고 용량형 센서의 용량값을 계산하는 알고리즘을 각각 갖도록 회로가 구성된 것이 특징이다.In the resistive and capacitive sensor interface using the CMOS gate of the present invention, a CMOS switch, a dummy resistor and a small dummy capacitor, and a resistive or capacitive type are used in a conventional unstable multivibrator using a CMOS gate. Each circuit is composed of a sensor, and the period generated by the dummy resistor and the dummy capacitor is first measured using a microprocessor, and then the period of the sum of the dummy capacitor, the dummy resistor and the change in the resistive sensor is measured. Using these differences, the algorithm calculates the resistance value of the resistive sensor, and the period generated by the dummy resistor and the dummy capacitor are first measured by using a microprocessor, and then the dummy resistor and the dummy capacitor and the capacitive sensor change Measure the period for the sum and take the difference between them So as to have an algorithm for calculating the capacitance, respectively, it is characterized in that the circuit is configured.
본 발명의 CMOS 게이트 이용한 저항형 및 용량형 센서용 인터페이스는 일반적으로 브리지 회로, 차동 증폭기, 저역-통과 여파기, 그리고 아날로그-디지털 변환기로 구성되는 전형적인 센서용 인터페이스의 회로 구성과 다르게 CMOS 게이트 회로로 구성되어 있기 때문에 그 우수성은 (1) 회로 구성이 매우 간단, (2) 실용화 할 경우 초저가격으로 구현 가능, (3) 단 하나의 디지털 전원만 사용, (4) 디지털 잡음에 무관하게 센서의 신호 처리가 가능, (5) 간단한 스위치 조작으로 저항형 및 용량형 센서에 모두 사용 가능한 점이다. 따라서, 발명한 회로를 저항형 또는 용량형 센서용 계측 시스템에 적용할 경우 매우 고가인 종래의 센서용 계측 시스템을 대체할 수 있으므로 그 파급 효과가 매우 높다고 할 수 있다.The resistive and capacitive sensor interface using the CMOS gate of the present invention is generally composed of CMOS gate circuits, unlike the circuit configuration of a typical sensor interface composed of a bridge circuit, a differential amplifier, a low-pass filter, and an analog-to-digital converter. As a result, the superiority of the circuit can be achieved by (1) very simple circuit configuration, (2) very low cost if practical, (3) using only one digital power supply, and (4) processing the signal of the sensor regardless of digital noise. (5) Simple switch operation is available for both resistive and capacitive sensors. Therefore, when the invention circuit is applied to a measurement system for a resistive or capacitive sensor, it can be said that the ripple effect is very high since it can replace the conventional measurement system for a sensor which is very expensive.
Description
본 발명은 CMOS 게이트(gate)를 이용한 저항형 및 용량형 센서용 인터페이스의 회로에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 저항형 및 용량형 센서의 저항 또는 용량에 비례하는 주기를 갖는 발진기를 CMOS 게이트로 구성하여 그 주기를 마이크로프로세서를 통해 측정하여 저항값 또는 용량값을 얻어내는 구성을 갖는 센서용 인터페이스의 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a circuit of an interface for resistive and capacitive sensors using a CMOS gate. More specifically, an oscillator having a period proportional to the resistance or capacitance of a resistive and capacitive sensor is configured as a CMOS gate. It relates to a circuit of a sensor interface having a configuration in which the period is measured by a microprocessor to obtain a resistance value or a capacitance value.
종래의 대표적인 저항형 및 용량형 센서용 인터페이스 구성도는 도 1에 나타낸 바와 같이, 저항형 또는 용량형 인터페이스(저항 브리지 또는 용량 브리지) 회로, 차동 증폭기, 저역-통과 여파기, 아날로그-디지털 변환기, 그리고 마이크로프로세스로 구성되기 때문에 전제 구성이 매우 복잡하고 실용화 할 경우 제작 단가가 매우 높다는 문제점을 갖는다. 또한, 전체 구성이 아날로그 회로와 디지털 회로가 동시에 사용되고 있기 때문에 고정도의 센서 신호 처리를 위해서는 아날로그와 디지털 부분에 별도의 전원을 사용해야 하는 문제점이 있다.Conventional resistive and capacitive sensor interface diagrams are shown in FIG. 1 as shown in FIG. Because it is composed of micro-processes, the premise is very complicated and the production cost is very high when put into practical use. In addition, since the analog circuit and the digital circuit are used at the same time, there is a problem that a separate power source must be used for the analog and digital parts to process the sensor signal with high accuracy.
상기의 저항형 및 용량형 센서용 인터페이스 구성도는 매우 복잡하고 아날로그 회로와 디지털 회로가 같이 사용되고 있기 때문에 별도의 2 개 이상의 공급 전원을 사용하여야 하며, 이를 상용화 할 경우 제작 단가가 매우 높다는 문제점이 있다. 이러한 문제점을 해결하는 것이 본 발명이 이루고자하는 기술적인 과제이다.Since the interface configuration for the resistive and capacitive sensors is very complicated and analog circuits and digital circuits are used together, two or more separate power supplies must be used. . Solving this problem is a technical problem to be achieved by the present invention.
도 1은 종래의 대표적인 저항형 및 용량형 센서용 인터페이스 구성도.1 is a block diagram of a conventional representative resistive and capacitive sensors.
도 2는 본 발명에 사용된 CMOS 게이트를 이용한 저항형 및 용량형 센서용 인터페이스 회로도.2 is an interface circuit diagram for a resistive and capacitive sensor using a CMOS gate used in the present invention.
도 3은 본 발명에 사용된 저항형 센서용 인터페이스 회로도.3 is an interface circuit diagram for a resistive sensor used in the present invention.
도 4는 본 발명에 사용된 용량형 센서용 인터페이스 회로도.4 is an interface circuit diagram for a capacitive sensor used in the present invention.
CMOS 게이트를 이용하여 발명한 저항형 및 용량형 센서용 인터페이스 회로를 첨부된 도면에 의해 상세히 설명하면 다음과 같다.The resistive and capacitive sensor interface circuits invented using the CMOS gate will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명에 사용된 CMOS 게이트를 이용한 저항형 및 용량형 센서용 인터페이스 회로도이다. 회로도는 스위치S 1과S 2, CMOS 인버터(inverter)U 1과U 2, 더미 (dummy) 저항R D , 그리고 더미 커패시터C D (또는 저항형 센서R X 와 용량형 센서C X )로 구성되는 비안정 멀티바이브레이터와 이것의 출력을 증폭시키는 인버터U 3, 그리고 발진 주기를 측정하고 연산과 스위치를 제어하는 마이크로프로세서로 구성된다. 이 회로는 스위치S 2가 오프(off) 상태에서 스위치S 1의 온(on) 또는 off에 의해 저항형 센서용 인터페이스 회로로 동작하고,S 1이 on 상태에서S 2의 on 또는 off에 의해 용량형 센서용 인터페이스 회로로 각각 동작한다. 이하에 저항형 또는용량형 센서용 인터페이스 회로 구성 및 동작 원리에 대하여 상세히 설명한다.2 is an interface circuit diagram for a resistive and capacitive sensor using a CMOS gate used in the present invention. The schematic consists of switches S 1 and S 2 , CMOS inverters U 1 and U 2 , a dummy resistor R D , and a dummy capacitor C D (or a resistive sensor R X and a capacitive sensor C X ). It consists of an unstable multivibrator, an inverter U 3 that amplifies its output, and a microprocessor that measures oscillation periods and controls operations and switches. The circuit switch S 2 is the capacity by the on and off of the S 2 operating at off (off) state to a resistance-type sensor interface circuit by turning on (on) or off of the switches S 1 and, S 1 in the on state It operates as an interface circuit for a sensor. Hereinafter, the configuration and operation principle of the interface circuit for a resistive or capacitive sensor will be described in detail.
(1) 저항형 용량형 센서용 인터페이스(1) Interface for resistive capacitive sensors
도 3은 저항형 센서용 인터페이스 회로도이다. 이 회로도는 CMOS 인버터를 사용한 비안정 멀티바이브레이터로서, 도 2의 회로에서 스위치S 2를 off시킨 상태에 해당되는 회로이다. 마이크로프로세서에서 스위치S 1을 on시키면R D 와C D 에 의해 발진 주기T RD 가 결정되고 그 값은 다음 식으로 주어진다.3 is an interface circuit diagram for a resistive sensor. This circuit diagram is an unstable multivibrator using a CMOS inverter, which corresponds to a state in which the switch S 2 is turned off in the circuit of FIG. 2 . When the switch S 1 is turned on in the microprocessor, the oscillation period T RD is determined by R D and C D , and the value is given by the following equation.
여기서,Ⅴ th 는 CMOS 인버터의 문턱 전압이다. 비안정 멀티바이브레이터가 수백nsec의 주기T RD 로 발진하도록 더미 저항R D 와 더미 커패시터C D 의 값을 설정하고 마이크로프로세서를 사용하여T RD 를 측정 및 그 값을 저장한다. 그 다음,S 1을 off시키면 (R D ＋R X )와C D 에 의해 발진 주기T RX 가 결정되며 그 값은 다음 식으로 주어진다.here,Ⅴ th Is the threshold voltage of the CMOS inverter. Hundreds of Unstable MultivibratorsnsecCycle ofT RD in Dummy resistance to oscillateR D And dummy capacitorC D Set the value of and use a microprocessorT RD Measure it and store its value. next,S OneOffR D +R X )WowC D Rash cycle byT RX Is determined and its value is given by
여기서, RX는 저항형 센서의 저항 값이다. 마이크로프로세서를 사용하여 TRX를 측정하고 (TRX- TRD)=TR의 값을 구하는 연산을 행하면 저항형 센서의 저항값 변화에 대한 주기 TR= RX·CD를 구할 수 있다. 이 값으로부터 도 2와 3에 나타낸 인터페이스 회로는 저항형 센서의 저항값 변화에 따라 그 주기가 비례한다는 것과 항상 디지털 논리(logic) 신호의 주기를 측정하기 때문에 디지털 잡음에 무관하게 저항형 센서의 저항 값을 정확하게 측정할 수 있다는 것을 알 수 있다.Here, R X is a resistance value of the resistive sensor. By measuring T RX using a microprocessor and calculating the value of (T RX -T RD ) = T R , the period T R = R X · C D for the resistance value change of the resistive sensor can be obtained. From this value, the interface circuits shown in Figs. 2 and 3 measure the period of the digital logic signal as the period is proportional to the change of the resistance value of the resistive sensor, and the resistance of the resistive sensor is independent of digital noise because it is always measured. It can be seen that the value can be measured accurately.
(2) 용량형 센서용 인터페이스(2) Interface for capacitive sensors
도 4는 용량형 센서용 인터페이스 회로도이다. 이 회로도는 CMOS 인버터를 사용한 비안정 멀티바이브레이터로서 도 2의 회로에서 스위치S 1을 on시킨 상태에 해당되는 회로도이다.S 2가 off된 상태에서는R D 와C D 에 의해 발진 주기T CD 가 식 (1)과 같이 결정되고S 2가 on될 경우에는R D 와 (C D ＋C X )에 의해 발진 주기T CX 가 결정되며 그 값은 다음 식으로 주어진다.4 is an interface circuit diagram for a capacitive sensor. This circuit diagram is a circuit diagram corresponding to a state where the switch S 1 is turned on in the circuit of FIG. 2 as an unstable multivibrator using a CMOS inverter. When S 2 is off, the oscillation period T CD is determined by R D and C D as shown in Eq. (1), and when S 2 is on, the oscillation period T CX by R D and ( C D + C X ) Is determined and its value is given by
여기서, CX는 용량형 센서의 용량 값이다. TR을 측정하는 방법과 마찬가지로, 마이크로프로세서를 사용하여 TCD와 TCX를 각각 측정하고 (TCX- TCD) =TC의 값을 구하는 연산을 행하면 용량형 센서의 용량값 변화에 대한 주기 TC= CX·RD가 된다. 이 값으로부터 도 2와 4에 나타낸 인터페이스 회로는 용량형 센서의 용량값 변화에 따라 그 주기가 비례한다는 것과 항상 디지털 논리 신호의 주기를 측정하기 때문에 디지털 잡음에 무관하게 용량형 센서의 용량값을 정확하게 측정할 수 있다는 것을 알 수 있다.Where C X is the capacitance value of the capacitive sensor. As with the method of measuring T R , the operation of measuring T CD and T CX using a microprocessor and calculating the value of (T CX -T CD ) = T C is a period for changing the capacitance of the capacitive sensor. T C = C X R D. From this value, the interface circuits shown in Figs. 2 and 4 measure the period of the digital logic signal at a constant proportional to the change of the capacitive value of the capacitive sensor, and therefore accurately measure the capacitive value of the capacitive sensor regardless of digital noise. It can be seen that it can be measured.
도 2에 나타낸 발명한 센서용 인터페이스 회로는 단일 전원을 사용하고 회로 구성이 CMOS 인버터, 2 개의 스위치, 더미 저항기, 그리고 더미 커패시터로 구성되어 있기 때문에 실용화할 경우 제작 단가가 매우 저렴할 뿐만 아니라, 항상 디지털 논리 신호의 주기를 측정하기 때문에 디지털 잡음에 무관하게 저항값과 용량값 각각 측정할 수 있는 장점을 갖는다.Invented sensor interface circuit shown in Fig. 2 uses a single power supply and the circuit configuration is composed of a CMOS inverter, two switches, a dummy resistor, and a dummy capacitor, so that the manufacturing cost is not only very low, but also always digital. Since the period of the logic signal is measured, the resistance and capacitance values can be measured independently of digital noise.
본 발명의 CMOS 게이트 이용한 저항형 및 용량형 센서용 인터페이스는, 일반적으로 브리지 회로, 차동 증폭기, 저역-통과 여파기, 그리고 아날로그-디지털 변환기로 구성되는 종래의 대표적인 센서용 인터페이스의 회로 구성과 다르게 CMOS 게이트 회로로 구성되어 있다. 따라서, 본 발명의 센서용 인터페이스의 우수성은 회로 구성이 매우 간단, 초저가격으로 구현 가능, 아날로그 신호 처리에 다른 별도의 전원 회로가 불필요, 그리고 저항형 및 용량형 센서에 모두 사용 가능한 점이기 때문에 종래의 대표적인 센서용 인터페이스 회로(또는 시스템)를 대체할 수 있으므로 그 파급 효과가 매우 높다고 할 수 있다.The resistive and capacitive sensor interface using the CMOS gate of the present invention is different from the circuit configuration of the conventional typical sensor interface composed of a bridge circuit, a differential amplifier, a low-pass filter, and an analog-to-digital converter. It consists of a circuit. Therefore, the superiority of the interface for the sensor of the present invention is very simple circuit configuration, can be implemented at a very low price, no separate power supply circuit for analog signal processing, and can be used for both resistive and capacitive sensors. It can be said that the ripple effect is very high because it can replace the typical interface circuit (or system) for the sensor.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0075365A KR100383736B1 (en) | 2000-12-11 | 2000-12-11 | Sensor Interface for Resistance and Capacitance using CMOS Gates |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0075365A KR100383736B1 (en) | 2000-12-11 | 2000-12-11 | Sensor Interface for Resistance and Capacitance using CMOS Gates |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010016447A KR20010016447A (en) | 2001-03-05 |
| KR100383736B1 true KR100383736B1 (en) | 2003-05-14 |
Family
ID=19702954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0075365A KR100383736B1 (en) | 2000-12-11 | 2000-12-11 | Sensor Interface for Resistance and Capacitance using CMOS Gates |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100383736B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102692294A (en) * | 2012-05-29 | 2012-09-26 | 上海丽恒光微电子科技有限公司 | Composite pressure transducer and formation method thereof |
-
2000
- 2000-12-11 KR KR10-2000-0075365A patent/KR100383736B1/en not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Sauders College Publishing, Adel S. Sedra/Kenneth C. Smith, ''Microelectronic Circuit'', 3rd ed., 1990,(p954-955) * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102692294A (en) * | 2012-05-29 | 2012-09-26 | 上海丽恒光微电子科技有限公司 | Composite pressure transducer and formation method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010016447A (en) | 2001-03-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Tan et al. | An energy-efficient 15-bit capacitive-sensor interface based on period modulation | |
| US8358142B2 (en) | Methods and circuits for measuring mutual and self capacitance | |
| TWI651930B (en) | Capacitive proximity detection using delta-sigma conversion | |
| KR20070114063A (en) | Proximity sensor and proximity sensing method | |
| US4143549A (en) | Temperature measuring system | |
| JPH08247783A (en) | Transducer | |
| KR100383736B1 (en) | Sensor Interface for Resistance and Capacitance using CMOS Gates | |
| CN107817060B (en) | Temperature digital converter | |
| US5621399A (en) | Circuit for a transducer | |
| Li et al. | Elimination of shunting conductance effects in a low-cost capacitive-sensor interface | |
| JPS5833490B2 (en) | temperature measuring device | |
| JP2913395B2 (en) | Capacitive sensor | |
| JP2003254992A (en) | Physical quantity detecting circuit | |
| JP2556367B2 (en) | Electronic thermo-hygrometer | |
| JPH0522163B2 (en) | ||
| FI69932C (en) | MAINTENANCE FOUNDATION CAPACITORS SPECIFIC FOR SMAR CAPACITORS VID VILKER MAN ANVAENDER TVAO REFERENSER | |
| CN104422536A (en) | High precision temperature sensor adopting chopper technique | |
| JP3048745B2 (en) | Analog input device | |
| JPS5868615A (en) | Output circuit of magnetic type rotary encoder | |
| JPH09243397A (en) | Instrumental quantity error detecting device | |
| JP3328462B2 (en) | Humidity detection circuit | |
| KR910001846B1 (en) | Checking machine of velocity of motor | |
| JPH0583135A (en) | Double integral type a/d converter | |
| JP3915030B2 (en) | Capacitance sensor drive circuit | |
| RU2255341C1 (en) | Device for measuring accelerations |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20100429 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |