KR100380942B1 - 벌크 웨이브 이용한 표면탄성파 필터 - Google Patents

벌크 웨이브 이용한 표면탄성파 필터 Download PDF

Info

Publication number
KR100380942B1
KR100380942B1 KR10-2001-0007537A KR20010007537A KR100380942B1 KR 100380942 B1 KR100380942 B1 KR 100380942B1 KR 20010007537 A KR20010007537 A KR 20010007537A KR 100380942 B1 KR100380942 B1 KR 100380942B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
surface acoustic
idt
acoustic wave
piezoelectric substrate
input
Prior art date
Application number
KR10-2001-0007537A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020067139A (ko
Inventor
이승기
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR10-2001-0007537A priority Critical patent/KR100380942B1/ko
Publication of KR20020067139A publication Critical patent/KR20020067139A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100380942B1 publication Critical patent/KR100380942B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02637Details concerning reflective or coupling arrays
    • H03H9/02779Continuous surface reflective arrays
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • H03H9/1064Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1092Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/30Time-delay networks
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6489Compensation of undesirable effects
    • H03H9/6496Reducing ripple in transfer characteristic

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 벌크 웨이브 이용한 표면탄성파 필터는 압전체 물질로서 표면탄성파를 발생시킬 수 있는 압전체 기판과, 상기 압전체 기판의 상면에 빗살모양로 형성되어 입력신호를 표면탄성파로 변환하는 입력 IDT와, 상기 압전체 기판의 상면에 빗살모양으로 형성되어 상기 입력 IDT로부터 전송된 표면탄성파를 전기신호로 변환하는 출력 IDT와, 상기 입력 및 출력 IDT 사이에 형성되는 IDT로 이루어져 상기 표면탄성파가 전송되도록 하는 제 1 전송부와, 상기 제 1 전송부와 동일한 중심주파수를 가지도록 상기 압전체 기판의 배면에 상기 제 1 전송부와 동일한 위치 및 패턴으로 형성되는 IDT로 이루어지는 제 2 전송부로 구성되어 주파수를 배가시켜 필터의 특성을 향상시킬 수 있다.

Description

벌크 웨이브 이용한 표면탄성파 필터{A SAW filter using bulk wave}
본 발명은 벌크 웨이브 이용한 표면탄성파 필터에 관한 것으로서, 특히 표면탄성파 필터의 배면에 상면에 형성된 IDT와 동일하게 IDT를 배열함으로써 주파수를 배가시켜 필터의 특성을 향상시키는 벌크 웨이브 이용한 표면탄성파 필터에 관한 것이다.
일반적으로 표면탄성파 소자는 표면탄성파를 발생시키는 하나의 인터디지털 트랜스듀서(Interdigital Transducer, 이하 IDT라고 함)와 상기 표면탄성파를 전송받는 다른 IDT로 구성된다. 상기 표면탄성파를 전파하는 공간인 기판은 통상 1㎜ 두께의 압전 크리스탈로 되어 있다.
입력 IDT에 인가된 전기적 신호는 상응하는 표면파로 변환되고 출력 IDT에서 상기 입력 IDT의 간격과 표면파의 속도에 의해서 결정되는 전압으로 출력된다.
IDT에 유효한 주파수 밴드에서 입력 신호가 제한되면 표면탄성파는 분산되지 않기 때문에 입력신호의 왜곡은 거의 없고, 통상적으로 입력에서 출력까지 걸리는 시간은 1∼50㎲ 정도이다.
상기 표면탄성파 필터는 반도체 디바이스 또는 기능을 보호하는 세라믹스 용기로, 유해한 환경으로부터 내부 회로를 보호하고, 내부에서 발생된 열을 방열하여 외부에 접속하는 수단을 제공하는 패키지(package) 형태로 형성되어 있다.
이렇게 형성된 표면탄성파 필터 패키지는 표면실장 생산기술(Surface Mounted Technology, 이하 SMT라고 함)로 형성되어 CDMA 방식의 셀룰러 전화나 무선 랜(LAN), 영상기기 등 넓은 대역전송을 필요로 하는 기기에 적절하게 사용된다.
그러나, 종래의 표면탄성파 필터는 패키지의 사이즈로는 최대의 효과 특성을 구현하기는 어렵다는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서,그 목적은 표면탄성파 필터의 배면에 상면에 형성된 IDT와 동일하게 IDT를 배열함으로써 주파수를 배가시켜 필터의 특성을 향상시키는 벌크 웨이브 이용한 표면탄성파 필터를 제공하는데 있다.
도 1은 본 발명에 의한 벌크 웨이브 이용한 표면탄성파 필터를 도시한 사시도
<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>
10 : 압전체 기판 10a : 상면
10b : 배면 11a : 입력 IDT
11b : 출력 IDT 12a : 제 1 전송로
12b : 제 2 전송로
상기한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 의한 벌크 웨이브 이용한 표면탄성파 필터의 특징에 따르면, 압전체 물질로서 표면탄성파를 발생시킬 수 있는 압전체 기판과, 상기 압전체 기판의 상면에 빗살모양로 형성되어 입력신호를 표면탄성파로 변환하는 입력 IDT와, 상기 압전체 기판의 상면에 빗살모양으로 형성되어 상기 입력 IDT로부터 전송된 표면탄성파를 전기신호로 변환하는 출력 IDT와, 상기 입력 및 출력 IDT 사이에 형성되는 IDT로 이루어져 상기 표면탄성파가 전송되도록 하는 제 1 전송부와, 상기 제 1 전송부와 동일한 중심주파수를 가지도록 상기 압전체 기판의 배면에 상기 제 1 전송부와 동일한 위치 및 패턴으로 형성되는 IDT로 이루어지는 제 2 전송부로 구성된다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 의한 표면탄성파 필터를 도시한 사시도로서, 압전체 물질로서 표면탄성파를 발생시킬 수 있는 압전체 기판(10)과, 상기 압전체 기판(10)의 상면(10a)에 서로 맞물리는 빗살 모양을 하고 전기신호와 표면탄성파를 서로 변환하는 IDT(Interdigital Transducer, 이하 IDT라고 함)부(11a, 11b)와, 상기 IDT부(11a, 11b)의 사이에 위치하여 신호 전송을 하는 전송부(12a, 12b)로 구성된다.
상기 IDT부는 상기 압전체 기판(10)의 상면(10a)에 빗살모양로 형성되어 입력신호를 표면탄성파로 변환하는 입력 IDT(11a)와, 상기 압전체 기판(10)의 상면(10a)에 빗살모양으로 형성되어 상기 입력 IDT(11a)로부터 전송된 표면탄성파를 전기신호로 변환하는 출력 IDT(11b)로 구성된다.
또한, 상기 전송부(12a, 12b)는 상기 입력 IDT(11a)와 출력 IDT(11b)간 상면(10a)에 위치하여 신호를 전송할 수 있도록 IDT로 이루어지는 제 1 전송부(12a)와, 상기 압전체 기판(10)의 배면(10b)에 제 1 전송부(12a)와 동일한 위치 및 동일한 패턴으로 형성되는 IDT로 이루어져 상기 벌크 웨이브를 전송배가하는 제 2 전송부(12b)로 구성된다.
상기 제 2 전송부(12b)는 상기 압전체 기판(10)의 상면(10a)에 형성된 제 1 전송부(12a)와 동일한 위치에 동일한 패턴으로 형성되는데, 이는 상면(10a)에서 발생되는 표면탄성파의 중심주파수와 동일한 중심주파수를 맞추어 원하는 신호를 출력할 수 있다.
상기 제 2 전송부(12a)의 주파수 조정은 상기 압전체 기판(10)의 배면(10b)에 형성 시 박막의 두께를 조정함으로써 가능하다.
상기 수학식은 압전체 기판(10)에서 발생되는 표면탄성파의 주파수를 계산하는 식으로, VSAW는 인가전압, λ는 제 1 전송로의 박막길이를 나타낸다.
상기 수학식은 압전체 기판(10)의 배면(10b)에서의 표면탄성파 중심주파수를 계산하는 식으로, VBAW는 인가전압, T는 제 2 전송로의 박막두께를 나타낸다.
즉, 상기 압전체 기판(10)의 배면(10b)에 제 2 전송로(12b)를 형성할 때, 상기 수학식 1로 중심주파수를 계산한 후 상기 수학식 2의 중심주파수와 인가전압을 대입함으로써 박막두께를 계산하여 이를 형성할 수 있다.
이와 같이, 표면탄성파 필터의 상면(10a)에 형성된 IDT(12a)와 동일하게 배면(10b)에도 형성함으로써 상면(10a)의 중심주파수와 동일한 중심주파수를 맞추어 원하는 신호를 출력함으로써 일정한 크기의 패키지 내에서 필터의 특성을 향상할 수 있다.
상기와 같이 구성되는 본 발명의 벌크 웨이브 이용한 표면탄성파 필터는 표면탄성파 필터의 배면에 상면에 형성된 IDT와 동일하게 IDT를 배열함으로써 주파수를 배가시켜 필터의 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 압전체 물질로서 표면탄성파를 발생시킬 수 있는 압전체 기판과, 상기 압전체 기판의 상면에 빗살모양로 형성되어 입력신호를 표면탄성파로 변환하는 입력 IDT와, 상기 압전체 기판의 상면에 빗살모양으로 형성되어 상기 입력 IDT로부터 전송된 표면탄성파를 전기신호로 변환하는 출력 IDT와, 상기 입력 및 출력 IDT 사이에 형성되는 IDT로 이루어져 상기 표면탄성파가 전송되도록 하는 제 1 전송부와, 상기 제 1 전송부와 동일한 중심주파수를 가지도록 상기 압전체 기판의 배면에 상기 제 1 전송부와 동일한 위치 및 패턴으로 형성되는 IDT로 이루어지는 제 2 전송부로 구성되는 것을 특징으로 하는 벌크 웨이브 이용한 표면탄성파 필터.
KR10-2001-0007537A 2001-02-15 2001-02-15 벌크 웨이브 이용한 표면탄성파 필터 KR100380942B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0007537A KR100380942B1 (ko) 2001-02-15 2001-02-15 벌크 웨이브 이용한 표면탄성파 필터

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0007537A KR100380942B1 (ko) 2001-02-15 2001-02-15 벌크 웨이브 이용한 표면탄성파 필터

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020067139A KR20020067139A (ko) 2002-08-22
KR100380942B1 true KR100380942B1 (ko) 2003-04-18

Family

ID=27694471

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-0007537A KR100380942B1 (ko) 2001-02-15 2001-02-15 벌크 웨이브 이용한 표면탄성파 필터

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100380942B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS601914A (ja) * 1983-06-17 1985-01-08 Hitachi Ltd 弾性表面波装置
JPH0494207A (ja) * 1990-08-09 1992-03-26 Kinseki Ltd Saw共振器フィルタ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS601914A (ja) * 1983-06-17 1985-01-08 Hitachi Ltd 弾性表面波装置
JPH0494207A (ja) * 1990-08-09 1992-03-26 Kinseki Ltd Saw共振器フィルタ

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020067139A (ko) 2002-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6856825B2 (ja) 弾性波装置、分波器および通信装置
US7659653B2 (en) Acoustic wave device and filter
US20100194496A1 (en) Elastic wave resonator, elastic wave filter, and antenna sharing device using the same
US20240030891A1 (en) Elastic wave element and communication device
CN113056873A (zh) 弹性波装置、分波器以及通信装置
US11424768B2 (en) Radio frequency module and communication device
WO2021085609A1 (ja) 弾性波フィルタ
KR100380942B1 (ko) 벌크 웨이브 이용한 표면탄성파 필터
KR100431767B1 (ko) 슬릿탄성파를 이용한 압력 센서
US6906602B2 (en) Surface acoustic wave filter utilizing two parallel acoustic channels with one having a narrower bandwidth
JPWO2020044979A1 (ja) フィルタ装置およびマルチプレクサ
JP3315913B2 (ja) 弾性表面波フィルタ
JP2020191535A (ja) 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ
JP2003101381A (ja) 弾性表面波装置
EP1030446B1 (en) Edge reflection type longitudinally coupled saw resonator filter
KR20030034635A (ko) 이중대역형 표면탄성파 필터와 그 제조방법
KR20050017980A (ko) 필터
KR100373189B1 (ko) 표면탄성파 필터 패키지
KR100373188B1 (ko) 표면 탄성파 필터의 내부파 방지장치
CN114365417A (zh) 弹性波装置及通信装置
KR100373190B1 (ko) 3중 트랜싯 에코의 감소 구조를 가진 표면탄성파 필터
KR101151788B1 (ko) 전파 감쇄 특성을 이용한 주파수 선별 장치
KR20030070384A (ko) 표면탄성파 필터
KR100402380B1 (ko) 표면탄성파 필터
KR20010092584A (ko) 표면탄성파 필터의 내부파 차단장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080402

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee