KR100373548B1 - rotary-type wafer treatment apparatus - Google Patents
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Abstract
웨이퍼 세정 설비에 포함되는 회전식 웨이퍼 처리 장치가 개시되어 있다. 지지체는 진공 흡착에 의해 표면에 웨이퍼가 지지된다. 회전 구동부는 상기 지지체의 하부 중앙에 연결되고, 내부에는 제1 진공 라인을 구비하고, 끝단에는 상기 지지체를 회전시키기 위한 회전수단과 연결된다. 진공 탱크는 상기 회전 구동부 둘레의 상기 지지체 하부에 부착되고, 상기 제1 진공 라인과 연결된 제2 진공 라인을 통하여 진공을 저장한다. 제3 진공 라인은 상기 진공 탱크와 연결되고, 상기 지지체의 내부로부터 표면으로 설치된다. 따라서 지지체와 웨이퍼 사이의 진공 흡착력을 일정하게 하고 리크 발생을 억제한다.A rotating wafer processing apparatus included in a wafer cleaning facility is disclosed. The support is supported on the surface of the wafer by vacuum suction. The rotary drive unit is connected to the lower center of the support, has a first vacuum line therein, and is connected to a rotating means for rotating the support at the end. A vacuum tank is attached to the lower portion of the support around the rotational drive and stores the vacuum through a second vacuum line connected to the first vacuum line. A third vacuum line is connected with the vacuum tank and is installed from the inside of the support to the surface. Therefore, the vacuum adsorption force between the support and the wafer is made constant and leakage is suppressed.
Description
본 발명은 회전식 웨이퍼 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼를 세정하기 위한 설비에 포함되는 회전식 웨이퍼 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a rotary wafer processing apparatus, and more particularly, to a rotary wafer processing apparatus included in a facility for cleaning a wafer.
일반적으로, 웨이퍼는 반도체 소자의 제조 과정 중에 또는 제조 과정 후에 다양한 오염 물질로 인하여 웨이퍼 세정 설비를 이용하여 세정할 필요가 있다. 상기 웨이퍼 세정 설비는 다양한 형태가 있고, 상기 세정 설비 중에는 회전하는 웨이퍼를 브러슁(brushing)하여 웨이퍼 상의 불순물을 물리적 및/또는 화학적으로 제거하는 스핀 스크러버(spin scrubber)라는 웨이퍼 세정 설비가 있다.In general, wafers need to be cleaned using a wafer cleaning facility due to various contaminants during or after the fabrication of semiconductor devices. The wafer cleaning equipment has various forms, and among the cleaning equipment, there is a wafer cleaning equipment called a spin scrubber that brushes a rotating wafer to physically and / or chemically remove impurities on the wafer.
상기 스핀 스크러버라는 웨이퍼 세정 설비는 웨이퍼를 지지하고 회전할 수 있는 회전식 웨이퍼 처리 장치를 포함한다. 상기 회전식 웨이퍼 처리 장치는 웨이퍼를 진공 흡착하여 회전하기 위한 지지체와, 상기 지지체에 진공력을 제공하기 위한 진공 라인으로 구성되어 있다. 물론, 상기 진공 라인에는 외부에서 진공력을 제공하는 진공 발생기가 연결되어 있다.The wafer cleaning equipment, called spin scrubber, includes a rotary wafer processing apparatus capable of supporting and rotating a wafer. The rotary wafer processing apparatus is composed of a support for vacuum suction and rotation of the wafer, and a vacuum line for providing a vacuum force to the support. Of course, the vacuum line is connected to a vacuum generator for providing a vacuum force from the outside.
그런데, 상기 종래의 회전식 웨이퍼 처리 장치는 지지체와 웨이퍼 사이의 진공 흡착력이 일정하지 않아 회전시에 웨이퍼가 지지체로부터 이탈되는 문제점이 있다.However, the conventional rotary wafer processing apparatus has a problem in that the vacuum suction force between the support and the wafer is not constant and the wafer is separated from the support during rotation.
그리고, 상기 종래의 회전식 웨이퍼 처리 장치는 웨이퍼의 진공 흡착시에 지지체와 웨이퍼와의 접촉면에서 리크가 발생하여 이또한 지지체로부터 웨이퍼가 이탈되게 한다.In the conventional rotary wafer processing apparatus, leakage occurs at the contact surface between the support and the wafer during vacuum adsorption of the wafer, which also causes the wafer to detach from the support.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 웨이퍼를 지지하고 회전하는 지지체와 웨이퍼 사이의 진공 흡착력을 일정하게 하고 리크 발생을 억제하여 지지체로부터 웨이퍼의 이탈 현상을 방지할 수 있는 회전식 웨이퍼 처리 장치를 제공하는 데 있다.Accordingly, the technical problem to be achieved by the present invention is to provide a rotary wafer processing apparatus capable of preventing the phenomenon of wafer detachment from the support by maintaining a constant vacuum suction force between the support and the wafer that supports and rotates the wafer and suppresses leakage. There is.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 회전식 웨이퍼 처리 장치를 설명하기 위한 평면도이다.1 is a plan view illustrating a rotary wafer processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 2는 도 1의 회전식 웨이퍼 처리 장치의 정면도이다.FIG. 2 is a front view of the rotary wafer processing apparatus of FIG. 1.
도 3은 본 발명에 의한 회전식 웨이퍼 처리 장치의 돌출부를 설명하기 위한 평면도이다.3 is a plan view for explaining a protrusion of the rotary wafer processing apparatus according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
101 : 회전식 웨이퍼 처리 장치 103 : 지지체101: rotary wafer processing apparatus 103: support
105, 109, 117 : 진공 라인 107 : 회전 구동부105, 109, 117: vacuum line 107: rotation drive
111 : 진공 탱크 113 : 덮게111: vacuum tank 113: cover
115 : 리크 발생 방지 장치 119 : 밀봉 장치115: leak occurrence prevention device 119: sealing device
121 : 돌출부 123 : 진공부121: protrusion 123: vacuum portion
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 회전식 웨이퍼 처리 장치는 표면에 웨이퍼가 지지되고, 진공 흡착되는 지지체와, 상기 지지체의 하부 중앙에 연결되고, 상기 지지체를 회전시키기 위한 회전수단과 연결되는 회전 구동부와, 상기 회전 구동부의 내부에 구비되며, 진공을 제공하기 위한 제1진공 라인과, 상기 회전 구동부의 주연 부위에서 상기 지지체의 하부에 부착되고, 상기 제1진공 라인을 통해 제공된 진공을 저장하기 위한 진공 탱크와, 상기 진공 탱크가 내장되고, 상기 진공 탱크의 하부에서 상기 진공 탱크를 밀봉하기 위한 진공 탱크 덮개와, 상기 제1진공 라인과 상기 진공 탱크를 연결하기 위한 제2진공 라인과, 상기 지지체의 표면으로부터 상기 지지체의 내부를 통해 상기 진공 탱크로 연결되며, 상기 웨이퍼의 진공 흡착을 위한 제3진공 라인을 포함하여 이루어진다.In order to achieve the above technical problem, the rotary wafer processing apparatus of the present invention is supported on the surface, the wafer is vacuum-sorption support, connected to the lower center of the support, the rotation means for rotating the support A first vacuum line provided inside the rotary drive unit for providing a vacuum, and attached to a lower portion of the support at a peripheral portion of the rotary drive unit, and storing a vacuum provided through the first vacuum line A vacuum tank, a vacuum tank cover for sealing the vacuum tank under the vacuum tank, a second vacuum line for connecting the first vacuum line and the vacuum tank, It is connected to the vacuum tank through the inside of the support from the surface of the support, for vacuum adsorption of the wafer And a third vacuum line.
상기 제3 진공 라인은 복수개로 구성하는 것이 바람직하며, 상기 지지체의 바깥 원주부 둘레면에 상기 제3 진공 라인을 밀봉시키는 밀봉 장치를 더 구비할 수 있다. 상기 지지체의 표면에서 웨이퍼와 접촉되는 진공 흡착 부위에 복수개 및 복수 형상의 돌출부를 더 구비할 수 있다. 상기 제3 진공 라인은 상기 지지체에 복수개 형성되어 있을 수 있다. 상기 진공 탱크의 하부에 상기 진공 탱크를 밀봉하기 위한 진공 탱크 덮개를 더 구비할 수 있다. 상기 진공 탱크와 진공 탱크 덮개 사이에 리크 발생을 방지하기 위한 리크 발생 방지 장치를 더 구비할 수 있다.Preferably, the third vacuum line is configured in plural, and may further include a sealing device for sealing the third vacuum line on the outer circumferential surface of the support. A plurality of protrusions and a plurality of shapes may be further provided at a vacuum adsorption site in contact with the wafer on the surface of the support. A plurality of third vacuum lines may be formed on the support. A lower portion of the vacuum tank may further include a vacuum tank cover for sealing the vacuum tank. A leak generation preventing device may be further provided between the vacuum tank and the vacuum tank cover to prevent the occurrence of the leak.
상술한 본 발명의 회전식 웨이퍼 처리 장치는 웨이퍼를 진공 흡착하여 회전하는 지지체 내에 복수개의 제3 진공 라인을 설치하고 제3 진공 라인과 연결된 진공 탱크에 의해 지속적으로 안정된 진공력을 공급하여 회전시 웨이퍼가 이탈되거나진공 흡착시에 지지체와 웨이퍼와의 리크를 최소화할 수 있다.In the rotary wafer processing apparatus of the present invention described above, a plurality of third vacuum lines are installed in a support that rotates by vacuum suction of the wafer, and the wafer is continuously rotated by supplying a stable vacuum force by a vacuum tank connected to the third vacuum line. It is possible to minimize the leakage of the support and the wafer during departure or vacuum adsorption.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention;
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 회전식 웨이퍼 처리 장치를 설명하기 위한 평면도이고, 도 2는 도 1의 회전식 웨이퍼 처리 장치의 정면도이다.1 is a plan view illustrating a rotary wafer processing apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a front view of the rotary wafer processing apparatus of FIG.
도 1 및 도 2를 참조하면, 회전식 웨이퍼 처리 장치(101)는 표면에 웨이퍼(도시되지 않음)가 지지되고 진공 흡착되는 원형의 지지체(103)와, 상기 지지체(103)의 하부 중앙에 연결되고 그 내부에는 진공 발생기(도시하지 않음)와 연결되는 제1 진공 라인(105)을 구비하고 끝단에는 상기 지지체를 회전시키기 위한 회전 수단(구동 수단, 도시되지 않음), 예컨대 회전 모터와 연결되는 회전 구동부(107)를 구비한다.1 and 2, the rotary wafer processing apparatus 101 is connected to a circular support 103 on which a wafer (not shown) is supported on a surface and vacuum-adsorbed, and a lower center of the support 103. It has a first vacuum line 105 connected therein with a vacuum generator (not shown) and at its end a rotating means (driving means, not shown) for rotating the support, for example a rotary drive connected with a rotating motor. 107.
그리고, 상기 회전 구동부(107) 둘레의 상기 지지체(103) 하부에 부착되고 상기 진공 발생기로부터 진공을 받아 상기 제1 진공 라인(105)과 연결된 복수개의 제2 진공 라인(109)을 통하여 진공을 받아 저장할 수 있는 진공 탱크(111)와, 상기 진공 탱크(111)의 하부에 상기 진공 탱크를 밀봉하여 진공을 유지하기 위한 진공 탱크 덮개(113)를 포함한다.In addition, a vacuum is received through a plurality of second vacuum lines 109 attached to a lower portion of the support 103 around the rotary drive unit 107 and receiving a vacuum from the vacuum generator and connected to the first vacuum line 105. A vacuum tank 111 that can be stored, and a vacuum tank cover 113 for sealing the vacuum tank in the lower portion of the vacuum tank 111 to maintain a vacuum.
그리고, 상기 진공 탱크(111)를 부착시 상기 진공 탱크(111)와 진공 탱크 덮개(113) 사이에 리크의 발생을 방지하기 위한 리크 발생 방지 장치(115)와, 상기 진공 탱크(111)와 연결되고 상기 지지체(103)의 내부로부터 표면으로 설치되어 상기 웨이퍼의 진공 흡착을 위한 복수개의 제3 진공 라인(117)과, 상기 지지체(103)의 바깥 원주부 둘레면에 상기 제3 진공 라인(117)을 밀봉시키는 밀봉 장치(119)를포함한다. 상기 제3 진공 라인(117)은 지지체(103)의 내부로부터 표면으로도 복수개 설치되고, 또한 지지체(103) 자체에도 복수개 설치된다.(도 2의 A 부분을 포함한다)When the vacuum tank 111 is attached, a leak generation preventing device 115 for preventing occurrence of a leak between the vacuum tank 111 and the vacuum tank cover 113 and the vacuum tank 111 are connected to the vacuum tank 111. And a plurality of third vacuum lines 117 for vacuum adsorption of the wafer and the third vacuum lines 117 on the outer circumferential surface of the support 103. ) Is a sealing device (119). A plurality of third vacuum lines 117 are provided on the surface from the inside of the support 103, and a plurality of the third vacuum lines 117 are also provided on the support 103 itself (including part A of FIG. 2).
이와 같은, 상기 회전식 웨이퍼 처리 장치는 웨이퍼를 진공흡착하여 회전하는 지지체(103)에 복수개의 제3 진공 라인(117)이 설치되어 있고 제3 진공 라인(117)에 연결된 진공 탱크(111)에 의해 지속적으로 안정된 진공력을 공급하여 회전시 웨이퍼가 이탈되거나 진공 흡착시에 지지체(103)와 웨이퍼와의 리크를 최소화할 수 있다.As described above, the rotary wafer processing apparatus includes a plurality of third vacuum lines 117 installed on a support 103 that vacuum-absorbs and rotates a wafer, and is formed by a vacuum tank 111 connected to the third vacuum line 117. By continuously supplying a stable vacuum force, it is possible to minimize the leakage of the wafer during rotation or the support 103 and the wafer during vacuum adsorption.
도 3은 본 발명에 의한 회전식 웨이퍼 처리 장치의 돌출부를 설명하기 위한 평면도이다.3 is a plan view for explaining a protrusion of the rotary wafer processing apparatus according to the present invention.
구체적으로, 본 발명의 회전식 웨이퍼 처리 장치(101)에 있어서 상기 지지체(103)의 표면에서 웨이퍼와 접촉되는 진공 흡착 부위에 복수개 및 복수 형상의 돌출부(121)가 형성되어 있다. 도 3에서, 참조번호 123은 진공부를 나타낸다.Specifically, in the rotary wafer processing apparatus 101 of the present invention, a plurality of and a plurality of protrusions 121 are formed at a vacuum suction site in contact with the wafer on the surface of the support 103. In Fig. 3, reference numeral 123 denotes a vacuum part.
이와 같이, 상기 회전식 웨이퍼 처리 장치는 진공 흡착 부위에 돌출부(121)가 형성되어 있어 진공 흡착되는 웨이퍼와 지지체(103)의 접촉 면적을 최소화함으로써 웨이퍼의 진공 흡착력을 극대화할 수 있다. 이렇게 지지체(103)와 웨이퍼간의 진공 흡착력이 향상되면 고속 회전할 때 지지체(103)로부터의 웨이퍼의 이탈 현상을 방지할 수 있다.As such, the rotatable wafer processing apparatus may have a protrusion 121 formed at a vacuum adsorption site, thereby maximizing the vacuum adsorption force of the wafer by minimizing a contact area between the wafer to be vacuum adsorbed and the support 103. In this way, when the vacuum suction force between the support 103 and the wafer is improved, the phenomenon of detachment of the wafer from the support 103 can be prevented when rotating at a high speed.
상술한 바와 같이 본 발명의 회전식 웨이퍼 처리 장치는 웨이퍼를 진공 흡착하여 회전하는 지지체 내에 복수개의 제3 진공 라인을 설치하고 제3 진공 라인과 연결된 진공 탱크에 의해 지속적으로 안정된 진공력을 공급하여 회전시 웨이퍼가 이탈되거나 진공 흡착시에 지지체와 웨이퍼와의 리크를 최소화할 수 있다.As described above, the rotary wafer processing apparatus of the present invention installs a plurality of third vacuum lines in the support which rotates by vacuum suction of the wafer, and continuously rotates by supplying a stable vacuum force by a vacuum tank connected to the third vacuum line. Leak between the support and the wafer can be minimized when the wafer is released or vacuum adsorbed.
또한, 웨이퍼와 접촉되는 진공 흡착 부위에 복수개 및 복수 형상의 돌출부를 형성하여 웨이퍼와의 접촉면적을 극소화하여 웨이퍼의 진공 흡착력을 극대화할 수 있다. 더욱이, 지지체와 웨이퍼의 접촉면을 극소화하여 웨이퍼 이면의 스크래치에 의한 웨이퍼 손상을 방지할 수 있다.In addition, by forming a plurality of protrusions and a plurality of protrusions in the vacuum adsorption portion in contact with the wafer to minimize the contact area with the wafer can maximize the vacuum suction force of the wafer. Further, the contact surface between the support and the wafer can be minimized to prevent wafer damage due to scratches on the back surface of the wafer.
또한, 본 발명의 회전식 웨이퍼 처리 장치는 지지체와 웨이퍼간의 진공 흡착력을 향상시킴으로써 고속 회전할 때 지지체로부터의 웨이퍼 이탈 현상을 방지할 수 있다.In addition, the rotary wafer processing apparatus of the present invention can prevent the wafer leaving phenomenon from the support when rotating at high speed by improving the vacuum suction force between the support and the wafer.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. I can understand that you can.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20080130 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |