KR100372057B1 - Two-band oscillator - Google Patents
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Abstract
본 발명은 주파수가 떨어진 2개의 주파수밴드에서 각각 안정된 발진신호가 얻어지고, 또한 그 C/N이 양호하고 큰 파워가 얻어지도록 하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to obtain a stable oscillation signal in each of two frequency bands apart from each other, and to obtain a good C / N and high power.
이를 위하여 전압제어 발진회로(1)는 발진트랜지스터(2)의 베이스·에미터 사이 및 에미터·콜렉터 사이에 각각 접속되는 귀환 콘덴서(4, 5)와, 적어도 버랙터 다이오드(13)와 인덕턴스소자(14)를 가지고 콜렉터와 베이스의 사이에 고주파적으로 접속된 공진회로(12)와, 에미터와 그라운드와의 사이를 직류적으로 접속하는 임피던스회로(8)를 가지며, 버퍼회로(30)는 2개의 주파수밴드에 동조가능한 동조증폭회로로 구성하며, 임피던스회로(8)를 2개의 주파수밴드에서 큰 임피던스가 되도록 구성하고, 귀환 콘덴서(4, 5)와 인덕턴스소자(14)를 전환하도록 구성하며, 높은 주파수밴드에서 발진시키는 경우에는 귀환 콘덴서(4, 5)의 용량치와 인덕턴스소자 (14)의 인덕턴스치를 작게 하고, 낮은 주파수밴드에서 발진시키는 경우에는 용량치와 인덕턴스치를 크게 하였다.To this end, the voltage controlled oscillation circuit 1 includes feedback capacitors 4 and 5 connected between the base and emitters of the oscillation transistor 2 and between the emitter and collector, respectively, at least the varactor diode 13 and the inductance element. A resonant circuit 12 having a high frequency connection between the collector and the base and an impedance circuit 8 for direct current connection between the emitter and the ground; Comprising a tuning amplifier circuit that can be tuned to the two frequency bands, the impedance circuit 8 is configured to have a large impedance in the two frequency bands, and configured to switch the feedback capacitors (4, 5) and the inductance element (14) When oscillating in a high frequency band, the capacitance of the feedback capacitors 4 and 5 and the inductance of the inductance element 14 are made small, and when oscillating in a low frequency band, the capacitance and inductance are made large. .
Description
본 발명은 주파수가 2배 정도로 떨어진 2개의 주파수밴드에서 안정되게 발진시키고, 또한 각각의 주파수밴드에서 양호한 C/N을 가지는 발진신호를 얻도록 한 2밴드발진기에 관한 것이다.The present invention relates to a two-band oscillator which makes it possible to oscillate stably in two frequency bands at which the frequency is about twice as high, and to obtain an oscillation signal having good C / N in each frequency band.
도 2는 종래의 2밴드 발진기의 회로구성을 나타낸다. 전압제어 발진회로 (41)는 콜렉터 접지형의 콜피츠 발진회로로서 구성되고, 발진 트랜지스터(42)의 콜렉터는 직류차단 콘덴서(43)에 의해 고주파적으로 접지된다. 또 베이스·에미터 사이와 에미터·콜렉터 사이에는 각각 귀환 콘덴서(44, 45)가 접속되고, 베이스에는 바이어스용 저항(46, 47)에 의해 바이어스전압이 주어지고, 에미터는 저항(48)에 의해 그라운드에 접속된다.2 shows a circuit configuration of a conventional two-band oscillator. The voltage controlled oscillation circuit 41 is configured as a collector ground type Colpitts oscillation circuit, and the collector of the oscillation transistor 42 is grounded at high frequency by the DC blocking capacitor 43. The feedback capacitors 44 and 45 are connected between the base emitter and the emitter collector, respectively, and the bias voltage is applied to the base by the bias resistors 46 and 47, and the emitter is connected to the resistor 48. Is connected to ground.
또 베이스는 직류차단 콘덴서(49)에 의해 인덕턴스 소자(50)의 한쪽 끝에 접속된다. 인덕턴스소자(50)는 2개의 인덕턴스소자(50a, 50b)가 서로 직렬 접속되어 구성되고, 그 다른쪽 끝이 접지된다. 그리고, 인덕턴스소자(50a, 50b)의 접속점이 직류차단 콘덴서(51)를 개재하여 스위치 다이오드(52)의 애노드에 접속되고, 그 캐소드가 접지된다. 또 버랙터 다이오드(53)는 직류차단 콘덴서(54)를 개재하여 인덕턴스소자(50)에 병렬접속된다.The base is connected to one end of the inductance element 50 by the DC blocking capacitor 49. The inductance element 50 is composed of two inductance elements 50a and 50b connected in series with each other, and the other end thereof is grounded. Then, the connection point of the inductance elements 50a and 50b is connected to the anode of the switch diode 52 via the DC blocking capacitor 51, and the cathode is grounded. The varactor diode 53 is connected in parallel to the inductance element 50 via the DC blocking capacitor 54.
버랙터 다이오드(53)의 캐소드에는 급전저항(55)을 개재하여 제어전압(Vc)이 인가되고, 스위치 다이오드(52)의 애노드에는 급전저항(56)을 개재하여 스위치 다이오드(52)를 도통 또는 비도통으로 하기 위한 전환전압(Vs)이 인가된다.The control voltage Vc is applied to the cathode of the varactor diode 53 via the feed resistor 55, and the switch diode 52 is conducted to the anode of the switch diode 52 via the feed resistor 56. The switching voltage Vs is applied for non-conduction.
이상의 구성에 의해, 전환전압(Vs)에 의해 스위치 다이오드(52)를 도통하면 인덕턴스소자(50b)의 양쪽 끝이 단락되어 발진주파수는 높아지고, 스위치 다이오드 (52)를 비도통으로 하면 발진주파수는 낮아진다. 그리고 발진주파수는 버랙터 다이오드(53)에 인가하는 제어전압(Vc)에 의해 바뀌어진다.According to the above configuration, when the switch diode 52 is conducted by the switching voltage Vs, both ends of the inductance element 50b are shorted to increase the oscillation frequency, and when the switch diode 52 is made non-conductive, the oscillation frequency is lowered. The oscillation frequency is changed by the control voltage Vc applied to the varactor diode 53.
발진신호는 발진 트랜지스터(42)의 에미터로부터 출력되고, 결합콘덴서(57)를 개재하여 버퍼회로(58)에 입력된다. 버퍼회로(58)는 광대역의 증폭기로서 구성되고, 발진신호를 증폭하여 도시 생략한 회로에 출력한다.The oscillation signal is output from the emitter of the oscillation transistor 42 and input to the buffer circuit 58 via the coupling capacitor 57. The buffer circuit 58 is configured as a broadband amplifier, and amplifies the oscillation signal and outputs it to a circuit not shown.
종래의 2밴드 발진기에서는 전압제어 발진회로(41)의 귀환용량(44, 45)이 일정하기 때문에 발진 트랜지스터(42)측의 음성 저항치가 높은 주파수밴드와 낮은 주파수밴드에서 각각 최적으로 할 수 없어 2개의 주파수밴드에서 모두 안정되게 발진시킬 수 없었다.In the conventional two-band oscillator, since the feedback capacitances 44 and 45 of the voltage-controlled oscillation circuit 41 are constant, the voice resistance of the oscillation transistor 42 side cannot be optimal in the high frequency band and the low frequency band, respectively. All three frequency bands could not be oscillated stably.
또 발진 트랜지스터(42)의 에미터와 그라운드의 사이에 접속된 저항(48)은 귀환 콘덴서(45)와 병렬로 접속되어 있기 때문에, 직류 바이어스전류 외에도 발진전류가 흐르기 때문에 발진파워가 저하하여 발진신호의 C/N이 악화되어 있었다.In addition, since the resistor 48 connected between the emitter of the oscillation transistor 42 and the ground is connected in parallel with the feedback capacitor 45, since the oscillation current flows in addition to the direct current bias current, the oscillation power is lowered to generate the oscillation signal. Of C / N was deteriorated.
또한 버퍼회로(58)는 2개의 주파수밴드의 발진신호를 증폭하기 위하여 광대역 증폭기로서 구성하였기 때문에, 발진신호를 충분한 레벨까지 증폭할 수 없었다.In addition, since the buffer circuit 58 is configured as a wideband amplifier to amplify the oscillation signals of two frequency bands, the oscillation signal cannot be amplified to a sufficient level.
따라서 본 발명의 2밴드 발진기는 주파수가 떨어진 2개의 주파수밴드에서 각각 안정된 발진신호가 얻어지고, 또한 그 C/N이 양호하여 큰 파워가 얻어지도록 하는 것을 목적으로 한다.Therefore, the two-band oscillator of the present invention aims to obtain a stable oscillation signal in each of two frequency bands apart from each other, and to obtain a large power due to good C / N.
도 1은 본 발명의 2밴드 발진기의 회로 구성도,1 is a circuit diagram of a two-band oscillator of the present invention,
도 2는 종래의 2밴드 발진기의 회로 구성도이다.2 is a circuit diagram of a conventional two-band oscillator.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of symbols for main parts of drawing
1 : 전압제어 발진회로 2 : 발진트랜지스터1: voltage controlled oscillation circuit 2: oscillation transistor
3 : 직류차단 콘덴서 4 : 입력측 귀환 콘덴서3: DC blocking capacitor 4: Input side feedback capacitor
4a : 제 1 귀환 콘덴서 4b : 제 3 귀환 콘덴서4a: 1st feedback capacitor 4b: 3rd feedback capacitor
5 : 출력측 귀환 콘덴서 5a : 제 2 귀환 콘덴서5: output side feedback capacitor 5a: second feedback capacitor
5b : 제 4 귀환 콘덴서 6, 7 : 바이어스저항5b: fourth feedback capacitor 6, 7: bias resistor
8 : 임피던스회로 8a : 바이어스저항8: impedance circuit 8a: bias resistor
8b : 제 1 병렬 공진회로 8c : 제 1 병렬 공진회로8b: first parallel resonant circuit 8c: first parallel resonant circuit
11 : 제 1 스위치 다이오드 12 : 공진회로11: first switch diode 12: resonant circuit
13 : 버랙터 다이오드 14 : 인덕턴스소자13: varactor diode 14: inductance element
14a : 제 1 인덕턴스소자 14b : 제 2 인덕턴스소자14a: first inductance element 14b: second inductance element
15 : 결합콘덴서 16 : 급전저항15: coupling capacitor 16: feed resistance
17 : 직류차단 콘덴서 18 : 제 2 스위치 다이오드17 DC blocking capacitor 18 second switch diode
19 : 직류차단 콘덴서 20, 21, 22 : 바이어스저항19: DC blocking capacitor 20, 21, 22: bias resistor
23 : 결합콘덴서 30 : 버퍼회로23: coupling capacitor 30: buffer circuit
31 : 증폭트랜지스터 32 : 인덕턴스소자31: amplification transistor 32: inductance element
33 : 제 1 동조 콘덴서 34 : 제 3 스위치 다이오드33: first tuning capacitor 34: third switch diode
35 : 제 2 동조 콘덴서35: second tuning capacitor
상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 2밴드 발진기는 높고 낮은 2개의 주파수밴드에서 발진하는 전압제어 발진회로와, 상기 전압제어 발진회로가 출력하는 발진신호를 증폭하는 버퍼회로를 구비하고, 상기 전압제어 발진회로는 콜렉터가 고주파적으로 접지된 발진 트랜지스터와, 상기 발진 트랜지스터의 베이스·에미터 사이 및 에미터·콜렉터 사이에 각각 접속되는 귀환 콘덴서와, 적어도 버랙터 다이오드와 인덕턴스소자를 가지고 상기 발진 트랜지스터의 콜렉터와 베이스의 사이에 고주파적으로 접속된 공진회로와, 상기 발진 트랜지스터의 에미터와 그라운드의 사이를 직류적으로 접속하는 임피던스회로를 가지며, 상기 버퍼회로는 상기 2개의 주파수밴드에 동조가능한 동조 증폭회로로 구성하고, 상기 임피던스회로를 상기 2개의 주파수밴드에서 큰 임피던스가 되도록 구성하며, 상기 귀환 콘덴서와 상기 인덕턴스소자를 전환되도록 구성하고, 상기 전압제어 발진회로를 높은 주파수밴드에서 발진시키는 경우에는 상기 귀환 콘덴서의 용량치와 상기 인덕턴스소자의 인덕턴스치를 작게 하고, 낮은 주파수밴드에서 발진시키는 경우에는 상기 용량치와 상기 인덕턴스치를 크게 하였다.In order to solve the above problems, the two-band oscillator includes a voltage controlled oscillation circuit oscillating in two high and low frequency bands, and a buffer circuit for amplifying an oscillation signal output by the voltage controlled oscillation circuit. The oscillation circuit includes an oscillation transistor whose collector is grounded at high frequency, a feedback capacitor connected between the base emitter and the emitter collector of the oscillation transistor, and at least a varactor diode and an inductance element. A resonant circuit connected at high frequency between the collector and the base and an impedance circuit for connecting the emitter of the oscillation transistor to the ground directly, wherein the buffer circuit is tuned and amplified to the two frequency bands. Circuit and the impedance circuit comprises the two frequency bands. The feedback capacitor and the inductance element are configured to be switched, and when the voltage controlled oscillator circuit oscillates in a high frequency band, the capacitance value of the feedback capacitor and the inductance value of the inductance element are reduced. When oscillating in a low frequency band, the capacitance value and the inductance value are increased.
또 본 발명의 2밴드 발진기는 상기 귀환 콘덴서는 서로 직렬로 접속됨과 더불어 서로의 접속점이 에미터에 접속되고 양쪽 끝이 베이스와 콜렉터에 고주파적으로 접속된 제 1 및 제 2 귀환 콘덴서와, 서로 직렬로 접속됨과 더불어 서로의 접속점이 제 1 스위치 다이오드에 의해 상기 발진 트랜지스터의 에미터에 접속되고 양쪽 끝이 베이스와 콜렉터에 고주파적으로 접속된 제 3 및 제 4 귀환 콘덴서로 이루어지고, 상기 전압제어 발진회로를 상기 낮은 주파수밴드에서 발진하는 경우에는 상기 제 1 스위치 다이오드를 도통시켜 상기 제 1 귀환 콘덴서와 상기 제 3 귀환 콘덴서를 병렬로 접속함과 더불어 상기 제 2 귀환 콘덴서와 상기 제 4 콘덴서를 병렬로 접속하고, 상기 높은 주파수밴드에서 발진시키는 경우에는 상기 제 1 스위치 다이오드를 비도통으로 하였다.In addition, the two-band oscillator of the present invention is in series with the first and second feedback capacitors, in which the feedback capacitors are connected in series with each other, and their connection points are connected to the emitter, and both ends are connected at high frequency to the base and the collector. The third and fourth feedback capacitors connected to each other and connected to the emitter of the oscillation transistor by a first switch diode, and both ends of which are connected at high frequency to a base and a collector, wherein the voltage controlled oscillation When the circuit oscillates in the low frequency band, the first switch diode is turned on to connect the first feedback capacitor and the third feedback capacitor in parallel, and the second feedback capacitor and the fourth capacitor in parallel. And the first switch diode is made non-conductive when oscillating in the high frequency band. The.
또 본 발명의 2밴드 발진기는 상기 임피던스회로는 적어도 제 1 병렬 공진회로와 상기 제 1 병렬 공진회로에 직렬 접속된 제 2 병렬 공진회로를 가지고, 상기제 1 병렬 공진회로의 공진 주파수를 상기 낮은 주파수밴드의 주파수와 대략 동일하게 설정하고, 상기 제 2 병렬 공진회로의 공진 주파수를 상기 높은 주파수밴드의 주파수와 대략 동일하게 설정하였다.In addition, the two-band oscillator of the present invention, the impedance circuit has at least a first parallel resonant circuit and a second parallel resonant circuit connected in series to the first parallel resonant circuit, and the resonant frequency of the first parallel resonant circuit is set to the low frequency. The resonance frequency of the second parallel resonance circuit was set to be substantially the same as that of the band, and the resonance frequency of the second parallel resonance circuit was set to be approximately the same as that of the high frequency band.
또 본 발명의 2밴드 발진기는 상기 인덕턴스소자를 제 1 인덕턴스소자와, 상기 제 1 인덕턴스소자에 직렬 접속된 제 2 인덕턴스소자로 구성하고, 상기 제 2 인덕턴스소자의 양쪽 끝을 서로 단락하는 제 2 스위치 다이오드를 설치하고, 상기 전압제어 발진회로를 상기 낮은 주파수밴드에서 발진시키는 경우에는 상기 제 2 스위치 다이오드를 비도통으로 하고, 상기 높은 주파수밴드에서 발진시키는 경우에는상기 제 2 스위치 다이오드를 도통으로 하였다.In addition, the two-band oscillator of the present invention comprises a second switch which comprises the inductance element as a first inductance element and a second inductance element connected to the first inductance element in series, and shorts both ends of the second inductance element to each other. When the diode was provided and the voltage controlled oscillation circuit oscillated in the low frequency band, the second switch diode was non-conducting. When oscillating in the high frequency band, the second switch diode was conduction.
또 본 발명의 2밴드 발진기에서, 상기 버퍼회로는, 증폭 트랜지스터와 상기 증폭 트랜지스터의 콜렉터에 한쪽 끝이 접속되고 다른쪽 끝이 고주파적으로 접지된 병렬 동조회로를 가지며, 콜렉터와 그라운드의 사이에 서로 직렬 접속된 콘덴서와 제 3 스위치 다이오드를 설치하고, 상기 병렬 동조회로의 동조 주파수를 상기 높은 주파수밴드의 주파수와 대략 동일하게 설정하고, 상기 전압제어 발진회로를 상기 낮은 주파수밴드에서 발진시키는 경우에는 상기 제 3 스위치 다이오드를 도통하여 상기 콘덴서를 상기 병렬 동조회로에 병렬 접속하여 그 동조 주파수를 상기 낮은 주파수밴드의 주파수와 대략 동일하게 되도록 하였다.In the two-band oscillator of the present invention, the buffer circuit has a parallel tuning circuit in which one end is connected to the amplifying transistor and the collector of the amplifying transistor and the other end is grounded at a high frequency, and the collector and the ground are connected to each other. When a capacitor connected in series and a third switch diode are provided, the tuning frequency of the parallel tuning circuit is set to be approximately equal to the frequency of the high frequency band, and the voltage controlled oscillation circuit is oscillated in the low frequency band. A third switch diode was conducted to connect the capacitor in parallel to the parallel tuning circuit so that its tuning frequency was approximately equal to the frequency of the low frequency band.
도 1은 본 발명의 2밴드 발진기의 회로구성을 나타낸다. 전압제어 발진회로 (1)는 콜렉터 접지형 콜피츠 발진회로로 구성되고, 0.9 GHz 대와 1.9 GHz 대의 높고 낮은 2개의 주파수밴드에서 발진한다. 발진 트랜지스터(2)의 콜렉터는 전원전압(Vb)이 인가됨과 더불어 직류차단 콘덴서(3)에 의해 고주파적으로 접지된다. 또 베이스·에미터 사이에는 입력측 귀환 콘덴서(4)가 되는 제 1 귀환 콘덴서(4a)가 접속되고, 에미터·콜렉터(그라운드) 사이에는 출력측 귀환 콘덴서(5)가 되는 제 2 귀환 콘덴서(5a)가 접속된다. 베이스에는 바이어스저항(6, 7)에 의해 바이어스전압이 주어진다.1 shows a circuit configuration of a two-band oscillator of the present invention. The voltage controlled oscillation circuit (1) consists of a collector ground type Colpitts oscillation circuit and oscillates in two high and low frequency bands of 0.9 GHz and 1.9 GHz. The collector of the oscillation transistor 2 is applied with a power supply voltage Vb and grounded at high frequency by the DC blocking capacitor 3. A first feedback capacitor 4a serving as an input feedback capacitor 4 is connected between the base and the emitter, and a second feedback capacitor 5a serving as an output feedback capacitor 5 between the emitter collector and ground. Is connected. The bias voltage is given to the base by the bias resistors 6 and 7.
에미터는 서로 직렬로 접속된 바이어스저항(8a)과 제 1 병렬 공진회로(8b)와 제 2 병렬 공진회로(8c)로 이루어지는 임피던스회로(8)에 의해 그라운드에 직류적으로 접속된다.The emitter is connected directly to ground by an impedance circuit 8 composed of a bias resistor 8a, a first parallel resonant circuit 8b, and a second parallel resonant circuit 8c connected in series with each other.
여기서 제 1 병렬 공진회로(8b)의 공진 주파수는 낮은 주파수밴드의 주파수에 대략 일치시키고, 제 2 병렬 공진회로(8c)의 공진 주파수는 높은 주파수밴드의 주파수에 대략 일치시키고 있다.Here, the resonant frequency of the first parallel resonant circuit 8b approximately matches the frequency of the low frequency band, and the resonant frequency of the second parallel resonant circuit 8c approximately matches the frequency of the high frequency band.
또한 베이스·그라운드 사이에는 서로 직렬 접속된 제 3 귀환 콘덴서(4b)와 제 4 귀환 콘덴서(5b)가 접속되고, 제 3 귀환 콘덴서(4b)와 제 4 귀환 콘덴서(5b)의 접속점이 제 1 스위치 다이오드(11)를 개재하여 발진 트랜지스터(2)의 에미터에 접속된다. 제 3 귀환 콘덴서(4b)는 입력측 귀환 콘덴서(4)를 구성하고, 제 4 귀환 콘덴서(5b)는 출력측 귀환 콘덴서(5)를 구성한다.Further, a third feedback capacitor 4b and a fourth feedback capacitor 5b connected in series with each other are connected between the base and the ground, and a connection point of the third feedback capacitor 4b and the fourth feedback capacitor 5b is connected to the first switch. It is connected to the emitter of the oscillation transistor 2 via the diode 11. The third feedback capacitor 4b constitutes the input side feedback capacitor 4, and the fourth feedback capacitor 5b constitutes the output side feedback capacitor 5.
따라서 입력측 귀환 콘덴서(4)는 제 1 스위치 다이오드(11)의 비도통 또는 도통에 의해 제 1 귀환 콘덴서(4a)만으로 되거나 또는 제 1 귀환 콘덴서(4a)와 제 3 귀환 콘덴서(4b)의 쌍방으로 전환된다.Therefore, the input side feedback capacitor 4 becomes only the first feedback capacitor 4a by the non-conduction or conduction of the first switch diode 11, or both the first feedback capacitor 4a and the third feedback capacitor 4b. Is switched.
마찬가지로 출력측 귀환 콘덴서(5)는 제 1 스위치 다이오드(11)의 비도통 또는 도통에 의해 제 2 귀환 콘덴서(5a)만으로 되거나 또는 제 2 귀환 콘덴서(5a)와 제 4 귀환 콘덴서(5b)의 쌍방으로 전환된다.Similarly, the output feedback capacitor 5 becomes only the second feedback capacitor 5a by non-conduction or conduction of the first switch diode 11, or both of the second feedback capacitor 5a and the fourth feedback capacitor 5b. Is switched.
또 발진 트랜지스터(2)의 베이스와 그라운드의 사이, 따라서 고주파적으로는 베이스와 콜렉터의 사이에는 공진회로(12)가 접속된다.In addition, the resonant circuit 12 is connected between the base and the ground of the oscillation transistor 2, and thus between the base and the collector at high frequency.
공진회로(12)는 서로 직렬로 접속된 버랙터 다이오드(13)와 인덕턴스소자 (14)를 적어도 가지며, 인덕턴스소자(14)의 한쪽 끝이 버랙터 다이오드(14)의 애노드에 접속되고, 다른쪽 끝이 접지된다. 그리고 버랙터 다이오드(13)의 캐소드가 결합 콘덴서(15)에 의해 발진 트랜지스터(2)의 베이스에 접속된다. 또 버랙터 다이오드(13)의 캐소드에는 급전저항(16)을 개재하여 제어전압(Vc)이 인가된다.The resonant circuit 12 has at least a varactor diode 13 and an inductance element 14 connected in series with each other, one end of the inductance element 14 is connected to the anode of the varactor diode 14, and the other The end is grounded. The cathode of the varactor diode 13 is connected to the base of the oscillation transistor 2 by the coupling capacitor 15. The control voltage Vc is applied to the cathode of the varactor diode 13 via the feed resistor 16.
제 1 인덕턴스소자(14a)와 제 2 인덕턴스소자(14b)의 접속점은 임피던스가 낮은 직류차단 콘덴서(17)를 개재하여 제 2 스위치 다이오드(18)의 애노드에 접속되고, 그 캐소드가 직류차단 콘덴서(19)에 의해 고주파적으로 접지됨과 더불어, 바이어스저항(20)에 의해 직류적으로 접지된다.The connection point of the first inductance element 14a and the second inductance element 14b is connected to the anode of the second switch diode 18 via a DC blocking capacitor 17 having a low impedance, and the cathode thereof is connected to the DC blocking capacitor ( In addition to being grounded at high frequency by 19), it is grounded directly by a bias resistor 20.
그리고 제 2 스위치 다이오드(18)의 애노드에는 바이어스저항(21, 22)에 의해서 바이어스전압이 주어지고, 제 1 스위치 다이오드(11)의 애노드와 제 2 스위치 다이오드(18)의 캐소드에는 이들 스위치 다이오드를 도통 또는 비도통으로 하기 위한 전환전압(Vs)이 인가된다.A bias voltage is applied to the anode of the second switch diode 18 by the bias resistors 21 and 22, and these switch diodes are provided to the anode of the first switch diode 11 and the cathode of the second switch diode 18. The switching voltage Vs is applied for conduction or non-conduction.
이상의 구성에 있어서 전압제어 발진회로(1)를 높은 주파수밴드에서 발진시키기 위해서는 전환전압(Vs)을 저레벨로 함으로써 제 1 스위치 다이오드(11)를 비도통으로 한다. 그렇게 하면, 입력측 귀환 콘덴서(4)로서는 제 1 귀환 콘덴서(4a)만이 유효하게 되고, 또 출력측 귀환 콘덴서(5)로서는 제 2 귀환 콘덴서(5a)만이 유효하게 되어 높은 주파수밴드에 최적의 음성 저항이 얻어진다. 또 제 2 스위치 다이오드(18)가 도통이 되어 제 2 인덕턴스소자(14b)의 양쪽 끝이 단락되어 인덕턴스소자(14)로서는 제 1 인덕턴스소자(14a)만이 유효하게 된다. 따라서 전압제어 발진회로(1)는 높은 주파수밴드에서 발진한다.In the above configuration, in order to oscillate the voltage controlled oscillation circuit 1 in a high frequency band, the first switch diode 11 is made non-conductive by setting the switching voltage Vs at a low level. As a result, only the first feedback capacitor 4a becomes effective as the input side feedback capacitor 4, and only the second feedback capacitor 5a becomes effective as the output side feedback capacitor 5, so that an optimum voice resistance is applied to a high frequency band. Obtained. In addition, the second switch diode 18 becomes conductive, and both ends of the second inductance element 14b are short-circuited, so that only the first inductance element 14a becomes effective as the inductance element 14. Therefore, the voltage controlled oscillation circuit 1 oscillates in a high frequency band.
이 때 제 2 병렬 공진회로(8c)는 높은 주파수밴드에서 높은 임피던스가 되기때문에, 발진전류가 바이어스저항(8a)을 흐르지 않아, 파워의 소비가 없어 발진신호의 C/N 이 좋아진다.At this time, since the second parallel resonant circuit 8c has a high impedance in a high frequency band, the oscillation current does not flow through the bias resistor 8a, and there is no power consumption, so that the C / N of the oscillation signal is improved.
한편, 낮은 주파수밴드에서 발진시키기 위해서는 전환전압(Vs)을 하이레벨로 함으로써 제 1 스위치 다이오드(11)를 도통한다. 그렇게 하면, 제 1 귀환 콘덴서 (4a)와 제 3 귀환 콘덴서(4b)가 병렬로 접속되어 입력측 귀환 콘덴서(4)의 용량치가 증가하고, 제 2 귀환 콘덴서(5a)와 제 4 귀환 콘덴서(5b)가 병렬로 접속되어 출력측 귀환 콘덴서(5)의 용량치가 증가하여 낮은 주파수밴드에 최적의 음성 저항이 얻어진다. 또 제 2 스위치 다이오드(18)가 오프가 되어 제 1 및 제 2 인덕턴스소자(14a, 14b)가 유효하게 된다. 따라서 전압제어 발진회로(1)는 낮은 주파수밴드에서 발진한다.On the other hand, in order to oscillate in a low frequency band, the switching voltage Vs is set to high level to conduct the first switch diode 11. Then, the 1st feedback capacitor 4a and the 3rd feedback capacitor 4b are connected in parallel, the capacitance value of the input side feedback capacitor 4 increases, and the 2nd feedback capacitor 5a and the 4nd feedback capacitor 5b are connected. Are connected in parallel, and the capacitance value of the output side feedback capacitor 5 increases, so that an optimum negative resistance is obtained in a low frequency band. In addition, the second switch diode 18 is turned off, and the first and second inductance elements 14a and 14b become effective. Therefore, the voltage controlled oscillation circuit 1 oscillates in a low frequency band.
이 때는 제 1 병렬 공진회로(8b)는 낮은 주파수밴드에서 높은 임피던스가 되기 때문에 발진전류가 바이어스저항(8a)을 흐르지 않아, 발진신호의 C/N 이 좋아진다.At this time, since the first parallel resonant circuit 8b becomes high impedance in a low frequency band, the oscillation current does not flow through the bias resistor 8a, and the C / N of the oscillation signal is improved.
발진주파수는 버랙터 다이오드(13)에 인가하는 제어전압(Vc)에 의해 바뀌어진다. 그리고 발진트랜지스터(2)의 에미터로부터 발진신호가 출력되어 결합 콘덴서(23)를 개재하여 버퍼회로(30)에 입력된다.The oscillation frequency is changed by the control voltage Vc applied to the varactor diode 13. The oscillation signal is output from the emitter of the oscillation transistor 2 and input to the buffer circuit 30 via the coupling capacitor 23.
버퍼회로(30)는 에미터 접지형 동조 증폭회로로 구성되고, 증폭 트랜지스터 (31)의 베이스에 발진신호가 입력된다. 콜렉터에는 인덕턴스소자(32)를 개재하여 전원전압(Vb)이 인가된다. 인덕턴스소자(32)에는 제 1 동조 콘덴서(33)가 병렬로 접속되어 병렬 동조회로가 구성된다. 이 동조 주파수는 높은 주파수밴드의 주파수가 되도록 설정되어 있다.The buffer circuit 30 is composed of an emitter ground type tuning amplifier circuit, and an oscillation signal is input to the base of the amplifying transistor 31. The power supply voltage Vb is applied to the collector via the inductance element 32. The first tuning capacitor 33 is connected in parallel to the inductance element 32 to form a parallel tuning circuit. This tuning frequency is set to be a frequency of a high frequency band.
또 캐소드가 그라운드에 접속된 제 3 스위치 다이오드(34)와, 제 3 스위치다이오드(34)의 애노드와 증폭 트랜지스터(31)의 콜렉터 사이에 접속된 제 2 동조 콘덴서(35)가 설치되고, 제 3 스위치 다이오드(34)의 애노드에 전환전압(Vs)이 인가되도록 되어 있다.In addition, a third switch diode 34 having a cathode connected to ground and a second tuning capacitor 35 connected between the anode of the third switch diode 34 and the collector of the amplifying transistor 31 are provided. The switching voltage Vs is applied to the anode of the switch diode 34.
그리고 전환전압(Vs)이 저레벨이면 제 3 스위치 다이오드(34)는 비도통이 되어 인덕턴스소자(32)와 제 1 동조 콘덴서(33)로 동조회로가 형성되고, 전환전압 (Vs)이 고레벨이면 제 3 스위치 다이오드(34)는 도통하여 제 1 동조 콘덴서(33)에 제 2 동조 콘덴서(35)가 병렬로 접속되어 동조 주파수는 낮아진다. 이 주파수가 낮은 주파수밴드의 주파수에 대략 일치하도록 제 2 동조 콘덴서(35)의 용량치를 설정하고 있다.When the switching voltage Vs is low level, the third switch diode 34 becomes non-conductive, and a tuning circuit is formed of the inductance element 32 and the first tuning capacitor 33. When the switching voltage Vs is high level, the third switching diode 34 becomes non-conductive. The three-switch diode 34 is connected to each other, and the second tuning capacitor 35 is connected in parallel to the first tuning capacitor 33 so that the tuning frequency is lowered. The capacitance value of the second tuning capacitor 35 is set so that this frequency approximately matches the frequency of the low frequency band.
따라서 버퍼회로(30)는 2개의 주파수밴드의 주파수에 각각 동조하기 때문에 모두 큰 레벨의 발진신호를 얻을 수 있다.Therefore, since the buffer circuit 30 tunes to the frequencies of the two frequency bands, respectively, it is possible to obtain a large level of oscillation signal.
이상과 같이 본 발명의 2밴드 발진기는 발진 트랜지스터의 베이스·에미터 사이 및 에미터·콜렉터 사이에 각각 접속되는 귀환 콘덴서와, 적어도 버랙터 다이오드와 인덕턴스소자를 가지고 발진 트랜지스터의 콜렉터와 베이스의 사이에 고주파적으로 접속된 공진회로와, 에미터와 그라운드의 사이를 직류적으로 접속하는 임피던스회로를 가지고, 버퍼회로는 2개의 주파수밴드에 동조가능한 동조 증폭회로로구성하고, 임피던스회로를 2개의 주파수밴드에서 큰 임피던스가 되도록 구성하며, 귀환 콘덴서와 인덕턴스소자를 전환되도록 구성하고, 전압제어 발진회로를 높은 주파수밴드에서 발진시키는 경우에는 귀환 콘덴서의 용량치와 인덕턴스소자의 인덕턴스치를 작게 하고, 낮은 주파수밴드에서 발진시키는 경우에는 용량치와 인덕턴스치를크게 하였기 때문에, 어느 쪽의 주파수밴드이더라도 최적의 음성 저항을 가지는 발진회로로 할 수 있어 안정되게 발신시킬 수 있으며, 또한 임피던스회로에 의해 어느 쪽의 발진신호도 그 C/N이 좋아진다. 또한 레벨이 큰 발진신호가 얻어진다.As described above, the two-band oscillator of the present invention has a feedback capacitor connected between the base and emitter of the oscillation transistor and between the emitter and the collector, and at least between the collector and base of the oscillation transistor with at least a varactor diode and an inductance element. It has a resonant circuit connected at high frequency and an impedance circuit for direct connection between the emitter and the ground, the buffer circuit is composed of a tuning amplifier circuit that can be tuned to two frequency bands, and the impedance circuit is composed of two frequency bands. It is configured to have large impedance at, and it is configured to switch the feedback capacitor and inductance element, and when oscillating the voltage controlled oscillator circuit in the high frequency band, the capacitance value of the feedback capacitor and the inductance element of the inductance element are reduced, and at low frequency band In the case of oscillation, the capacitance and inductance were increased. Therefore, the oscillation circuit having the optimal voice resistance can be made to be either frequency band, so that it can be transmitted stably, and the C / N of both oscillation signals is improved by the impedance circuit. In addition, a large oscillation signal is obtained.
또 본 발명의 2밴드 발진기는 제 1 및 제 2 귀환 콘덴서와, 제 3 및 제 4 귀환 콘덴서를 가지며, 전압제어 발진회로를 낮은 주파수밴드에서 발진하는 경우에는 제 1 스위치 다이오드에 의해 제 1 귀환 콘덴서와 제 3 귀환콘덴서를 병렬로 접속함과 더불어 제 2 귀환 콘덴서와 제 4 콘덴서를 병렬로 접속하고, 높은 주파수밴드에서 발진시키는 경우에는 제 1 스위치 다이오드를 비도통으로 하였기 때문에 귀환 콘덴서에 의한 귀환 용량을 간단하게 전환할 수 있다.The two-band oscillator of the present invention has a first and a second feedback capacitor and a third and a fourth feedback capacitor, and when the voltage controlled oscillator circuit oscillates in a low frequency band, the first feedback capacitor is driven by the first switch diode. And the third feedback capacitor are connected in parallel, and the second feedback capacitor and the fourth capacitor are connected in parallel, and when oscillating in a high frequency band, the first switching diode is made non-conducting. You can simply switch.
또 본 발명의 2밴드 발진기는 임피던스회로는 적어도 제 1 병렬 공진회로와 직렬 접속된 제 2 병렬 공진회로를 가지며, 제 1 병렬 공진회로의 공진 주파수를 낮은 주파수밴드의 주파수와 대략 동일하게 설정하고, 제 2 병렬 공진회로의 공진 주파수를 높은 주파수밴드의 주파수와 대략 동일하게 설정하였기 때문에 어느쪽의 주파수밴드에 있어서도 에미터의 바이어스저항에 발진전류가 흐르지 않고, 발진신호의 C/N이 좋아진다.In addition, the two-band oscillator of the present invention, the impedance circuit has at least a second parallel resonant circuit connected in series with the first parallel resonant circuit, the resonance frequency of the first parallel resonant circuit is set to be approximately equal to the frequency of the low frequency band, Since the resonant frequency of the second parallel resonant circuit is set to be approximately equal to the frequency of the high frequency band, no oscillation current flows in the bias resistance of the emitter in any of the frequency bands, and the C / N of the oscillation signal is improved.
또 본 발명의 2밴드 발진기는 인덕턴스소자를 제 1 인덕턴스소자와 제 2 인덕턴스소자로 구성하고, 제 2 인덕턴스소자의 양쪽 끝을 서로 단락하는 제 2 스위치다이오드를 설치하고, 이 스위치 다이오드를 주파수밴드에 의해 도통 또는 비도통으로 하였기 때문에 용이하게 발진주파수를 전환할 수 있다.In addition, the two-band oscillator of the present invention comprises an inductance element comprising a first inductance element and a second inductance element, and installs a second switch diode shorting both ends of the second inductance element to each other, and the switch diode is connected to the frequency band. The oscillation frequency can be easily switched because it is either conductive or non-conductive.
또 본 발명의 2밴드 발진기에 있어서, 버퍼회로는, 증폭 트랜지스터의 콜렉터에 접속된 병렬 동조회로를 가지고, 콜렉터와 그라운드의 사이에 서로 직렬 접속된 콘덴서와 제 3 스위치 다이오드를 설치하여, 병렬 동조회로의 동조 주파수를 높은 주파수밴드의 주파수와 대략 동일하게 설정하고, 전압제어 발진회로를 낮은 주파수밴드에서 발진시키는 경우에는 제 3 스위치 다이오드를 도통하여 콘덴서를 병렬 동조회로에 병렬 접속하여 그 동조 주파수를 낮은 주파수밴드의 주파수와 대략 동일하게 되도록 하였기 때문에 2개의 주파수밴드의 발진신호를 모두 크게 증폭할 수 있다.Further, in the two-band oscillator of the present invention, the buffer circuit has a parallel tuning circuit connected to the collector of the amplifying transistor, a capacitor and a third switch diode connected in series with each other between the collector and the ground, and the parallel tuning circuit. The tuning frequency of is set to be approximately equal to the frequency of the high frequency band, and when the voltage controlled oscillation circuit oscillates in the low frequency band, the third switch diode is turned on to connect the capacitor to the parallel tuning circuit in parallel so that the tuning frequency is lowered. Since the frequency band is approximately equal to the frequency of the frequency band, both oscillation signals of the two frequency bands can be greatly amplified.
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