KR100367738B1 - Ring oscillator - Google Patents

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Abstract

본 발명은 링 오실레이터에 관한 것으로, 종래 링 오실레이터는 인버터 채인을 구성하는 인버터의 입력단에서 제어전압의 인가에 따른 커패시터에 의한 지연을 이용하여 출력전압의 이득과 주파수를 제어함으로써, 그 출력전압이 비선형으로 출력되어 그 주파수의 제어가 용이하지 않은 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 제어전압을 미세조정할 수 있는 수단을 두어 출력전압의 주파수가 제어전압의 변화에 따라 선형으로 변화되는 영역의 이득을 줄이고, 전압값의 폭을 넓혀, 링 오실레이터의 출력전압의 주파수가 선형성을 갖는 부분의 전압범위를 넓혀 제어전압의 변화에 따른 주파수의 변화를 선형으로 함으로써, 주파수의 정확한 미세조정이 가능한 효과가 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a ring oscillator, and a conventional ring oscillator controls the gain and frequency of an output voltage by using a delay caused by a capacitor according to the application of a control voltage at an input terminal of an inverter constituting the inverter chain, whereby the output voltage is nonlinear. There was a problem that the output is not easy to control the frequency. In view of the above problems, the present invention provides a means for fine-tuning the control voltage so as to reduce the gain in the area where the frequency of the output voltage changes linearly with the change of the control voltage, and widen the voltage value, thereby outputting the ring oscillator. By widening the voltage range of the portion where the frequency of the voltage is linear and making the frequency change according to the change of the control voltage linear, accurate fine adjustment of the frequency is possible.

Description

링 오실레이터{RING OSCILLATOR}Ring Oscillator {RING OSCILLATOR}

본 발명은 링 오실레이터에 관한 것으로, 특히 감쇄기를 부가하여 출력의 이득 및 선형성을 향상시켜, 정확한 이득의 제어가 가능하도록 하는 링 오실레이터에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a ring oscillator, and more particularly, to a ring oscillator that adds an attenuator to improve the gain and linearity of an output to enable accurate gain control.

도1은 종래 링 오실레이터의 회로도로서, 이에 도시한 바와 같이 바이어스(BIAS)전압에 도통제어되어 전원전압(VDD)을 인버터(INV1)의 전원전압입력단에 인가제어하는 피모스 트랜지스터(PM1)와; 제어전압(VC)에 도통제어되어 접지전압을 인버터(INV1)의 접지전압입력단에 인가하는 엔모스 트랜지스터(NM1)와; 상기 인버터(INV1)의 출력을 반전출력하는 인버터(INV2)와; 상기 인버터(INV2)의 입력단으로 부터 접지사이에 직렬접속된 상기 제어전압(VC)에 의해 도통제어되는 엔모스 트랜지스터(NM2)와 커패시터(C1)와; 상기 인버터(INV2)의 출력을 반전하여 상기 인버터(INV1)의 입력단으로 출력하는 인버터(INV3)와; 상기 인버터(INV3)의 입력단으로 부터 접지사이에 직렬접속된 상기 제어전압(VC)에 따라 도통제어되는 엔모스 트랜지스터(NM3)와 커패시터(C2)로 구성된다.1 is a circuit diagram of a conventional ring oscillator, as shown in FIG. 1, a PMOS transistor PM1 for conducting and controlling a bias voltage to apply a power supply voltage VDD to a power supply voltage input terminal of an inverter INV1; An NMOS transistor NM1 which is electrically controlled to the control voltage VC and applies a ground voltage to the ground voltage input terminal of the inverter INV1; An inverter INV2 for inverting and outputting the output of the inverter INV1; An NMOS transistor NM2 and a capacitor C1 which are electrically controlled by the control voltage VC connected in series between the input terminal of the inverter INV2 and the ground; An inverter INV3 for inverting the output of the inverter INV2 and outputting the inverted terminal to the input terminal of the inverter INV1; An NMOS transistor NM3 and a capacitor C2 are conductively controlled according to the control voltage VC connected in series between the input terminal of the inverter INV3 and the ground.

이하, 상기와 같이 구성된 종래 링 오실레이터의 동작을 설명한다.The operation of the conventional ring oscillator configured as described above will be described below.

먼저, 바이어스(BIAS)와 제어전압(VC)이 인가되면, 상기 피모스 트랜지스터(PM1)와 엔모스 트랜지스터(NM1)가 도통되어 인버터(INV1)에 전원전압(VDD)과 접지전압(GND)을 인가하여 회로를 동작시킨다.First, when the bias BIAS and the control voltage VC are applied, the PMOS transistor PM1 and the NMOS transistor NM1 are conducted to supply the power supply voltage VDD and the ground voltage GND to the inverter INV1. Is applied to operate the circuit.

상기와 같은 동작으로 인버터(INV1)는 입력단의 전위 상태에 따라 전원전압(VDD) 또는 접지전압(GND)을 출력하며, 이는 인버터(INV2)를 통해 다시 반전되고, 인버터(INV2)의 출력은 인버터(INV3)에 의해 반전되어 최초의 인버터(INV1)의 입력단에 인가된다.In the above operation, the inverter INV1 outputs the power supply voltage VDD or the ground voltage GND according to the potential state of the input terminal, which is inverted again through the inverter INV2, and the output of the inverter INV2 is the inverter. It is inverted by (INV3) and applied to the input terminal of the first inverter INV1.

이와 같이 홀수개의 인버터를 링형으로 연결하고 특정 인버터의 출력을 회로의 출력으로 할 경우 일정한 주파수를 갖는 클럭신호를 얻을 수 있다.In this way, when an odd number of inverters are connected in a ring and the output of a specific inverter is the output of a circuit, a clock signal having a constant frequency can be obtained.

또한, 상기 엔모스 트랜지스터(NM2,NM3)와 커패시터(C1,C2)는 상기 제어전압(VC)가 고전위의 상태에서 인버터(INV2, INV3) 각각의 입력단의 전압이 고전위일때 충전이 일어나며, 저전위일때 방전동작을 실시하여 출력클럭신호의 고전위구간과 저전위구간의 길이를 신호의 지연에 의해 증가시킴으로써, 출력클럭신호의 주파수를 조절할 수 있게 된다. 또한, 상기 커패시터(C1,C2)의 커패시턴스 값은 상기 제어전압(VC)의 크기에 따라서 변화하는 값이므로, 결국 동일한 커패시터(C1,C2)를 사용하고, 주파수의 변환을 위해서는 제어전압(VC)의 값을 변경하면된다.In addition, the NMOS transistors NM2 and NM3 and the capacitors C1 and C2 are charged when the voltages of the input terminals of the inverters INV2 and INV3 are high potential while the control voltage VC is at high potential. By performing the discharge operation at the low potential and increasing the length of the high potential section and the low potential section of the output clock signal by the delay of the signal, the frequency of the output clock signal can be adjusted. In addition, since the capacitance values of the capacitors C1 and C2 vary according to the magnitude of the control voltage VC, the same capacitors C1 and C2 are used in the end, and the control voltage VC is used to convert the frequency. Just change the value of.

도2는 상기 도1에 있어서, 제어전압(VC) 값에 따른 출력전압의 주파수를 보인 그래프도로서, 이에 도시한 바와 같이 출력전압의 이득은 (t2-t1)/(V2-V1)의 값을 갖으며, 이는 비선형의 이득 곡선으로 나타난다.FIG. 2 is a graph showing the frequency of the output voltage according to the control voltage VC in FIG. 1. As shown in FIG. 2, the gain of the output voltage is a value of (t2-t1) / (V2-V1). Which is represented by a nonlinear gain curve.

이와 같은 출력신호의 주파수를 변경하는 방법은 상기 인버터(INV1~INV3)를 구성하는 엔모스 트랜지스터와 피모스 트랜지스터의 채널 폭과 채널 길이의 비를 조절하는 것으로도 구현이 가능한다.Such a method of changing the frequency of the output signal may be implemented by adjusting the ratio of the channel width and the channel length of the NMOS transistor and the PMOS transistor constituting the inverters INV1 to INV3.

상기한 바와 같이 종래 링 오실레이터는 인버터 채인을 구성하는 인버터의 입력단에서 제어전압의 인가에 따른 커패시터에 의한 지연을 이용하여 출력전압의 이득과 주파수를 제어함으로써, 그 출력전압이 비선형으로 출력되어 그 주파수의 제어가 용이하지 않은 문제점이 있었다.As described above, the conventional ring oscillator controls the gain and frequency of the output voltage by using a delay caused by a capacitor according to the application of the control voltage at the input terminal of the inverter constituting the inverter chain, so that the output voltage is nonlinearly output and the frequency thereof. There was a problem that is not easy to control.

이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 제어전압에 따라 주파수가 선형으로 변화하는 출력전압을 갖는 링 오실레이터를 제공함에 그 목적이 있다.In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a ring oscillator having an output voltage in which a frequency varies linearly with a control voltage.

도1은 종래 링 오실레이터의 회로도.1 is a circuit diagram of a conventional ring oscillator.

도2는 도1에 있어서, 제어전압의 변화에 따른 출력전압의 주파수 변화를 보인 그래프도.FIG. 2 is a graph showing the frequency change of the output voltage according to the change of the control voltage in FIG.

도3은 본 발명 링 오실레이터의 회로도.3 is a circuit diagram of the ring oscillator of the present invention.

도4는 도3에 있어서, 제어전압의 변화에 따른 출력전압의 주파수 변화를 보인 그래프도.FIG. 4 is a graph showing the frequency change of the output voltage according to the change of the control voltage in FIG.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

1:감쇄부 NM1~NM3:엔모스 트랜지스터1: Attenuation part NM1-NM3: NMOS transistor

PM1:피모스 트랜지스터 R1~R3:저항PM1: PMOS transistor R1-R3: Resistance

C1,C2:커패시터 OPAMP:오피엠프C1, C2: Capacitor OPAMP: OPAMP

INV1~INV3:인버터INV1 to INV3: Inverter

상기와 같은 목적은 제어전압을 미세조정하여, 출력전압의 주파수가 제어전압의 변화에 따라 선형으로 변화되는 영역의 이득을 줄이고, 전압값의 폭을 넓힘으로써 달성되는 것으로, 이와 같은 본 발명을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.The above object is achieved by fine-adjusting the control voltage, reducing the gain of a region where the frequency of the output voltage changes linearly with the change of the control voltage, and widening the width of the voltage value. Referring to the drawings in detail as follows.

도3은 본 발명 링 오실레이터의 회로도로서, 이에 도시한 바와 같이 입력전압(VI)과 기준전압(VREF)을 인가받아 상기 기준전압(VREF)과 입력전압(VI)의 차를 증폭하여 미세조정이 가능한 제어전압(VC)을 출력하는 감쇄부(1)와; 바이어스(BIAS)전압에 도통제어되어 전원전압(VDD)을 인버터(INV1)의 전원전압입력단에 인가제어하는 피모스 트랜지스터(PM1)와; 제어전압(VC)에 도통제어되어 접지전압을 인버터(INV1)의 접지전압입력단에 인가하는 엔모스 트랜지스터(NM1)와; 상기 인버터(INV1)의 출력을 반전출력하는 인버터(INV2)와; 상기 인버터(INV2)의 입력단으로 부터 접지사이에 직렬접속된 상기 제어전압(VC)에 의해 도통제어되는 엔모스 트랜지스터(NM2)와 커패시터(C1)와; 상기 인버터(INV2)의 출력을 반전하여 상기 인버터(INV1)의 입력단으로 출력하는 인버터(INV3)와; 상기 인버터(INV3)의 입력단으로 부터 접지사이에 직렬접속된 상기 제어전압(VC)에 따라 도통제어되는 엔모스 트랜지스터(NM3)와 커패시터(C2)로 구성된다. 또한, 상기 감쇄부(1)는 저항(R1)을 통해 입력전압(VIN)을 정입력단에 인가받음과 아울러 저항(R2)를 통해 기준전압(VREF)을 부입력단에 입력받고, 상기 정입력단과 출력단 사이에 접속된 저항(R3)을 사용하여 입력전압(VIN)과 기준전압(VREF)의 차를 상기 저항(R2,R3)의 비로 증폭하여 출력하는 오피엠프(OPAMP)로 구성된다.FIG. 3 is a circuit diagram of the ring oscillator of the present invention. As shown in FIG. 3, the input voltage VI and the reference voltage VREF are applied to amplify the difference between the reference voltage VREF and the input voltage VI, thereby making fine adjustment. An attenuator 1 for outputting a possible control voltage VC; A PMOS transistor PM1 which is electrically controlled to a bias voltage to apply and control the power supply voltage VDD to the power supply voltage input terminal of the inverter INV1; An NMOS transistor NM1 which is electrically controlled to the control voltage VC and applies a ground voltage to the ground voltage input terminal of the inverter INV1; An inverter INV2 for inverting and outputting the output of the inverter INV1; An NMOS transistor NM2 and a capacitor C1 which are electrically controlled by the control voltage VC connected in series between the input terminal of the inverter INV2 and the ground; An inverter INV3 for inverting the output of the inverter INV2 and outputting the inverted terminal to the input terminal of the inverter INV1; An NMOS transistor NM3 and a capacitor C2 are conductively controlled according to the control voltage VC connected in series between the input terminal of the inverter INV3 and the ground. In addition, the attenuator 1 receives the input voltage VIN to the positive input terminal through the resistor R1 and receives the reference voltage VREF to the negative input terminal through the resistor R2. An op amp (OPAMP) for amplifying the difference between the input voltage (VIN) and the reference voltage (VREF) by the ratio of the resistors (R2, R3) using the resistor (R3) connected between the output terminal.

이하, 상기와 같이 구성된 본 발명 링 오실레이터의 동작을 설명한다.The operation of the ring oscillator of the present invention configured as described above will be described below.

먼저, 감쇄부(1)는 인가되는 입력전압(VIN)과 기준전압(VREF)을 인가받아 그 기준전압과 입력전압(VIN)의 차를 증폭하여 제어전압을 출력한다.First, the attenuator 1 receives an applied input voltage VIN and a reference voltage VREF, amplifies the difference between the reference voltage and the input voltage VIN, and outputs a control voltage.

그 다음, 바이어스(BIAS)와 제어전압(VC)이 인가되면, 상기 피모스 트랜지스터(PM1)와 엔모스 트랜지스터(NM1)가 도통되어 인버터(INV1)에 전원전압(VDD)과 접지전압(GND)을 인가하여 회로를 동작시킨다.Next, when the bias BIAS and the control voltage VC are applied, the PMOS transistor PM1 and the NMOS transistor NM1 are conducted so that the power supply voltage VDD and the ground voltage GND are connected to the inverter INV1. Is applied to operate the circuit.

상기와 같은 동작으로 인버터(INV1)는 입력단의 전위 상태에 따라 전원전압(VDD) 또는 접지전압(GND)을 출력하며, 이는 인버터(INV2)를 통해 다시 반전되고, 인버터(INV2)의 출력은 인버터(INV3)에 의해 반전되어 최초의 인버터(INV1)의 입력단에 인가된다.In the above operation, the inverter INV1 outputs the power supply voltage VDD or the ground voltage GND according to the potential state of the input terminal, which is inverted again through the inverter INV2, and the output of the inverter INV2 is the inverter. It is inverted by (INV3) and applied to the input terminal of the first inverter INV1.

이때 역시 종래와 동일한 방법으로 제어전압(VC)의 값에 따라 모스 트랜지스터(NM2,NM3)의 도통정도가 결정되고 이에 따라 커패시터의 충전과 방전 동작에 의해 인버터(INV2,INV3)에 인가되는 전압의 지연정도가 결정되어 출력전압의 주파수를 결정하게 된다.At this time, the conduction degree of the MOS transistors NM2 and NM3 is determined according to the value of the control voltage VC in the same manner as the conventional method, and accordingly, the voltage applied to the inverters INV2 and INV3 by the charging and discharging operation of the capacitor is determined. The degree of delay is determined to determine the frequency of the output voltage.

도4는 본 발명 링 오실레이터의 제어전압에 따른 출력전압의 주파수를 보인 그래프도로서, 이에 도시한 바와 같이 상기 감쇄부(1)를 감안하지 않은 상태 즉, 종래와 같은 출력파형(도4의 a)에서 그 출력이 제어전압(VC)의 변화에 따른 출력전압의 주파수 변화가 선형인 영역(A)의 이득을 감쇄시키고, 전압의 범위를 증가시켜 도4의 (b)에 도시한 바와 같은 선형으로 변화하는 출력전압을 얻을 수 있다.FIG. 4 is a graph showing the frequency of the output voltage according to the control voltage of the ring oscillator of the present invention. As shown in FIG. ), The output decreases the gain of the region A in which the frequency change of the output voltage is linear with the change of the control voltage VC, and increases the voltage range to increase the linearity as shown in FIG. It is possible to obtain a changing output voltage.

즉, 상기 제어전압(VC)의 변화에 따른 주파수의 변화가 선형인 영역(A)의 주파수는 그대로 유지한 채 전압의 범위를 넓히면 이득이 줄고 선형성이 향상된다.That is, when the frequency range is widened while the frequency of the region A in which the change of the frequency according to the change of the control voltage VC is linear remains the same, the gain decreases and the linearity is improved.

이때 감쇄기의 감쇄 팩터(ATTENUATON FACTOR)는 (V4-V3)/(V2-V1)으로 나타나 입력전압(VIN)의 값에 따른 출력전압의 주파수는 선형으로 변화하게 된다.At this time, the attenuation factor (ATTENUATON FACTOR) of the attenuator is represented by (V4-V3) / (V2-V1) so that the frequency of the output voltage according to the value of the input voltage VIN is changed linearly.

상기한 바와 같이 본 발명 링 오실레이터는 제어전압의 미세조정이 가능한 감쇄부를 두어 링 오실레이터의 출력전압의 주파수가 선형성을 갖는 부분의 전압범위를 넓혀 제어전압의 변화에 따른 주파수의 변화를 선형으로 함으로써, 주파수의 정확한 미세조정이 가능한 효과가 있다.As described above, the ring oscillator of the present invention has an attenuation portion capable of fine adjustment of the control voltage, thereby widening the voltage range of the portion where the frequency of the output voltage of the ring oscillator is linear, thereby linearizing the change of frequency according to the change of the control voltage. Accurate fine tuning of the frequency is possible.

Claims (2)

저항(R1)을 통해 입력전압(VIN)을 정입력단에 인가받음과 아울러 저항(R2)을 통해 기준전압(VREF)을 부입력단에 입력받고, 상기 정입력단과 출력단 사이에 접속된 저항(R3)을 사용하여 입력전압(VIN)과 기준전압(VREF)의 차를 상기 저항(R2,R3)의 비로 증폭하여 출력하는 오피엠프(OPAMP)를 구비하여, 입력전압(VI)과 기준전압(VREF)을 인가받아 상기 기준전압(VREF)과 입력전압(VIN)의 차를 증폭하여 미세조정이 가능한 제어전압(VC)을 출력하는 감쇄부(1)와; 바이어스(BIAS)전압에 도통제어되어 전원전압(VDD)을 인버터(INV1)의 전원전압입력단에 인가제어하는 피모스 트랜지스터(PM1)와; 제어전압(VC)에 도통제어되어 접지전압을 인버터(INV1)의 접지전압입력단에 인가하는 엔모스 트랜지스터(NM1)와; 상기 인버터(INV1)의 출력을 반전출력하는 인버터(INV2)와; 상기 인버터(INV2)의 입력단으로 부터 접지사이에 직렬접속된 상기 제어전압(VC)에 의해 도통제어되는 엔모스 트랜지스터(NM2)와 커패시터(C1)와; 상기 인버터(INV2)의 출력을 반전하여 상기 인버터(INV1)의 입력단으로 출력하는 인버터(INV3)와; 상기 인버터(INV3)의 입력단으로 부터 접지사이에 직렬접속된 상기 제어전압(VC)에 따라 도통제어되는 엔모스 트랜지스터(NM3)와 커패시터(C2)로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 링 오실레이터.The input voltage VIN is applied to the positive input terminal through the resistor R1, and the reference voltage VREF is input to the negative input terminal through the resistor R2, and the resistor R3 connected between the positive input terminal and the output terminal. OPAMP is used to amplify and output the difference between the input voltage VIN and the reference voltage VREF by the ratio of the resistors R2 and R3, thereby providing the input voltage VI and the reference voltage VREF. An attenuation unit 1 for outputting a control voltage VC capable of fine-tuning by amplifying a difference between the reference voltage VREF and the input voltage VIN; A PMOS transistor PM1 which is electrically controlled to a bias voltage to apply and control the power supply voltage VDD to the power supply voltage input terminal of the inverter INV1; An NMOS transistor NM1 which is electrically controlled to the control voltage VC and applies a ground voltage to the ground voltage input terminal of the inverter INV1; An inverter INV2 for inverting and outputting the output of the inverter INV1; An NMOS transistor NM2 and a capacitor C1 which are electrically controlled by the control voltage VC connected in series between the input terminal of the inverter INV2 and the ground; An inverter INV3 for inverting the output of the inverter INV2 and outputting the inverted terminal to the input terminal of the inverter INV1; And an NMOS transistor (NM3) and a capacitor (C2) which are conductively controlled according to the control voltage (VC) connected in series between the input terminal of the inverter (INV3) and the ground. 삭제delete
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100842727B1 (en) * 2006-11-15 2008-07-01 삼성전자주식회사 Voltage controlled oscillator and PLL having the same
KR100975990B1 (en) 2003-03-17 2010-08-13 매그나칩 반도체 유한회사 Variable frequency oscillator

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100873615B1 (en) * 2007-01-11 2008-12-12 주식회사 하이닉스반도체 Oscillator
KR101951844B1 (en) 2012-06-21 2019-02-26 삼성디스플레이 주식회사 Temperature sensing device and driving method thereof

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5331295A (en) * 1993-02-03 1994-07-19 National Semiconductor Corporation Voltage controlled oscillator with efficient process compensation

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5331295A (en) * 1993-02-03 1994-07-19 National Semiconductor Corporation Voltage controlled oscillator with efficient process compensation

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100975990B1 (en) 2003-03-17 2010-08-13 매그나칩 반도체 유한회사 Variable frequency oscillator
KR100842727B1 (en) * 2006-11-15 2008-07-01 삼성전자주식회사 Voltage controlled oscillator and PLL having the same

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Publication number Publication date
KR20020008448A (en) 2002-01-31

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