KR100366725B1 - Method for fabricating polymer film patterns on surface of a semiconductor wafer - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조에 관한 것으로, 특히 웨이퍼의 상면에 반도체 소자의 보호막 패턴을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 특히 웨이퍼의 전표면에 균일한 두께를 갖는 반도체 소자의 보호막 패턴의 제조방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다. 본 발명에 따른 반도체 소자의 반도체 소자의 보호막 패턴의 제조방법은, 웨이퍼의 상면에 균일한 두께를 갖는 반도체 소자의 보호막을 라미네이션하는 공정과, 상기 반도체 소자의 보호막을 패터닝하는 공정을 포함한다. 상기 반도체 소자의 보호막을 라미네이션하는 공정은, 상기 반도체 소자의 보호막의 상면에 부착된 상부 커버를 벗겨내는 공정과, 상기 반도체 소자의 보호막을 웨이퍼의 형상으로 자르는 공정과, 상기 웨이퍼 형상으로 잘려진 반도체 소자의 보호막을 이송장치를 이용하여 진공흡착함과 동시에 상기 반도체 소자의 보호막 하면에 부착된 하부 커버를 벗겨내는 공정과, 상기 이송장치에 진공흡착된 반도체 소자의 보호막을 웨이퍼 상에 올려놓는 공정과, 상기 반도체 소자의 보호막을 가열된 롤러를 이용하여 웨이퍼에 부착하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하여 구성된다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the manufacture of semiconductor devices, and more particularly to a method of manufacturing a protective film pattern of a semiconductor device on an upper surface of a wafer. An object of the present invention is to provide a method for producing a protective film pattern of a semiconductor element having a uniform thickness, particularly on the entire surface of the wafer. The manufacturing method of the protective film pattern of the semiconductor element of the semiconductor element which concerns on this invention includes the process of laminating the protective film of the semiconductor element which has a uniform thickness on the upper surface of a wafer, and the process of patterning the protective film of the said semiconductor element. The process of laminating the protective film of the semiconductor device may include removing a top cover attached to an upper surface of the protective film of the semiconductor device, cutting the protective film of the semiconductor device into a wafer shape, and a semiconductor device cut into the wafer shape. Removing the lower cover attached to the lower surface of the protective film of the semiconductor device while vacuum-absorbing the protective film of the semiconductor device using a transfer device, placing a protective film of the semiconductor element vacuum-absorbed on the wafer on the wafer; And a step of attaching the protective film of the semiconductor element to the wafer using a heated roller.
Description
본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로, 특히 웨이퍼의 표면에 반도체 소자의 보호막 패턴을 제조하는 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly, to a method of manufacturing a protective film pattern of a semiconductor device on a surface of a wafer.
반도체 소자의 제조에 있어서, 이용되는 반도체 소자의 보호막은 반도체 소자의 제조공정중에 식각 마스크로 이용되는 포토레지스트 필름 및 반도체 소자의 제조를 완료한 후, 그 표면을 보호하기 위해 형성하는 보호막(passivation layer)등을 들 수 있다. 그중 보호막으로 이용되는 반도체 소자의 보호막은 주로 폴리이미드이다.In the manufacture of a semiconductor device, the protective film of the semiconductor device used is a passivation layer formed to protect the surface of the semiconductor device after the photoresist film used as an etching mask and the semiconductor device are manufactured during the manufacturing process of the semiconductor device. ), And the like. Among them, the protective film of the semiconductor element used as the protective film is mainly polyimide.
상기와 같은 반도체 소자의 보호막을 웨이퍼 상면에 형성하는 방법은, 액상의 반도체 소자의 보호막 재료를 스핀 코팅하는 방법이 주로 이용되었다.As a method of forming the above protective film of a semiconductor element on the wafer upper surface, the method of spin-coating the protective film material of a liquid semiconductor element was mainly used.
종래의 반도체 소자의 표면 보호막으로서의 반도체 소자의 보호막 패턴의 형성방법을 첨부된 도1을 참조하여 설명하면 다음과 같다.A method of forming a protective film pattern of a semiconductor device as a surface protective film of a conventional semiconductor device will be described with reference to FIG. 1.
먼저 S1 단계에서 금속 배선 및 패드 형성 공정을 마친 웨이퍼의 표면에 스핀 코팅법으로 반도체 소자의 보호막을 형성한다. 이때의 반도체 소자의 보호막은 일반적으로 폴리이미드와 같은 액상 감광성 폴리머(Liquid photoimageable polymer)를 이용한다.First, a protective film of a semiconductor device is formed on the surface of the wafer after the metallization and pad forming process in step S1 by spin coating. At this time, the protective film of the semiconductor device generally uses a liquid photoimageable polymer such as polyimide.
다음으로 S2 단계에서 상기 감광성 폴리머를 건조(cure) 시킨다.Next, in the step S2, the photosensitive polymer is dried.
다음으로 S3 단계에서 패드 형성용 마스크를 이용하여 상기 감광성 폴리머를 노광한다.Next, in step S3, the photosensitive polymer is exposed using a pad forming mask.
다음으로 S4 단계에서 상기 감광성 폴리머를 현상하여 상기 패드의 상면을 노출시킴으로써 반도체 소자의 보호막 패턴의 형성 공정을 완료한다.Next, the photosensitive polymer is developed in step S4 to expose the top surface of the pad, thereby completing the process of forming the protective film pattern of the semiconductor device.
그러나 종래와 같은 스핀코팅법 및 포토리소그라피 공정을 이용한 반도체 소자의 보호막 패턴의 제조방법으로는, 웨이퍼 표면에 균일한 두께의 반도체 소자의 보호막 패턴을 제조하기 어렵다는 문제점이 있었다.However, there has been a problem that it is difficult to manufacture a protective film pattern of a semiconductor device having a uniform thickness on the wafer surface by the conventional method of manufacturing a protective film pattern of a semiconductor device using a spin coating method and a photolithography process.
웨이퍼 표면의 반도체 소자의 보호막(보호막)의 두께가 불균일1할 경우, 반도체 소자를 외부 전자 시스템 기기에 장착하였을 때, 반도체 소자와 외부 전자 시스템 기기 사이의 커패시턴스의 불안정을 초래하게 된다. 그로 인하여 신호 전달 노이즈등이 발생하게 되는등 반도체의 특성을 저하시키는 문제가 있었다.If the thickness of the protective film (protective film) of the semiconductor element on the wafer surface is nonuniform, when the semiconductor element is mounted on an external electronic system device, the capacitance between the semiconductor element and the external electronic system device may be unstable. This causes a problem of degrading the characteristics of the semiconductor, such as signal transmission noise.
특히 현재는 8인치 구경의 웨이퍼를 이용하여 반도체 소자를 제조하고 있지만 차후 본격적으로 반도체 제조 공정에 이용될 12인치 구경의 웨이퍼를 이용하는 반도체 소자 제조공정에서는 웨이퍼 표면에 전면적으로 균일한 두께의 반도체 소자의 보호막을 스핀코팅법을 이용하여 형성하는 것은 더욱 어려운 일이다.In particular, semiconductor devices are manufactured using 8-inch wafers, but in the semiconductor device manufacturing process using 12-inch wafers, which will be used in the semiconductor manufacturing process in full scale, semiconductor devices having a uniform thickness on the entire surface of the wafer It is more difficult to form the protective film by spin coating.
또한 최근 반도체 패키지의 제조방법으로 주목받고 있는 플립 칩 패키징법이나 웨이퍼 레벨의 칩사이즈패키징(CSP; chip size packaging)법에서는 10-40 마이크로 미터의 두꺼운 반도체 소자의 보호막으로 된 보호막으로서 형성해야 되는데 종래의 스핀코팅법으로 그와 같이 후막(thick film)을 스핀코팅법을 이용하여 균일한 두께로 형성하는 것 역시 매우 어렵다.In addition, the flip chip packaging method or the wafer level chip size packaging (CSP) method, which is recently attracting attention as a method of manufacturing a semiconductor package, has to be formed as a protective film of a protective film of a 10-40 micrometer thick semiconductor element. It is also very difficult to form a thick film using a spin coating method with a uniform thickness by using a spin coating method.
본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로, 웨이퍼의 표면에 균일한 두께를 갖는 반도체 소자의 보호막 패턴을 제조하는 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to provide a method for producing a protective film pattern of a semiconductor device having a uniform thickness on the surface of the wafer.
본 발명은 라미네이션법을 이용함으로써 종래에 비해 반도체 소자 제조의 신뢰성을 향상시킬 수 있고, 생산성을 증대할 수 있으며, 공정의단축 및 가격의 저렴화를 꾀할 수 있는 웨이퍼 표면에 반도체 소자의 보호막 패턴을 제조방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.By using the lamination method, the present invention can improve the reliability of semiconductor device manufacturing, increase productivity, and reduce the process and reduce the cost compared to the conventional manufacturing of the protective film pattern of the semiconductor device on the wafer surface. Its purpose is to provide a method.
상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 상기 반도체 소자의 보호막의 상면에 부착된 상부 커버를 벗겨내는 단계와, 상기 반도체 소자의 보호막을 레이저 커팅법에 의해 웨이퍼의 형상으로 자르는 단계와, 상기 웨이퍼 형상으로 잘려진 반도체 소자의 보호막을 이송장치를 이용하여 진공흡착함과 동시에 상기 반도체 소자의 보호막 하면에 부착된 하부 커버를 벗겨내는 단계와, 상기 이송장치에 진공흡착된 반도체 소자의 보호막을 웨이퍼 상에 올려놓는 단계와, 상기 반도체 소자의 보호막을 가열된 롤러를 이용하여 웨이퍼에 부착하는 단계를 포함하여 웨이퍼 상면에 반도체 소자의 보호막을 라미네이션하는 라미네이션 공정과; 상기 반도체 소자의 보호막을 레이저에 의해 반도체 소자의 보호막 패턴(passivation layer pattern)을 형성하는 패터닝 공정;을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면에 반도체 소자의 보호막 패턴을 제조하는 방법을 제조하는 방법을 제공한다.In order to achieve the object of the present invention as described above, peeling off the upper cover attached to the upper surface of the protective film of the semiconductor device, cutting the protective film of the semiconductor device in the shape of a wafer by a laser cutting method, and Vacuuming the protective film of the semiconductor device cut into the wafer shape using a transfer device, and simultaneously peeling off the lower cover attached to the lower surface of the protective film of the semiconductor device, and depositing the protective film of the semiconductor device vacuum-absorbed on the transfer device on the wafer. A lamination process of laminating a protective film of the semiconductor device on the upper surface of the wafer, including attaching the protective film of the semiconductor device to the wafer using a heated roller; And a patterning step of forming a passivation layer pattern of the semiconductor device by a laser on the passivation film of the semiconductor device. A method of manufacturing a method of manufacturing a passivation pattern of a semiconductor device on a wafer surface, the method comprising: do.
상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 상기 반도체 소자의 보호막 패턴의 재료는 폴리이미드 필름인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면에 반도체 소자의 보호막 패턴을 제조하는 방법을 제공한다.In order to achieve the object of the present invention as described above, the material of the protective film pattern of the semiconductor device is a polyimide film to provide a method for producing a protective film pattern of the semiconductor device on the wafer surface.
상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 상기 레이저에 의해 상기 반도체 소자의 보호막을 제거하여 반도체 소자의 보호막 패턴을 형성하는 패터닝 공정에서는 상기 반도체 소자의 보호막의 전체 두께 중 1-2 마이크론 두께의 반도체 소자의 보호막이 웨이퍼상에 남도록 상기 반도체 소자의 보호막을 제거하는 단계와, 상기 1-2 마이크론 두께의 상기 반도체 소자의 보호막을 플라즈마 가스로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 표면에 반도체 소자의 보호막 패턴을 제조하는 방법을 제공한다.In order to achieve the object of the present invention as described above, in the patterning process of removing the protective film of the semiconductor device by the laser to form a protective film pattern of the semiconductor device of 1-2 micron thickness of the total thickness of the protective film of the semiconductor device. Removing the protective film of the semiconductor device such that the protective film of the semiconductor device remains on the wafer; and removing the protective film of the semiconductor device having a thickness of 1-2 microns with plasma gas. A method of manufacturing a protective film pattern of an element is provided.
도1은 종래기술에 따른 반도체 소자의 보호막 패턴의 제조공정 순서도이다.1 is a flowchart illustrating a process of manufacturing a protective film pattern of a semiconductor device according to the prior art.
도2는 본 발명에 따른 반도체 소자의 반도체 소자의 보호막 패턴의 제조공정을 설명하기 위한 작업공간의 개략도이다.2 is a schematic diagram of a workspace for explaining a manufacturing process of a protective film pattern of a semiconductor device of the semiconductor device according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
10 : 반도체 소자의 보호막 롤 11 : 반도체 소자의 보호막10: protective film roll of semiconductor element 11: protective film of semiconductor element
11a : 상부 커버 11b : 하부 커버11a: upper cover 11b: lower cover
12 : 웨이퍼 지지판 13 : 롤러12 wafer support plate 13 roller
14 : 상부 커버 벗김 장치 15 : 자름장치14: upper cover peeling device 15: cutting device
16 : 이송장치 17 : 하부 커버 벗김 장치16 transfer device 17 lower cover peeling device
19 : 웨이퍼19: wafer
본 발명에 따른 웨이퍼 표면에 반도체 소자의 보호막 패턴을 제조하는 방법을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Referring to the accompanying drawings, a method for manufacturing a protective film pattern of a semiconductor device on the wafer surface according to the present invention will be described.
먼저 반도체 웨이퍼의 표면에 박막을 증착하고, 식각하고, 웨이퍼내에 불순물 이온을 주입하는 공정등을 여러 차례 반복 수행하여, 웨이퍼에 다수의 반도체 소자를 제조하고, 상기 각 반도체 소자들을 전기적으로 연결하기 위한 금속 배선공정 및 외부 회로와의 전기적인 접속를 도전성 패턴 즉 금속 패드 형성 공정을 수행한다.First, a process of repeatedly depositing a thin film on the surface of a semiconductor wafer, etching, implanting impurity ions into the wafer, etc. is repeated several times to manufacture a plurality of semiconductor devices on the wafer and to electrically connect the semiconductor devices. The electrical wiring with the metal wiring process and the external circuit is performed with a conductive pattern, that is, a metal pad forming process.
다음으로, 상기 웨이퍼의 상면 전체에 균일한 두께로 제작된 반도체 소자의 보호막을 씌우고 접착(lamination) 한다. 상기 반도체 소자의 보호막의 두께는, 와이어 본딩법을 이용하여 반도체 소자를 패키징 할 경우에는 3-10 마이크론 정도가 바람직하며, 플립칩 패키지에 적용할 경우에는 5-25 마이크론 정도가 적당하다. 또한 웨이퍼 레벨의 칩 사이즈 패키지(CSP; chip size package)를 제조할 경우에는 25-40 마이크론 정도 두께의 반도체 소자의 보호막을 이용하는 것이 바람직하다. 종래의 스핀코팅법을 이용한 반도체 소자의 보호막 형성방법은, 형성할 수 있는 두께에 제한이 있었으나, 본 발명과 같이 중합체를 필름화하여 라미네이션 하는 경우 두께에 구애 받지 않고, 필요한 두께의 필름을 구입하여 사용할 수 있는 장점이 있다.Next, the entire surface of the wafer is covered with a protective film of a semiconductor device having a uniform thickness and laminated. The thickness of the protective film of the semiconductor device is preferably about 3-10 microns when packaging the semiconductor device using a wire bonding method, and about 5-25 microns when applied to a flip chip package. In addition, when manufacturing a wafer-level chip size package (CSP), it is preferable to use a protective film of a semiconductor device having a thickness of about 25-40 microns. In the conventional method of forming a protective film of a semiconductor device using the spin coating method, there is a limit to the thickness that can be formed, but in the case of laminating by polymerizing the polymer as in the present invention, regardless of the thickness, a film having a necessary thickness There is an advantage to use.
또한 반도체 소자의 보호막으로 이용하기 위한 상기 반도체 소자의 보호막은 폴리이미드 필름을 이용하는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable to use a polyimide film as a protective film of the said semiconductor element for using as a protective film of a semiconductor element.
또한 상기 반도체 소자의 보호막은 먼지나 습기등이 부착되는 것을 방지하기 위해 그 양면에 각각 보호용 커버로서 상부 커버와 하부 커버가 부착되어 있다. 상기 보호용 커버들은 웨이퍼상에 상기 반도체 소자의 보호막을 라미네이션 할 때에 떼어낸다. 웨이퍼의 상면에 반도체 소자의 보호막을 라미네이션하는 방법을 첨부된 도2를 참조하여 좀더 상세히 설명하면 다음과 같다.In addition, the protective film of the semiconductor device is attached to the upper cover and the lower cover as a protective cover, respectively, on both surfaces thereof in order to prevent dust or moisture from being attached. The protective covers are peeled off when laminating the protective film of the semiconductor element on the wafer. A method of laminating a protective film of a semiconductor device on an upper surface of a wafer will be described in more detail with reference to FIG. 2.
작업공간의 임의의 개소에 반도체 소자의 보호막(11)의 롤(10)을 설치한다. 상기 반도체 소자의 보호막(11)은 양면에 상부커버(11a)와 하부커버(11b)가 보호용 커버로서 부착되어 있으며, 롤(10)형태로 보관되어 있다.The roll 10 of the protective film 11 of a semiconductor element is provided in arbitrary places of a workspace. In the protective film 11 of the semiconductor device, the upper cover 11a and the lower cover 11b are attached to both surfaces as a protective cover, and are stored in the form of a roll 10.
작업공간의 또다른 개소에는 웨이퍼(19)를 올려 놓기 위한 웨이퍼 지지판(12)이 설치되어 있다. 또 상기 웨이퍼 지지판(12)의 상부에는 반도체 소자의 보호막(11)을 웨이퍼(19)의 상면에 올려 놓은 후 웨이퍼(19)와 반도체 소자의 보호막(11)이 잘 붙도록 눌러주는 가열된 롤러(13)가 설치되어 있다.In another part of the workspace, a wafer support plate 12 for placing the wafer 19 is provided. In addition, the upper surface of the wafer support plate 12 is a heated roller that puts the protective film 11 of the semiconductor device on the upper surface of the wafer 19 and presses so that the wafer 19 and the protective film 11 of the semiconductor device stick well ( 13) is installed.
한편 상기 반도체 소자의 보호막 롤(10)과 상기 웨이퍼 지지판(12) 사이에는 반도체 소자의 보호막(11)의 상면에 부착된 상부 커버(11a)를 벗겨 내기 위한 상부 커버 벗김 장치(14)가 설치되어 있고, 또한 커버가 벗겨진 반도체 소자의 보호막을 웨이퍼의 형상으로 잘라주는 자름 장치(15)가 설치되어 있으며, 또한 자름장치(15)에 의해 웨이퍼 형상으로 잘라된 반도체 소자의 보호막(11)을 진공흡착법을 이용하여 웨이퍼 지지판(12)의 상면에 재치된 웨이퍼(19)의 상면으로 이송시키기 위한 이송장치(16)가 순차적으로 설치되어 있다. 또한 상기 이송장치(16)의 하방측에는 상기 반도체 소자의 보호막(11)의 하면에 부착된 하부 커버(11b)를 벗겨 내기 위한 하부 커버 벗김 장치(17)가 설치되어 있다.On the other hand, between the protective film roll 10 of the semiconductor element and the wafer support plate 12 is provided an upper cover peeling device 14 for peeling off the upper cover (11a) attached to the upper surface of the protective film 11 of the semiconductor element And a cutting device 15 which cuts the protective film of the semiconductor device with the cover removed into the shape of a wafer, and vacuum-absorbs the protective film 11 of the semiconductor device cut into the wafer shape by the cutting device 15. The transfer apparatus 16 for conveying to the upper surface of the wafer 19 mounted on the upper surface of the wafer support plate 12 by using is sequentially provided. In addition, a lower cover peeling device 17 is provided below the transfer device 16 to peel off the lower cover 11b attached to the lower surface of the protective film 11 of the semiconductor element.
상기와 같은 구조로 되어 있는 작업 공간내에서 반도체 소자의 보호막(11)을 웨이퍼(19)에 라미네이션하는 방법은 다음과 같다.A method of laminating the protective film 11 of the semiconductor element to the wafer 19 in the working space having the above structure is as follows.
먼저 반도체 소자의 보호막의 롤(10)로부터 반도체 소자의 보호막(11)을 웨이퍼 지지판(12)쪽으로 진행시킨다. 다음으로 상기 상부 커버 벗김 장치(13)를 이용하여 상기 상부 커버(11a)를 벗겨낸다.First, the protective film 11 of a semiconductor element is advanced toward the wafer support plate 12 from the roll 10 of the protective film of a semiconductor element. Next, the upper cover 11a is peeled off using the upper cover peeling device 13.
다음으로 상기 상부 커버(11a)가 벗겨진 반도체 소자의 보호막(11)를 자름장치(15)를 이용하여 레이저 커팅법(cutting)으로 웨이퍼의 형상과 같은 모양으로 자른다.Next, the protective film 11 of the semiconductor element from which the upper cover 11a is peeled off is cut into the shape of a wafer by laser cutting using the cutting device 15.
다음으로, 상기 웨이퍼 형상으로 잘라진 반도체 소자의 보호막(11)을 이송장치(16)를 이용하여 진공흡착하고, 작업대(14)의 하방에 설치된 하부 커버 벗김 장치(17)를 이용하여 상기 반도체 소자의 보호막(11)의 하면에 부착된 하부 커버(11b)를 벗겨낸다.Next, the protective film 11 of the semiconductor element cut into the wafer shape is vacuum-absorbed using the transfer device 16, and the lower cover peeling device 17 provided below the work table 14 is used for the semiconductor element. The lower cover 11b attached to the lower surface of the protective film 11 is peeled off.
다음으로 상기 이송장치(17)에 흡착된 반도체 소자의 보호막(11)을 웨이퍼 지지판(12)의 상면에 재치되어 있는 웨이퍼(19)의 상면에 놓고, 가열된 롤러(13)를 이용하여 웨이퍼(19)의 표면에 단단히 붙도록 라미네이션한다.Next, the protective film 11 of the semiconductor element adsorbed by the transfer device 17 is placed on the upper surface of the wafer 19 placed on the upper surface of the wafer support plate 12, and the wafer (using the heated roller 13) is used. Laminate to firmly adhere to the surface of 19).
상기 설명한 바와 같이 웨이퍼의 상면에 반도체 소자의 보호막을 라미네이션 한 다음에는, 상기 반도체 소자의 보호막을 패터닝하는 공정을 수행함으로써, 웨이퍼에 형성되어 있는 다수의 도전성 패턴 또는 패드부의 상면을 노출시킨다.As described above, after laminating the protective film of the semiconductor device on the upper surface of the wafer, a process of patterning the protective film of the semiconductor device is performed to expose the upper surfaces of the plurality of conductive patterns or pads formed on the wafer.
또한 상기 반도체 소자의 보호막의 패터닝 공정은, 이산화 탄소(CO2) 레이저 또는 엑시머(eximer) 레이저등의 레이저를 이용하여 패드 상면의 반도체 소자의 보호막을 제거하는 레이저 제거법도 있다. 레이저 제거법를 이용한 패드 노출공정의 경우, 패드 상면의 반도체 소자의 보호막 전체를 레이저로 제거하는 경우 패드가 레이저에 의해 손상을 입을 수도 있다. 따라서, 레이저를 이용한 반도체 소자의 보호막 제거시에는 패드 상면에 약 1-2 마이크론 정도 두께의 폴리머 필름을 남도록 하는 것이 바람직하다. 상기 1-2마이크론 두께의 반도체 소자의 보호막은 플라즈마 가스를 이용하여 제거함으로써 패드에 손상을 주는 것을 방지할 수 있다. 상기 레이저를 이용한 반도체 소자의 보호막 제거방법은 공정이 매우 간단하다는 장점이 있으며, 감광막(photo resist)를 사용하지 않으므로 재료비를 줄일 수 있는 경제적인 잇점이 있으며, 또한 액상의 화학약품들(포토레지스트, 현상액, 포토레지스트 제거용 화학약품등)을 사용하지 않으므로 환경의 보호에도 기여할 수 있는 잇점이 있다.There is also a patterning step of the protective film of the semiconductor element, carbon dioxide (CO 2) laser, or a laser removal method for removing a protective film of a semiconductor device the top surface of the pad by using a laser such as an excimer (eximer) laser. In the pad exposing process using the laser removal method, the pad may be damaged by the laser when the entire protective film of the semiconductor element on the upper surface of the pad is removed by the laser. Therefore, when removing the protective film of the semiconductor device using a laser, it is preferable to leave a polymer film about 1-2 microns thick on the upper surface of the pad. The protective film of the semiconductor device having a thickness of 1-2 microns can be removed using plasma gas to prevent damage to the pad. The method of removing the protective film of the semiconductor device using the laser has the advantage that the process is very simple, and there is an economical advantage to reduce the material cost because it does not use a photo resist, and also liquid chemicals (photoresist, Developers, chemicals for removing photoresist, etc.) are not used, which can contribute to environmental protection.
본 발명에 따른 웨이퍼 표면에 반도체 소자의 보호막 패턴을 제조하는 방법은, 균일한 두께를 갖는 반도체 소자의 보호막을 웨이퍼상에 형성할 수 있으므로, 반도체 소자의 특성 저하를 막을 수 있는 효과가 있다.The method for producing a protective film pattern of a semiconductor device on the wafer surface according to the present invention can form a protective film of a semiconductor device having a uniform thickness on the wafer, thereby having an effect of preventing the deterioration of characteristics of the semiconductor device.
본 발명에 따른 웨이퍼 표면에 반도체 소자의 보호막 패턴을 제조하는 방법은, 종래의 스핀 코팅법으로 쉽게 형성할 수 없는 두꺼운 필름을 웨이퍼상에 형성할 수 있다는 장점이 있다.The method for producing a protective film pattern of a semiconductor device on the wafer surface according to the present invention has the advantage that a thick film that cannot be easily formed by a conventional spin coating method can be formed on the wafer.
본 발명에 따른 웨이퍼 표면에 반도체 소자의 보호막 패턴을 제조하는 방법은, 종래에 비해 공정이 단순하고 간편하고 공정시간이 단축되므로 반도체 소자 제조의 생산성을 높이는 효과가 있다.The method of manufacturing a protective film pattern of a semiconductor device on the wafer surface according to the present invention has the effect of increasing the productivity of semiconductor device manufacturing because the process is simpler, simpler and the process time is shorter than in the prior art.
본 발명에 따른 웨이퍼 표면에 반도체 소자의 보호막 패턴을 제조하는 방법은, 재료비를 절감할 수 있으므로 반도체 소자의 제조비용을 낮추는 효과가 있다.The method for manufacturing a protective film pattern of a semiconductor device on the wafer surface according to the present invention can reduce the material cost, thereby reducing the manufacturing cost of the semiconductor device.
본 발명에 따른 웨이퍼 표면에 반도체 소자의 보호막 패턴을 제조하는 방법은, 환경에 위해한 화학약품들의 사용을 줄이므로, 환경오염을 방지할 수 있는 효과가 있다.The method for manufacturing a protective film pattern of a semiconductor device on the surface of the wafer according to the present invention, because it reduces the use of chemicals harmful to the environment, there is an effect that can prevent environmental pollution.
본 발명에 따른 웨이퍼 표면에 반도체 소자의 보호막 패턴을 제조하는 방법은, 반도체 소자의 보호막을 웨이퍼의 형상대로 잘라서 웨이퍼 표면에 라미네이션하므로, 웨이퍼 표면에 반도체 소자의 보호막 형성시 웨이퍼를 물리적으로 손상시킬 염려가 없으므로, 반도체 소자의 신뢰성을 향상시키는 효과가 있다.In the method of manufacturing a protective film pattern of a semiconductor device on the wafer surface according to the present invention, since the protective film of the semiconductor device is cut in the shape of the wafer and laminated on the wafer surface, the wafer may be physically damaged when the protective film of the semiconductor device is formed on the wafer surface. Since there is no, it is effective to improve the reliability of the semiconductor device.
Claims (10)
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