KR100365560B1

KR100365560B1 - Method for removing photoresist layer and polymer

Info

Publication number: KR100365560B1
Application number: KR1019950050464A
Authority: KR
Inventors: 김정호; 김진웅
Original assignee: 주식회사 하이닉스반도체
Priority date: 1995-12-15
Filing date: 1995-12-15
Publication date: 2003-03-03

Abstract

PURPOSE: A method for removing a photoresist layer and a polymer layer is provided to be capable of simplifying removal processes and improving productivity by sequentially removing the photoresist layer and polymer layer without an additional process. CONSTITUTION: A photoresist layer used as an etching mask is removed in an etching chamber under mixed gas condition. At this time, the mixed gas contains oxygen gas, Ar gas, and helium gas. After removing the helium gas remaining in the etching chamber, the photoresist layer remaining after carrying out the removal process of the photoresist layer and polymer layer, is removed by using oxygen gas having a flow rate of 100-1000 sccm. Preferably, the removal process is carried out by using a three-step process.

Description

How to remove photoresist and polymer

본 발명은 반도체 소자, 엘.시.디.(liquid crystal display., LCD), 에프.이.디.(field emission display, FED) 제조공정 중 식각을 위하여 감광막을 사용하는 제조기술에 있어서 감광막 및 폴리머(polymer) 제거방법에 관한 것으로, 특히 추가적인 방법이나 새로운 공정 없이 식각 후 감광막 및 폴리머를 연속적으로 제거하여 공정 단순화 및 생산성 향상을 기할 수 있는 감광막 및 폴리머 제거방법에 관한 것이다.The present invention relates to a photoresist film in a manufacturing technique using a photoresist film for etching during a semiconductor device, liquid crystal display (LCD), F.D. (field emission display, FED) manufacturing process. The present invention relates to a method of removing a polymer, and more particularly, to a method of removing a photoresist and a polymer capable of simplifying a process and improving productivity by continuously removing the photoresist and a polymer after etching without additional methods or new processes.

감광막을 사용하여 패턴을 형성하기 위한 종래의 식각공정에 있어시, 식각을 위하여 형성한 감광막을 제거하려면 식각 후 감광막 제거장비(photo resist Stripper)로 공정을 옮겨 추가공정을 행하지만 감광막 제거 시 폴리머는 완전하게 제거되지 않아 폴리머를 제거하기 위하여 습식 공정 등 추가공정을 추가해야 하는 등의 문제점이 있다.In the conventional etching process for forming a pattern using a photoresist film, to remove the photoresist film formed for etching, the process is moved to a photoresist stripper after etching and an additional process is performed. Since it is not completely removed, there is a problem such as adding an additional process such as a wet process to remove the polymer.

따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 감광막과 폴리머가 고온, 고압, 고밀도 플라즈마에서 더욱 빨리 그리고 깨끗하게 제거되는 성질을 감안하여 웨이퍼를 고온으로 하기 위해 온도전달을 목적으로 사용된 헬륨(He)을 제거하였고, 고압을 위하여 산소의 유량을 높임으로써 감광막과 폴리머를 제거하는 감광막 및 폴리머 제거방법을 제공함에 그 목적이 있다.Therefore, in order to solve the above problem, helium (He) used for the purpose of temperature transfer to bring the wafer to a high temperature in consideration of the property of the photoresist film and the polymer is removed more quickly and cleanly in high temperature, high pressure, high density plasma. The purpose of the present invention is to provide a photoresist film and a polymer removal method for removing the photoresist film and the polymer by increasing the flow rate of oxygen for high pressure.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징은,Features of the present invention for achieving the above object,

산소, 아르곤 및 헬륨 혼합가스 분위기의 식각 챔버 내에서 식각마스크로 사용된 감광막을 제거하는 공정과,Removing a photoresist film used as an etching mask in an etching chamber in an oxygen, argon and helium mixed gas atmosphere;

상기 식각 챔버 내의 헬륨 가스를 제거한 후 산소의 유량을 100 ∼ 1000sccm으로 하여 상기 감광막 제거 후 잔류하는 감광막과 폴리머를 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.And removing the photoresist film and the polymer remaining after the photoresist film is removed by removing the helium gas in the etching chamber and adjusting the flow rate of oxygen to 100 to 1000 sccm.

이하, 본 발명에 대한 상세한 설명을 하면 다음과 같다.Hereinafter, a detailed description of the present invention.

식자 후의 감광막 및 폴리머 제거조건을 다음과 같이 한다.After removal of the photoresist and the polymer, the following conditions are performed.

첫째, 1단계(전이단계) 제거조건으로서, 온도전달을 위하여 사용된 헬륨을 제거해 준다.First, as a first stage (transition stage) removal condition, helium used for temperature transfer is removed.

1) 산소와 아르곤은 각각 100 ∼ 1000sccm과 50 ∼ 150sccm으로 흘려주고, 헬륨은 제거한다.1) Oxygen and argon are flowed at 100 to 1000 sccm and 50 to 150 sccm, respectively, and helium is removed.

2) 전극온도는 -60 ∼ 60℃로 한다.2) The electrode temperature is -60 to 60 ° C.

3) 소스 파워(source power)와 바이어스 파워는 각각 1000 ∼ 3000W와 0W로 인가한다.3) Source power and bias power are applied at 1000 ~ 3000W and 0W, respectively.

둘째, 2단계 제거조건 즉, 감광막 및 폴리머 제거 단계이다.Secondly, two-stage removal conditions, namely, photoresist and polymer removal.

1) 산소와 아르곤은 각각 100 ∼ 1000sccm과 50 ∼ 150sccm 흘려주고, 헬륨은 제거한다.1) Flow 100 to 1000 sccm and 50 to 150 sccm of oxygen and argon, respectively, and remove helium.

3) 소스 파워와 바이어스 파워는 각각 1000 ∼ 3000W와 100 ∼ 300W로 인가한다.3) Source power and bias power are applied at 1000 ~ 3000W and 100 ~ 300W, respectively.

상기 2단계 제거조건은 식각 후 감광막 및 폴리머를 제거하는 조건으로서, 바이어스 파워의 크기 및 시간을 가능한 한 작게 인가하여 하부의 실리콘기판이나 다결정실리적이 손상을 크게 미치는The two-stage removal condition is a condition for removing the photoresist film and polymer after etching, by applying the size and time of the bias power as small as possible to greatly damage the silicon substrate or polycrystalline silicon at the bottom.

셋째, 제 3단계 제거조건으로서, 나머지 감광막 및 폴리머 제거공정이다.Third, as a third step removal condition, the remaining photoresist film and polymer removal process.

3) 소스 파워는 1000 ∼ 3000W로 인가하고, 바이어스 파워는 인가하지 않는다.3) Source power is applied at 1000 to 3000W, but bias power is not applied.

상기 3단계 제거조건은 고밀도 산소 및 아르곤 플라즈마가 형성되어 있어서 감광막 및 폴리머 제거에 매우 효과적이다. 그러나 손상 받아서는 안 되는 실리콘기판및 다결정 실리콘, 기타 다른 산화막이나 질화막에 거의 손상을 주지 않는 공정이다.The three-stage removal conditions are very effective in removing the photoresist film and polymer because the high-density oxygen and argon plasma are formed. However, it is a process that hardly damages the silicon substrate, polycrystalline silicon, other oxide film or nitride film which should not be damaged.

위의 제거조건을 이용한 3단계 공정을 완료한 결과 감광막 및 폴리머가 깨끗하게 제거된다.As a result of completing the three-step process using the above removal conditions, the photoresist and polymer are removed cleanly.

이상, 상술한 바와 같이 본 발명은 식각 후 감광막 및 폴리머 제거를 위하여 추가적인 장비와 공정을 필요로 하지 않고, 한 장비 내에서 연속적으로 식각하여공정의 단순화 및 속도를 매우 증가시켜 단위시간당 산출량(Throughput)을 매우 높일수 있어 원가절감에 매우 크게 기여할 수 있다.As described above, the present invention does not require additional equipment and processes for removing the photoresist film and polymer after etching, and continuously etches in one equipment to greatly increase the speed and speed of the process. Can greatly increase the cost, which can greatly contribute to cost reduction.

Claims

Removing a photoresist film used as an etching mask in an etching chamber in an oxygen, argon and helium mixed gas atmosphere;

Removing the helium gas in the etching chamber and removing the photoresist and the polymer after the removal of the photoresist with a flow rate of oxygen of 100 to 1000 sccm.

The method of claim 1,

The remaining photoresist film and the polymer removal step flow oxygen and argon at 100 to 100 sccm and 50 to 150 sccm, respectively, remove helium, electrode temperature at -60 to 60 ° C, and source power and bias power at 1000 to Transition phase applied at 3000W and 0W,

Applying the bias power at 100 to 300 W to remove the remaining photoresist and polymer;

And removing the photoresist film and the polymer which is not removed in the previous step without applying the bias power.