KR100364759B1 - master for plasma display panel and method for fabricating the same and method for fabricating plate of plasma display panel using the same - Google Patents

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Abstract

피디피용 금형과 그 제조 방법 및 그를 이용한 피디피 기판 제조 방법으로서, 피디피용 금형 제조 방법은 기판 위에 패턴 물질을 형성하고 패터닝하여 기판의 일부분이 노출되도록 요철 형상의 도금틀을 형성하고, 노출된 기판에 금속 물질층을 형성하고 도금틀 및 금속 물질층을 평탄화한 다음, 도금틀을 제거하여 요철 형상을 갖는 금속 구조물을 형성하는 공정으로 구성되며, 피디피의 기판을 제조하기 위한 금형 제작 공정에 있어서 상기와 같이 마이크로 머시닝 기술 및 반도체 소자 제조 공정을 이용함으로써, 균일화와 정밀화 및 소형화를 가능하게 하여 고선명화 및 대면적화를 실현할 수 있고, 피디피 기판을 대량 복제함으로써 양산성(throughput) 및 수율을 개선할 수 있다.A mold for a PD, a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing a PD substrate using the same, in which a mold for forming a PD is formed and patterned on a substrate to form a plating frame having an uneven shape to expose a portion of the substrate, and to the exposed substrate. Forming a metal material layer, flattening the plating mold and the metal material layer, and then removing the plating mold to form a metal structure having a concave-convex shape. Similarly, by using micromachining technology and semiconductor device manufacturing process, it is possible to achieve uniformity, precision, and miniaturization, to realize high definition and large area, and to improve throughput and yield by mass copying PDP substrate. .

Description

피디피용 금형과 그 제조 방법 및 그를 이용한 피디피 기판 제조 방법{master for plasma display panel and method for fabricating the same and method for fabricating plate of plasma display panel using the same}Mold for PD and its manufacturing method and method for manufacturing PD substrate using same {master for plasma display panel and method for fabricating the same and method for fabricating plate of plasma display panel using the same}

본 발명은 평면 표시 장치인 피디피(PDP : plasma display panel) 구조에 관한 것으로, 특히 피디피용 금형과 그 제조 방법 및 그를 이용한 피디피 기판 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a structure of a plasma display panel (PDP) which is a flat panel display device, and more particularly, to a mold for a PD, a method of manufacturing the same, and a method of manufacturing a PD substrate using the same.

최근 화상 표시 장치의 발전 추세는 대면적화, 고선명화로 요약할 수 있으며, 기존의 CRT(cathode ray tube)를 채용한 화상 표시 장치는 동작 원리상 대형화에 한계를 갖고 있다. 이러한 CRT의 한계를 극복할 수 있는 화상 표시 장치로서 평판 디스플레이(flat panel display)에 대한 수요가 점차적으로 증대되고 있는 추세이다.Recent development trends of image display devices can be summarized in terms of large area and high definition, and conventional image display devices employing cathode ray tubes (CRTs) have limitations in their size. As an image display device capable of overcoming the limitations of the CRT, the demand for flat panel displays is gradually increasing.

즉, 평판 표시 장치의 경우 CRT와 동일한 화면 크기를 갖는 화상 표시 장치의 두께를 대폭 줄일 수 있고, 그 구조상 화면 자체가 평면이므로 보다 얇은 제품을 구현할 수 있게 되어 홈 씨어터(home theater)와 같은 대형 화면을 요구하는 용도에 적합하리라 예상된다.That is, in the case of a flat panel display device, the thickness of an image display device having the same screen size as that of a CRT can be greatly reduced, and since the screen itself is flat, a thinner product can be realized, thereby allowing a large screen such as a home theater. It is expected to be suitable for applications requiring

이와 같은 평판 디스플레이에는 박막 액정 표시 장치(TFT LCD), 전계 방출 표시 장치(FED), 전계 발광 표시 장치(ELD)등이 있으나, 시야각, 조도 및 대면적화의 관점에서 최근 각광 받고 있는 방식이 PDP 이다.Such a flat panel display includes a thin film liquid crystal display (TFT LCD), a field emission display (FED), an electroluminescent display (ELD), etc., but PDP is a method that has recently been in the spotlight in view of viewing angle, illuminance, and large area. .

그러나 이상에서 설명한 종래 기술에 따른 피디피용 금형과 그 제조 방법 및 그를 이용한 피디피 기판 제조 방법은 대면적인 각각의 후면 기판에 대해 감광막 도포, 노광, 현상, 화학적 식각 등의 여러 공정을 거쳐 제작하기 때문에 양산성(throughput) 및 수율(yield)면에서 떨어지는 문제점이 있다.However, the above-described conventional mold for PDPD, its manufacturing method, and PDPC substrate manufacturing method using the same are produced in a large number of substrates through various processes such as photoresist coating, exposure, development, and chemical etching. There is a problem in terms of throughput and yield.

따라서 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 마이크로 머시닝 기술과 반도체 소자 제조 공정을 이용하여 정밀 금형을 제작하고, 상기 제작된 금형으로 피디피 기판을 대량으로 성형함으로써, 기판의 정밀도와 균일도 및 픽셀의 소형화를 가능케 하여 고선명화와 대면적화를 실현시키고, 양산성 및 수율을 향상시키는 피디피용 금형과 그 제조 방법 및 그를 이용한 피디피 기판 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.Therefore, the present invention has been made to solve the above problems, by using a micro machining technology and a semiconductor device manufacturing process to produce a precision mold, by molding a large amount of PDP substrate with the produced mold, It is an object of the present invention to provide a mold for a PD, a method of manufacturing the same, and a method for manufacturing a PD substrate using the same, which enables uniformity and miniaturization of pixels to realize high definition and large area, and improve mass productivity and yield.

도 1 은 마이크로 머시닝을 이용한 상판과 하판을 갖는 피디피 디스플레이 소자의 구성을 나타낸 도면BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 shows the configuration of a PD display device having an upper plate and a lower plate using micromachining

도 2a 내지 도 2i 는 마이크로 머시닝을 이용하여 피디피 후면 기판/백-플레이트용 정밀 금형 성형 공정을 나타낸 도면2A-2I illustrate a precision mold forming process for PDP back substrate / back-plate using micro machining

도 3a 내지 도 3c 는 마이크로 머시닝으로 제조된 금형을 이용한 피디피 백-플레이트 성형 공정을 나타낸 도면3A to 3C show a PD back-plate forming process using a mold manufactured by micro machining.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

10 : 금형 원판 11 : 씨드층10: mold disc 11: seed layer

12 : 후막 감광막 13 : 포토 마스크12 thick film photosensitive film 13 photo mask

14 : 감광막 도금틀 15 : 자외선 평행광14 photosensitive film plating frame 15 ultraviolet parallel light

16 : 마스크 패턴 투과광 17 : 금속 물질16: mask pattern transmitted light 17: metal material

18 : 금속 구조물 20 : 백-플레이트/후면 기판18 metal structure 20 back-plate / back substrate

21 : 격벽 22 : 기판21: partition 22: substrate

23 : 백-플레이트 원료 24 : 하부 전극(양극)23 back-plate raw material 24 lower electrode (anode)

25 : 금형 31 : 상판25: mold 31: top plate

32 : 상부 전극32: upper electrode

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 피디피용 금형의 특징은 다수의 스트라이프 패턴의 격벽 구조물을 갖는 피디피 기판을 얻기 위한 피디피용 금형에 있어서, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 씨드 금속층과, 그리고 상기 씨드 금속층 상부에 도금에 의해 상기 기판의 수직한 방향에 대해 0 ~ 90도 사이의 각도로 기울어진 측벽 기울기를 갖도록 요철형상으로 형성된 금속 구조물을 포함하여 구성되는데 있다.상기 기판은 금속 물질을 포함한 물질로 이루어진다.A feature of a PD mold according to the present invention for achieving the above object is a PD mold for obtaining a PD substrate having a partition structure of a plurality of stripe patterns, the substrate, a seed metal layer formed on the substrate, And a metal structure formed in a concave-convex shape so as to have a sidewall slope inclined at an angle between 0 and 90 degrees with respect to the vertical direction of the substrate by plating on the seed metal layer. It consists of a substance that contains.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 피디피용 금형 제조 방법의 특징은 다수의 스트라이프 패턴의 격벽 구조물을 갖는 피디피 기판을 얻기 위한 피디피용 금형 제조에 있어서, 기판 위에 씨드 금속층을 형성하고, 상기 씨드 금속층 위에 패턴 물질을 형성하는 제 1 단계와, 상기 스트라이프 패턴 영역만큼의 상기 씨드 금속층이 노출되도록 상기 패턴 물질을 0 ~ 90도 사이의 각도로 기울어진 측벽 기울기를 갖도록 패터닝하여 0 ~ 90도 사이의 각도로 기울어진 측벽 기울기를 갖는 요철 형상의 도금틀을 형성하는 제 2 단계와, 상기 노출된 기판에 금속 물질층을 형성하는 제 3 단계와, 상기 도금틀 및 금속 물질층을 제거하여 평탄화하는 제 4 단계와, 상기 도금틀을 제거하여 0 ~ 90도 사이의 각도로 기울어진 측벽 기울기를 갖도록 요철 형상의 금속 구조물을 형성하는 제 5 단계를 포함하여 이루어지는데 있다.In order to achieve the above object, there is provided a PD mold manufacturing method according to the present invention in the manufacture of a PD mold for obtaining a PD substrate having a partition structure of a plurality of stripe patterns, forming a seed metal layer on the substrate, A first step of forming a pattern material on the seed metal layer, and patterning the pattern material to have an inclined sidewall slope at an angle of 0 to 90 degrees such that the seed metal layer is exposed to the stripe pattern area between 0 and 90 degrees. A second step of forming a plating frame having an uneven shape having a sidewall slope inclined at an angle of the second step, a third step of forming a metal material layer on the exposed substrate, and removing and planarizing the plating frame and the metal material layer The fourth step and removing the plating mold to have the sidewall slope inclined at an angle between 0 and 90 degrees. There makin comprises a fifth step of forming in the structure.

상기 씨드 금속층은 증발(evaporation) 방법, 스퍼터링(sputtering) 방법, CVD(chemical vapor deposition) 증착 방법 중 어느 한 방법으로 형성한다.The seed metal layer is formed by any one of an evaporation method, a sputtering method, and a chemical vapor deposition (CVD) deposition method.

그리고, 제 3 단계에서 상기 금속 물질층 형성시에 상기 금속 물질층은 상기 도금틀의 높이보다 더 높게 형성하고, 제 6 항에 있어서, 상기 금속 물질층은 전해 도금 또는 무전해 도금 공정으로 형성한다.In the third step, when forming the metal material layer, the metal material layer is formed to be higher than the height of the plating mold, and the metal material layer is formed by an electrolytic plating or an electroless plating process. .

상기 패턴 물질은 감광막으로 이루어지고, 상기 제 4 단계는 기계적 방법, 또는 화학적 방법, 또는 기계적 및 화학적 방법을 이용하여 평탄화시킨다.The pattern material is made of a photosensitive film, and the fourth step is planarized using a mechanical method, or a chemical method, or a mechanical and chemical method.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 피디피용 금형을 이용한 피디피 기판 제조 방법의 특징은 기판 상에 형성된 씨드 금속층과, 상기 씨드 금속층 상부에 도금에 의해 요철형상으로 형성된 금속 구조물을 구비한 금형을 이용하여 피디피 기판을 제조하는 방법에 있어서, 상기 제작된 금형을 이용하여 압축 성형 방식(hot press embossing) 또는 사출 성형의 방식으로 다수의 스트라이프 패턴을 갖고, 상기 스프라이트 패턴의 측벽이 0 ~ 90도 사이의 각도로 기울어진 격벽 구조물을 갖는 피디피 기판을 복제하는데 있다.상기 압축 성형 방식에 의한 피디피 기판의 복제는 상기 금형 및 기판을 준비하는 제 1 단계와, 상기 기판 상부 또는 하부에 상기 금형을 배치시키는 제 2 단계와, 상기 금형을 상기 기판 표면으로 이동시켜 가압하여 상기 금형을 역전사하는 제 3 단계와, 상기 금형을 상기 기판으로부터 제거하는 제 4 단계와, 상기 제 2, 3, 4 단계를 순차적으로 반복하는 제 5 단계로 이루어지는 데 있다.Features of the PDPC substrate manufacturing method using the PD mold for the present invention for achieving the above object is a mold having a seed metal layer formed on the substrate and a metal structure formed in the concave-convex shape by plating on the seed metal layer. In the method of manufacturing a PD substrate using the method, the produced mold has a plurality of stripe patterns by hot press embossing or injection molding, the sidewall of the sprite pattern is 0 ~ 90 degrees Replicating a PD substrate having a partition structure inclined at an angle therebetween. The replication of the PD substrate by the compression molding method includes a first step of preparing the mold and the substrate, and placing the mold on or below the substrate. And a second step of moving the mold to the substrate surface to pressurize the mold. And a third step of transferring, a fourth step of removing the mold from the substrate, and a fifth step of sequentially repeating the second, third, and fourth steps.

본 발명의 특징에 따른 작용은 정밀 가공된 금형을 제조하여 피디피 기판을 생산하는 구성으로, 상기 정밀 가공된 금형과 기판을 압축 및 사출 성형 기법을 이용하여 피디피 디스플레이 소자를 제조하는데 있어서, 금형을 마이크로 머시닝 기술과 반도체 소자 제조 공정을 이용하여 제조하기 때문에 대량 복제하여 피디피 디스플레이 소자의 양산성과 수율을 높이고, 픽셀의 소형화 및 정밀도로 인한 고선명화와, 균일화 및 평활화로 대면적화를 실현시킬 수 있다.An operation according to the characteristics of the present invention is to manufacture a precision-processed mold to produce a PDP substrate, in the manufacture of a PD display device using compression and injection molding techniques of the precision-processed mold and the substrate, the mold is micro Since it is manufactured using a machining technique and a semiconductor device manufacturing process, it can be mass-produced to increase the mass production and yield of a PD display device, and to realize a large area by high definition, uniformity and smoothing due to the miniaturization and precision of pixels.

본 발명의 다른 목적, 특성 및 잇점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.Other objects, features and advantages of the present invention will become apparent from the following detailed description of embodiments taken in conjunction with the accompanying drawings.

본 발명에 따른 피디피용 금형과 그 제조 방법 및 상기 금형을 이용한 피디피용 후면 기판 제조 방법의 바람직한 실시 예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.With reference to the accompanying drawings, a preferred embodiment of the mold for PDPC according to the present invention, a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing a rear substrate for PDPD using the mold will be described below.

도 1 은 빗살 무늬 형태의 격벽(sidewall : 21)을 갖는 백-플레이트(20)와 상부 전극(32)인 투명 대향 전극을 포함하는 상판(31)이 조립되어 구성되는 피디피 화면의 개략적인 평면도이다.FIG. 1 is a schematic plan view of a PD screen in which a back plate 20 having a comb-shaped sidewall 21 and a top plate 31 including a transparent counter electrode as an upper electrode 32 are assembled. .

피디피는 화면을 구성하는 각 화소(pixel)를 개별적으로 제어하여 화소별로 플라즈마 방전 상태를 생성하여 자체 발광시키고, 발광된 화소 상에 형성되어 있는 형광 물질을 투과하도록 하여 표시 장치에서 원하는 화소의 색상 및 휘도를 조절한다.PDP individually controls each pixel constituting the screen, generates a plasma discharge state for each pixel, and emits light by itself, and transmits the fluorescent material formed on the emitted pixel to transmit the color of the desired pixel and the display device. Adjust the brightness.

각 화소는 플라즈마 여기를 위한 전극들과, 화소별로 독립적으로 플라즈마방전이 일어나도록 하기 위한 격벽(sidewall : 21)과, 화소별로 플라즈마 방전에 의해 발광하는 적·녹·청의 3 원색 형광 물질과, 플라즈마 방전을 일으키기 위해 백-플레이트(20)와 상판(31)이 접합된 격벽(21) 사이의 공간에 형성되어 플라즈마 상태로 여기되는 충진 및 방전 기체인 Xe등으로 구성된다.Each pixel includes electrodes for plasma excitation, sidewalls 21 for causing plasma discharge independently for each pixel, three primary fluorescent materials of red, green, and blue that emit light by plasma discharge for each pixel, and plasma In order to cause the discharge, the back plate 20 and the top plate 31 are formed in a space between the partitions 21 joined to each other, and are composed of Xe and the like which are filling and discharge gases excited in a plasma state.

도 1 에 도시된 바와 같이, 피디피의 백-플레이트(back plate : 20)에는 각 화소별로 플라즈마 방전을 일으키기 위한 양극(anode)인 하부 전극(24)과, 플라즈마 방전을 인접 화소와 격리시키기 위한 격벽(21)등이 형성되며, 형광 물질 및 음극(cathode)인 상부 전극(32)은 상판(cover plate : 31)에 형성되어, 이 백-플레이트(20)와 상판(31)을 정렬하여 접합함으로써 피디피 화면이 완성된다.As shown in FIG. 1, the back plate 20 of PDPD has a lower electrode 24, which is an anode for generating plasma discharge for each pixel, and a partition wall for isolating the plasma discharge from an adjacent pixel. 21 and the like, and a fluorescent material and an upper electrode 32 which is a cathode are formed on a cover plate 31, and the back plate 20 and the top plate 31 are aligned and bonded to each other. The CD screen is completed.

금속 하부 전극(24)이 형성된 백-플레이트(20)와 별도로 제조된 화소별 형광 물질과 상부 전극(32)인 대향 전극(counter electrode)이 형성되어 있는 상판(31)을 조립하여 피디피 화면을 구성한다.A PD screen is constructed by assembling a back plate 20 having a metal lower electrode 24 and a top plate 31 having a counter electrode, which is a fluorescent material for each pixel, and a counter electrode, which is an upper electrode 32. do.

투명한 상기 상판(31)에 패터닝 되어 있는 상부 전극(32)인 대향 전극은 격벽(21)에 의해 격리되어 형성되는 미소한 플라즈마 방전 공간 및 백-플레이트 기판(22)상에 형성된 하부 전극(24)에 대응하여 형성된다.The counter electrode, which is the upper electrode 32 patterned on the transparent upper plate 31, is formed on the minute plasma discharge space and the back electrode 24 formed on the back-plate substrate 22. It is formed correspondingly.

도 2a 내지 도 2i 는 마이크로 머시닝 및 반도체 소자 제조 공정을 통해 피디피 백-플레이트(20) 제조용 정밀 금형(25)을 가공하는 공정을 나타낸 도면이다.2A to 2I are views showing a process of processing the precision mold 25 for manufacturing the PD back plate 20 through micromachining and semiconductor device manufacturing processes.

도 2a 에 도시된 바와 같이, 금형(25)의 지지부로 이용되는 금형 원판(10)을 준비하여 표면의 불순물 등을 제거하는 세정 공정을 거친다. 이어 도 2b 에 도시된 바와 같이, 금형 원판(10)의 한 면에 도금 과정에서 씨드로 이용될 금속으로 된 씨드층(11)을 증착한다. 플레이팅(plating) 씨드층(11)의 증착 방법은 증발(evaporation), 스퍼터링(sputtering), CVD 방법 등 통상의 반도체 소자 제조 공정에서 활용되는 방법을 이용할 수 있으며, 금형 원판(10)이 금속 재질인 경우에는 씨드층(11)을 생략 가능하다.As shown in FIG. 2A, a mold original plate 10 used as a support part of the mold 25 is prepared, and a cleaning process for removing impurities on the surface thereof is performed. As shown in FIG. 2B, a seed layer 11 made of metal to be used as a seed in the plating process is deposited on one surface of the mold original plate 10. The plating method of the plating seed layer 11 may be a method used in a conventional semiconductor device manufacturing process such as evaporation, sputtering, and CVD, and the mold original plate 10 is made of a metal material. In this case, the seed layer 11 can be omitted.

그리고, 도 2c 에 도시된 바와 같이 후막 감광막(12)을 백-플레이트(20)의 격벽(21) 높이만큼 도포하고, 이 감광막이 감광성을 갖고 금형 원판(10)과의 접착력(adhesion)이 향상되도록 적절한 열처리를 가한다. 그 후에 도 2d 에 도시된 바와 같이, 마스크 정렬기 또는 스테퍼(stepper) 등과 같은 평행광 노광기로 미리 격벽(21) 구조의 평면 형상이 제조되어 있는 포토마스크(13)를 통하여 후막 감광막(12)을 노광한다. 음성 감광막(negative photoresist)도 마찬가지 방법으로 적용 가능하다. 노광 후 현상(develop) 공정과 열처리 과정을 거쳐 도 2e 에 도시된 바와 같이 감광막 도금틀(14) 형상을 완성한다. 후막 감광막(12)의 노광 조건을 조절하여 감광막 도금틀(14)의 측벽 기울기를 임의로 조절할 수 있다.Then, as shown in FIG. 2C, the thick film photosensitive film 12 is applied by the height of the partition wall 21 of the back plate 20, and the photosensitive film has photosensitivity and improves adhesion to the mold disc 10. Appropriate heat treatment should be applied if possible. Thereafter, as shown in FIG. 2D, the thick film photoresist film 12 is passed through a photomask 13 in which a planar shape of the partition wall 21 structure is prepared in advance by a parallel light exposure device such as a mask aligner or a stepper. It exposes. Negative photoresist can be applied in the same manner. After the exposure (develop) process and heat treatment process as shown in Figure 2e to complete the shape of the photosensitive film plating frame (14). The inclination of the sidewall of the photoresist plating mold 14 can be arbitrarily adjusted by adjusting the exposure conditions of the thick film photoresist 12.

도 2f 에 도시된 바와 같이, 후막 감광막(12)으로 형성된 감광막 도금틀(14)에 압축 성형시 금형 용도에 적합한 금속을 전해(electro-) 또는 무전해(electroless-) 도금(plating) 등의 방법으로 채워 넣는다. 즉, 후막 감광막(12)으로 패터닝된 감광막 도금틀(14)에 전해 또는 무전해 도금에 의하여 격벽(21) 및 화소의 플라즈마 방전에 대응하는 요철 형상을 갖는 금속 구조물(18)을 제조한다.As shown in FIG. 2F, a method suitable for electroforming or electroless-plating a metal suitable for mold use in compression molding is performed on the photoresist plating mold 14 formed of the thick film photoresist 12. Fill it with That is, the metal structure 18 having the uneven shape corresponding to the plasma discharge of the partition wall 21 and the pixel is manufactured by electrolytic or electroless plating on the photoresist plating frame 14 patterned with the thick film photoresist 12.

그리고, 도 2g 에 도시된 바와 같이, 도금 공정을 계속 진행하여 도금된 금속이 감광막 도금틀(14)을 넘치도록 오버플로 도금(overflow plating)을 실시한다. 그 후 도 2h 에 도시된 바와 같이, 오버플로(overflow)된 금속을 화학적 기계적 연마를 통하여 원하는 두께만큼 연마하고 감광막 도금틀(14) 높이 만큼 제거하여 금속 구조물(18)의 평활도를 개선하여 전체 금형(25)의 평활도를 개선하고, 격벽(21)의 높이를 조절한다.As shown in FIG. 2G, the plating process is continued to perform an overflow plating so that the plated metal overflows the photosensitive film plating frame 14. Then, as illustrated in FIG. 2H, the overflowed metal is polished to a desired thickness through chemical mechanical polishing and removed by the height of the photoresist plating mold 14 to improve the smoothness of the metal structure 18 to improve the overall mold. The smoothness of 25 is improved, and the height of the partition 21 is adjusted.

이와 같이, 피디피 백-플레이트(20) 금형(25)의 감광막 도금틀(14)은 후막 감광막(12)을 이용한 사진 묘화 공정으로 제조된다.In this manner, the photosensitive film plating mold 14 of the PD25 back plate 20 mold 25 is manufactured by a photographic drawing process using the thick film photosensitive film 12.

도 2i 에 도시된 바와 같이, 후막 감광막(12)으로 이루어진 감광막 도금 틀(14)을 화학적 또는 물리적 방법에 의하여 기판(22)으로부터 손상없이 제거하여 금형(25)을 완성한다. 후막 감광막(12)을 선택적 식각 기술로 제거하여 금형 금속 구조물(19)로 형성된 금형을 완성한다.As shown in FIG. 2I, the photosensitive film plating frame 14 made of the thick film photosensitive film 12 is removed from the substrate 22 by chemical or physical methods without damage to complete the mold 25. The thick film photoresist 12 is removed by a selective etching technique to complete the mold formed of the mold metal structure 19.

도 3a 내지 도 3c 는 본 발명에 의한 피디피 백 플레이트(20)의 압축 성형 제조 공정을 도시한 도면으로, 상기 도 2a 내지 도 2i 에 도시된 바와 같은 공정으로 제조된 금형을 이용하여 압축 성형함으로써 피디피의 백-플레이트를 제조하는 공정을 나타낸다.3A to 3C are views illustrating a compression molding manufacturing process of the PD back plate 20 according to the present invention, and the PD is formed by compression molding using a mold manufactured by the process as shown in FIGS. 2A to 2I. The process of manufacturing the back plate of this is shown.

마이크로 머시닝 및 반도체 소자 제조 공정으로 가공된 정밀 금형(master )을 백-플레이트(20)를 형성하게 될 시트(sheet) 형태 등의 백-플레이트 원료(23)에 일정 온도 및 압력으로 압착하여, 금형에 형성되어 있는 요철의 역 형상을 복제하고, 열처리 및 소결 등의 과정을 거쳐 복제해 낸다. 이 금형은 다시 재사용되어 동일한 복제 백-플레이트(20)를 대량 가공한다.The precision mold (master) processed by the micro-machining and semiconductor device manufacturing process is pressed to the back-plate raw material 23, such as the sheet (sheet) form to form the back-plate 20 at a predetermined temperature and pressure, The reverse shape of the irregularities formed on the surface is duplicated, and then duplicated through a process such as heat treatment and sintering. This mold is reused again to mass process the same replica back-plate 20.

상기의 공정 단계를 반복하여 다량의 동일한 백-플레이트(20) 형상을 균일하게 제조한다. 가공된 정밀 금형을 이용하여 압축 성형 방식(hot press embossing) 또는 사출 성형 등의 방식으로 백-플레이트(20) 구조물을 반복적으로 복제하고, 제조된 백-플레이트(20) 구조물의 격벽(21) 사이의 화소 영역에 양극(24)을 쉐도우 마스크(shadow mask) 방법으로 패터닝하면 피디피용 백-플레이트(20)가 완성된다.The above process steps are repeated to uniformly produce a large number of identical back-plate 20 shapes. The machined precision mold is repeatedly reproduced by hot press embossing or injection molding, and the bulkhead 21 of the manufactured back plate 20 structure is repeatedly replicated. Patterning the anode 24 in the pixel area of the shadow mask (shadow mask) method to complete the back-plate 20 for the PD.

디스플레이의 대면적화 및 고선명화의 추세는 디스플레이 부품의 보다 정밀한 가공을 요구한다. 즉, 피디피의 경우 대면적화 추세로 인해 백-플레이트(20) 기판의 면적은 증가하는 반면, 고선명화 추세로 인해 각 화소의 크기는 줄어들어야 하며, 또한 증가된 전체 면적의 디스플레이 기판에서 모든 화소가 균일하게 제조되어야 하므로, 제조 공정의 가공 정밀도와 균일도의 요구 조건이 보다 강화되어야 한다.The trend toward larger areas of display and higher definition requires more precise processing of display components. That is, in the case of PD, the area of the back-plate 20 substrate is increased due to the large area trend, while the size of each pixel has to be reduced due to the high-definition trend. Since it is to be made uniformly, the requirements of processing precision and uniformity of the manufacturing process must be further strengthened.

이와 같은 두 가지 요구 조건인 대면적화 및 고선명화는 서로 상반된 측면이 강하며, 설사 두 가지 요구 조건을 충족하더라도 제조되는 가공물의 수율이 떨어지는 현상을 보이게 된다.These two requirements, large area and high definition, have strong opposite aspects, and even if the two requirements are met, the yield of the manufactured product is lowered.

그러나 도 2a 내지 도 2i 에 도시된 바와 같이 마이크로 머시닝 기술과 반도체 소자 제조 공정을 이용하여 피디피 백-플레이트(20)의 핵심 요소인 격벽(21) 구조물을 가진 금형을 제조하고, 상기 가공된 정밀 금형으로 백-플레이트(20)를 대량 복제하면 두 요구 조건을 충족시키는 동시에 수율을 향상시킬 수 있다.However, as shown in FIGS. 2A to 2I, a mold having a partition wall 21 structure, which is a key element of the PD back plate 20, is manufactured by using a micromachining technique and a semiconductor device manufacturing process. By mass replicating the back-plate 20, both yields can be improved while meeting both requirements.

이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 피디피용 금형과 그 제조 방법및 그를 이용한 피디피 기판 제조 방법은 다음과 같은 효과가 있다.As described above, the mold for a PD, the manufacturing method thereof, and the PD substrate manufacturing method using the same have the following effects.

첫째, 마이크로 머시닝 기술로 제조된 금형으로 압축 성형 기법을 적용함으로써 피디피 기판을 대량으로 동일하게 복제하여 양산성(throughput)을 개선하고, 기판간의 균일도(uniformity) 및 제품의 수율(yield)을 높이는 효과가 있다.First, by applying the compression molding technique to the mold manufactured by the micro machining technology, the PDPC substrate is replicated in large quantities in order to improve the throughput, and improve the uniformity and yield of products between the substrates. There is.

둘째, 마이크로 머시닝 기술 및 반도체 소자 제조 공정으로 제조된 금형에 압축 성형 기법을 적용하여 기판 화소의 소형화, 정밀화를 꾀함으로써 피디피의 고선명화를 실현시키고, 화학적 기계적 연마를 통한 금형의 평활도 향상과 격벽 높이의 균일화를 이룰 수 있으며, 그에 따라 피디피 화면의 대면적화에 대응하는 효과가 있다.Second, by applying compression molding techniques to molds manufactured by micromachining technology and semiconductor device manufacturing process, miniaturization and precision of substrate pixels are realized to realize high definition of PDP, and the smoothness of the mold and chemical barrier height are improved by chemical mechanical polishing. It is possible to achieve the uniformity of, thereby corresponding to the large area of the PD screen.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 이탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the embodiments, but should be defined by the claims.

Claims (14)

다수의 스트라이프 패턴의 격벽 구조물을 갖는 피디피 기판을 얻기 위한 피디피용 금형에 있어서,In a mold for a PD to obtain a PD substrate having a partition structure of a plurality of stripe patterns, 기판과,Substrate, 상기 기판 상에 형성된 씨드 금속층과, 그리고A seed metal layer formed on the substrate, and 상기 씨드 금속층 상부에 도금에 의해 상기 기판의 수직한 방향에 대해 0 ~ 90도 사이의 각도로 기울어진 측벽 기울기를 갖도록 요철형상으로 형성된 금속 구조물을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 피디피용 금형.And a metal structure formed in a concave-convex shape so as to have a sidewall slope inclined at an angle between 0 and 90 degrees with respect to the vertical direction of the substrate by plating on the seed metal layer. 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 금속 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 피디피용 금형.The mold of claim 1, wherein the substrate comprises a metal material. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 다수의 스트라이프 패턴의 격벽 구조물을 갖는 피디피 기판을 얻기 위한 피디피용 금형 제조에 있어서,In manufacturing a PD mold for obtaining a PD substrate having a partition structure of a plurality of stripe patterns, 기판 위에 씨드 금속층을 형성하고, 상기 씨드 금속층 위에 패턴 물질을 형성하는 제 1 단계와,Forming a seed metal layer on the substrate, and forming a pattern material on the seed metal layer; 상기 스트라이프 패턴 영역만큼의 상기 씨드 금속층이 노출되도록 상기 패턴 물질을 0 ~ 90도 사이의 각도로 기울어진 측벽 기울기를 갖도록 패터닝하여 0 ~ 90도 사이의 각도로 기울어진 측벽 기울기를 갖는 요철 형상의 도금틀을 형성하는 제 2 단계와,The pattern material is patterned to have a sidewall slope inclined at an angle of 0 to 90 degrees to expose the seed metal layer as much as the stripe pattern region, thereby forming an uneven plated shape having sidewall slope inclined at an angle of 0 to 90 degrees. The second step of forming a frame, 상기 노출된 기판에 금속 물질층을 형성하는 제 3 단계와,Forming a metal material layer on the exposed substrate; 상기 도금틀 및 금속 물질층을 제거하여 평탄화하는 제 4 단계와,A fourth step of planarizing by removing the plating mold and the metal material layer; 상기 도금틀을 제거하여 0 ~ 90도 사이의 각도로 기울어진 측벽 기울기를 갖도록 요철 형상의 금속 구조물을 형성하는 제 5 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 피디피용 금형 제조 방법.And a fifth step of removing the plating mold to form a concave-convex metal structure to have an inclined sidewall inclination at an angle between 0 and 90 degrees. 삭제delete 제 6 항에 있어서, 상기 씨드 금속층은 증발(evaporation) 방법, 스퍼터링(sputtering) 방법, CVD(chemical vapor deposition) 증착 방법 중 어느 한 방법으로 형성함을 특징으로 하는 피디피용 금형 제조 방법.The method of claim 6, wherein the seed metal layer is formed by any one of an evaporation method, a sputtering method, and a chemical vapor deposition (CVD) deposition method. 제 6 항에 있어서, 제 3 단계에서 상기 금속 물질층 형성시에 상기 금속 물질층은 상기 도금틀의 높이보다 더 높게 형성함을 특징으로 하는 피디피용 금형 제조 방법.7. The method of claim 6, wherein the metal material layer is formed higher than the height of the plating mold when the metal material layer is formed in the third step. 제 6 항에 있어서, 상기 금속 물질층은 전해 도금 또는 무전해 도금 공정으로 형성함을 특징으로 하는 피디피용 금형 제조 방법.The method of claim 6, wherein the metal material layer is formed by an electrolytic plating or an electroless plating process. 제 6 항에 있어서, 상기 패턴 물질은 감광막임을 특징으로 하는 피디피용 금형 제조 방법.7. The method of claim 6, wherein the pattern material is a photosensitive film. 제 6 항에 있어서, 상기 제 4 단계는 기계적 방법, 또는 화학적 방법, 또는 기계적 및 화학적 방법을 이용하여 평탄화시킴을 특징으로 하는 피디피용 금형 제조 방법.7. The method of claim 6, wherein the fourth step is planarized using a mechanical method, a chemical method, or a mechanical and chemical method. 기판 상에 형성된 씨드 금속층과, 상기 씨드 금속층 상부에 도금에 의해 요철형상으로 형성된 금속 구조물을 구비한 금형을 이용하여 피디피 기판을 제조하는 방법에 있어서,In the method of manufacturing a PD substrate using a mold having a seed metal layer formed on the substrate and a metal structure formed in the concave-convex shape by plating on the seed metal layer, 상기 제작된 금형을 이용하여 압축 성형 방식(hot press embossing) 또는 사출 성형의 방식으로 다수의 스트라이프 패턴을 갖고, 상기 스프라이트 패턴의 측벽이 0 ~ 90도 사이의 각도로 기울어진 격벽 구조물을 갖는 피디피 기판을 복제하는 것을 특징으로 하는 피디피 기판 제조방법.The PDPC substrate has a plurality of stripe patterns by hot press embossing or injection molding using the manufactured mold, and has a partition structure in which sidewalls of the sprite patterns are inclined at an angle between 0 and 90 degrees. PDPC substrate manufacturing method characterized in that to replicate. 제13항에 있어서, 상기 압축 성형 방식은The method of claim 13, wherein the compression molding method 상기 금형 및 기판을 준비하는 제 1 단계와,A first step of preparing the mold and the substrate; 상기 기판 상부 또는 하부에 상기 금형을 배치시키는 제 2 단계와,A second step of disposing the mold on the upper or lower portion of the substrate; 상기 금형을 상기 기판 표면으로 이동시켜 가압하여 상기 금형을 역전사하는 제 3 단계와,A third step of moving the mold onto the substrate surface to pressurize and reverse transfer the mold; 상기 금형을 상기 기판으로부터 제거하는 제 4 단계와,A fourth step of removing the mold from the substrate, 상기 제 2, 3, 4 단계를 순차적으로 반복하는 제 5 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 피디피 기판 제조 방법.Method for manufacturing a PDP substrate, characterized in that consisting of a fifth step of sequentially repeating the second, third, fourth step.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990012634A (en) * 1997-07-30 1999-02-25 엄길용 Manufacturing Method of Plasma Display Device
JPH1154029A (en) * 1997-08-05 1999-02-26 Suzuki Sogyo Co Ltd Manufacture of base board for display panel
JPH1196903A (en) * 1997-09-24 1999-04-09 Sumitomo Heavy Ind Ltd Manufacture of display panel

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990012634A (en) * 1997-07-30 1999-02-25 엄길용 Manufacturing Method of Plasma Display Device
JPH1154029A (en) * 1997-08-05 1999-02-26 Suzuki Sogyo Co Ltd Manufacture of base board for display panel
JPH1196903A (en) * 1997-09-24 1999-04-09 Sumitomo Heavy Ind Ltd Manufacture of display panel

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