KR100362488B1 - 플라즈마 디스플레이 패널의 후면판 제조방법 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 패널의 후면판 제조방법 Download PDF

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Abstract

에칭법으로 폐 다각형 형상의 방전 공간이 일정 간격으로 나열된 메트릭스 형태의 격벽을 형성하는 플라즈마 디스플레이 패널의 후면판 제조방법이 개시된다. 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 후면판 제조방법은, 에칭법을 이용하여 폐다각형 형상의 방전 공간이 일정간격으로 나열된 방전 메트릭스형 PDP의 후면판을 가공할 경우, 포토리소그라피 공정 이후 폐 다각형 형상의 방전 공간을 형성하기 위한 포토레지스트 패턴의 개구부가 폐 다각형 형상이 되게 하고, 포토레지스트 패턴의 폐 다각형 형상 개구부 각각의 모서리에는 동일한 형상의 세리프나 노치가 형성되도록 포토마스크를 설계하므로, 격벽 형상의 변형을 막을 수 있다. 또, 이후 공정인 형광체 도포 공정에서 얼라인이 용이하여 제품의 품질 및 수율이 향상된다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 후면판 제조방법 {METHOD FOR FABRICATING A REAR PANEL OF PLASMA DISPLAY PANEL}
본 발명은 에칭법으로 폐 다각형 형상의 방전 공간이 일정 간격으로 나열된 메트릭스 형태의 격벽을 형성하는 플라즈마 디스플레이 패널의 후면판 제조방법에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하 "PDP"라 한다)은 전면유리기판과 후면유리기판 사이에 방전공간을 형성하고 전면판전극과 후면판전극사이에서 플라즈마 방전을 일으켜 주위에 존재하는 형광체를 여기ㆍ발광시켜 화면을 표시하는 장치이다.
일반적으로, PDP는 직류형과 교류형으로 나눌 수 있으며, 이중 교류형 PDP가 주류를 이루고 있다. 교류형 PDP의 대표적인 구조는 후지쯔 방식의 형태로 다음과 같이 구성되어 있다.
전면판은 전면유리기판과 상기 전면유리기판의 하단에 형성된 투명전극과 상기 투명전극의 저항을 줄이기 위하여 상기 투명전극 하단에 형성된 버스전극과 상기 버스전극 및 투명전극을 덮는 전면유전체층과 상기 전면유전체층의 스퍼터링을 막고 2차전자방출을 높이기 위해 상기 전면유전체층 하단에 형성된 산화마그네슘으로 구성된다.
후면판은 후면유리기판과 상기 후면유리기판위에 일정한 간격으로 형성된 어드레스전극과 상기 어드레스전극을 덮는 후면유전체층과 상기 후면유전체층 위에 방전공간을 형성하는 격벽과 상기 격벽을 따라 적색, 녹색, 청색, 형광체층으로 구성된다.
상기 전면판과 후면판 사이에는 플라즈마 방전을 일으키는 가스가 봉입되어 있고, 이것의 밀폐를 위하여 상기 전면판과 후면판 사이를 실링제로 밀봉한다.
상기 PDP의 후면판을 형성하기 위한 제조방법으로는 샌드블라스트공법이 사용되는데, 이를 도 1을 참조하여 설명한다.
후면유리기판(8)에 전극용 페이스트를 전극제판 위에 올려놓고 스퀴지로 전극패턴인쇄를 실시하여 전극층을 형성하고 이를 120∼150℃의 온도로 5∼10분 정도건조시킨 후, 500∼600℃ 로 10분 정도 소성을 행한다. 이어 상기 소성체에 유전체용 페이스트를 유전체 제판위에 올려놓고 스퀴지로 유전체 전면인쇄를 실시하여 유전층을 형성하고 이를 120∼150℃의 온도로 5∼10분 정도 건조시킨 후 500∼600℃로 10분 정도 소성을 행한다. 그후, 상기 소성체에 격벽용 페이스트를 격벽 제판위에 올려놓고 스퀴지로 격벽 전면인쇄를 실시하고 120∼150℃의 온도로 5∼10분 정도 건조시킨 후, 이를 수회 반복하여 격벽(5)층을 완성한다. 이어 포토레지스트(1)를 상기 격벽 건조체 위에 라미네이팅하고 그 위에 원하는 형상의 패턴이 형성되어 있는 포토마스크를 놓고 자외선으로 노광을 행한다. 그후, 1∼2％의 알카리 용액으로 포토레지스트 층을 원하는 형상의 포토레지스트 패턴을 형성한다.
이때, 포토레지스트(1) 패턴의 개구부는 형성하고자 하는 방전 공간폭(2) 보다 격벽 가공시 발생하는 사이드 에칭량(3) 만큼 좁게 형성되도록 포토마스크(4)를 설계한다. 이후, 포토레지스트(1) 패턴이 형성된 격벽층을 샌드블라스트로 가공하여 스트라이프 또는 메트릭스 형상의 격벽(5)을 가공한다. 격벽(5) 가공 이후, 3∼5％의 알카리 용액으로 격벽층 위의 포토레지스트(1)를 박막하고 500∼600℃로 0.5∼1시간 정도 소성을 실시하여 격벽층을 완성하게 된다.
상기와 같은 종래의 방법은 다음과 같은 단점이 있다. 첫째, 격벽층이 건조된 상태에서 격벽 가공 및 포토레지스트 박막공정이 진행되므로 공정진행 도중 격벽형상이 변형되기 쉬워 수율이 낮아지는 단점이 있다. 둘째, 샌드블라스트 가공시 발생하는 인체에 유해한 분진으로 인하여 대기오염의 우려가 있어, 대량생산에는적합하지 않은 단점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창작된 것으로, 본 발명의 목적은 화학적 반응을 이용하는 에칭법으로 후면판을 제조하여 수율을 향상시킬 수 있음과 동시에 격벽의 변형을 방지할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 후면판 제조방법을 제공함에 있다.
도 1은 종래의 샌드블라스트공법으로 후면판을 제조하는 것을 보인 도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 매트릭스 형상의 격벽을 보인 도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 세리프의 설계 방법을 보인도.
도 4는 도 3의 "A"부 확대도.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 세리프를 보인 도.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 노치의 설계 방법을 보인 도.
도 7a 내지 도 7g는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 노치를 보인 도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
1 : 포토레지스트 2 : 방전공간폭
3 : 사이드에칭량 4 : 포토마스크
5 : 격벽 6 : 전극
7 : 유전체 8 : 유리기판
9-1 : Y축 세리프각 9-2 : X축 세리프각
10-1 : Y축 세리프길이 10-2 : X축 세리프길이
11-1 : Y축 세리프선 11-2 : X축 세리프선
12-1 : Y축 세리프시작점 12-2 : X축 세리프시작점
13 : 격벽상폭 14 : 세리프교점
15-1 :Y축 노치각 15-2 : X축 노치각
16-1 : Y축 노치길이 16-2 : X축 노치길이
17-1 : Y축 노치선 17-2 : X축 노치선
18 : 노치깊이 19-1 : Y축 노치시작점
19-2 : X축 노치시작점 20-1 : Y축 제 1 노치점
20-2 : X축 제 1 노치점 21-1 : Y축 제 2 노치점
21-2 : X축 제 2 노치점 22-1 : Y축 제 3 노치점
22-2 : X축 제 3 노치점 23 : 노치연결선
24 : 포토레지스트패턴 개구부중심 25 : 가상의 교점 A
26 : 가상의 선 B
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 후면판 제조방법은,유리기판과 전극과 유전체 및 격벽재를 순차적으로 형성하고, 상기 격벽재의 소성완료 후 상기 소성된 격벽재 위에 소정의 포토레지스트 패턴을 형성한 후 에칭법으로 상기 격벽재를 가공하여 격벽을 형성하되, 상기 격벽에 의하여 형성되는 방전공간이 일정간격으로 나열된 메트릭스 형태이도록 하기 위한 플라즈마 디스플레이 패널의 후면판 제조방법에 있어서,상기 방전공간을 형성하기 위한 상기 포토레지스트 패턴의 개구부를 폐다각형 형상으로 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴의 폐다각형의 개구부 각각의 모서리에는 동일한 형상의 세리프가 형성되도록 상기 세리프는 170도~180도의 세리프 각을 가지고, 상기 세리프 길이는 형성하고자 하는 방전공간 폭의 길이의 1/2에서 형성하고자 하는 격벽 상폭의 길이를 뺀 길이에서 영(0) 사이가 되도록 하며, 상기 세리프 선은 직선 및 곡선으로 설계한다.또한, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 후면판 제조방법은,유리기판과 전극과 유전체 및 격벽재를 순차적으로 형성하고, 상기 격벽재의 소성완료 후 상기 소성된 격벽재 위에 소정의 포토레지스트 패턴을 형성한 후 에칭법으로 상기 격벽재를 가공하여 격벽을 형성하되, 상기 격벽에 의하여 형성되는 방전공간이 일정간격으로 나열된 메트릭스 형태이도록 하기 위한 플라즈마 디스플레이 패널의 후면판 제조방법에 있어서,상기 방전공간을 형성하기 위한 상기 포토레지스트 패턴의 개구부를 폐다각형 형상으로 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴의 폐다각형의 개구부 각각의 모서리에는 동일한 형상의 세리프가 형성되도록 상기 노치는 170도~180도의 노치 각을 가지고, 상기 노치 길이는 형성하고자 하는 방전공간 폭의 길이의 1/2에서 형성하고자 하는 벽 상폭의 길이를 뺀 길이에서 영(0) 사이가 되도록하며, 상기 노치선은 직선 및 곡선이 되도록 하고, X축 노치시작점에서 소정 거리 이격된 지점을 순차적으로 X축 제 1, 2 및 3 노치점이라 하고, Y축 노치시작점에서 소정 거리 이격된 지점을 순차적으로 Y축 제 1, 2 및 3 노치점이라 할때, X축 및 Y축 제 1 노치점 사이의 거리는 5㎛~80㎛, X축 및 Y축 제 2 노치점 사이의 거리는 5㎛~240㎛, X축 및 Y축 제 3 노치점 사이의 거리는 5㎛~80㎛로 설계한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 후면판 제조방법을 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 매트릭스 형상의 격벽을 보인 도이다.
에칭법을 이용하여 격벽을 형성할 경우에는 전극형성 공정에서 격벽건조체형성 공정까지는 샌드블라스트 방법과 동일하다. 그러나, 그후의 공정은 격벽 소성을 먼저 실시하고 난 후, 소성 완료된 격벽소성체 위에 포토레지스트를 코팅하고 그 위에 원하는 형상의 패턴이 형성되어 있는 포토마스크를 놓고 자외선으로 노광을 행한다. 그후, 현상액으로 포토레지스트층을 현상하여 원하는 형상의 포토레지스트 패턴을 형성하고, 에칭액을 이용하여 원하는 형태의 격벽을 에칭법으로 가공하고, 포토레지스트를 박막한다.
에칭법을 이용하여 격벽을 형성할 경우에는 샌드블라스트법에 비해 격벽 가공시 발생하는 사이드 에칭량이 5∼10배 가량 많으므로 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토마스크 설계시 각별한 주의가 필요하다.특히, 방전공간이 폐 다각형인 메트릭스 구조의 격벽을 가공할 경우 샌드브라스법에서 사용하는 사이드 에칭량 만을 고려한 포토마스크 설계방법을 이용하면 격벽의 가공형상이 변형되는 문제점이 있다. 따라서, 본 실시예에 따른 에칭법에는 매트릭스형 PDP의 후면판을 가공할 경우, 에칭공정도중 격벽 형상이 변형되는 문제점을 해결하기 위한 수단이 제공된다.
상기 수단은, 도 3 내지 도 5b에 도시한 바와 같이, 포토리소그라피 공정 이후 폐 다각형 형상의 방전공간을 형성하기 위한 포토레지트 패턴의 개구부가 폐 다각형 형상이 되게하고, 포토레지스트 패턴의 폐 다각형 형상 개구부 각각의 모서리부에는 동일한 형상의 세리프가 형성되도록 포토마스크를 설계한다.
상기 세리프는 Y축 세리프각(9-1), X축 세리프각(9-2), Y축 세리프 길이(10-1), X축 세리프 길이(10-2), Y축 세리프 선(11-1), X축 세리프 선(11-2)에 의해 형상이 결정되어 지며 각각의 정의는 다음과 같다.
Y축 세리프각(9-1)이란, 포토레지스트 패턴의 폐 다각형 형상 개구부에서 Y축의 변에 해당하는 선과 Y축 세리프선(11-1)이 접촉하는 내각이다. X축 세리프각(9-2)이란, 상기 개구부에서 X축의 변에 해당하는 선과 X축 세리프선(11-2)이 접촉하는 내각이다. 정확한 형상의 방전공간을 형성하기 위한 적절한 세리프 각은 아래의 표 1과 같이, 격벽재의 종류 및 에칭액 종류에 따라 달라지며, 그 범위는 120∼180도 사이이다.
또한, Y축 세리프 길이(10-1)란 포토레지스트 패턴의 폐 다각형 형상 개구부에서 서로 이웃한 변에 해당하는 선들을 연장 했을 때의 가상의 교점 A(25)에서 포토레지스트 패턴의 폐 다각형 형상 개구부에서 Y축 변에 해당하는 선과 Y축 세리프선(11-1)의 교점인 Y축 세리프시작점(12-1) 까지의 거리이다. X축 세리프길이(10-1)란 Y축 세리프길이(11-1)와 같이, 가상의 교점 A(25)에서 X축 세리프시작점(11-2) 까지의 거리이다. 이 또한, 정확한 형상의 방전공간을 형성하기 위한 적절한 세리프길이는 표 1과 같이 격벽재의 종류 및 에칭액 종류에 따라 달라지며, 그 범위는 형성하고자 하는 방전공간 폭(2)의 길이의 1/2에서 형성하고자 하는 격벽 상폭(13)의 길이를 뺀 길이에서 영(0) 사이이다.
그리고, Y축 세리프선(11-1)이란, Y축 세리프시작점(12-1)에서 120∼180도의 Y축 세리프각(9-1)을 가지고 형성된다. X축 세리프선(11-1)이란 X축 세리프시작점(12-1)에서 120∼180도의 X축 세리프각(9-2)을 가지고 형성되고, Y축 세리프선(11-1)과 X축 세리프선(11-2)은 세리프교점(14)에서 상호 접한다. 또한, 정확한 형상의 방전 공간을 형성하기 위한 적절한 세리프 선의 형상은 표 1과 같이, 격벽재의 종류 및 에칭액 종류에 따라 달라지며, 그 형상은 직선이거나 곡선이다.
격벽의 재료 및 에칭액 종류에 따른 적정 세리프각, 세리프길이 및 세리프외곽선 형상
격벽재＼ 에칭액종류 ＼ 종류 에칭액 1 에칭액 2 에칭액 3
격벽재 1 170／150／곡선 170／100／직선 170／ 80／곡선
격벽재 2 175／130／곡선 175／ 90／직선 173／ 60／직선
격벽재 3 179／110／곡선 179／ 70／직선 180／ 0／직선
* 세리프각／세리프길이／세리프외곽선 형상의 순서 임.
* 단위 : ㎛
* 형성하고자 하는 방전공간 폭이 400㎛, 격벽 상폭이 50㎛ 일때의 값임.
본 실시예에서는, 폐 다각형 형상의 방전공간이 일정 간격으로 나열된 메트릭스 형태의 격벽을 에칭법을 이용하여 가공할 경우, 에칭공정 도중 격벽의 형상이 변형되는 문제점을 해결하기 위한 또 다른 하나의 수단이 마련된다.
상기 수단은, 도 3과 도 6 내지 도 7에 도시한 바와 같이, 포토리소그라피 공정 이후, 폐 다각형 형상의 방전공간을 형성하기 위한 포토레지스트 패턴의 개구부가 폐 다각형 형상이 되게 하고, 포토레지스트 패턴의 폐 다각형 형상 개구부 각각 모서리에는 동일한 형상의 노치가 형성되도록 포토마스크를 설계한다.
상기 노치는 Y축 노치각(15-1), X축 노치각(15-2), Y축 노치길이(16-1), X축 노치길이(16-2), Y축 노치선(17-1), X축 노치선(17-2), 노치깊이(18)에 의해 형상이 결정되어 지며 각각의 정의는 다음과 같다.
Y축 노치각(15-1)이란, 포토레지스트 패턴의 폐 다각형 형상 개구부에서 Y축의 변에 해당하는 선과 Y축 노치선(17-1)이 접촉하는 내각이다. X축 노치각(15-2)이란, 상기 개구부에서 X축의 변에 해당하는 선과 X축 노치선(17-2)이 접촉하는 내각이다. 정확한 형상의 방전공간을 형성하기 위한 적절한 노치각은 아래의 표 2와 같이, 격벽재의 종류 및 에칭액 종류에 따라 달라지며, 그 범위는 120∼180도 사이이다.
또한, Y축 노치길이(16-1)란 포토레지스트 패턴의 폐 다각형 형상 개구부에서 서로 이웃한 변에 해당하는 선들을 연장 했을 때의 가상의 교점 A(25)에서 포토레지스트 패턴의 폐 다각형 형상 개구부에서 Y축 변에 해당하는 선과 Y축 노치선(17-1)의 교점인 Y축 노치시작점(19-1) 까지의 거리이다. X축 노치길이(16-2)란 Y축 노치길이(16-1)와 같이, 가상의 교점 A(25)에서 X축 노치시작점(19-2) 까지의 거리이다. 이 또한, 정확한 형상의 방전 공간을 형성하기 위한 적절한 노치 길이는 표 2와 같이 격벽재의 종류 및 에칭액 종류에 따라 달라지며, 그 범위는 형성하고자 하는 방전공간 폭(2)의 길이의 1/2에서 형성하고자 하는 격벽 상폭(13)의 길이를 뺀 길이에서 영(0) 사이이다.
그리고, Y축 노치선(17-1)이란 Y축 노치시작점(19-1)에서 Y축 제 1 노치점(20-1), Y축 제 2 노치점(21-1), Y축 제 3 노치점(22-1)을 연속해서 연결하는 선이다. X축 노치 선(17-2)이란 X축 노치시작점(19-2)에서 X축 제 1 노치점(20-2), X축 제 2 노치점(21-2), X축 제 3 노치점(22-2)을 연속해서 연결하는 선으로써, Y축 노치선(17-1)과 X축 노치선(17-2)은 노치연결선(23)에 의해 연결된다. 그리고, 정확한 형상의 방전 공간을 형성하기 위한 적절한 노치 선 및 노치연결선의형상은 표 2와 같이, 격벽재의 종류 및 에칭액 종류에 따라 달라지며, 그 형상은 직선이거나 곡선이다.
격벽의 재료 및 에칭액 종류에 따른 적정 노치각, 노치길이 및 노치선형상
격벽재＼ 에칭액종류 ＼ 종류 에칭액 1 에칭액 2 에칭액 3
격벽재 1 170／150／곡선 170／100／직선 170／ 80／곡선
격벽재 2 173／130／곡선 175／ 90／직선 173／ 60／직선
격벽재 3 179／110／곡선 179／ 70／직선 180／ 0／직선
* 노치각／노치길이／노치선형상의 순서임.
* 단위 : ㎛
* 형성하고자 하는 방전공간 폭이 400㎛, 격벽 상폭이 50㎛ 일때의 값임.
Y축 제 1 노치점(20-1)이란 상기 Y축 노치시작점(19-1)에서 120∼180도의 Y축 노치각(15-1)을 가지고 형성되고, X축 제 1 노치점(20-2)이란 상기 X축 시작점(19-2)에서 120∼180 도의 X축 노치각(15-1)을 가지고 형성된다. 그리고, Y축 제 1 노치점(20-1) 및 X축 제 1 노치점(20-2)은 상기 가상의 교점 A(25)와 포토레지스트 패턴의 폐 다각형 형상 개구부의 중심을 연결하는 가상의 선 B를 기준으로 상호 대칭되게 위치한다. 또한, 정확한 형상의 방전공간을 형성하기 위한 적절한 상기 두점 사이의 거리는 표 3에 나타낸 바와 같이 격벽재의 종류 및 에칭액 종류에 따라 달라지며, 그 범위는 5∼80㎛ 이다.
Y축 제 2 노치점(21-1)이란 Y축 제 1 노치점(20-1)과 Y축 제 3 노치점(22-1) 사이에 위치하는 Y축 노치선(17-1) 상의 점이고, X축 제 2 노치점(21-2)이란 X축 제 1 노치점(20-1)과 X축 제 2 노치점(22-2) 사이에 위치하는 X축 노치선(17-2) 상의 점이다. 상기 두 점은 가상의 선 B(26)를 기준으로 상호 대칭되게 위치한다. 그리고, 정확한 형상의 방전공간을 형성하기 위한 적절한 상기 두점 사이의 거리는 표 3에 나타낸 바와 같이 격벽재의 종류 및 에칭액 종류에 따라 달라지며, 그 범위는 5∼240㎛ 이다.
Y축 제 3 노치점(22-1)이란 Y축 제 2 노치점(21-1) 보다 가상의 교점 A(25)와의 거리가 가까운 Y축 노치선(17-1)상의 점이고, X축 제 3 노치점(22-2)이란 X축 제 2 노치점(21-2)보다 가상의 교점 A와의 거리가 가까운 X축 노치선(17-2)상의 점이다. 상기 두 점은 가상의 선 B(26)를 기준으로 상호 대칭되게 위치한다. 그리고, 정확한 형상의 방전 공간을 형성하기 위한 적절한 상기 두점 사이의 거리는 표 3에 나타낸 바와 같이 격벽재의 종류 및 에칭액 종류에 따라 달라지며, 그 범위는 0∼80㎛ 이다.
노치 깊이(18)란, 상기 Y축 제 1 노치점(20-1)과 Y축 제 3노치점(22-1) 사이의 직선거리 혹은 상기 X축 제 1 노치점(20-2)과 X축 제 3 노치점(22-2) 사이의 직선거리로 정의된다.
격벽재의 종류 및 에칭액 종류에 따른 적정 제 1, 2, 3 노치점 사이 거리 및 노치깊이
격벽재＼ 에칭액종류 ＼ 종류 에칭액 1 에칭액 2 에칭액 3
격벽재 1 80／100／0 ／5 60／60／30／10 30／240／40／30
격벽재 2 70／60／60／130 50／120／80／100 30／160／80／90
격벽재 3 30／5／10／240 20／45／30／200 5／100／50／150
* 제 1 노치점／제 2 노치점／제 3 노치점 ／ 노치깊이의 순서임.
* 단위 : ㎛
이상에서 설명하듯이, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 후면판 제조방법은, 에칭법을 이용하여 폐다각형 형상의 방전 공간이 일정간격으로 나열된 방전 메트릭스형 PDP의 후면판을 가공할 경우, 포토리소그라피 공정 이후 폐 다각형 형상의 방전 공간을 형성하기 위한 포토레지스트 패턴의 개구부가 폐 다각형 형상이 되게 하고, 포토레지스트 패턴의 폐 다각형 형상 개구부 각각의 모서리에는 동일한 형상의 세리프나 노치가 형성되도록 포토마스크를 설계하므로, 격벽 형상의 변형을 막을 수 있다. 또, 이후 공정인 형광체 도포 공정에서 얼라인이 용이하여 제품의 품질 및 수율이 향상된다.
이상에서는, 본 발명의 일 실시예에 따라 본 발명을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 변경 및 변형한 것도 본 발명에 속함은 당연하다.

Claims (2)

  1. 유리기판과 전극과 유전체 및 격벽재를 순차적으로 형성하고, 상기 격벽재의 소성완료 후 상기 소성된 격벽재 위에 소정의 포토레지스트 패턴을 형성한 후 에칭법으로 상기 격벽재를 가공하여 격벽을 형성하되, 상기 격벽에 의하여 형성되는 방전공간이 일정간격으로 나열된 메트릭스 형태이도록 하기 위한 플라즈마 디스플레이 패널의 후면판 제조방법에 있어서,
    상기 방전공간을 형성하기 위한 상기 포토레지스트 패턴의 개구부를 폐다각형 형상으로 형성하고,
    상기 포토레지스트 패턴의 폐다각형의 개구부 각각의 모서리에는 동일한 형상의 세리프가 형성되도록 상기 세리프는 170도~180도의 세리프 각을 가지고, 상기 세리프 길이는 형성하고자 하는 방전공간 폭의 길이의 1/2에서 형성하고자 하는 격벽 상폭의 길이를 뺀 길이에서 영(0) 사이가 되도록 하며, 상기 세리프 선은 직선 및 곡선으로 설계하는 것을 특징으로 필라즈마 디스플레이 패널용 후면판 제조방법.
  2. 유리기판과 전극과 유전체 및 격벽재를 순차적으로 형성하고, 상기 격벽재의 소성완료 후 상기 소성된 격벽재 위에 소정의 포토레지스트 패턴을 형성한 후 에칭법으로 상기 격벽재를 가공하여 격벽을 형성하되, 상기 격벽에 의하여 형성되는 방전공간이 일정간격으로 나열된 메트릭스 형태이도록 하기 위한 플라즈마 디스플레이 패널의 후면판 제조방법에 있어서,
    상기 방전공간을 형성하기 위한 상기 포토레지스트 패턴의 개구부를 폐다각형 형상으로 형성하고,
    상기 포토레지스트 패턴의 폐다각형의 개구부 각각의 모서리에는 동일한 형상의 세리프가 형성되도록 상기 노치는 170도~180도의 노치 각을 가지고, 상기 노치 길이는 형성하고자 하는 방전공간 폭의 길이의 1/2에서 형성하고자 하는 벽 상폭의 길이를 뺀 길이에서 영(0) 사이가 되도록하며, 상기 노치선은 직선 및 곡선이 되도록 하고, X축 노치시작점에서 소정 거리 이격된 지점을 순차적으로 X축 제 1, 2 및 3 노치점이라 하고, Y축 노치시작점에서 소정 거리 이격된 지점을 순차적으로 Y축 제 1, 2 및 3 노치점이라 할때, X축 및 Y축 제 1 노치점 사이의 거리는 5㎛~80㎛, X축 및 Y축 제 2 노치점 사이의 거리는 5㎛~240㎛, X축 및 Y축 제 3 노치점 사이의 거리는 5㎛~80㎛로 설계하는 것을 특징으로 필라즈마 디스플레이 패널용 후면판 제조방법.
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