KR100355876B1 - Cleaning apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명은 액상물인 세정제를 세정조로 공급하여 세정조 내에 위치한 반도체웨이퍼를 세정하기 위한 세정장치에 관한 것이다.The present invention relates to a cleaning apparatus for cleaning a semiconductor wafer located in the cleaning tank by supplying the cleaning agent as a liquid.
본 발명의 세정장치는 액상물의 세정제를 저장하는 세정용 탱크로부터 공급되는 세정제로 채워지는 세정조 및 웨이퍼들이 놓여진 다수의 웨이퍼 캐리어들의 각각을 적재하는 캐리어 적재부를 가지며 캐리어 적재부에 각각의 웨이퍼 캐리어들의 적재 후 회전하는 회전수단을 구비하여 회전수단의 회전에 따라 각각의 웨이퍼 캐리어는 순차적으로 세정조 내에 채워진 세정제에 침지되어 침지된 웨이퍼 캐리어에 놓여있는 표면 처리된 다수의 웨이퍼들의 표면을 세정제로 세정한다.The cleaning apparatus of the present invention has a cleaning tank filled with a cleaning tank supplied from a cleaning tank for storing a liquid cleaning solution and a carrier loading section for loading each of the plurality of wafer carriers on which the wafers are placed. Each wafer carrier is sequentially immersed in a cleaning agent filled in a cleaning tank by rotating the rotating means so that the surface of a plurality of surface-treated wafers placed on the immersed wafer carrier is cleaned with the cleaning agent. .
본 발명은 다수의 웨이퍼 캐리어들을 일괄적으로 처리할 수 있어 세정공정시간을 단축시킬 수 있고, 웨이퍼를 세정조 내에서 세정을 한 후 초순수로 웨이퍼의 표면을 씻어내므로서 세정제 및 초순수에 의한 웨이퍼 세정을 일괄적으로 처리할 수 있다.The present invention can process a plurality of wafer carriers in a batch to reduce the cleaning process time, and after cleaning the wafer in the cleaning tank to wash the surface of the wafer with ultrapure water to clean the wafer with a cleaning agent and ultrapure water Can be processed in a batch.
Description
본 발명은 세정장치에 관한 것으로, 특히 액상물인 세정제를 세정조로 공급하여 세정조 내에 위치한 반도체 웨이퍼를 세정하기 위한 세정장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cleaning apparatus, and more particularly, to a cleaning apparatus for cleaning a semiconductor wafer located in a cleaning tank by supplying a cleaning agent, which is a liquid substance, to the cleaning tank.
반도체 웨이퍼 제조 분야에서는 일반적으로 확산 공정, 이온주입 공정, 스퍼터 공정, 식각 공정 등과 같은 여러 단계의 공정을 거치면서 상기 웨이퍼 상에 소망하는 패턴을 형성한다.In the semiconductor wafer manufacturing field, a desired pattern is generally formed on the wafer through various steps such as diffusion, ion implantation, sputtering, and etching.
상기의 공정들 중 웨이퍼 상에 소망하는 패턴을 형성하기 위해 웨이퍼를 표면 처리하기 위한 식각 공정시 금속 불순물이나 미립자가 웨이퍼의 표면에 부착될 수 있으며, 부착된 금속 불순물이나 미립자는 웨이퍼의 불량률을 높이는 원인이 되기 때문에 식각 공정 후 반드시 웨이퍼를 세정해 주어야 한다.During the etching process for surface treatment of the wafer to form a desired pattern on the wafer among the above processes, metal impurities or fine particles may be attached to the surface of the wafer, and the attached metal impurities or fine particles may increase the defect rate of the wafer. Be sure to clean the wafer after the etching process.
일반적으로 웨이퍼 세정에 사용하는 세정제는 암모늄, 염산, 황산 등의 액상 화학재를 사용한 액상물로 세정장치, 특히 웨이퍼 습식 세정장치를 통해 공급되어서 웨이퍼의 표면을 세정하여 그 표면의 금속 불순물이나 미립자를 제거한다.Generally, the cleaning agent used to clean the wafer is a liquid product using liquid chemicals such as ammonium, hydrochloric acid, sulfuric acid, etc., and is supplied through a cleaning device, especially a wafer wet cleaning device, to clean the surface of the wafer to remove metal impurities or fine particles from the surface. Remove
도 1은 종래의 표면 처리된 웨이퍼를 세정하는 세정방법을 도시한 개략도 이다.1 is a schematic view showing a cleaning method for cleaning a conventional surface treated wafer.
도 1의 종래의 웨이퍼를 세정하는 세정방법에 있어서, 표면 처리된 다수의 웨이퍼(1)들은 웨이퍼 캐리어(2)에 놓여지고, 웨이퍼 캐리어(2)와 함께 세정제로 채워진 제1세정조(10) 내로 로봇 장치의 로봇암(Robot Arm)에 의하여 자동으로 보내진다. 일반적으로 6인치 웨이퍼의 경우 웨이퍼 캐리어(2)에는 최대 25개의 웨이퍼들이 놓여질 수 있다. 제1세정조(10) 내에 위치한 식각공정에 의한 표면 처리된 웨이퍼(1)는 세정제에 의하여 세정되어 웨이퍼(1) 표면에 부착된 불순물이나 미립자를 제거한다. 웨이퍼(1) 표면에 부착된 불순물이나 미립자가 제거된 웨이퍼(1)가 놓여진 웨이퍼 캐리어(2)는 로봇암에 의하여 초순수(Deionized Water)로 채워진 제2세정조 (20) 내로 보내져서 초순수에 의해 웨이퍼(1) 표면에 잔존하는 세정제를 포함하는 불순물을 제거한다. 초순수에 의해 불순물이 제거된 웨이퍼(1)가 놓여진 웨이퍼 캐리어(2)는 웨이퍼(1) 표면에 잔존하는 초순수를 제거하기 위해 건조챔버(30)로 보내져서 웨이퍼는 건조 처리된다.In the cleaning method for cleaning the conventional wafer of FIG. 1, a plurality of surface treated wafers 1 are placed on a wafer carrier 2 and filled with a cleaning agent together with the wafer carrier 2. Is automatically sent by the robot arm of the robot device. In general, up to 25 wafers can be placed in the wafer carrier 2 for a 6-inch wafer. The wafer 1 surface-treated by the etching process located in the first cleaning tank 10 is cleaned by a cleaning agent to remove impurities or fine particles adhering to the wafer 1 surface. The wafer carrier 2 on which the wafer 1 from which impurities or fine particles adhered to the surface of the wafer 1 has been removed is placed into the second cleaning tank 20 filled with deionized water by the robot arm, and then, by ultrapure water. The impurities including the cleaning agent remaining on the surface of the wafer 1 are removed. The wafer carrier 2 on which the wafer 1 from which impurities are removed by ultrapure water is placed is sent to the drying chamber 30 to remove the ultrapure water remaining on the wafer 1 surface, and the wafer is dried.
도 2는 종래의 세정장치의 구성도로, 도 1에서 도시된 세정제로 채워질 세정조(10)를 가지고 있다.FIG. 2 is a block diagram of a conventional cleaning apparatus, and has a cleaning tank 10 to be filled with the cleaning agent shown in FIG.
도 2의 종래의 세정장치는 암모늄, 염산, 황산 등의 액상 화학제를 사용한 액상물의 세정제를 저장하는 세정용 탱크(11), 다수의 표면 처리된 웨이퍼(1)들이 놓여있는 웨이퍼 캐리어(2)가 바닥면에 위치하여 유입관(12)을 통해 세정용 탱크 (11)로부터 공급된 세정제에 의하여 웨이퍼 캐리어(2)에 놓여진 웨이퍼(1)들의 표면에 부착된 불순물을 세정하는 세정조(10), 세정용 탱크(11)로부터 유입관(12) 내로 유입되는 세정제의 유입양을 제어하는 유입제어밸브(13), 세정조(10)의 하부에 연결되어 세정조(10) 내에서 웨이퍼(1)의 세정을 한 후 세정에 의하여 발생된 불순물을 포함하는 세정조(10) 내에 저장된 세정제를 세정조(10) 외부로 배출관(14)을 통하여 배출시키기 위한 배출 유무를 제어하는 드레인밸브(15)로 구성된다.The conventional cleaning apparatus of FIG. 2 includes a cleaning tank 11 for storing a liquid of a liquid using a liquid chemical such as ammonium, hydrochloric acid, sulfuric acid, and a wafer carrier 2 on which a plurality of surface-treated wafers 1 are placed. Tank 10 for cleaning the impurities attached to the surface of the wafers 1 placed on the wafer carrier 2 by the cleaning agent supplied from the cleaning tank 11 through the inlet pipe 12 at the bottom surface thereof In addition, the inlet control valve 13 which controls the inflow amount of the detergent flowing into the inlet pipe 12 from the cleaning tank 11 and the lower portion of the cleaning tank 10 is connected to the wafer 1 in the cleaning tank 10. ) And a drain valve 15 for controlling whether or not to discharge the cleaning agent stored in the cleaning tank 10 including impurities generated by the cleaning through the discharge pipe 14 to the outside of the cleaning tank 10 after cleaning. It consists of.
종래의 세정장치는 표면 처리된 웨이퍼의 표면에 부착된 불순물을 제거하기 위해서 로봇암에 의해 다수의 웨이퍼들이 놓여진 하나의 웨이퍼 캐리어가 세정제로 채워진 세정조 내로 자동으로 보내져 세정조 내에서 하나의 웨이퍼 캐리어에 놓여진 웨이퍼들만을 세정할 수 있다.Conventional cleaning apparatus is one wafer carrier in which a plurality of wafers are placed by a robot arm is automatically sent into the cleaning tank filled with the cleaning agent to remove impurities attached to the surface of the surface-treated wafer, one wafer carrier in the cleaning tank Only wafers placed in can be cleaned.
따라서 종래의 세정장치는 다수의 웨이퍼 캐리어에 놓여진 웨이퍼들을 세정하기 위해 웨이퍼 캐리어의 수만큼 반복된 작업을 하여야 하므로 세공공정시간이 길어지는 문제점을 가지고 있다.Therefore, the conventional cleaning apparatus has a problem in that the pore process time is long because it has to be repeated as many times as the number of wafer carriers to clean the wafers placed in a plurality of wafer carriers.
또한 종래의 세정장치는 웨이퍼를 세정제로 세정한 후 초순수로 웨이퍼 표면을 씻어내기 위하여 웨이퍼를 초순수로 채워진 세정조 내로 보내야 하므로 초순수로 채워진 세정조가 필요하고, 이로인해 세정장비의 크기가 대형화되는 문제점을 가지고 있다.In addition, the conventional cleaning apparatus needs to send the wafer into the cleaning tank filled with ultrapure water in order to wash the wafer surface with ultrapure water after cleaning the wafer with the cleaning agent. Have.
본 발명의 목적은 다수의 웨이퍼 캐리어들이 회전수단의 각 캐리어 지지부에 놓여지고, 회전수단의 회전에 의해 웨이퍼 캐리어들을 세정조 내의 세정제에 침지시켜 표면 처리된 웨이퍼를 세정하므로서 다수의 웨이퍼 캐리어들을 일괄적으로 처리할 수 있어 세정공정시간을 단축시킬 수 있는 세정장치를 제공하는 데 있다.It is an object of the present invention that a plurality of wafer carriers are placed on each carrier support of a rotating means, and the plurality of wafer carriers are collectively cleaned by immersing the wafer carriers in a cleaning agent in a cleaning bath by rotating the rotating means to clean the surface treated wafer. It is possible to provide a cleaning apparatus that can be treated with the present invention and thus shorten the cleaning process time.
본 발명의 다른 목적은 세정제로 채워진 세정조 내에서 세정을 한 후 회전수단과 이격되어 회전수단의 상부에 위치한 린스공급부로부터 초순수를 웨이퍼 캐리어에 놓여있는 웨이퍼에 공급해 주어 웨이퍼의 표면을 씻어내므로서 세정제 및 초순수에 의한 웨이퍼 세정을 일괄적으로 처리할 수 있는 세정장치를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to clean the surface of the wafer by washing the surface of the wafer by supplying ultra-pure water to the wafer placed on the wafer carrier from the rinse supply portion located above the rotating means after cleaning in the cleaning tank filled with the cleaning means spaced apart from the rotating means And a cleaning apparatus capable of collectively processing wafer cleaning with ultrapure water.
도 1은 종래의 표면 처리된 웨이퍼를 세정하는 세정방법을 도시한 개략도,1 is a schematic view showing a cleaning method for cleaning a conventional surface treated wafer;
도 2는 종래의 세정장치의 구성도,2 is a block diagram of a conventional washing apparatus;
도 3은 본 발명의 세정장치의 구성도,3 is a block diagram of a cleaning device of the present invention,
도 4는 본 발명의 세정장치의 회전수단의 측면도 이다.Figure 4 is a side view of the rotating means of the cleaning device of the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings
102, 102a, 102b : 웨이퍼 캐리어 110 : 세정조102, 102a, 102b: wafer carrier 110: cleaning tank
120 : 회전수단 121 : 캐리어 적재부120: rotation means 121: carrier loading portion
122 : 회전측 123 : 캐리어 지지부122: rotation side 123: carrier support
130 : 린스공급부 140 : 초음파 발생부130: rinse supply unit 140: ultrasonic generator
150 : 회전 제어부150: rotation control unit
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 세정장치는 액상물의 세정제를 저장하는 세정용 탱크로부터 공급되는 세정제로 채워지는 세정조 및 웨이퍼들이 놓여진 다수의 웨이퍼 캐리어들의 각각을 적재하는 캐리어 적재부를 가지며 캐리어 적재부에 각각의 웨이퍼 캐리어들의 적재 후 회전하는 회전수단을 구비하여 회전수단의 회전에 따라 각각의 웨이퍼 캐리어는 순착적으로 세정조 내에 채워진 세정제에 침지되어 침지된 웨이퍼 캐리어에 놓여있는 표면 처리된 다수의 웨이퍼들의 표면을 세정제로 세정하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the cleaning apparatus of the present invention has a cleaning tank filled with a cleaning agent supplied from a cleaning tank for storing a liquid of a liquid and a carrier loading portion for loading each of a plurality of wafer carriers on which wafers are placed. And a rotating means for rotating the wafer carriers after the loading of the respective wafer carriers, so that as the rotating means rotates, each of the wafer carriers is successively immersed in the cleaning agent filled in the cleaning bath and placed on the immersed wafer carrier. Cleaning the surface of the wafers with a cleaning agent.
회전수단은 세정조의 양측면에 고정되는 회전축 및 웨이퍼들이 놓여진 다수의 웨이퍼 캐리어들의 각각을 지지하는 다수의 캐리어 지지부를 가지며 회전축과 일체가 되어 회전하는 회전몸체로 구성된 회전수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.The rotating means has a rotating shaft fixed to both sides of the cleaning tank and a plurality of carrier supporting portions for supporting each of the plurality of wafer carriers on which the wafers are placed, and the rotating means comprises a rotating body which is integrally rotated with the rotating shaft.
본 발명의 세정장치는 세정조 내부에 액상물인 세정제의 유동을 발생시키는 초음파 발생부를 더 구비하거나, 표면 처리된 웨이퍼를 세정한 후 각각의 웨이퍼의 표면에 잔존하는 불순물을 조사하여 웨이퍼 표면의 오염 정도를 판단하는 불순물 검사부를 더 구비하는 것을 특징으로 한다.The cleaning apparatus of the present invention may further include an ultrasonic wave generating unit for generating a flow of the cleaning agent as a liquid inside the cleaning tank, or after cleaning the surface-treated wafer, irradiating impurities remaining on the surface of each wafer to contaminate the wafer surface. Characterized in that it further comprises an impurity inspection unit for determining.
본 발명의 세정장치는 회전수단과 이격되어 회전수단의 상부에 위치한 린스 공급부를 더 구비하여 웨이퍼를 세정제로 채워진 세정조 내에서 세정을 한 후 회전 수단을 회전시켜 린스공급부 하부에 위치한 웨이퍼 캐리어에 초순수를 공급하여 웨이퍼 캐리어에 놓여있는 다수의 웨이퍼들의 표면을 씻어내는 것을 특징으로 한다.The cleaning apparatus of the present invention further includes a rinse supply unit located above the rotating means spaced apart from the rotating means to clean the wafer in the cleaning tank filled with the cleaning agent, and then rotate the rotating means to supply ultrapure water to the wafer carrier located below the rinse supply unit. It supplies a to wash the surface of the plurality of wafers placed on the wafer carrier.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 세정장치를 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the washing apparatus of the present invention.
도 3은 본 발명의 세정장치의 구성도 이고, 도 4는 본 발명의 세정장치의 회전수단의 측면도 이다.3 is a configuration diagram of the cleaning device of the present invention, Figure 4 is a side view of the rotating means of the cleaning device of the present invention.
본 발명의 세정장치는 액상물의 세정제를 저장하는 세정용 탱크로부터 공급되는 세정제(103)로 채워지는 세정조(110) 및 웨이퍼들이 놓여진 다수의 웨이퍼 캐리어(102,102a,102b)들의 각각을 적재하는 캐리어 적재부(121)를 가지며 캐리어 적재부(121)에 각각의 웨이퍼 캐리어(102,102a,102b)들의 적재 후 회전하는 회전수단(120)으로 구성되어 회전수단(120)의 회전에 따라 각각의 웨이퍼 캐리어 (102,102a,102b)는 순차적으로 세정조(110) 내에 채워진 세정제(103)에 침지되어 침지된 웨이퍼 캐리어(102a)에 놓여있는 표면 처리된 다수의 웨이퍼들의 표면을 세정제(103)로 세정한다.The cleaning apparatus of the present invention is a carrier for loading each of a plurality of wafer carriers (102, 102a, 102b) on which a cleaning tank (110) filled with a cleaning agent (103) supplied from a cleaning tank for storing a liquid of a liquid, and wafers are placed. It is composed of a rotating means 120 having a loading portion 121 and rotating after the loading of the respective wafer carriers 102, 102a, 102b on the carrier loading portion 121, each wafer carrier according to the rotation of the rotating means 120. 102, 102a, and 102b sequentially clean the surface of a plurality of surface-treated wafers that are immersed in the cleaning agent 103 filled in the cleaning tank 110 and placed on the immersed wafer carrier 102a with the cleaning agent 103.
회전수단(120)은 세정조의 양측면(111)에 고정되는 회전축(122) 및 웨이퍼 (101)들이 놓여진 다수의 웨이퍼 캐리어(102,102a,102b)들의 각각을 지지하는 다수의 캐리어 지지부(123)를 가지며 회전축(122)과 일체가 되어 회전하는 회전몸체 (124)로 구성된다.The rotating means 120 has a rotating shaft 122 fixed to both sides 111 of the cleaning tank and a plurality of carrier supports 123 supporting each of the plurality of wafer carriers 102, 102a, 102b on which the wafers 101 are placed. It is composed of a rotating body 124 is integrally rotated with the rotating shaft 122.
본 발명의 세정장치는 회전수단(120)과 이격되어 회전수단(120)의 상부에 위치한 린스공급부(130)를 더 구비하여 웨이퍼를 세정제(103)로 채워진 세정조 (110) 내에서 세정을 한 후 회전수단(120)에 의해 웨이퍼 캐리어(102,102a,102b)들을 회전시켜 린스공급부(130) 하부에 위치한 웨이퍼 캐리어(102b)에 초순수를 공급하여 웨이퍼 캐리어(102b)에 놓여있는 다수의 웨이퍼들의 표면을 씻어낸다.The cleaning apparatus of the present invention further includes a rinse supply unit 130 positioned above the rotating means 120 to be spaced apart from the rotating means 120 to clean the wafer in the cleaning tank 110 filled with the cleaning agent 103. After rotating the wafer carriers 102, 102a and 102b by the rotating means 120, ultrapure water is supplied to the wafer carrier 102b positioned below the rinse supply unit 130 to surface the plurality of wafers placed on the wafer carrier 102b. Rinse off.
본 발명의 세정장치는 세정조(110) 내부에 액상물인 세정제(103)의 유동을 발생시키는 초음파 발생부(140)를 더 구비할 수 있고, 표면 처리된 웨이퍼를 세정한 후 각각의 웨이퍼의 표면에 잔존하는 불순물을 조사하여 웨이퍼 표면의 오염 정도를 판단하는 불순물 검사부를 더 구비할 수 있다.The cleaning apparatus of the present invention may further include an ultrasonic wave generation unit 140 for generating a flow of the cleaning agent 103 which is a liquid in the cleaning tank 110, and after cleaning the surface-treated wafer, the surface of each wafer An impurity inspection unit may be further provided to determine the degree of contamination of the surface of the wafer by irradiating impurities remaining in the wafer.
회전수단의 회전축(122)에 연결되어 회전축(122)을 회전시키고, 회전축(122)의 회전속도를 제어하는 회전 제어부(150)를 더 구비할 수 있다.It may be further provided with a rotation control unit 150 is connected to the rotary shaft 122 of the rotating means to rotate the rotary shaft 122, and to control the rotational speed of the rotary shaft 122.
회전수단은 도 4에 도시된 바와 같이 수레바퀴의 형태로 구현하였으나 이에 한정되지 않고, 웨이퍼 캐리어를 적재하기 위한 캐리어 적재부(121)를 엘리베이터 승강기의 구조를 사용하여 다수의 캐리어 적재부(121)가 회전할 수 있도록 구현할 수 있다.The rotating means is implemented in the form of a wheel as shown in FIG. 4, but is not limited thereto. A plurality of carrier stacking units 121 may be formed by using a structure of an elevator lift carrier carrier 121 for stacking wafer carriers. Can be implemented to rotate.
상기의 구성에 따른 본 발명인 세정장치의 동작은 다음과 같다.The operation of the cleaning device of the present invention according to the above configuration is as follows.
도 3의 본 발명의 세정장치는 도시되지 않았지만 도 2의 종래의 세정장치와 동일하게 세정용 탱크, 유입관, 유입제어밸브, 배출관 및 드레인밸브를 가지고 있다.The washing apparatus of the present invention of FIG. 3 has a washing tank, an inlet tube, an inlet control valve, an outlet tube, and a drain valve, similarly to the conventional washing apparatus of FIG. 2.
도 3에 도시된 바와 같이 회전수단(120)의 회전함에 따라 회전수단(120)의 다수의 캐리어 적재부(121)로 표면 처리된 다수의 웨이퍼들이 놓여진 웨이퍼 캐리어(102,102a,102b)들을 로봇암에 의해 순차적으로 올려 놓고, 유입관 및 유입제어밸브에 의해 액상물의 세정제를 저장하는 세정용 탱크로부터 세정조(110) 내부에세정제(103)를 채운다. 회전수단(120)이 회전함에 따라 각각의 웨이퍼 캐리어 (102,102a,102b)는 순차적으로 세정조(110) 내에 채워진 세정제(103)에 침지되며, 침지된 웨이퍼 캐리어(102a)에 놓여있는 표면 처리된 다수의 웨이퍼들의 표면은 세정제(103)에 의해 세정된다.As shown in FIG. 3, the robot carriers include wafer carriers 102, 102a, and 102b in which a plurality of wafers surface-treated with the plurality of carrier stacks 121 of the rotating means 120 are placed as the rotating means 120 rotates. The cleaning agent 103 is filled in the cleaning tank 110 from the cleaning tank for storing the liquid cleaning agent by the inflow pipe and the inflow control valve. As the rotating means 120 rotates, each of the wafer carriers 102, 102a, 102b is sequentially immersed in the cleaning agent 103 filled in the cleaning tank 110, and surface-treated on the immersed wafer carrier 102a. The surface of the plurality of wafers is cleaned by the cleaner 103.
예를들어 6인치 웨이퍼의 경우 웨이퍼 캐리어(102)에 25개의 웨이퍼가 놓여져 있고, 회전수단(120)에는 캐리어 적재부(121)가 8개가 있다면 세정장치는 200개의 웨이퍼들의 표면을 일괄적으로 세정할 수 있으므로 세공공정시간을 단축할 수 있다.For example, in the case of 6-inch wafers, if 25 wafers are placed on the wafer carrier 102 and the carrier 120 has eight carriers 121 on the rotating means 120, the cleaning apparatus collectively cleans the surfaces of 200 wafers. As a result, the pore process time can be shortened.
또한 웨이퍼의 세정시 캐리어 적재부(121)를 포함하는 회전수단(120)의 회전에 의해 세정조(110) 내에 채워진 세정제는 유동을 일으키고, 캐리어 적재부의 웨이퍼 캐리어(102a)가 세정제(103)에 침지된 후 회전수단(120)의 회전에 의해 세정제(103)의 외부로 들어 올려질 때 웨이퍼의 표면에 부착된 불순물들은 씻겨지므로 세정의 효율을 극대화할 수 있다.In addition, the cleaning agent filled in the cleaning tank 110 by the rotation of the rotating means 120 including the carrier mounting portion 121 during the cleaning of the wafer causes a flow, the wafer carrier 102a of the carrier loading portion to the cleaning agent 103 After being immersed, the impurities attached to the surface of the wafer are washed when being lifted out of the cleaner 103 by the rotation of the rotating means 120, thereby maximizing the efficiency of cleaning.
회전 제어부(150)는 회전축(122)에 연결되어 회전축(122)을 회전시키고, 회전축(122)의 회전 속도를 제어한다.The rotation controller 150 is connected to the rotation shaft 122 to rotate the rotation shaft 122, and controls the rotation speed of the rotation shaft 122.
회전수단(120)의 캐리어 적재부(121)는 각각 캐리어 지지부(123)가 형성되어 있으며, 캐리어 지지부(123)는 웨이퍼들이 놓여진 다수의 웨이퍼 캐리어 (102,102a,102b)들의 각각을 지지하여 회전수단(120)의 회전몸체(124)가 회전하더라도 웨이퍼 캐리어(102,102a,102b)가 캐리어 적재부(121)로부터 이탈되지 않도록 해준다.Carrier mounting portion 121 of the rotating means 120 is formed with a carrier support 123, respectively, the carrier support 123 supports each of the plurality of wafer carriers (102, 102a, 102b) on which the wafers are placed Even if the rotating body 124 of 120 is rotated, the wafer carriers 102, 102a and 102b are not separated from the carrier stack 121.
세정조(110) 내부에 설치된 초음파 발생부(140)는 초음파를 발생시켜 액상물인 세정제(103)의 유동을 발생시켜 효과적으로 웨이퍼의 세정을 할 수 있다. 불순물 검사부는 표면 처리된 웨이퍼를 세정한 후 각각의 웨이퍼의 표면에 잔존하는 불순물을 조사하여 웨이퍼 표면의 오염 정도를 판단할 수 있다.The ultrasonic generator 140 installed inside the cleaning tank 110 may generate ultrasonic waves to generate a flow of the cleaning agent 103 which is a liquid, thereby effectively cleaning the wafer. The impurity inspection unit may determine the degree of contamination of the wafer surface by inspecting impurities remaining on the surface of each wafer after cleaning the surface-treated wafer.
도 3에 도시된 바와 같이 본 발명의 세정장치는 회전수단(120)과 이격되어 회전수단(120)의 상부에 위치한 린스공급부(130)에 의해 웨이퍼를 세정제 (103)로 채워진 세정조(110) 내에서 세정을 한 후 회전수단(120)의 회전에 의해 각각의 웨이퍼 캐리어(102,102a,102b)들을 린스공급부(130) 하부에 위치시켜 웨이퍼 캐리어(102b)에 초순수를 공급하여 웨이퍼 캐리어(102b)에 놓여있는 다수의 웨이퍼들의 표면을 씻어낼 수 있다.As shown in FIG. 3, the cleaning apparatus of the present invention includes a cleaning tank 110 in which a wafer is filled with a cleaning agent 103 by a rinse supply unit 130 positioned above the rotating means 120 and spaced apart from the rotating means 120. After cleaning in the wafer carrier 102, 102a, 102b by the rotation of the rotating means 120 is positioned below the rinse supply unit 130 to supply ultra-pure water to the wafer carrier 102b to the wafer carrier 102b It is possible to clean the surface of multiple wafers lying on the substrate.
따라서 본 발명의 세정장치는 웨이퍼를 세정제로 채워진 세정조 내에서 세정을 한 후 린스공급부에 의해 초순수를 웨이퍼 캐리어에 놓여있는 다수의 웨이퍼들에 공급해 주어 웨이퍼의 표면을 씻어내므로서 세정제 및 초순수에 의한 웨이퍼 세정을 일괄적으로 처리할 수 있다.Therefore, the cleaning apparatus of the present invention cleans a wafer in a cleaning tank filled with a cleaning agent, and then supplies ultrapure water to a plurality of wafers placed on the wafer carrier by a rinse supply unit to wash the surface of the wafer, thereby cleaning the surface of the wafer. Wafer cleaning can be processed in a batch.
본 발명의 세정장치는 다수의 웨이퍼 캐리어들이 회전수단의 각 캐리어 지지부에 놓여지고, 회전수단에 회전에 의해 각각의 웨이퍼 캐리어들을 세정조 내의 세정제에 침지시켜 표면 처리된 웨이퍼를 세정제로 세정하므로서 다수의 웨이퍼 캐리어들을 일괄적으로 처리할 수 있어 세정공정시간을 단축시킬 수 있다.In the cleaning apparatus of the present invention, a plurality of wafer carriers are placed on each carrier support of the rotating means, and by rotating the rotating means, the respective wafer carriers are immersed in the cleaning agent in the cleaning tank to clean the surface treated wafers with the cleaning agent. The wafer carriers can be processed in a batch to reduce the cleaning process time.
또한 본 발명의 세정장치는 세정제로 채워진 세정조 내에서 세정을 한 후 회전수단의 회전에 의해 린스공급부 하부에 위치한 웨이퍼 캐리어에 초순수를 공급하여 웨이퍼의 표면을 씻어내므로서 세정제 및 초순수에 의한 웨이퍼 세정을 일괄적으로 처리할 수 있다.In addition, the cleaning apparatus of the present invention, after cleaning in the cleaning tank filled with the cleaning agent, by supplying ultrapure water to the wafer carrier located under the rinse supply unit by the rotation of the rotating means to wash the surface of the wafer to clean the wafer by the detergent and ultrapure water Can be processed in a batch.
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Patent Citations (1)
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| KR19980034275A (en) * | 1996-11-06 | 1998-08-05 | 문정환 | Semiconductor Wafer Cleaning Equipment |
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