KR100340389B1

KR100340389B1 - 이엠아이가스켓의 제조방법

Info

Publication number: KR100340389B1
Application number: KR1019990043862A
Authority: KR
Inventors: 최영문
Original assignee: 최영문
Priority date: 1999-10-11
Filing date: 1999-10-11
Publication date: 2002-06-12
Also published as: KR20010036736A

Abstract

본 발명은 저알카리 유리칩을 실란(silane)으로 고온가열하여 커플링시키고 커플링된 저알카리 유리칩을 실버(silver), 니켈(nickel) 및 코퍼(copper)로 이루어진 그룹중에서 선택된 1종이상의 파우더로 코팅하여 저알카리성 파우더를 만들고 이에 실리콘 바인더제를 배합하여 점도를 25만 내지 30만 포아즈로 조종한 후 탈포기로 기포를 제거하여 1차 가스켓재료를 만든 다음, 실란을 첨가하여 최종 러버(rubber)를 만들고 이를 가압식 유압프레스 또는 정량토출방식에 의해 성형하는 것을 특징으로 하는 이엠아이 가스켓(EMI gasket)의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법에 의해 제조된 이엠아이 가스켓은 휴대폰, 군용특수 장비, 컴퓨터 등의 내외부 전파차단 효과가 우수하다.

Description

이엠아이가스켓의 제조방법{A Process for Preparing EMI Gasket}

본 발명은 이엠아이 가스켓(electron magnetic interference gasket)의 제조방법에 관한 것이다. 더욱 구체적으로, 본 발명은 휴대폰, 군용특수 장비, 컴퓨터 등의 내외부 전파차단효과가 우수한 이엠아이 가스켓의 제조방법에 관한 것이다.

현대는 전파의 시대라고 하여도 무방하리 만큼 우리의 생활주변은 전파의 물결로 넘치고 있다. 전기전자 산업이 발전함에 따라 전자기기의 수요는 폭발적으로 증가하고 있으며 그 성능 또한 고성능을 자랑하고 있다. 그러나 전자기기들의 성능이 높아지고 예민해 질수록 외부나 내부로부터 발생되는 전파에 의한 간섭 및 방해에는 더욱더 취약해질 것이다.

특히 휴대폰, 군용특수 장비, 컴퓨터등을 제작함에 있어 케이스는 그나마 철재로 하여 전파차단이 가능하지만, 케이스에 난 구멍이나 두껑을 여닫는 부분들은 전파의 특성상 빈공간이나 마찬가지로 내장된 PCB회로나 기타 기기들은 외부의 전파로부터 완전 노출되어 있는 형편이다.

따라서 전파에 민감하게 반응하는 중요한 장비 및 전자기기들을 전기 차폐체에 의존하여 외부 전자계의 영향으로부터 차단(차폐)시키려는 시도들이 이루어지고있다. 예를들어 자계(磁界)를 차폐하기 위해서 유전율이 큰 자성재료를 필요로 하지만 그 효과는 정전차폐의 경우 거의 효과적이지 못한 것으로 알려져 있다.

이에 본 발명자는 외부전파으로부터 절대적으로 보호하고 전자기기 운용시 발생되는 내부전파를 외부로 발생시키지 않는 전자기 차폐재료를 개발하기 위해 수 많은 연구와 실험을 거듭한 결과, 이엠아이 가스켓이 이러한 목적을 달성함과 동시에 자체 PCB회로상에서 부품들끼리 일으키는 간섭(노이즈)현상을 없애는데 특히 유용하며 또한 아주 미세한 접촉으로도 신속한 작동을 요구하는 첨단 기기들의 패킹재로서도 매우 좋다는 사실을 밝혀내고 본 발명을 완성하게 되었다.

본 발명은 저알카리 유리칩을 실란(silane)으로 고온가열하여 커플링시키고 커플링된 저알카리 유리칩을 실버(silver), 니켈(nickel) 및 코퍼(copper)로 이루어진 그룹중에서 선택된 1종 이상의 파우더(powder)로 코팅하여 저알카리성 파우더를 만들고 이에 실리콘 바인더제를 배합하여 점도를 25만 내지 30만 포아즈로 조종한 후 탈포기로 기포를 제거하여 1차 가스켓재료를 만든 다음, 실란을 첨가하여 최종 러버(rubber)를 만들고 이를 가압식 유압프레스 또는 정량토출방식에 의해 성형하는 것을 특징으로 하는 이엠아이 가스켓의 제조방법에 관한 것이다.

이하 본 발명에 따른 이엠아이 가스켓의 제조방법을 구체적으로 설명한다.

본 발명에 따르면, 저알카리 유리칩을 실란(silane)으로 150 내지 190℃의 고온으로 10시간 이상 가열하여 커플링시킨다. 실란의 첨가량은 특별히 제한할 필요는 없으나 저알카리 유리칩에 대하여 0.3 내지 0.5 중량%로 배합하는 것이 바람직하다. 유리커플링된 저알카리 유리칩을 실버파우더(silver powder), 니켈파우더(nickel powder) 및 코퍼파우더(copper powder)로 코팅하여 저알카리성 파우더를 만든다. 여기서 실버파우더, 니켈파우더 및 코퍼파우더는 용도에 따라 단독으로 첨가하거나 2종 이상을 혼합사용할 수 있으며, 이들은 유리칩에 대하여 50 내지 70중량%로 첨가하는 것이 바람직하다. 이어서 실리콘 바인더제를 배합하여 점도를 25만 내지 30만 포아즈로 조종한 후 탈포기로 기포를 완전히 제거하여 1차 가스켓재료를 만든다.

상기와 같이 제조된 1차 가스켓 재료에 실란을 10 내지 15 중량%로 첨가하여 최종 러버(rubber)를 만든다. 이를 가압식 유압프레스(예: 가스켓) 또는 정량토출방식(예: 휴대폰 케이스)에 의해 원하는 사용용도에 따라 원하는 제품형태로 성형하여 이엠아이 가스켓을 제조한다.

본 발명의 방법에서 사용되는 유압프레스 공정은 다음과 같이 수행한다. 약 150℃ 내지 180℃ 정도로 달구어진 일정한 틀(금형)에 최종 만들어진 이엠아이 실버러버(silver rubber)를 적당량 넣고 이 틀을 200kg/cmm²이상으로 10 내지 20분 정도 가압을 시켜 성형한 후 2차로 약 150℃ 이상의 온도로 약 72 시간 정도 이상 다시 가열하여 원하는 제품을 생산한다.

또한 본 발명의 방법에서 사용되는 정량토출 방식은 당업계의 통상적인 방법에 따라 수행 할 수 있다. 예를들면 미세한 이엠아이 가스켓 성형이 필요할 때 주로 사용되는 것으로, 정량토출기를 이용하여 최종 겔(gel)상태로 만들어진 이엠아이 실버러버를 전자파 차폐용으로 사용하고자 하는 부위에 토출시킨 뒤 그 상태대로 숙성시키어 사용한다.

본 발명의 방법에 따라 제조된 가스켓는 외부전파으로부터 절대적으로 보호하고 전자기기 운용시 발생되는 내부전파를 외부로 발생시키지 않으며, 자체 PCB회로상에서 부품들끼리 일으키는 간섭(노이즈)현상을 없애는데 특히 유용하며 또한 아주 미세한 접촉으로도 신속한 작동을 요구하는 첨단 기기들의 패킹재로서도 매우 좋다. 특히 휴대폰, 군용특수 장비, 컴퓨터등의 두껑을 여닫는 부분들이나 PCB회로나 기타 기기들의 외부전파로부터의 노출부분에 본 발명의 이엠아이 가스켓을 장착함으로써 그 부분을 용접한 경우와 거의 동일한 수준의 전파차단 효과를 얻어 PCB회로나 기타 전자기기들을 보호할 수 있는 것이다. 그외에 본 발명에 따른 이엠아이 가스켓은 고형 또는 액상으로서 차폐유리에도 유용하게 사용할 수 있다.

Claims

저알카리 유리칩을 실란(silane)으로 고온가열하여 커플링시키고 커플링된 저알카리 유리칩을 실버(silver), 니켈(nickel) 및 코퍼(copper)로 이루어진 그룹중에서 선택된 1종 이상의 파우더(powder)로 코팅하여 저알카리성 파우더를 만들고 이에 실리콘 바인더제를 배합하여 점도를 25만 내지 30만 포아즈로 조종한 후 탈포기로 기포를 제거하여 1차 가스켓재료를 만든 다음, 실란을 첨가하여 최종 러버( rubber)를 만들고 이를 가압식 유압프레스 또는 정량토출방식에 의해 성형하는 것을 특징으로 하는 이엠아이 가스켓의 제조방법.
삭제