KR100339353B1 - micro bolometer and fabrication methode of the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 표면 미세식각(surface micromachining) 기술을 이용하여 열적 고립 효과를 극대화하여 센서의 감도를 높이고 제조 단가를 줄이며 센서 칩의 집적화율을 높일 수 있는 마이크로 볼로메터 및 제조 방법을 제공하기 위한 것으로서, 기판과, 상기 기판상에 양측은 기판과 접하고 중앙 영역은 공기가 통하도록 일정높이를 갖고 각각 형성된 제 1, 2 저항체와, 상기 제 1, 2 저항체 양측에 오버랩(overlap)되고 기판과 접하도록 각각 형성된 제 1, 2 패드와, 상기 제 1, 2 저항체 중 어느 하나의 하부에 형성되어 적외선을 차단하는 반사막을 포함하여 구성되는데 있다.The present invention is to provide a micro-bolometer and a manufacturing method that can maximize the thermal isolation effect using surface micromachining technology to increase the sensitivity of the sensor, reduce the manufacturing cost and increase the integration rate of the sensor chip, First and second resistors each having a predetermined height so as to be in contact with the substrate and a central area of the substrate and air flow on the substrate, and overlapping and contacting both sides of the first and second resistors, respectively. The first pad and the second pad, and formed on the lower portion of any one of the first, the second resistor is configured to include an infrared ray blocking.
Description
본 발명은 적외선 감지 센서에 관한 것으로, 특히 브릿지(bridge) 구조를 가지는 저항형 볼로메터 센서에 관한 것이다.The present invention relates to an infrared sensor, and more particularly, to a resistive bolometer sensor having a bridge structure.
최근까지 적외선을 감지하기 위한 센서로 열전효과를 이용한 열전대 센서(thermopile sensor)와, 초전현상을 이용한 초전 센서(pyroelectric sensor)와, 센서에 바이어스를 걸어 유전율의 변화를 감지하는 강유전 볼로메터(ferroelectric bolometer)와, 그리고 입사된 적외선을 흡수하여 변화된 감지소자의 온도변화에 따른 저항 변화를 감지하는 저항형 볼로메터 등이 사용되어 왔다.Until recently, a thermocouple sensor using a thermoelectric effect, a pyroelectric sensor using a pyroelectric phenomenon, and a ferroelectric bolometer that senses a change in dielectric constant by biasing a sensor ) And a resistive bolometer for absorbing the incident infrared rays and detecting the resistance change according to the temperature change of the changed sensing element.
이 중에서 상기 저항형 볼로메터(간단히 볼로메터)는 그 제작이 간단하고 가격이 저렴하며, 바이어스 변화에 따른 감도의 조절과 노이즈의 조절 등이 용이하여 온도 감지용 센서로 사용되거나, 또는 어레이(array)로 만들어져 높은 감도를 요구하는 곳에 응용되고 있다.Among them, the resistive ballometer (simple ballometer) is simple to manufacture and inexpensive, and is easily used as a temperature sensing sensor because it is easy to adjust sensitivity and noise according to a bias change, or an array (array). It is made of) and is applied where a high sensitivity is required.
응용분야를 보면 온도 측정용이나, 어레이로 만들어져 적외선 카메라에 사용되며, 특히 요즘에는 전자레인지와 같은 열 가전제품에 사용되어 음식물의 상태를 파악하는데 사용되거나, 의학 장비(medical equipments) 및 귀속의 온도를 읽어 인체의 체온을 정확히 측정하는 정밀 체온계에 사용되는 등 그 응용분야가 점점 넓어지고 있다.Applications include temperature measurement, arrays, and infrared cameras, especially today's thermal appliances such as microwave ovens used to determine the condition of food, or medical equipments It is used in precision thermometers that accurately measure the body temperature of the human body, and its applications are getting wider.
온도의 변화를 감지하는 저항체로는 산화물인 바나듐 산화물(vanadium oxide), 티타늄 산화물(titanium oxide) 등이 있으며, 금속으로는 티타늄, 백금(platinum : Pt) 등과 같은 물질들이 있다.Resistors that sense temperature changes include oxides such as vanadium oxide and titanium oxide, and metals include materials such as titanium and platinum (Pt).
이 중 상기 바나듐 산화물(V2O3, V2O5, VO2)은 온도저항계수(Temperature Coefficient of Resistance : TCR)가 -2 ~ -4 %/K 로 Ti, Pt와 같은 금속 저항체에 비해 온도저항계수(TCR)가 10 ~ 20 배 정도 높아 열화상장치, 또는 적외선센서로의 응용을 목적으로 많이 연구되고 있다.Among these vanadium oxides (V 2 O 3 , V 2 O 5 , VO 2 ) has a Temperature Coefficient of Resistance (TCR) of -2 to -4% / K compared to metal resistors such as Ti and Pt. The TCR is about 10 to 20 times higher and has been studied for the purpose of application to a thermal imager or an infrared sensor.
도 1 은 종래 기술에 따른 볼로메터 구조를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a ballot structure according to the prior art.
도 1을 보면 Si3N4나 SiO2와 같은 절연막(1)이 표면에 형성된 실리콘 기판(2) 위에 폴리이미드와 같이 제거가 용이한 희생층을 형성하고 그 위에 Si3N4나 SiO2와 같은 절연막으로 브릿지(3)를 형성한 후, 브릿지 위에 저항체(4)를 형성한다.Referring to FIG. 1, a sacrificial layer, such as polyimide, is easily formed on a silicon substrate 2 having an insulating film 1 such as Si 3 N 4 or SiO 2 formed thereon, and Si 3 N 4 or SiO 2 and After the bridge 3 is formed of the same insulating film, the resistor 4 is formed on the bridge.
그리고 상기 저항체(4) 위에 전기적으로 연결한 금속막 패드(5)를 형성하고그 위에 다시 절연막(6)을 형성한다.A metal film pad 5 electrically connected to the resistor 4 is formed, and an insulating film 6 is formed thereon.
이어 상기 절연막(6) 위에 적외선을 흡수하는 흡수체(7)를 형성한 후, 희생층을 제거하여 실리콘 기판(2)과 절연막(3) 사이에 에어갭(air gap)이 형성되어 열적으로 고립 효과가 높은 구조를 갖는 마이크로 볼로메터를 형성한다.Subsequently, after forming the absorber 7 absorbing infrared rays on the insulating film 6, the sacrificial layer is removed to form an air gap between the silicon substrate 2 and the insulating film 3 to thermally isolate. Form a microbolometer with a high structure.
이와 같이 볼로메터는 얇은 박막 위에 저항체(4)를 형성하는 구조로 되어 있으며, 일괄 제작을 목적으로 실리콘 기판을 이용하여 만들어지고 있다.As such, the bolometer has a structure in which the resistor 4 is formed on a thin film, and is made using a silicon substrate for the purpose of batch production.
그러나 실리콘 기판은 열 전도성(thermal conductivity)이 높아서 저항부에서 전달되는 열이 기판으로 전달되게 되어 볼로메터의 효율 및 감도를 떨어지게 하는 주요 원인으로 분석되어지고 있다.However, the silicon substrate has a high thermal conductivity, so that the heat transferred from the resistance portion is transferred to the substrate, which is analyzed as a major cause of deteriorating the efficiency and sensitivity of the bolometer.
또한 빠른 열전도로 인하여 주위 환경의 온도 변화에도 쉽게 영향을 받을 수 있다.In addition, fast heat conduction can easily be affected by temperature changes in the environment.
이를 개선하기 위하여 최근에 실리콘을 식각하는 기술(bulk micromachining techniques)을 이용하여 볼로메터의 구조물 형성시 열전도를 최소로 줄이기 위해 브릿지의 길이를 되도록 길게 하는 등 저항체의 열손실을 적게 하기 위해 여러 가지 열적 고립(thermal isolation) 구조에 대한 연구가 많이 진행되고 있다.In order to improve this problem, various thermal techniques have been used to reduce the heat loss of the resistors, such as the use of bulk micromachining techniques to make the length of the bridge as long as possible to reduce the heat conduction during the formation of the bolometer structure. There is a lot of research on thermal isolation structures.
그러나 이상에서 설명한 종래 기술에 따른 마이크로 볼로메터는 다음과 같은 문제점이 있다.However, the microbolometer according to the related art described above has the following problems.
첫째, 상기 공정은 실리콘 기판을 식각할 때 기판상에 형성된 다른 물질에 손상을 입혀 볼로메터의 수율과 신뢰도가 낮아지게 된다.First, the process damages other materials formed on the substrate when etching the silicon substrate, resulting in low yield and reliability of the bolometer.
둘째, 구조가 기계적으로 취약하고, 또한 제조 공정수가 많고 어렵기 때문에 제조 단가가 높아지게 된다.Second, the manufacturing cost increases because the structure is mechanically weak and the number of manufacturing processes is difficult and difficult.
셋째, 상기 실리콘 기판을 식각하는데 소요되는 시간이 길어서 제조상 비경제적이다.Third, the time required for etching the silicon substrate is long, which is uneconomical in manufacturing.
따라서 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 표면 미세식각(surface micromachining) 기술을 이용하여 열적 고립 효과를 극대화하여 센서의 감도를 높이고 제조 단가를 줄이며 센서 칩의 집적화율을 높일 수 있는 마이크로 볼로메터 및 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, by maximizing the thermal isolation effect using the surface micromachining technology to increase the sensitivity of the sensor, reduce the manufacturing cost and increase the integration rate of the sensor chip. The purpose is to provide a micro bolometer and a manufacturing method.
도 1 은 종래 기술에 따른 볼로메터 구조를 나타낸 단면도1 is a cross-sectional view showing a ballot structure according to the prior art
도 2 는 본 발명에 따른 투명한 유리 기판을 이용한 자체 지지형 마이크로 볼로메터의 평면도2 is a plan view of a self-supporting microbolometer using a transparent glass substrate according to the present invention
도 3 은 본 발명에 따른 자체지지형 볼로메터의 제조 공정도Figure 3 is a manufacturing process of the self-supporting ballometer according to the present invention
도 4 는 본 발명에 따른 제조 방법으로 제작한 브릿지형 볼로메터를 T0-5와 같은 금속 패키지(package)에 내장한 적외선 센서의 단면도4 is a cross-sectional view of an infrared sensor incorporating a bridge-type ballometer manufactured by a manufacturing method according to the present invention in a metal package such as T0-5.
도 5 는 본 발명에 따른 보상소자가 내장된 볼로메터를 이용한 적외선 검출 방법을 나타낸 구성도5 is a block diagram showing an infrared detection method using a bolometer with a compensation element according to the present invention
도 6 은 본 발명에 따른 실리콘 기판을 이용한 마이크로 볼로메터의 단면도6 is a cross-sectional view of a microbolometer using a silicon substrate according to the present invention
도 7 은 본 발명에 따른 마이크로 볼로메터의 제조 공정도7 is a manufacturing process of the microbolometer according to the present invention
도 8 은 본 발명에 따른 제조 방법으로 제작한 브릿지형 볼로메터를 T0-5와 같은 금속 패키지에 내장한 적외선 센서의 단면도8 is a cross-sectional view of an infrared sensor incorporating a bridge-type ballometer manufactured by a manufacturing method according to the present invention in a metal package such as T0-5.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
8,24 : 기판 9,28 : 반사막8,24: substrate 9,28: reflective film
10,32,33 : 희생층 11,11',25,29 : 저항체10,32,33: sacrificial layer 11,11 ', 25,29: resistor
12,12',26,30 : 패드 13 : 스템12,12 ', 26,30: Pad 13: Stem
14 : 금속층 15 : 포스트14 metal layer 15 post
16 : 스템(stem)의 핀 17 : 적외선 필터16: pin 17 of the stem: infrared filter
18 : 캡(cap) 19 : 전원18: cap 19: power
20 : 볼로메터 저항 21,22 : 저항20: voltmeter resistor 21,22: resistor
23 : 차등 증폭회로 27,31 : 절연막23: differential amplifier circuit 27, 31: insulating film
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 마이크로 볼로메터의 특징은 기판과, 상기 기판상에 양측은 기판과 접하고 중앙 영역은 공기가 통하도록 일정높이를 갖고 각각 형성된 제 1, 2 저항체와, 상기 제 1, 2 저항체 양측에 오버랩(overlap)되고 기판과 접하도록 각각 형성된 제 1, 2 패드와, 상기 제 1, 2 저항체 중 어느 하나의 하부에 형성되어 적외선을 차단하는 반사막을 포함하여 구성되는데 있다.Features of the micro-bolometer according to the present invention for achieving the above object is a substrate, the first and second resistors each having a predetermined height so that both sides contact the substrate on the substrate and the air flows through the central region, And first and second pads overlapped on both sides of the first and second resistors, and formed to contact the substrate, and a reflective film formed below one of the first and second resistors to block infrared rays. have.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 마이크로 볼로메터의 제조방법의 특징은 기판 위에 희생물질을 도포하고 양측면이 소정의 경사를 갖도록 패터닝하여 제 1, 2 희생층을 일정거리로 형성하는 공정, 상기 제 1, 2 희생층 위에 각각 기판과 접하도록 저항물질을 증착하고 패터닝하여 제 1, 2 저항체를 형성하는 공정, 상기 제 1, 2 저항체와 전기적으로 연결할 금속막을 제 1, 2 저항체 양측에 각각 오버랩(overlap)되며 기판과 접하도록 증착하여 패터닝하는 공정, 및 상기 제 1, 2 희생층을 제거하는 공정을 포함하여 이루어지는데 있다.A feature of the method of manufacturing a microbolometer according to the present invention for achieving the above object is a step of forming the first and second sacrificial layers by applying a sacrificial material on the substrate and patterning both sides to have a predetermined inclination. And depositing and patterning a resistive material on the first and second sacrificial layers to contact the substrate, respectively, to form first and second resistors. A metal film electrically connected to the first and second resistors may be formed on both sides of the first and second resistors. And overlapping each of the substrates, and depositing and patterning the substrate to contact the substrate, and removing the first and second sacrificial layers.
본 발명에 따른 마이크로 볼로메터의 제조방법의 다른 특징은 기판 위에 제 1 희생층을 형성하고 양측면이 경사지도록 패터닝하는 공정, 상기 제 1 희생층 위에 기판과 접하도록 제 1 저항체를 형성하고 패터닝하는 공정, 상기 제 1 저항체와 전기적으로 연결할 금속막을 제 1 저항체 양측에 오버랩(overlap)되며 기판과 접하도록 증착하여 패터닝하는 공정, 상기 제 1 저항체 중앙 영역에 적외선을 차단하기 위한 반사막을 형성하는 공정, 상기 반사막 위에 제 2 희생층을 형성하는 공정, 상기 제 2 희생층 위에 기판과 접하도록 제 2 저항체를 형성하고 패터닝하는 공정, 상기 제 2 저항체와 전기적으로 연결할 금속막을 제 2 저항체 양측에 오버랩(overlap)되며 기판과 접하도록 증착하여 패터닝하는 공정, 및 상기 제 1, 2 희생층을 제거하는 공정을 포함하여 이루어지는데 있다.Another feature of the method of manufacturing a microbolometer according to the present invention is the step of forming a first sacrificial layer on the substrate and patterning both sides are inclined, a step of forming and patterning a first resistor to contact the substrate on the first sacrificial layer Depositing and patterning a metal film electrically connected to the first resistor on both sides of the first resistor and contacting the substrate; forming a reflective film to block infrared rays in the central region of the first resistor; Forming a second sacrificial layer on the reflective film, forming and patterning a second resistor to contact the substrate on the second sacrificial layer, and overlapping metal films electrically connected to the second resistor on both sides of the second resistor And patterning by depositing and contacting the substrate, and removing the first and second sacrificial layers. Makin it.
본 발명의 특징에 따른 작용은 외부에서 입사되는 적외선을 반사하는 보상소자와 적외선을 흡수하는 소자를 함께 형성함으로써 센서 칩의 집적화율을 높이고, 또한 표면 미세식각(surface micromachining) 기술을 이용하여 센서의 감도를 높이고 제조 단가를 줄일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the integration of the sensor chip by forming a compensation element that reflects infrared rays incident from the outside and an element that absorbs infrared rays increases the integration rate of the sensor chip, and also uses a surface micromachining technique. It can increase the sensitivity and reduce the manufacturing cost.
본 발명의 다른 목적, 특성 및 잇점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.Other objects, features and advantages of the present invention will become apparent from the following detailed description of embodiments taken in conjunction with the accompanying drawings.
본 발명에 따른 마이크로 볼로메터의 바람직한 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.A preferred embodiment of the microbolometer according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
제 1 실시예First embodiment
도 2 는 본 발명에 따른 투명한 유리 기판을 이용한 자체 지지형 마이크로 볼로메터의 평면도를 나타내었다.2 is a plan view of a self-supporting microbolometer using a transparent glass substrate according to the present invention.
도 2를 보면 투명한 유리 기판(8)과, 상기 기판(8)상에 양측은 기판(8)과 접하고 중앙 영역은 공기가 통하도록 일정거리를 갖고 각각 형성된 제 1, 2 저항체(11')(11)와, 상기 제 1, 2 저항체(11')(11) 양측에 오버랩 되고 기판과 접하도록 각각 형성된 제 1, 2 패드(12')(12)와, 상기 제 1 저항체(11') 하부에 형성되어 적외선을 차단하는 반사막(9)으로 구성된다.Referring to FIG. 2, the transparent glass substrate 8 and the first and second resistors 11 ′ each formed on the substrate 8 at a predetermined distance so that both sides contact the substrate 8 and the central region has air flow therethrough ( 11) and first and second pads 12 'and 12' which are overlapped on both sides of the first and second resistors 11 'and 11 and contact the substrate, respectively, and the lower part of the first resistor 11'. It is composed of a reflecting film (9) formed in and blocking the infrared rays.
이와 같이 구성된 볼로메터는 입사되는 적외선을 받는 제 2 저항체(11)와 제 2 패드(12)로 구성된 제 1 소자와 적외선을 받지 않는 제 1 저항체(11')와 제 1 패드(12')와 반사막(9)으로 구성된 제 2 소자로 이루어진 것이 하나의 볼로메터를 구성하고 있다.The bolometer configured as described above includes a first element including a second resistor 11 and a second pad 12 that receive incident infrared rays, a first resistor 11 ′ and a first pad 12 ′ that do not receive infrared rays; The second element composed of the reflecting film 9 constitutes a single bolometer.
도 3 은 본 발명에 따른 자체지지형 볼로메터의 제조 공정도를 나타내었다.Figure 3 shows a manufacturing process of the self-supporting ballometer according to the present invention.
그리고 도 2의 평면도에서 A-A'의 단면도는 도 3 좌측에 나타내었고, B-B'의 단면도는 도 3 우측에 나타내었다.In the plan view of FIG. 2, a cross-sectional view of A-A 'is shown on the left side of FIG. 3, and a cross-sectional view of B-B' is shown on the right side of FIG. 3.
도 3을 참조하여 마스크 4 개를 이용하여 제작할 수 있는 자체 지지형 마이크로 볼로메터를 공정순으로 설명하면 다음과 같다.Referring to Figure 3 describes the self-supported micro-bolometer that can be produced using four masks in the order of the process as follows.
도 3a와 같이 유리나 수정(quartz)과 같은 적외선 영역에서 투과율이 높은 절연성 기판(8)위에 보상소자로 이용할 기판 영역에 반사막으로 사용할 금속막(9)을 증착하고 패터닝한다.A metal film 9 to be used as a reflective film is deposited and patterned on an insulating substrate 8 having a high transmittance in an infrared region such as glass or quartz as shown in FIG. 3A.
도 3에서는 좌측에 보상소자를 형성한다.In FIG. 3, a compensation element is formed on the left side.
이때 증착할 금속막(9)의 두께는 적외선이 투과할 수 없도록 스킨 딥(skin depth)보다 두껍게 증착하여야 한다.At this time, the thickness of the metal film 9 to be deposited should be deposited thicker than the skin depth so that infrared rays cannot transmit.
그리고 도 3b와 같이 희생층(10)으로 사용할 폴리이미드 또는 폴리실리콘 막을 증착하고 에지부분이 경사지도록 상기 희생층(10)을 패터닝한다.3B, a polyimide or polysilicon film to be used as the sacrificial layer 10 is deposited and the sacrificial layer 10 is patterned so that the edge portion is inclined.
이어 도 3c와 같이 상기 희생층(10) 위에 바나듐 산화물(vanadium oxide : VOX)을 증착한 후 패터닝한다.Subsequently, vanadium oxide (VO X ) is deposited on the sacrificial layer 10 and patterned as shown in FIG. 3C.
이때 열처리온도 또는 기판온도 범위에서 바나듐 산화물(vanadium oxide : VOX)의 x 값은 1.5 < x < 2.5의 범위로 열처리온도가 증가함에 따라 x 의 값은 증가하며 이때 형성되는 결정상은 VO2, V2O5가 혼재된 결정구조로 이루어져 있다.At this time, x value of vanadium oxide (VO X ) in the range of heat treatment temperature or substrate temperature is 1.5 <x <2.5 and the value of x increases as the heat treatment temperature increases, and the crystalline phases formed are VO 2 , V 2 O 5 is a mixed crystal structure.
그리고 비저항은 열처리온도가 증가함에 따라 0.2Ωcm에서 5Ωcm로 증가한다.And the resistivity increases from 0.2Ωcm to 5Ωcm as the heat treatment temperature increases.
저항체의 온도저항계수(TCR)는 상기 열처리온도 범위에서 -2.2 ~ -3.5%/K의 값을 갖는다.The temperature resistance coefficient TCR of the resistor has a value of -2.2 to -3.5% / K in the heat treatment temperature range.
또한 브릿지 구조를 이루기 위해서는 구조물을 이루는 물질의 내부응력이 100MPa 이내의 약한 인장응력을 가져야 하는데, 바나듐 산화물의 경우 금속 박막을 증착 후에 내부응력이 약 600MPa로 큰 인장응력을 나타낸다.In addition, in order to achieve the bridge structure, the internal stress of the material forming the structure should have a weak tensile stress within 100 MPa. In the case of vanadium oxide, the internal stress after deposition of a metal thin film shows a large tensile stress of about 600 MPa.
그러나 열처리에 의한 바나듐 산화물(VOX)로의 산화로 내부응력이 감소하여 상기의 열처리온도 범위에서는 온도에 따라 10 ~ 90 MPa 정도의 적정 인장응력을갖게 된다.However, the internal stress is reduced by oxidation to vanadium oxide (VO X ) by the heat treatment, and has an appropriate tensile stress of about 10 to 90 MPa depending on the temperature in the heat treatment temperature range.
마지막으로 도 3d와 같이 바나듐 산화물과 전기적으로 연결할 금속막을 증착하고 패터닝하여 패드(12) 부분을 형성한 후 건식 식각 방법에 의하여 희생층(10)을 식각하여 브릿지형 볼로메터를 제작한다.Finally, as shown in FIG. 3d, the metal layer electrically connected to the vanadium oxide is deposited and patterned to form the pad 12, and then the sacrificial layer 10 is etched by a dry etching method to fabricate a bridge-type bolometer.
도 4 는 상기의 제조 방법으로 제작한 브릿지형 볼로메터를 T0-5와 같은 금속 패키지(package)에 내장한 적외선 센서의 단면도로써, 도 4를 보면 소자의 패드(12)와 스템(stem)(13)과는 전기적으로 절연이 되어 있다.FIG. 4 is a cross-sectional view of an infrared sensor in which a bridge-type ballometer manufactured by the above-described manufacturing method is incorporated in a metal package such as T0-5. Referring to FIG. 4, a pad 12 and a stem ( It is electrically insulated from 13).
그리고 상부에 전기적으로 연결할 금속층(14)이 형성되어 있는 절연 포스트(post)(15)에 도전성 패이스트(paste)를 이용하여 붙인 후 상기 금속층(14)과 스템(stem)의 핀(16)을 전선으로 연결하여 전기적으로 연결되도록 한다.The metal layer 14 and the pin 16 of the stem are attached to the insulating post 15 having the metal layer 14 to be electrically connected to the upper layer by using a conductive paste. Make electrical connections by connecting wires.
이어 적외선 필터(17)가 구성되어 있는 캡(cap)(18)을 스템과 용접(welding)하여 볼로메터형 적외선센서를 제작한다.Subsequently, a cap 18 having an infrared filter 17 is welded with the stem to produce a ballometer-type infrared sensor.
제 2 실시예Second embodiment
도 6 은 본 발명에 따른 실리콘 기판을 이용한 마이크로 볼로메터의 단면도를 나타내었다.6 is a cross-sectional view of a microbolometer using a silicon substrate according to the present invention.
도 6을 보면 기판(24)과, 상기 기판(24)상에 양측은 기판(24)과 접하고 중앙 영역은 공기가 통하도록 일정 거리를 갖고 형성된 하부 저항체(25)와, 상기 하부 저항체(25) 양측에 오버랩 되고 기판(24)과 접하도록 형성된 제 1 패드(26)와, 상기 하부 저항체(25) 중앙 영역 상에 형성된 절연막(27)과, 상기 절연막(27) 상에 형성되어 적외선을 차단하는 금속막(28)과, 상기 금속막(28) 상에 양측은 기판(24)과 접하고 중앙영역은 공기가 통하도록 일정거리를 갖고 형성된 상부 저항체(29)와, 상기 상부 저항체(29) 양측에 오버랩 되고 기판(24)과 접하도록 형성된 제 2 패드(30)로 구성된다.Referring to FIG. 6, the lower resistor 25 and the lower resistor 25 formed at a predetermined distance so that both sides of the substrate 24 are in contact with the substrate 24 and the center region is in contact with air on the substrate 24. A first pad 26 overlapping both sides and in contact with the substrate 24, an insulating film 27 formed on a central region of the lower resistor 25, and formed on the insulating film 27 to block infrared rays. On the metal film 28, the upper resistor 29 formed on both sides of the metal film 28 in contact with the substrate 24 and the center region has a predetermined distance to allow air to pass through, and on both sides of the upper resistor 29. And a second pad 30 that overlaps and is formed to contact the substrate 24.
이와 같이 구성된 볼로메터는 입사되는 적외선을 받는 상부 저항체(29)와 제 2 패드(30)로 구성된 제 1 소자와, 적외선을 받지 않는 하부 저항체(25)와 제 1 패드(26)와 금속막(28)으로 구성된 제 2 소자로 이루어진 것이 상, 하로 동일 면적상에 형성되어 하나의 볼로메터를 이루고 있다.The bolometer configured as described above includes a first element including an upper resistor 29 and a second pad 30 that receive incident infrared rays, a lower resistor 25, a first pad 26, and a metal film that do not receive infrared rays. The second element composed of 28) is formed on the same area up and down to form a single bolometer.
도 7 은 본 발명에 따른 마이크로 볼로메터의 제조 공정도이다.7 is a manufacturing process chart of the microbolometer according to the present invention.
도 7을 참조하여 마이크로 볼로메터 제조 방법을 공정순으로 설명하면 다음과 같다.Referring to Figure 7 describes the microbolometer manufacturing method in the order of the process as follows.
도 7a와 같이 Si3N4또는 SiO2와 같은 절연막(31)이 표면에 형성된 실리콘 기판(24) 위에 먼저 제 1 희생층(32)으로 사용할 폴리이미드 또는 폴리실리콘 막을 증착하고 패터닝한다.As shown in FIG. 7A, a polyimide or polysilicon film to be used as the first sacrificial layer 32 is first deposited and patterned on the silicon substrate 24 having an insulating film 31 such as Si 3 N 4 or SiO 2 formed on the surface thereof.
이때 제 1 희생층(32)은 다음에 증착할 바나듐 산화물(vanadium oxide) 구조물이 튼튼하게 지지될 수 있도록 에지(adge) 부분을 경사지도록 패터닝한다.In this case, the first sacrificial layer 32 is patterned so as to incline the edge portion so that the next vanadium oxide structure to be deposited is firmly supported.
그리고 상기 제 1 희생층(32)위에 볼로메터 저항체(25)로 바나듐(vanadium)을 증착한 후 패터닝한다.In addition, vanadium is deposited on the first sacrificial layer 32 using a bolometer resistor 25 and then patterned.
이때 바나듐 산화물을 형성하기 위하여 350~450도의 온도에서 열처리를 하거나, 또는 상기 저항체(25)를 기판온도 300~450도에서 아르곤(Ar)과 산소 가스를 이용하여 반응성 스퍼터링 방법으로 바나듐 산화물을 증착한 후 패터닝하여 보상소자로 사용할 하부 바나듐 산화물 마이크로 브릿지의 하부 저항체(25)를 형성한다.In this case, heat treatment is performed at a temperature of 350 to 450 degrees to form vanadium oxide, or vanadium oxide is deposited by the reactive sputtering method using argon (Ar) and oxygen gas at the substrate temperature of 300 to 450 degrees. After patterning, the lower resistor 25 of the lower vanadium oxide micro bridge to be used as a compensation element is formed.
상기의 열처리온도 또는 기판온도 범위에서 바나듐 산화물의 x 값은 1.5 < x < 2.5의 범위로 열처리 온도가 증가함에 따라 x 의 값은 증가한다.In the above heat treatment temperature or substrate temperature range, the x value of vanadium oxide increases as the heat treatment temperature increases in the range of 1.5 <x <2.5.
이 때 형성되는 결정상은 VO2, V2O5가 혼재된 결정구조로 이루어져 있으며, 비저항은 열처리온도가 증가함에 따라 0.2Ωcm에서 5Ωcm로 증가한다.The crystalline phase formed at this time is composed of a VO 2 , V 2 O 5 mixed crystal structure, the specific resistance increases from 0.2Ωcm to 5Ωcm with increasing heat treatment temperature.
상기 하부 저항체(25)의 온도저항계수(TCR)는 상기 열처리온도 범위에서 -2.2 ~ -3.5%/K의 값을 갖는다.The temperature resistance coefficient TCR of the lower resistor 25 has a value of -2.2 to -3.5% / K in the heat treatment temperature range.
또한 브릿지 구조를 이루기 위해서는 구조물을 이루는 물질의 내부응력이 100MPa 이내의 약한 인장응력을 가져야 하는데, 바나듐 산화물의 경우 금속 박막을 증착 후에 내부응력이 약 600MPa로 큰 인장응력을 나타낸다.In addition, in order to achieve the bridge structure, the internal stress of the material forming the structure should have a weak tensile stress within 100 MPa. In the case of vanadium oxide, the internal stress after deposition of a metal thin film shows a large tensile stress of about 600 MPa.
그러나 열처리에 의한 바나듐 산화물(VOX)로의 산화로 내부응력이 감소하여 상기의 열처리온도 범위에서는 온도에 따라 10 ~ 90 MPa 정도의 적정 인장응력을 갖게 된다.However, the internal stress is reduced by oxidation to vanadium oxide (VO X ) by heat treatment, and thus has an appropriate tensile stress of about 10 to 90 MPa depending on the temperature in the heat treatment temperature range.
이어 도 7b와 같이 상기 하부 저항체(25)와 전기적으로 연결할 금속막을 증착, 패터닝하여 상기 하부 저항체(25) 양측에 오버랩되며 기판과 접하도록 패드(26)를 형성한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 7B, a metal layer electrically connected to the lower resistor 25 is deposited and patterned to form a pad 26 to overlap both sides of the lower resistor 25 and to contact the substrate.
그리고 도 7c와 같이 하부 저항체(25) 위에 절연막(27)을 형성하고 상기 절연막(27) 위에 적외선 반사막으로 사용할 금속막(28)을 형성한다.As shown in FIG. 7C, an insulating film 27 is formed on the lower resistor 25, and a metal film 28 to be used as an infrared reflecting film is formed on the insulating film 27.
이어 도 7d와 같이 하부 저항체(25) 위에 상부 브릿지의 저항체를 형성하기 위하여 2 차 희생층(33)을 형성한다.Subsequently, a secondary sacrificial layer 33 is formed on the lower resistor 25 to form a resistor of the upper bridge as illustrated in FIG. 7D.
그리고 도 7e와 같이 2 차 희생층(33) 위에 저항체인 상부 바나듐 산화막 마이크로 브릿지의 상부 저항체(29)를 형성한다.As shown in FIG. 7E, the upper resistor 29 of the upper vanadium oxide micro bridge as a resistor is formed on the secondary sacrificial layer 33.
이어 도 7f와 같이 상부 저항체(29) 형성 후 전기적으로 연결할 금속막을 증착, 패터닝하여 상기 상부 저항체(29) 양측에 오버랩되며 기판과 접하도록 상부 브릿지용 패드(30)를 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 7F, after forming the upper resistor 29, a metal film to be electrically connected is deposited and patterned to form an upper bridge pad 30 so as to overlap both sides of the upper resistor 29 and contact the substrate.
상기 패드(30) 형성시 상, 하부 저항체(25)(29)의 활동 영역(active area) 즉, 수광부의 면적이 동일하도록 형성한다.When the pad 30 is formed, the active areas of the lower resistors 25 and 29, that is, the area of the light receiving unit, are formed to be the same.
끝으로 도 7g와 같이 건식 식각 방법에 의하여 상기 제 1, 2 희생층(32)(33)을 식각하여 에어갭(air gap)을 형성하여 바나듐 산화물로 이루어진 상, 하부 브릿지(25)(29)가 형성된 마이크로 볼로메터를 제작한다.Finally, as shown in FIG. 7G, the first and second sacrificial layers 32 and 33 are etched by dry etching to form an air gap to form upper and lower bridges 25 and 29 formed of vanadium oxide. Manufacture the microbolometer formed.
도 8 은 상기의 방법으로 제작한 브릿지형 볼로메터를 T0-5와 같은 금속 패키지(18)에 내장한 적외선 센서의 단면도로 적외선 필터(17)를 통하여 입사된 적외선이 상부 브릿지(29)에만 흡수되고 하부 브릿지(25)에는 흡수되지 않는 구조로 하부 브릿지(25)는 주위 환경변화에만 영향을 받는 보상소자로서 역할을 하게 된다.FIG. 8 is a cross-sectional view of an infrared sensor in which a bridge-type bolometer manufactured by the above method is incorporated in a metal package 18 such as T0-5, and the infrared rays incident through the infrared filter 17 are absorbed only by the upper bridge 29. The lower bridge 25 serves as a compensation element that is not absorbed by the lower bridge 25 and is affected only by changes in the surrounding environment.
도 5 는 상기 제 1, 2 실시예에서 보상소자가 내장된 볼로메터를 이용한 적외선 검출 방법을 나타낸 구성도로서, 도 5를 보면 볼로메터 소자에 인가되는 직류전원(19)과 2 개의 소자가 내장된 볼로메터(20)와 저항 2 개(21)(22)를 연결하여 휘트스톤 브릿지(wheatstone bridge)를 구성한다.FIG. 5 is a block diagram illustrating an infrared detection method using a bolometer having a built-in compensation device according to the first and second embodiments. Referring to FIG. 5, a DC power source 19 applied to a bolometer device and two elements are built in FIG. The ballometer 20 and the two resistors 21 and 22 are connected to form a wheatstone bridge.
그리고 상기 휘트스톤 브릿지로부터 나온 2 개의 출력전압 V1과 V2를 차등 증폭하는 차등증폭회로(23)로 구성된다.And a differential amplifier circuit 23 for differentially amplifying the two output voltages V1 and V2 from the Wheatstone bridge.
따라서 차등증폭회로(23)를 통해 나오는 출력전압 V3은 입사되는 적외선을 받지 않는 보상소자에 의해 주위 환경변화에 의한 영향을 상쇄한 출력을 얻게 된다.Therefore, the output voltage V3 coming out through the differential amplifier circuit 23 is obtained by offsetting the influence of the environmental change by the compensation element that does not receive the incident infrared rays.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 마이크로 볼로메터 및 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.As described above, the microbolometer and the manufacturing method according to the present invention have the following effects.
첫째, 집적도를 높이고 공정단가를 줄이며 감지도를 높이고 주변 환경변화에 영향을 적게 받는 효과가 있다.First, it has the effect of increasing the density, reducing the process cost, increasing the sensitivity and being less affected by changes in the surrounding environment.
둘째, 볼로메터를 이용하여 적외선 영상소자, 보안, 화재경보 및 의료열상, 전자레인지의 자동요리, 에어컨의 인체 위치 파악 등에도 이용할 수 있어 고기능, 고부가가치의 제품을 창출할 수 있다.Second, it can be used for infrared imaging device, security, fire alarm and medical laceration, automatic cooking of microwave oven, and location of human body of air conditioner by using bolometer, which can create high-performance and high value-added products.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 이탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the embodiments, but should be defined by the claims.
Claims (14)
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Families Citing this family (1)
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08128889A (en) * | 1994-10-28 | 1996-05-21 | Nec Corp | Infrared sensor |
| JPH10332480A (en) * | 1997-05-29 | 1998-12-18 | Mitsubishi Electric Corp | Solid state infrared image sensor |
| JPH11258056A (en) * | 1998-03-09 | 1999-09-24 | Nikon Corp | Radiation detecting device |
-
1999
- 1999-10-01 KR KR1019990042400A patent/KR100339353B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08128889A (en) * | 1994-10-28 | 1996-05-21 | Nec Corp | Infrared sensor |
| JPH10332480A (en) * | 1997-05-29 | 1998-12-18 | Mitsubishi Electric Corp | Solid state infrared image sensor |
| JPH11258056A (en) * | 1998-03-09 | 1999-09-24 | Nikon Corp | Radiation detecting device |
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| Publication number | Publication date |
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| KR20010035706A (en) | 2001-05-07 |
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