KR100332924B1 - 분철광석의 점착을 방지할 수 있는 3단 유동층식 환원장치및 이를 이용한 환원방법 - Google Patents

분철광석의 점착을 방지할 수 있는 3단 유동층식 환원장치및 이를 이용한 환원방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 용융가스화로 더스트를 이용하여 유동환원단계에서 발생하는 분환원철의 점착등을 방지할 수 있는 유동층식 환원장치 및 이를 이용한 환원방법에 관한 것이다.
본 발명은, 입도분포가 넓은 분철광석을 1차환원시키는 제 1유동층로, 제 1유동층로로부터 배출된 1차 환원된 분철광석을 2차환원시키는 제 2유동층로, 제 2유동층로에서 배출된 2차환원된 분철광석을 3차환원시키는 제 3유동층로, 상기 제유동층로의 배가스중의 미립광석을 포집하여 재순환시키는 제1,2 및 3사이클론, 그리고 최종환원된 철광석을 용융하여 용선을 제조하는 용융가스화로를 포함하여 구성된 유동층식 환원장치에 있어서, 상기 용융가스화로로부터 배출되는 다량의 탄소함유 배가스중 더스트를 1차적으로 포집하는 제 4사이클론; 상기 제 4사이클론으로부터 공급받은 환원가스중 극미립 더스트를 2차적으로 포집하는 제 5사이클론; 상기 제 5사이클론의 극미립 더스트를 상기 제 3유동층로로 취입하기 위한 제 1,2 및 3 더스트 저장빈과 제 1, 2 질소취입장치;를 포함하여 구성된 3단 유동층식 환원장치, 및 이를 이용한 환원방법에 관한 것을 그 요지로 한다.

Description

분철광석의 점착을 방지할 수 있는 3단 유동층식 환원장치 및 이를 이용한 환원방법{An apparatus for preventing the sticking in the 3-step fluidized bed type apparatus for reducing the fine iron ore, and method therefor}
본 발명은 다량의 탄소를 함유한 용융가스화로 더스트를 이용하여 유동환원단계에서 발생하는 분환원철의 점착을 방지할 수 있는 유동층식 환원장치 및 이를이용한 환원방법에 관한 것으로, 보다 상세히는, 용융가스화로의 미분 더스트를 환원가스와 분리하여 유동층로에 취입시켜 분환원철의 입자표면에 피복시키므로써 고온 유동환원공정에서 발생할 수 있는 환원철 입자간의 점착현상과 분산판에의 점착현상 및 비유동화현상등을 방지할 수 있는 유동층식 환원장치, 및 이를 이용한 환원방법에 관한 것이다.
현재의 용선제조공정은 고로공정이 주류를 이루고 있으며, 최근에 펠렛과 괴광석을 사용한 샤프트형 용융환원제철공정이 상업화되어 용선을 생산하고 있으나 두 공정 모두 괴상화된 원료만을 사용해야 하는 제약이 있다.
고로공정에서는 석탄을 가공한 코크스와 분상의 철광석 및 부원료를 혼합하여 가공한 소결광을 사용하여 용선을 생산해야 하므로 연/원료의 예비처리를 위한 설비투자증가와 예비처리과정에서 발생하는 공해문제가 심각하게 대두되고 있어 이에 따른 환경적인 규제가 강화되고 있는 실정이다.
한편, 샤프트형 용융환원제철공정에서는 원료로 미분의 철광석을 펠렛으로 만들어 사용하거나 제한된 입도의 괴광석을 사용하여 용선을 생산하고 있다. 이와같이 고로공정이나 샤프트형 용융환원제철공정에서는 분상의 분철광석을 직접 사용할 수 없고 예비처리 과정을 거쳐야 한다. 따라서 매장량도 풍부하고 저렴한 분철광석을 예비처리과정을 거치지 않고 바로 사용하여 용선을 생산할 수 있는 유동층식 용융환원제철공정이 기조의 고로공정을 대체할 차세대 제철공정으로 주목받고 있으며 선진 철강생산국을 중심으로 활발한 연구가 진행되고 있다.
상기 용융환원제철공정은 일반적으로 예비환원공정과 최종환원공정으로 구분이 되는데 예비환원단계에서는 환원로의 원료광석을 고체상태로 예비환원시키고, 최종환원단계에서는 상기 환원된 환원철을 용융로에 장입하여 용융시키면서 용선을 생산하고 있다. 예비환원공정은 일반적으로 원료광석의 입도에 따라 이동층식 및 유동층식으로 분류되는데 입도가 작고 입도분포가 넓은 분철광석의 경우는 원료광석을 환원로에서 환원가스로 유동시키면서 환원하는 유동층식이 통기성이나 가스이용율면에서 효율적인 것으로 알려져 있다.
상기 유동층식 환원장치의 일예가 대한민국 특허 제 117065(1997)에 나타난 있다. 상기 특허에 나타난 장치(100)은 도 1에 도시된 바와같이, 장입호퍼(105)로부터 장입된 입도분포가 넓은 분철광석을 기포유동층에 의해 1차환원시키는 제 1유동층로(110); 제 1유동층로(110)로부터 배출된 1차 환원된 분철광석을 기포유동층에 의해 2차환원시키는 제 2유동층로(120); 제 2유동층로(120)에서 배출된 2차환원된 분철광석을 3차환원시키는 제 3유동층로(130); 상기 제1,2 및 3유동층로의 배가스함께 비산된 미립광석을 포집하여 재순환시키는 제1,2 및 3사이클론(140,150 및 160); 및 제 3유동층로(130)으로부터 배출된 최종환원된 철광석을 용융하여 용선을 제조하는 용융가스화로(170);를 포함하여 구성되어 있다.
그러나, 상기의 유동층식 환원로에 있어서는 용융가스화로(80)에서 생산, 공급되는 환원가스중에 포함된 다량의 더스트가 제 3유동층로(130)의 분산판 하부로 직접 유입되어 분산판 노즐에 점진적으로 점착,누적되었으며, 이에따라 장기조업시 결과적으로 분산판의 막힘현상을 유발시켜 균일한 가스흐름을 저해하고 조업중단을야기할 수 있다는 문제가 있다.
따라서 본 발명자들은 상기와 같은 유동층식 예비환원로에서 나타날 수 있는 환원철 입자간의 점착현상 및 분산판의 막힘현상등의 문제점을 극복하여 입도분포가 넓은 분철광석을 장기간 안정적으로 환원시킬 수 있는 유동층식 환원장치의 개발을 위해 수많은 연구결과 본 발명를 제안하는 것으로, 본 발명은 용융가스화로의 배가스중 미분 더스트를 유동층로의 환원가스와 분리하여 유동층로에 취입시켜 분환원철의 입자표면에 피복시키므로써 고온 유동환원공정에서 발생할 수 있는 환원철 입자간의 점착현상과 분산판에의 점착현상 및 비유동화현상등을 방지할 수 있는 유동층식 환원장치, 및 이를 이용한 환원방법을 제공함을 그 목적으로 한다.
도 1은 종래의 분철광석의 3단 유동층식 환원장치의 개략구성도이다.
도 2는 본 발명에 따른 3단 유동층식 환원장치의 구성도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
210.......제 1유동층로 215.......제 1사이클론
220.......제 2유동층로 225.......제 2사이클론
230.......제 3유동층로 235.......제 3사이클론
240.......용융가스화로 245.......제 4사이클론
250.......제 5사이클론 260.......제 1더스트 저장빈
270.......제 2더스트 저장빈 280.......제 3더스트 저장빈
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 장입호퍼로부터 장입된 입도분포가 넓은 분철광석을 1차환원시키는 제 1유동층로, 제 1유동층로로부터 배출된 1차 환원된 분철광석을 2차환원시키는 제 2유동층로, 제 2유동층로에서 배출된 2차환원된 분철광석을 용융가스화로의 배가스에 의해 3차환원시키는 제 3유동층로, 상기 제1,2 및 3유동층로의 배가스함께 비산된 미립광석을 포집하여 재순환시키는 제1,2 및 3사이클론, 그리고 제 3유동층로으로부터 배출된 최종환원된 철광석을 용융하여 용선을 제조하는 용융가스화로를 포함하여 구성된 분철광석의 유동층식 환원장치에 있어서,
상기 용융가스화로로부터 배출되는 배가스중 다량의 탄소함유 더스트를 1차적으로분리하여 용융가스화로로 재순환시키고 더스트와 분리된 환원가스를 상부로 배출하는 제 4사이클론; 상기 제 4사이클론으로부터 공급받은 환원가스중 극미립 더스트를 2차적으로 포집하여 그 저부로 배출하고, 더스트와 분리된 환원가스를 상기 제 3유동층로의 환원가스로 제공하는 제 5사이클론; 상기 제 5사이클론으로부터 공급받은 극미립 더스트를 저장하는 제 1더스트 저장빈; 상기 제 1더스트 저장빈에 저장된 극미립 더스트를 제 2더스트 저장빈으로 이송하기 위한 제 1질소취입장치;및 상기 제 2더스트저장빈으로 부터 공급된 극미립 더스트를 저장하는 제 3더스트 저장빈; 및 상기 제 3더스트 저장빈에 저장된 극미립 더스트를 상기 제 3유동층로에 공급하는 제 2 질소취입장치;를 포함하여 구성된 3단 유동층식 환원장치에 관한 것이다.
또한 본 발명은, 장입호퍼로부터 장입된 원료 분철광석 및 제 1사이클론에서 포집되어 재순환공급된 미립철광석을 제 1유동층로에서 1차환원하고, 상기 제 1유동층로에서 1차환원되어 배출된 분철광석 및 제 2사이클론에서 포집되어 재순환된 미립광석을 제 2유동층로에서 2차환원하고, 상기 제 2유동층로에서 2차환원되어 배출된 분철광석 및 제 3사이클론에서 포집되어 재순환된 미립광석을 용융가스화로의 배가스에 의해 제 3유동층로에서 3차환원하고, 그리고 상기 제 3유동층로에서 3차환원된 철광석을 용융가스화로에서 용융환원하여 용선을 제조하는 입도분포가 넓은 분철광석의 유동층식 환원방법에 있어서,
상기 용융가스화로로부터 배출되는 배가스중 다량의 탄소함유 더스트를 제 4사이클론에 의해 1차적으로 포집하여 용융가스화로로 재순환시키고, 더스트와 분리된 환원가스는 제 5사이클론으로 배출시키고; 상기 제 5사이클론은 공급된 환원가스중 2차적으로 포집된 극미립 더스트를 용융가스화로 또는 제 1더스트 저장빈으로 공급하고, 더스트와 분리된 환원가스는 상기 제 3유동층로의 환원가스로 제공하고; 상기 제 1더스트 저장빈에 공급된 극미립 더스트를 제 1질소취입장치를 통하여 제 2더스트 저장빈으로 이송시키고, 상기 제 2더스트 저장빈에 저장된 극미립 더스트를 제 3더스트 저장빈으로 공급하고; 그리고 상기 제 3더스트 저장빈에 공급된 극미립 더스트를 제 2 질소취입장치를 통하여 상기 제 3유동층로에 취입시켜 유동환원중인 분환원철 입자를 피복하는 것;을 특징으로 하는 분철광석의 3단 유동층식 환원방법에 관한 것이다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명에 부합하는 유동층식 환원장치의 일예로서 도2에 나타나 있다. 도 2에 나타난 바와같이, 본 발명의 유동층식 환원장치(200)는,
장입호퍼(205)로부터 광석장입관(201)을 통해 장입된 분철광석을 제 1환원가스공급관(228)로부터 공급된 환원가스에 의해 기포유동층을 형성하며 1차 환원시키는 제 1유동층로(210);
상기 제 1유동층로(210)의 제 1배가스배출관(213)통해 배출되는 배가스중 미립광석은 포집하여 제 1순환관(217)을 통하여 재순환시키고, 미립광석과 분리된 배가스는 제 6배가스배출관(216)으로 배출하는 제 1사이클론(215);
상기 제 1유동층로(210)의 제 1배출관(211)을 통하여 배출된 1차환원된 분철광석을공급받아 제 2환원가스공급관 (238)로부터 공급된 환원가스에 의해 기포유동층을 형성하며 2차환원시키는 제 2유동층로(220);
상기 제 2유동층로(220)의 제 2배가스배출관(223)통해 배출되는 배가스중 미립광석은 포집하여 제 2순환관(227)을 통하여 재순환시키고, 미립광석과 분리된 배가스는 제 1 환원가스공급관(228)으로 배출하는 제 2사이클론(225);
상기 제 2유동층로(220)의 제 2배출관(221)을 통하여 배출된 2차환원된 분철광석을 공급받아 제 3환원가스공급관(258)로부터 공급되는 환원가스에 의해 기포유동층을 형성하며 3차환원시키는 제 3유동층로(230);
상기 제 3유동층로(230)의 제 3배가스배출관(233)통해 배출되는 배가스중 미립광석은 포집하여 제 3순환관(237)을 통하여 재순환시키고, 미립광석과 분리된 배가스는 제 2 환원가스공급관(238)으로 배출하는 제 3사이클론(235); 및
상기 제 3유동층로(230)의 제 3배출관(231)을 통하여 배출된 최종환원된 분철광석을 공급받아 최종 용융환원시켜 용선을 제조하고, 그 배가스를 상기 제 3유동층로의 환원가스로 제공하는 용융가스화로(240);를 포함하는 3단 유동층식 환원장치로 구성되어 있으며, 상기 각각의 유동층로(210,220 및 230)의 저부에는 가스분산판(212,222 및 232)가 내장되어 있다.
상술한 3단 유동층식 환원장치로 구성된 본 발명의 환원장치는 또한, 상기 용융가스화로(240)로부터 배출되는 배가스중 다량의 탄소함유 더스트를 1차적으로 분리하여 용융가스화로로 재순환시키고 더스트와 분리된 환원가스를 상부로 배출하는 제 4사이클론(245);
상기 제 4사이클론(245)로부터 공급받은 환원가스중 극미립 더스트를 2차적으로 포집하여 그 저부로 배출하고, 더스트와 분리된 환원가스를 상기 제 3유동층로(230)의 환원가스로 제공하는 제 5사이클론(250);
상기 제 5사이클론(250)의 저부로 부터 공급받은 극미립 더스트를 저장하는 제 1더스트 저장빈(260);
상기 제 1더스트 저장빈(260)에 저장된 극미립 더스트를 제 2더스트 저장빈(270)으로 이송하기 위한 제 1질소취입장치(N1);
상기 제 2더스트저장빈 (270)으로 부터 공급된 극미립 더스트를 저장하는 제 3더스트 저장빈(280);및
상기 제 3더스트 저장빈(280)에 저장된 극미립 더스트를 상기 제 3유동층로 (230)에 공급하는 제 2 질소취입장치(N2);를 포함하여 구성된다.
상기 제 4사이클론(245)의 측벽에는 용융가스화로(240)로부터 배가스를 공급받기 위한 제 4배가스배출관(243)이 연결되어 있고, 그 저부는 포집된 더스트를 용융가스화로(240)으로 재순환시키기 위해 제 4순환관(246)을 통하여 용융가스화로 (240)과 연통되어 있다. 그리고 상기 제 4사이클론(245)의 상부에 제 5배가스배출관(247)에 연결되어 더스트와 분리된 환원가스를 상기 제 5사이클론(250)에 제공한다.
상기 제 5사이클론(250)은 제 4사이클론(245)로부터 제공된 환원가스중 극미립 더스트를 포집하고, 그 저부에 연결된 제 1더스트 공급관(251)를 통해 포집된 더스트를 제 1더스트 저장빈(260)에 공급한다. 바람직하게는 상기 제 1더스트 공급관(251)상에 이방변(two-way valve:252)를 설치하여 상기 제 5사이클론(250)에서 포집된 더스트의 일부를 필요에 따라 제 5순환관(257)을 통하여 용융가스화로(240)로 재순환시키는 것이다. 이때 상기 제 5순환관(257)은 상기 제 4순환관(246)에 연통시키는 것이 바람직하다.
그리고 상기 제 5사이클론(250)의 상부에는 제 3환원가스공급관(258)이 연결되어 더스트와 분리된 환원가스를 상기 제 3유동층로(230)의 환원가스로 제공한다.
상기 제 1더스트 저장빈(260)에 하부에는 그 저장된 극미립 더스트를 제 2더스트 저장빈(270)으로 이송하기 위해 제 1질소가스취입장치(N1)가 설치되어 있고, 상기 제 1더스트저장빈(260)은 더스트이송관(261)을 통하여 제 2더스트 저장빈(270)과 연통되어 있다. 그리고 상기 제 2더스트 저장빈(270)은 제 2더스트 공급관(271)을 통하여 제 3 더스트 저장빈(280)과 연통되어 극미립 더스트를 상기 제 3더스트 저장빈(280)으로 공급한다.
상기 제 3더스트 저장빈(280)의 저부는 더스트장입관(281)에 통하여 상기 제 3유동층로(230) 분산판(232) 상부 일측과 연통되어 있으며, 상기 더스트장입관 (281)의 상부에는 상기 제 3유동층로에 취입되는 더스트량을 조절하기 위한 더스트장입피드(282)가 설치되어 있다. 그리고 상기 더스트장입피드(282)의 하부에는 제 2질소취입장치(N2)가 설치되어 상기 제3 더스트 저장빈(280)에 저장된 극미립 더스트를 상기 제3유동층로(230)에 고압으로 취입하여 환원철 입자를 피복한다.
전체적인 더스트의 이송 및 취입을 원할하게 조절하기 위해서는, 제 1밸브(255), 제 2밸브(263), 제 3밸브(273) 및 제 4밸브(283)를 상기 제 1더스트공급관(251), 더스트이송관(261), 제 2더스트 공급관(271) 및 더스트장입관(281)상에 각각 구비함이 바람직하다.
한편, 상기 제 1유동층로(210), 제 2유동층로(220) 및 제 3유동층로(230)는 확대상부(210a,220a,230a), 상광경사부(210b,220b,230b) 및 축소하부 (210c,220c ,230c)로 이루어진 상광하협의 구조를 갖는다. 상기 축소하부의 내경은 상기 상광경사부의 하부내경을 유지하고, 상기 확대상부의 내경은 상기 상광경사부의 상부의 내경을 유지한다.
상기 확대상부의 내경은 로내에서 가스의 유속을 감소시켜 미분 철광석의 비산을 억제시키기 위해 상기 축소하부 내경의 1.5~2.0배의 범위로 선정하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제 1유동층로, 제 2유동층로 및 제 3유동층로의 전체높이는 충분한 유동공간을 확보하고 미분 철광석의 비산을 억제시키기 위하여 상기 축소하부 내경의 10~20배의 범위로 선정하는 것이 바람직하며, 상기 축소하부의 높이는 상기 확대상부 높이의 1.0~1.5배의 범위로 선정하는 것이 바람직하다.
한편, 상기 상광경사부의 경사각도는 수직선에 대하여 20~30°범위로 선정함이 바람직하다.
이하, 상기와 같이 구성된 제 2도의 본 발명의 유동층식 환원장치를 이용하여 환원철을 제조하는 방법을 설명한다.
장입호퍼(205)로부터 광석장입관(201)을 통해 장입된 원료 분철광석 및 제 1사이클론(215)에서 포집되어 재순환공급된 미립철광석은 제 1환원가스공급관 (228)로부터 공급된 환원가스에 의해 기포유동층을 형성하며 제 1유동층로(210)에서 1차환원된다.
상기 제 1유동층로(210)에서 1차환원되어 제 1배출관(211)을 통하여 제 2유동층로(220)로 배출된 분철광석 및 제 2사이클론(225)에서 포집되어 재순환된 미립광석은 제 2환원가스공급관(238)으로부터 공급된 환원가스에 의해 기포유동층을 형성하며 제 2유동층로에서 2차환원된다.
상기 제 2유동층로(220)에서 2차환원되어 제 2배출관(221)을 통하여 제 3유동층로(230)로 배출된 2차환원된 분철광석 및 제 3사이클론(235)에서 포집되어 재순환된 미립광석은 제 3환원가스공급관(258)로부터 공급되는 용융가스화로(240)의 배가스에 의해 기포유동층을 형성하며 제 3유동층로(230)에서 3차환원된다.
그리고 상기 제 3유동층로(230)에서 3차환원된 철광석은 제 3배출관을(231)을 통해 용융가스화로(240)에서 용융환원되어 용선을 생산한다.
본 발명은 상술한 3단 유동층식 환원방법에 있어서, 용융가스화로(240)의 배가스중 탄소가 다량함유된 극미립 더스트를 포집하여, 그 포집된 더스트의 일부를 상기 제 3유동층로(230)의 가스분산판(232) 상부일측으로 제공하여 유동환원중인 환원철 입자를 피복하고, 더스트와 분리된 배가스는 상기 제 3유동층로의 환원가스로 제공하므로써 분산판 노즐의 막힘현상 및 환원철입자간의 점착현상등을 방지함에 그 특징이 있다.
상세하게 설명하면, 상기 용융가스화로(240)로부터 배출되는 배가스중 다량의 탄소함유 더스트를 제 4사이클론(245)에 의해 1차적으로 포집하여 용융가스화로 (240)로 재순환시키고 더스트와 분리된 환원가스는 제 5사이클론 (250)으로 배출시킨다.
상기 제 5사이클론(250)은 공급받은 환원가스중 극미립 더스트를 2차적으로 포집하고 더스트와 분리된 환원가스는 상기 제 3유동층로(230)의 환원가스로 제공한다.
한편, 제 5사이클론(250)에서 포집된 더스트는 용융가스화로(240) 또는 제 1더스트 저장빈(260)으로 공급된다.
상기 제 1더스트 저장빈(260)에 공급되어 저장된 더스트는 제 1질소취입장치 (N1)를 통하여 제 2더스트 저장빈(270)으로 이송되고, 상기 제 2더스 저장빈(270)에 저장된 더스트은 제 3더스트 저장빈(280)으로 공급된다.
상기 제 3더스트 저장빈(280)에 저장된 더스트는 제 2 질소취입장치(N2)를 통하여 상기 제 3유동층로(230)에 취입하여 유동중인 환원철 입자를 피복시킨다.
상기 질소취입장치(N1,N2)에서의 질소압력은 상기 제 3유동층로(230)의 로내압력의 2~3배로 선정함이 더스트의 원할한 이송과 취입을 위해 바람직하다.
상기 제 3유동층로(230)에 취입되는 더스트량은 상기 제 1유동층로(210)으로 장입되는 원료철광석량의 0.5~1wt%로 제어함이 바람직하다. 왜냐하면 제 3유동층로(230)에 취입되는 더스트량이 0.5wt%미만이면 점착방지효과가 적고, 1wt%를 초과하면 더스트는 극미분이므로 후속반응에서 분산판의 막힘과 같은 문제를 야기할 수 있기 때문이다.
또한, 상기 제1유동층로(210), 제2유동층로(220) 및 제3유동층로(230)의 로내 가스유속은 기포유동층의 적정유속인 로내에 체류하는 철광석의 최소유동화속도의 1.2~1.5배의 범위로 선정하는 것이 바람직하다.
상술한 바와같이, 본 발명은, 용융가스화로의 배가스중 극미립 더스트를 포집하고, 그 극미립 더스트와 분리된 환원가스를 제 3유동층로의 환원가스로 공급하고, 아울러 포집된 극미립 더스트를 제 3유동층로로 취입하므로써 분산판의 막힘 및 환원철광석의 점착등과 같은 조업장애를 효과적으로 방지할 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 상세히 설명한다.
(실시예 1)
하기 표1에 나타난 크기의 유동층로로 구성된 제 2도의 유동층식 환원장치를 이용하여 하기 표2와 3의 화학조성과 입도분포를 갖는 분철광석과 용융로 더스트를 사용하여 하거 표 4와 5에 나타난 조건으로 환원실험을 행하였다.
유동층식 환원로의 내경 및 높이
유 동 층 로 크 기
제 1 유동층로제 2 유동층로제 3 유동층로 축소부 내경 : 0.3m확대부 내경 : 0.6m축소부 높이 : 3m(분산판 상부부터)확대부 높이 : 3m(경사부 하부부터)
원료광석 및 용융로 더스트의 화학조성
광석 성분 T.Fe FeO SiO2 Al2O3 Mn S P 수 분
wt% 63.49 0.37 4.32 2.33 0.05 0.007 0.063 5.41
더스트 성분 T.Fe FeO M.Fe SiO2 Al2O3 CaO MgO C S
wt% 25~33 10~20 10~15 8~10 2 ~ 5 2~ 5 1 ~2 45~55 1~ 5
원료광석의 입도분포
입도(mm) 〈0.125 0.125~0.25 0.25~0.5 0.5 ~ 1 1~ 3 3~ 5 5~8 8~ 10
wt% 15.5 10.0 9.1 9.2 22.2 19.5 13.7 0.8
환원가스 조건
가 스 조 성 CO:65%, CO2: 5%, H2: 25%, N2: 5%
온 도 750 ~ 850℃
압 력 2.0 ~ 3.0barg
유동층로내 가스유속
유 동 층 로 가 스 유 속
제 1유동층로제 2유동층로제 3유동층로 축소부 유속: 1.6m/s확대부 유속: 0.4m/s
상기의 조건으로 환원실험을 실시한 결과 장입호퍼로부터 제 1유동층로로 광석장입이 시작되어 약 90분 경과후부터 제 3유동층로의 제 3배출과능로부터 환원철이 배출되기 시작하였으며 이때의 평균환원율은 86~90%로 매우 우수하였다. 평균 가스이용율은 30~35%, 가스원단위는 1350~1500Nm3/t-ore이었다. 또한, 제 3유동층로의 분산판의 차압은 20~30mbar 범위를 유지하여 장시간이 경과한 후에도 증가되는 경향을 보이지 않아, 용융가스화로 더스터에 의한 분산판 노즐의 막힘현상이 나타나지 않았다. 그리고 3차환원되어 배출되는 환원철의 입도분석 결과 철광석 입자간의 점착현상이나 분산판에서의 점착현상등도 나타나지 않았다.
상술한 바와같이, 본 발명은, 종래의 유동층식 환원장치에서 나타날 수 있는 용융가스화로의 더스트에 의한 분산판 노즐의 막힘현상등을 억제할 수 있으며, 아울러 탄소가 다량 함유된 더스트를 유동층로에 취입하여 환원철의 표면에 피복시키므로써 철광석의 환원시에 발생하는 환원철 입자간의 점착현상이나 분산판에의 점착현상등 제반 조업장애요인을 제거할 수 있는 유동층식 환원장치 및 그 환원방법을 제공함에 유용한 효과가 있다.

Claims (5)

  1. 장입호퍼(205)로부터 장입된 입도분포가 넓은 분철광석을 1차환원시키는 제 1유동층로(210), 제 1유동층로(210)로부터 배출된 1차 환원된 분철광석을 2차환원시키는 제 2유동층로(220), 제 2유동층로(220)에서 배출된 2차환원된 분철광석을 3차환원시키는 제 3유동층로(230), 상기 제1,2 및 3유동층로(210,220 및 230)의 배가스함께 비산된 미립광석을 포집하여 재순환시키는 제1,2 및 3사이클론(215,225 및 235), 그리고 제 3유동층로(230)으로부터 배출된 최종환원된 철광석을 용융하여 용선을 제조하는 용융가스화로(240)를 포함하여 구성된 분철광석의 유동층식 환원장치에 있어서,
    상기 용융가스화로(240)로부터 배출되는 배기스중 다량의 탄소함유 더스트를 1차적으로 포집하여 용융가스화로로 재순환시키고 더스트와 분리된 환원가스를 상부로 배출하는 제 4사이클론(245); 상기 제 4사이클론(245)로부터 공급받은 환원가스중 극미립 더스트를 2차적으로 포집하여 그 저부로 배출하고, 더스트와 분리된 환원가스를 상기 제 3유동층로(230)의 환원가스로 공급하는 제 5사이클론(250); 상기 제 5사이클론(250)으로 부터 공급받은 더스트를 저장하는 제 1더스트 저장빈(260); 상기 제 1더스트 저장빈(260)에 저장된 더스트를 제 2더스트 저장빈 (270)으로 이송하기 위한 제 1질소취입장치(N1); 상기 제 2더스트저장빈 (270)으로부터 공급된 더스트를 저장하는 제 3더스트 저장빈(280); 및 상기 제 3더스트 저장빈(280)에 저장된 더스트를 상기 제 3유동층로 (230)에 공급하는 제 2 질소취입장치(N2);를 포함하고,
    상기 제 4사이클론(245)의 일측에는 상기 용융가스화로(240)로부터 배가스를 공급받기 위한 제 4배가스배출관(243)이 연결되어 있고, 그 저부는 포집된 더스트를 용융가스화로(240)으로 재순환시키기 위해 제 4순환관(246)이 연결되고, 그리고 상기 제 4사이클론(245)의 상부는 더스트와 분리된 환원가스를 제 5사이클론 (250)으로 공급하기 위해 상기 제 5사이클론(250)의 저부와 제 5배가스배출관(247)에 의해 연결되고;
    상기 제 5사이클론(250)의 상부는 극미립 더스트와 분리된 환원가스를 상기 제 3유동층로(230)의 환원가스로 제공하기 위해 제 3환원가스공급관(258)이 연결되어 있고, 그 저부에는 포집된 극미립 더스트를 제 1더스트 저장빈(260)에 공급하기 위해 제 1더스트 공급관(251)이 연결되고;
    상기 제 1더스트 공급관(251)상에는 상기 제 5사이클론(250)에서 포집된 극미립 더스트의 일부를 필요에 따라 제 5순환관(257)을 통하여 용융가스화로(240)로 재순환하기 위해 이방변(two-way valve:252)이 설치되어 있고, 상기 제 5순환관 (257)은 상기 제 4순환관(246)에 연통되고;
    상기 제 1더스트 저장빈(260)에 하부에는 제 1질소가스취입장치(N1)가 설치되고, 상기 제 1더스트저장빈(260)은 더스트이송관(261)을 통하여 제 2더스트 저장빈(270)과 연통되고; 상기 제 2더스트 저장빈(270)은 제 2더스트 공급관(271)을 통하여 제 3 더스트 저장빈(280)과 연통되며;
    상기 제 3더스트 저장빈(280)의 저부는 더스트장입관(281)에 통하여 상기 제3유동층로(230) 분산판(232) 상부 일측과 연통되어 있으며, 상기 더스트장입관 (281)의 상부에는 상기 제 3유동층로에 취입되는 더스트량을 조절하기 위한 더스트장입피드(282)가 설치되어 있고, 상기 더스트장입피드(282)의 하부에는 제 2질소취이장치(N2)가 설치되어 있고;
    상기 제 1더스트공급관(251), 더스트이송관(261), 제 2더스트 공급관(271) 및 더스트장입관(281)상에 제 1밸브(253), 제 2밸브(263), 제 3밸브(273) 및 제 4밸브(283)를 각각 설치되어 구성됨을 특징으로하는 3단 유동층식 환원장치
  2. 제 1항에 있어서, 상기 제 1유동층로(210), 제 2유동층로(220) 및 제 3유동층로(230)는 확대상부(210a,220a,230a), 상광경사부(210b,220b,230b) 및 축소하부 (210c,220c ,230c)로 이루어진 상광하협의 구조를 가지며;
    상기 축소하부의 내경은 상기 상광경사부의 하부내경을 유지하고, 상기 확대상부의 내경은 상기 상광경사부의 상부의 내경을 유지하며;
    상기 확대상부의 내경은 상기 축소하부 내경의 1.5~2.0배의 범위로 선정하고, 상기 제 1유동층로, 제 2유동층로 및 제 3유동층로의 전체높이는 상기 축소하부 내경의 10~20배의 범위로 선정하며, 그리고 상기 축소하부의 높이는 상기 확대상부 높이의 1.0~1.5배의 범위로 선정하고; 그리고
    상기 상광경사부의 경사각도는 수직선에 대하여 20~30°범위로 선정함을 특징으로 하는 분철광석의 3단 유동층식 환원장치
  3. 장입호퍼(205)로부터 장입된 원료 분철광석 및 제 1사이클론(215)에서 포집되어 재순환공급된 미립철광석을 제 1유동층로 (210)에서 1차환원하고, 상기 제 1유동층로 (210)에서 1차환원되어 배출된 분철광석 및 제 2사이클론(225)에서 포집되어 재순환된 미립광석을 제 2유동층로에서 2차환원하고, 상기 제 2유동층로(220)에서 2차환원되어 배출된 분철광석 및 제 3사이클론(235)에서 포집되어 재순환된 미립광석을 용융가스화로(240)의 배가스에 의해 제 3유동층로(230)에서 3차환원하고, 그리고 상기 제 3유동층로(230)에서 3차환원된 철광석을 용융가스화로(240)에서 용융환원하여 용선을 제조하는 입도분포가 넓은 분철광석의 유동층식 환원방법에 있어서,
    상기 용융가스화로(240)로부터 배출되는 배가스중 다량의 탄소함유 더스트를 제 4사이클론(245)에 의해 1차적으로 포집하여 용융가스화로 (240)로 재순환시키고, 더스트와 분리된 환원가스는 제 5사이클론 (250)으로 배출시키고;
    상기 제 5사이클론(250)은 공급된 환원가스중 2차적으로 포집된 극미립 더스트를 용융가스화로(240) 또는 제 1더스트 저장빈(260)으로 공급하고, 더스트와 분리된 환원가스는 상기 제 3유동층로(230)의 환원가스로 제공하고;
    상기 제 1더스트 저장빈(260)에 공급된 극미립 더스트를 제 1질소취입장치 (N1)를 통하여 제 2더스트 저장빈(270)으로 이송시키고, 상기 제 2더스트 저장빈(270)에 저장된 극미립 더스트를 제 3더스트 저장빈(280)으로 공급하고; 그리고
    상기 제 3더스트 저장빈(280)에 공급된 극미립 더스트를 제 2 질소취입장치(N2)를 통하여 상기 제 3유동층로(230)에 취입시켜 유동환원중인 분환원철 입자를 피복하는 것;을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 분철광석의 3단 유동층식 환원방법
  4. 제 3항에 있어서, 상기 질소취입장치(N1,N2)에서의 질소압력은 상기 제 3유동층로(230)의 로내압력의 2~3배로 선정하고; 상기 제 3유동층로(230)에 취입되는 극미립 더스트량을 상기 제 1유동층로(210)으로 장입되는 원료철광석량의 0.5~1wt%로 제어함;을 특징으로 하는 분철광석의 3단 유동층식 환원방법
  5. 제 3항 또는 4항에 있어서, 상기 제1유동층로(210), 제2유동층로(220) 및 제3유동층로(230)의 로내 가스유속은 로내에 체류하는 철광석의 최소유동화속도의 1.2~1.5배의 범위로 선정함을 특징으로 하는 분철광석의 3단 유동층식 환원방법
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