KR100321177B1 - 메모리모듈의 인쇄회로기판 - Google Patents

Abstract

본 발명은 메모리모듈의 인쇄회로기판에 관한 것으로서, 인쇄회로기판(10)에 스위칭부(30)의 의해 선택적으로 제어신호단(CTRL)에 종단전압(Vtt) 및 종단저항(Rs)을 설정할 수 있도록 하여 LVTTL 인터페이스나 SSTL 인터페이스를 갖는 메모리소자를 선택적으로 탑재하여 실측 테스트 로드 조건을 변경하면서 실측값으로 테스트할 수 있는 이점이 있다.

Description

메모리모듈의 인쇄회로기판{PRINTED CIRCUIT BOARD OF A MEMORY MODULE}

본 발명은 메모리모듈의 인쇄회로기판에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 인쇄회로기판에 스위칭에 의해 선택적으로 제어신호단에 종단전압 및 종단저항을 설정할 수 있도록 하여 LVTTL 인터페이스나 SSTL 인터페이스를 갖는 메모리소자를 선택적으로 탑재하여 실측 테스트 로드 조건을 변경하면서 실측값으로 테스트할 수 있도록 한 메모리모듈의 인쇄회로기판에 관한 것이다.

메모리모듈의 인터페이스는 TTL(Transistor Transistor Logic), LVTTL(LowVoltage Transistor Transistor Logic), SSTL(Stubseries Terminated Transceiver Logic), RSL(Rambus Signal Logic) 등이 있다.

이중에서, SSTL과 RSL 인터페이스는 고속 동작을 위한 인터페이스를 제공하고, TTL과 LVTTL 인터페이스는 저속 동작을 위한 인터페이스를 제공한다.

따라서, 각각의 인터페이스에 따라 메모리모듈을 테스트할 때 해당하는 인터페이스를 제공하는 테스트 보드로 바꾸거나 LVTTL 인터페이스를 갖는 테스트보드를 종단시켜 구성하여 테스트를 해야만 한다. 또한, SSTL 고속 인터페이스를 지원하는 테스트 장비를 구입해야 하는 문제점이 있다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창작된 것으로서, 본 발명의 목적은 고속 동작을 위한 SSTL 인터페이스를 갖는 메모리모듈과 저속 동작을 위한 LVTTL 인터페이스를 갖는 메모리모듈을 동일한 인쇄회로기판을 가지고 구현할 수 있도록 함으로써 스위칭을 통해 선택적으로 고속 동작을 위한 종단전압과 임피던스 매칭을 위한 종단저항을 제어신호단과 연결되도록 하여 인터페이스가 다른 메모리모듈을 스위칭 신호 하나만으로 간단하게 변경하여 테스트할 수 있도록 한 메모리모듈의 인쇄회로기판을 제공함에 있다.

도 1은 본 발명에 의한 메모리모듈의 인쇄회로기판의 블록구성도이다.

- 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 -

10 : 인쇄회로기판 20 : 종단전압패턴

30 : 스위칭부 Rs : 종단저항

상기와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은 시스템으로부터 신호들을 입력받기 위한 탭부와 다수개의 메모리소자를 탑재할 수 있는 장착부를 갖는 메모리모듈의 인쇄회로기판에 있어서, 제 1탭을 통해 종단전압을 공급받아 메모리소자에 공급할 수 있도록 배치된 종단전압패턴과, 제 2탭을 통해 입력된 제어신호와 메모리소자의 제어신호단에 일측이 연결되어 임피던스를 매칭시키기 위한 종단저항들과, 제 3탭으로부터 선택신호를 받아 종단저항들의 타측과 종단전압패턴사이를 선택적으로 단속하는 스위칭부를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.

위와 같이 이루어진 본 발명은 스위칭부의 선택적 단속에 따라 종단저항으로 종단전압이 선택적으로 공급되기 때문에 종단전압이 공급될 경우에는 SSTL 인터페이스를 갖는 메모리모듈로써 작동하고, 종단전압이 공급되지 않을 경우에는 LVTTL 인터페이스를 갖는 메모리모듈로 작동하여 테스트시 스위칭부의 선택에 따라 두종류의 인터페이스를 지원할 수 있게 된다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 또한 본 실시예는 본 발명의 권리범위를 한정하는 것은 아니고, 단지 예시로 제시된 것이다.

도 1은 본 발명에 의한 메모리모듈의 인쇄회로기판의 블록구성도이다.

여기에 도시된 바와 같이 시스템으로부터 신호들을 입력받기 위한 탭부(2)와, 다수개의 메모리소자를 탑재할 수 있는 장착부(5)와, 제 1탭(12)을 통해 종단전압(Vtt)을 공급받아 메모리소자에 공급할 수 있도록 배치된 종단전압패턴(20)과, 제 2탭(14)을 통해 입력된 제어신호(CTRL)와 메모리소자의 제어신호단(CTRL)에 일측이 연결되어 임피던스를 매칭시키기 위한 종단저항들(Rs)과, 제 3탭(16)으로부터 선택신호(ES)를 받아 종단저항들(Rs)의 타측과 종단전압패턴(20)사이를 선택적으로 단속하는 스위칭부(30)를 포함하여 이루어진다.

스위칭부(30)는 제 3탭(16)으로부터 입력되는 선택신호(ES)가 게이트에 연결되고 소오스와 드레인이 각각 종단저항들(Rs)의 타측과 종단전압패턴(20)에 연결된 FET스위치들로써 종단이 필요한 각각의 제어신호단(CTRL)에 종단전압(Vtt)을 선택적으로 인가할 수 있도록 한다.

이때 종단전압패턴(20)에 공급되는 종단전압(Vtt)은 보통 1.25V에서 10% 정도의 여유를 갖도록 설정하거나, SSTL 인터페이스의 로드 규정을 적용하여 전원신호나 일반 드라이브신호를 사용할 수도 있으며, 종단저항(Rs)도 테스트하는 메모리모듈에 따라 임피던스 매칭이 되는 25Ω, 50Ω, 70Ω등으로 변경하여 설치한다.

따라서, 메모리모듈을 LVTTL 인터페이스 로드로 설정하기 위해서는 스위칭부(30)의 FET스위치를 오프시켜 종단전압(Vtt)이 제어신호단(CTRL)에 공급되지 않도록 하여 일반적인 LVTTL 인터페이스의 메모리모듈로 작동하게 되고, SSTL 인터페이스 로드로 설정하기 위해서는 스위칭부(30)의 FET스위치를 온시켜 종단전압(Vtt)이 제어신호단(CTRL)에 공급되도록 하여 종단전압(Vtt)으로 터미네이션시켜 SSTL 인터페이스의 메모리모듈로 작동하게 된다.

상기한 바와 같이 본 발명은 스위칭부의 선택적 단속에 따라 종단저항으로종단전압이 선택적으로 공급되기 때문에 종단전압이 공급될 경우에는 SSTL 인터페이스를 갖는 메모리모듈로써 작동하고, 종단전압이 공급되지 않을 경우에는 LVTTL 인터페이스를 갖는 메모리모듈로 작동하여 테스트시 스위칭부의 선택에 따라 두종류의 인터페이스를 추가 비용없이 테스트할 수 있는 이점이 있다.

Claims (4)

1. 시스템으로부터 신호들을 입력받기 위한 탭부와 다수개의 메모리소자를 탑재할 수 있는 장착부를 갖는 메모리모듈의 인쇄회로기판에 있어서,

   제 1탭을 통해 종단전압을 공급받아 상기 메모리소자에 공급할 수 있도록 배치된 종단전압패턴과,

   제 2탭을 통해 입력된 제어신호와 상기메모리소자의 제어신호단에 일측이 연결되어 임피던스를 매칭시키기 위한 종단저항들과,

   제 3탭으로부터 선택신호를 받아 상기 종단저항들의 타측과 상기 종단전압패턴사이를 선택적으로 단속하는 스위칭부

   를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 메모리모듈의 인쇄회로기판.
2. 제 1항에 있어서, 상기 종단전압은 상기 메모리소자의 로드 규정에 따라 변동가능한 것을 특징으로 한 메모리모듈의 인쇄회로기판.
3. 제 1항에 있어서, 상기 종단저항은 상기 메모리소자의 로드 규정에 따라 변동가능한 것을 특징으로 한 메모리모듈의 인쇄회로기판.
4. 제 1항에 있어서, 상기 스위칭부는 제 3탭을 통해 입력된 선택신호에 따라 작동되는 FET스위치로 이루어진 것을 특징으로 한 메모리모듈의 인쇄회로기판.