KR100297873B1 - Diffusion Process Equipment for Semiconductor Device Manufacturing - Google Patents

Diffusion Process Equipment for Semiconductor Device Manufacturing Download PDF

Info

Publication number
KR100297873B1
KR100297873B1 KR1019980038284A KR19980038284A KR100297873B1 KR 100297873 B1 KR100297873 B1 KR 100297873B1 KR 1019980038284 A KR1019980038284 A KR 1019980038284A KR 19980038284 A KR19980038284 A KR 19980038284A KR 100297873 B1 KR100297873 B1 KR 100297873B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
diffusion
semiconductor device
wafer boat
plate
rotating
Prior art date
Application number
KR1019980038284A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20000019926A (en
Inventor
김대우
류세형
박찬식
양종문
Original Assignee
윤종용
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윤종용, 삼성전자 주식회사 filed Critical 윤종용
Priority to KR1019980038284A priority Critical patent/KR100297873B1/en
Publication of KR20000019926A publication Critical patent/KR20000019926A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100297873B1 publication Critical patent/KR100297873B1/en

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563Gas nozzles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52Controlling or regulating the coating process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 웨이퍼 상에 공정가스를 고르게 분사하여 균일한 확산막을 형성하도록 상기 웨이퍼가 적재된 웨이퍼보트를 확산로의 내부에서 회전 및 승하강시키는 반도체장치 제조용 확산공정설비에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a diffusion process facility for manufacturing a semiconductor device which rotates and lifts a wafer boat loaded with the wafer in a diffusion path so as to uniformly spray process gas onto a wafer to form a uniform diffusion film.

본 발명에 의한 반도체장치 제조용 확산공정설비는 확산로와, 다수개의 웨이퍼를 적재하여 상기 확산로의 내부에 위치하는 웨이퍼보트와, 상기 확산로의 내부로 공정가스를 공급하도록 가스공급원과 상기 가스공급원에 연결된 분사노즐을 구비하는 가스공급수단 및 상기 확산로의 내부에서 상기 웨이퍼보트를 회전 및 승하강시키는 회전승하강수단을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.A diffusion process apparatus for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a diffusion path, a wafer boat loaded with a plurality of wafers positioned inside the diffusion path, a gas supply source and a gas supply source to supply a process gas into the diffusion path. Gas supply means having an injection nozzle connected to the rotating lifting means for rotating and raising and lowering the wafer boat in the interior of the diffusion path.

따라서, 다수개의 웨이퍼가 적재된 웨이퍼보트를 공정가스가 분사되는 확산로의 내부에서 회전 및 승하강시킴으로써 상기 웨이퍼 상에 형성되는 확산막의 균일성을 향상시키게 하는 효과를 갖는다.Therefore, the wafer boat loaded with a plurality of wafers is rotated and lowered in the diffusion path through which the process gas is injected, thereby improving the uniformity of the diffusion film formed on the wafer.

Description

반도체장치 제조용 확산공정설비Diffusion Process Equipment for Semiconductor Device Manufacturing

본 발명은 반도체장치 제조용 확산공정설비에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼 상에 공정가스를 고르게 분사하여 균일한 확산막을 형성하도록 상기 웨이퍼가 적재된 웨이퍼보트를 확산로의 내부에서 회전 및 승하강시키는 반도체장치 제조용 확산공정설비에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a diffusion process facility for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to rotate and lift a wafer boat loaded with a wafer in a diffusion path so as to uniformly spray process gas onto a wafer to form a uniform diffusion film. A diffusion process facility for manufacturing a semiconductor device.

일반적으로 웨이퍼는 사진, 확산, 식각, 화학기상증착 및 금속증착 등의 반도체장치 제조공정을 반복하여 수행한 후 반도체장치로 제작된다.In general, a wafer is manufactured as a semiconductor device after repeatedly performing a semiconductor device manufacturing process such as photography, diffusion, etching, chemical vapor deposition, and metal deposition.

상기 반도체장치 제조공정 중 확산공정은 웨이퍼 상에 불순물입자를 확산시켜 상기 웨이퍼가 요구되는 전기적 특성을 지니게 하는 공정으로, 농도가 높은 곳에서 낮은 곳으로 농도평형상태를 이룰 때까지 물질이 이동하는 확산현상을 이용하는 공정이다.In the semiconductor device manufacturing process, a diffusion process is a process in which impurity particles are diffused on a wafer so that the wafer has required electrical characteristics. The diffusion of materials moves from a high concentration to a low concentration equilibrium. It is a process using development.

이러한 상기 확산공정은 일반적으로 확산로의 내부에 웨이퍼를 위치시키고, 상기 불순물입자가 포함된 공정가스를 상기 확산로의 내부에 분사하여 상기 웨이퍼 상에 상기 불순물입자를 확산시킴으로써 이루어지며, 이를 위하여 구성된 반도체장치 제조용 확산공정설비에서 실시된다.The diffusion process is generally performed by placing a wafer inside a diffusion path and injecting a process gas containing the impurity particles into the diffusion path to diffuse the impurity particles on the wafer. It is carried out in diffusion process equipment for manufacturing semiconductor devices.

여기서, 종래의 반도체장치 제조용 확산공정설비에 대해 설명하면, 상기 반도체장치 제조용 확산공정설비는 확산공정이 진행되는 확산로를 구비하고 있다.Here, the diffusion process equipment for manufacturing a semiconductor device of the related art will be described. The diffusion process equipment for manufacturing a semiconductor device has a diffusion path in which the diffusion process is performed.

상기 확산로의 내부에는 다수개의 웨이퍼가 일정한 간격으로 층을 이루며 적재되어 있는 웨이퍼보트가 위치하게 된다.In the diffusion path, a wafer boat in which a plurality of wafers are stacked and formed at regular intervals is positioned.

그리고, 상기 확산로에는 불순물가스가 포함된 공정가스를 상기 웨이퍼 상으로 분사하도록 가스공급원과 분사노즐을 구비하는 가스공급수단이 설치되어 있으며, 상기 분사노즐은 상기 웨이퍼보트의 상부, 하부 또는 측면에서 상기 공정가스를 분사하게 된다.In addition, the diffusion path is provided with a gas supply means having a gas supply source and injection nozzles to inject a process gas containing an impurity gas onto the wafer, the injection nozzle is provided on the top, bottom or side of the wafer boat The process gas is injected.

이때, 상기 웨이퍼 상에 상기 공정가스를 고르게 분사하여 균일한 확산막을 형성하도록 상기 분사노즐을 상기 웨이퍼보트의 측면에 다수개를 설치할 수 있으며, 또한 상기 웨이퍼보트의 높이를 조절하여 측면에서 분사된 상기 공정가스가 상기 웨이퍼 상에 도달되는 거리를 조절하거나, 상기 웨이퍼보트를 상기 확산로의 내부에서 회전시키는 회전수단을 구비하여 상기 웨이퍼 주위의 전방향에서 상기 공정가스를 분사시킬 수 있다.In this case, a plurality of spray nozzles may be installed on the side of the wafer boat to uniformly spray the process gas on the wafer to form a uniform diffusion film, and the height of the wafer boat is adjusted to adjust the height of the wafer boat. It is possible to control the distance at which the process gas reaches the wafer, or to include the rotating means for rotating the wafer boat inside the diffusion path to inject the process gas in all directions around the wafer.

그러나, 상기 웨이퍼보트의 높이에 따라서 상기 분사노즐에서 상기 웨이퍼 상으로 분사되는 상기 공정가스의 도달거리가 달라지게 되므로 상기 웨이퍼 상에 형성되는 확산막이 균일하지 못한 문제점이 있었다.However, there is a problem that the diffusion film formed on the wafer is not uniform because the arrival distance of the process gas injected from the injection nozzle onto the wafer varies according to the height of the wafer boat.

즉, 상기 웨이퍼보트에 위치한 상기 웨이퍼의 높이와 비교하여 상기 분사노즐의 높이가 높으면, 상기 공정가스는 상기 웨이퍼 상에서 먼 거리까지 분사되지만 상기 분사노즐에 근접한 부분에서는 상기 공정가스의 분포가 희박하여 상기 웨이퍼 상에 형성된 확산막의 균일성이 저하된다.That is, when the height of the injection nozzle is higher than the height of the wafer located on the wafer boat, the process gas is injected to a far distance on the wafer, but the distribution of the process gas is sparse at the portion close to the injection nozzle. Uniformity of the diffusion film formed on the wafer is lowered.

또한, 상기 웨이퍼의 높이에 비해 상기 분사노즐의 높이가 낮으면, 상기 분사노즐과 가까운 부분에만 상기 공정가스가 분사되므로 상기 분사노즐에서 먼 거리에 있는 상기 웨이퍼의 끝부분에는 상기 확산막의 형성이 제대로 이루어지지 않게 된다.In addition, when the height of the injection nozzle is lower than the height of the wafer, the process gas is injected only in a portion close to the injection nozzle, so that the diffusion film is properly formed at the end of the wafer that is far from the injection nozzle. It won't work.

이러한 문제점은 상기 분사노즐이 상기 웨이퍼와 웨이퍼의 중앙에 위치하더라도 발생하게 되는데, 이는 상기 공정가스의 분사는 잘 이루어지지만 상기 웨이퍼의 중심부분과 끝부분에 분포되는 상기 공정가스의 양이 다르게 되므로, 역시 상기 웨이퍼 상에 형성되는 상기 확산막의 균일성은 저하된다.This problem occurs even if the injection nozzle is located at the center of the wafer and the wafer. This is because the process gas is sprayed well, but the amount of the process gas distributed at the center and the end of the wafer is different. Again, the uniformity of the diffusion film formed on the wafer is lowered.

또한, 상기 웨이퍼보트를 회전시켜 상기 웨이퍼 주위의 전방향에서 상기 공정가스의 분사가 이루어지게 하더라도, 상기 공정가스는 상기 웨이퍼 상에서 일정한 거리까지만 분사되므로 상기 웨이퍼 상에 형성되는 상기 확산막의 균일성이 저하되는 문제점이 있었다.In addition, even if the process gas is sprayed in all directions around the wafer by rotating the wafer boat, the process gas is injected only a certain distance on the wafer, thereby decreasing the uniformity of the diffusion film formed on the wafer. There was a problem.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 다수개의 웨이퍼가 적재된 웨이퍼보트를 공정가스가 분사되는 확산로의 내부에서 회전 및 승하강시킴으로써 상기 웨이퍼 상에 형성되는 확산막의 균일성을 향상시키게 하는 반도체장치 제조용 확산공정설비를 제공하는데 있다.The present invention is to solve the above conventional problems, the object of the diffusion film formed on the wafer by rotating and lowering the wafer boat loaded with a plurality of wafers in the diffusion path in which the process gas is injected It is to provide a diffusion process equipment for manufacturing a semiconductor device to improve the uniformity.

도1은 본 발명의 바람직한 제 1 실시예에 의한 반도체장치 제조용 확산 공정설비를 나타낸 부분 절개 단면도이다.1 is a partial cutaway sectional view showing a diffusion process apparatus for manufacturing a semiconductor device according to a first preferred embodiment of the present invention.

도2는 도1의 Ⅰ-Ⅰ선 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II of FIG. 1. FIG.

도3은 도1의 승하강부를 나타낸 측면도이다.Figure 3 is a side view showing the lifting portion of FIG.

도4는 본 발명의 바람직한 제 2 실시예에 의한 반도체 장치 제조용 확산 공정설비를 나타낸 부분 절개 단면도이다.4 is a partial cutaway sectional view showing a diffusion process apparatus for manufacturing a semiconductor device according to a second preferred embodiment of the present invention.

도5는 본 발명의 바람직한 제 3 실시예에 의한 반도체 장치 제조용 확산 공정설비를 나타낸 부분 절개 단면도이다.Fig. 5 is a partial cutaway sectional view showing a diffusion process apparatus for manufacturing a semiconductor device according to a third embodiment of the present invention.

도6은 도5의 공압실린더 및 제어부를 나타낸 부분 절개 단면도이다.FIG. 6 is a partial cutaway cross-sectional view illustrating the pneumatic cylinder and the controller of FIG. 5. FIG.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

1, 31, 61 : 반도체장치 제조용 확산공정설비1, 31, 61: Diffusion process equipment for semiconductor device manufacturing

2, 32, 62 : 확산로 3, 33, 63 : 웨이퍼2, 32, 62: diffusion furnace 3, 33, 63: wafer

4, 34, 64 : 웨이퍼보트 5, 35, 65 : 분사노즐4, 34, 64: wafer boat 5, 35, 65: injection nozzle

6, 36, 66 : 이동판 7, 37, 67 : 고정판6, 36, 66: movable plate 7, 37, 67: fixed plate

8 : 보스(Boss) 9, 11 : 볼베어링(Ball-bearing)8: Boss 9, 11: Ball-bearing

10 : 스플라인축 13, 77 : 회전구동부10: spline shaft 13, 77: rotary drive unit

12, 41, 70 : 마그네틱실(Magnetic-seal)12, 41, 70: Magnetic-seal

14 : 회전축 15, 22, 47, 78 : 구동모터14: rotation shaft 15, 22, 47, 78: drive motor

16, 79 : 구동풀리 17, 80 : 종동풀리16, 79: driving pulley 17, 80: driven pulley

18, 81 : 벨트(Belt) 19 : 승하강부18, 81: belt 19: lifting section

20 : 캠(Cam) 21 : 캠축20: Cam 21: Camshaft

38 : 나사홀 39, 68 : 박스(Box)38: screw hole 39, 68: box

40 : 고정봉 42 : 나사봉40: fixed rod 42: screw rod

43 : 기어구동부 44 : 기어박스(Gear-box)43: gear drive 44: gear box

45 : 수직베벨기어 46 : 수평베벨기어45: vertical bevel gear 46: horizontal bevel gear

48 : 수직축 49 : 가이드부48: vertical axis 49: guide part

50 : 수직가이드봉 51 : 가이드부재50: vertical guide rod 51: guide member

52, 82 : 제어부 53, 83 : 상한센서52, 82: control unit 53, 83: upper limit sensor

54, 84 : 하한센서 55, 85 : 위치감지센서54, 84: lower limit sensor 55, 85: position detection sensor

56, 86 : 제어기 69 : 리드봉56, 86 controller 69, lead rod

71 : 피스톤(Piston) 72 : 공압실린더71: Piston (Piston) 72: pneumatic cylinder

73 : 실린더(Cylinder) 74 : 분할판73: cylinder 74: partition plate

75 : 에어포트(Air-port) 76 : 공압공급원75: Air-port 76: pneumatic supply source

87 : 가이드편87: Guide

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 반도체장치 제조용 확산공정설비는 확산로와, 다수개의 웨이퍼를 적재하여 상기 확산로의 내부에 위치하는 웨이퍼보트와, 상기 확산로의 내부로 공정가스를 공급하도록 가스공급원 상기 가스공급원에 연결된 분사노즐을 구비하는 가스공급수단 및 상기 확산로의 내부에서 상기 웨이퍼보트를 회전 및 승하강시키는 회전승하강수단을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a diffusion process apparatus for manufacturing a semiconductor device of the present invention includes a diffusion furnace, a wafer boat placed inside the diffusion furnace by loading a plurality of wafers, and supplying process gas into the diffusion furnace. Gas supply source It characterized in that it comprises a gas supply means having a spray nozzle connected to the gas supply source and the rotating lifting means for rotating and lifting the wafer boat in the diffusion passage.

상기 회전승하강수단은 상기 웨이퍼보트가 위치하는 이동판과, 상기 이동판의 하부에 위치하여 상기 확산로를 밀폐시키는 고정판과, 상기 고정판을 관통하여 상기 이동판에 고정되어 있으며 스플라인이 형성되어 있는 스플라인축과, 상기 스플라인축이 삽입되도록 내면에 스플라인홈이 형성되어 있고 상기 고정판에 볼베어링지지되어 회전가능한 보스와, 상기 보스를 회전시켜 상기 보스의 내부에 삽입된 상기 스플라인축을 회전시키고 상기 스플라인축의 회전에 의해 상기 이동판을 회전시키도록 상기 보스에 연결된 회전구동부 및 상기 스플라인축을 승하강시켜 상기 이동판을 승하강시키도록 상기 스플라인축에 연결된 승하강부를 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.The rotating lifting means includes a moving plate on which the wafer boat is located, a fixed plate positioned below the moving plate to seal the diffusion path, and fixed to the moving plate through the fixing plate and having a spline formed therein. A spline shaft and a spline groove formed on an inner surface thereof so that the spline shaft is inserted and a ball bearing supported on the fixed plate, and a rotatable boss; rotating the boss to rotate the spline shaft inserted into the boss and rotating the spline shaft. It is preferable to include a lifting and lowering unit connected to the spline shaft to raise and lower the moving plate by raising and lowering the spline shaft and the rotary drive unit connected to the boss to rotate the moving plate by.

또한, 상기 회전승하강수단은 상기 웨이퍼보트가 위치하는 이동판과, 상기 이동판의 하부에 위치하여 상기 확산로를 밀폐시키는 고정판과, 상기 고정판에 고정되어 있으며 밑면에 나사홀이 형성된 박스와, 상기 박스의 내부에 위치하고 상기 고정판을 관통하여 상기 이동판에 고정된 고정봉과, 상기 고정봉에 고정되어 있으며 상기 박스에 형성된 상기 나사홀에 결합하는 나사봉과, 상기 나사봉을 회전시킴으로써 상기 고정봉을 회전 및 승하강시켜 상기 이동판을 회전승하강시키는 기어구동부와, 상기 기어구동부의 유동을 방지하는 가이드부 및 상기 기어구동부의 동작을 제어하도록 제어신호를 인가하는 제어부를 포함하여 이루어지는 것도 바람직하다.In addition, the rotation elevating means is a movable plate in which the wafer boat is located, a fixed plate positioned below the movable plate to seal the diffusion path, a box fixed to the fixed plate and having a screw hole formed at the bottom thereof; A fixing rod positioned inside the box and fixed to the movable plate through the fixing plate, a screw rod fixed to the fixing rod and coupled to the screw hole formed in the box, and rotating the screw rod. It is also preferable to include a gear driving unit for rotating and raising and lowering the moving plate by rotating and lifting, a guide unit for preventing the flow of the gear driving unit and a control unit for applying a control signal to control the operation of the gear driving unit.

또한, 바람직하기로는, 상기 회전승하강수단은 상기 웨이퍼보트가 위치하는 이동판과, 상기 이동판의 하부에 위치하여 상기 확산로를 밀폐시키는 고정판과, 상기 고정판의 하부에 고정된 박스와, 상기 박스의 내부에 위치하고 상기 고정판을 관통하여 상기 이동판에 고정된 리드봉과, 상기 리드봉에 연결된 피스톤을 구비하며 상기 피스톤을 승하강시켜 상기 이동판을 승하강시키는 공압실린더와, 상기 리드봉을 회전시켜 상기 이동판을 회전시키도록 상기 리드봉에 연결되어 있으며 상기 박스의 측면에 설치된 가이드부재에 안내되어 승하강이 가능한 회전구동부 및 상기 공압실린더와 상기 회전구동부의 동작을 제어하는 제어부를 포함하여 이루어지는 것이다.In addition, preferably, the rotary lifting means includes a moving plate on which the wafer boat is located, a fixed plate positioned below the moving plate to seal the diffusion path, a box fixed to the lower portion of the fixed plate, and A pneumatic cylinder positioned inside the box and fixed to the movable plate through the fixing plate, a piston connected to the lead rod, and lifting and lowering the piston to raise and lower the movable plate; and rotating the lead rod. It is connected to the lead rod to rotate the moving plate to be guided to the guide member installed on the side of the box is a rotary drive unit capable of raising and lowering and a control unit for controlling the operation of the pneumatic cylinder and the rotary drive unit will be.

이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도1을 참조하여 설명하면, 본 발명의 바람직한 제 1 실시예에 의한 반도체장치 제조용 확산공정설비(1)는 확산로(2)를 구비하고 있으며, 상기 확산로(2)의 내부에는 다수개의 웨이퍼(3)가 적재된 웨이퍼보트(4)가 위치하고 있다.Referring to FIG. 1, a diffusion process apparatus 1 for manufacturing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention includes a diffusion path 2, and a plurality of wafers inside the diffusion path 2; The wafer boat 4 on which (3) is loaded is located.

이때, 상기 웨이퍼보트(4)는 상기 웨이퍼보트(4)를 승하강시키는 웨이퍼보트엘리베이터(도시하지 않음)에 의해 상기 확산로(2)의 내부로 로딩된다.At this time, the wafer boat 4 is loaded into the diffusion path 2 by a wafer boat elevator (not shown) that raises and lowers the wafer boat 4.

그리고, 상기 확산로(2)의 내부로 공정가스를 공급하도록 가스공급원(도시하지 않음)과, 상기 가스공급원에 연결된 분사노즐(5)을 구비하는 가스공급수단이 구비되어 있다.In addition, a gas supply means including a gas supply source (not shown) and an injection nozzle 5 connected to the gas supply source is provided to supply a process gas into the diffusion path 2.

한편, 상기 반도체장치 제조용 확산공정설비(1)는 상기 확산로(2)의 내부에서 상기 웨이퍼보트(4)를 회전 및 승하강시키는 회전승하강수단을 구비하고 있다.On the other hand, the diffusion process equipment 1 for manufacturing a semiconductor device is provided with rotation lifting means for rotating and lifting the wafer boat 4 inside the diffusion path 2.

상기 회전승하강수단은 상기 웨이퍼보트(4)가 위치하는 이동판(6)을 구비하고 있고, 상기 이동판(6)의 하부에는 상기 확산로(2)와 결합하여 상기 확산로(2)를 밀폐시키는 고정판(7)이 설치되어 있으며, 상기 고정판(7)의 하부에는 상기 웨이퍼보트엘리베이터가 설치되어 상기 고정판(7)을 승하강시킨다.The rotary lifting means includes a movable plate 6 on which the wafer boat 4 is located, and the diffusion plate 2 is coupled to the diffusion path 2 in the lower portion of the movable plate 6. A fixing plate 7 for sealing is provided, and a wafer boat elevator is installed below the fixing plate 7 to raise and lower the fixing plate 7.

그리고, 상기 고정판(7)을 관통하는 스플라인축(10)이 상기 이동판(6)에 고정되어 있고, 상기 스플라인축(10)에는 스플라인(Spline)이 형성되어 있다.The spline shaft 10 penetrating the fixed plate 7 is fixed to the movable plate 6, and a spline is formed on the spline shaft 10.

상기 고정판(7)에는 상기 스플라인축(10)이 삽입되도록 내면에 스플라인홈이 형성되어 있는 보스(8)가 볼베어링(9)에 의해 회전가능하도록 지지되어 있다.The fixing plate 7 is rotatably supported by a ball bearing 9 with a boss 8 having a spline groove formed therein so that the spline shaft 10 is inserted therein.

즉, 도2를 참조하여 설명하면, 상기 보스(8)의 내부에 상기 스플라인축(10)이 삽입되어 있고, 상기 스플라인축(10)은 상기 보스(8)의 내부에서 승하강이 가능하도록 구성된다.That is, referring to FIG. 2, the spline shaft 10 is inserted into the boss 8, and the spline shaft 10 is configured to move up and down inside the boss 8. do.

그리고, 상기 보스(8)는 상기 스플라인축(10)의 승하강시 발생하는 마찰을 방지하도록 상기 보스(8)와 상기 스플라인축(10)의 사이에 볼베어링(11)이 설치되는 볼스플라인타입인 것이 바람직하다.The boss 8 is a ball spline type in which a ball bearing 11 is installed between the boss 8 and the spline shaft 10 so as to prevent friction generated when the spline shaft 10 moves up and down. desirable.

다시, 도1을 참조하여 설명하면, 상기 스플라인축(10)에는 상기 스플라인축(10)에 의해 관통된 상기 고정판(7)을 밀봉하기 위하여 마그네틱실(12)이 구비되어 있으며, 상기 마그네틱실(12)은 저압 하에서 저속으로 회전하는 상기 스플라인(10)과 상기 고정판(7)을 밀봉하여 상기 확산로(2)의 내부에 분사된 상기 공정가스가 누출되는 것을 방지한다.Referring again to FIG. 1, the spline shaft 10 is provided with a magnetic thread 12 to seal the fixing plate 7 penetrated by the spline shaft 10, and the magnetic thread ( 12 seals the spline 10 and the fixed plate 7 which rotate at low speed under low pressure to prevent the process gas injected into the diffusion path 2 from leaking.

한편, 상기 보스(8)에는 상기 보스(8)를 회전시키는 회전구동부(13)가 설치되어 있으며, 상기 회전구동부(13)는 상기 보스(8)를 회전시킴으로써 상기 보스(8)의 내부에 삽입된 상기 스플라인축(10)을 회전시키고, 상기 스플라인축(10)의 회전에 의해 상기 이동판(6)을 회전시킨다.On the other hand, the boss 8 is provided with a rotary drive unit 13 for rotating the boss 8, the rotary drive unit 13 is inserted into the boss 8 by rotating the boss (8). The spline shaft 10 is rotated, and the movable plate 6 is rotated by the rotation of the spline shaft 10.

여기서, 상기 회전구동부(13)는 회전축(14)을 구비하는 구동모터(15)를 구비하고 있으며, 상기 회전축(14)에는 구동풀리(16)가 연결되어 있다.In this case, the rotation driving unit 13 includes a driving motor 15 having a rotation shaft 14, and a driving pulley 16 is connected to the rotation shaft 14.

그리고, 상기 보스(8)에는 상기 보스(8)의 외벽에 종동풀리(17)가 고정되어 있으며, 상기 구동풀리(16)와 상기 종동풀리(17)는 벨트(18)에 의해 연결되어 있다.In addition, a driven pulley 17 is fixed to the boss 8 on an outer wall of the boss 8, and the driving pulley 16 and the driven pulley 17 are connected by a belt 18.

그리고, 도3을 참조하여 설명하면, 상기 스플라인축(10)은 상기 스플라인축(10)을 수직으로 승하강시켜 상기 이동판(6)을 수직으로 승하강시키는 승하강부(19)와 연결되어 있으며, 상기 승하강부(19)는 상기 스플라인축(10)의 일측단과 접촉하는 캠(20)을 구비하고 있고, 상기 캠(20)은 캠축(21)과 연결되어 있으며, 상기 캠축(21)은 구동모터(22)와 연결되어 회전하게 된다.3, the spline shaft 10 is connected to a lifting unit 19 for elevating the moving plate 6 vertically by elevating the spline shaft 10 vertically. The lifting unit 19 has a cam 20 in contact with one side end of the spline shaft 10, the cam 20 is connected to a cam shaft 21, and the cam shaft 21 is driven. It is connected to the motor 22 to rotate.

이때, 상기 캠(20)은 상기 스플라인축(10)이 수직으로 승하강하는 거리를 조절하는 것이 가능하도록 다양한 캠높이로 형성된 캠으로 교체가 가능한 것이 바람직하다.At this time, the cam 20 is preferably replaceable with a cam formed of various cam heights to be able to adjust the distance in which the spline shaft 10 rises and falls vertically.

또한, 상기 반도체장치 제조용 확산공정설비(1)는 상기 웨이퍼보트(4)가 상기 확산로(2)의 내부에 위치한 후, 확산공정내에서 상기 웨이퍼보트(4)를 회전 및 승하강시키도록 상기 회전구동부(13)와 상기 승하강부(18)에 제어신호를 인가하여 상기 회전구동부(13)와 상기 승하강부(18)의 동작을 제어하는 제어부(도시하지 않음)를 구비하는 것도 바람직하다.In addition, the diffusion process facility 1 for manufacturing a semiconductor device is configured to rotate and lift the wafer boat 4 in the diffusion process after the wafer boat 4 is positioned inside the diffusion path 2. It is also preferable to include a control unit (not shown) for controlling the operation of the rotary drive unit 13 and the elevating unit 18 by applying a control signal to the rotary drive unit 13 and the elevating unit 18.

여기서, 본 발명의 바람직한 제 1 실시예에 의한 상기 반도체장치 제조용 확산공정설비(1)의 동작관계에 대해 설명하면, 다수개의 상기 웨이퍼(3)를 적재한 상기 웨이퍼보트(4)는 상기 이동판(6) 상에 위치하게 되고, 상기 웨이퍼보트엘리베이터는 상기 고정판(7)을 상승시켜 상기 이동판(6) 상에 위치한 상기 웨이퍼보트(4)를 상기 확산로(2)의 내부로 이동시킨다.Here, the operation relationship of the diffusion process equipment 1 for manufacturing a semiconductor device according to the first preferred embodiment of the present invention will be described. The wafer boat 4 having a plurality of wafers 3 loaded thereon is the movable plate. Located on (6), the wafer boat elevator raises the fixed plate (7) to move the wafer boat (4) located on the moving plate (6) into the diffusion path (2).

그리고, 상기 가스공급원에 연결된 상기 분사노즐(5)은 상기 공정가스를 상기 확산로(2)의 내부에서 상기 웨이퍼(3)를 향해 분사하고, 상기 회전구동부(13) 및 상기 승하강부(19)가 동작하여 상기 웨이퍼보트(4)가 위치한 상기 이동판(6)을 회전 및 승하강시킨다.In addition, the injection nozzle 5 connected to the gas supply source injects the process gas toward the wafer 3 from the inside of the diffusion path 2, and the rotary driving unit 13 and the elevating unit 19. Is operated to rotate and raise and lower the movable plate 6 on which the wafer boat 4 is located.

이때, 상기 회전구동부(13)에 구비된 상기 구동모터(15)는 상기 구동풀리(16)를 회전시키고, 상기 구동풀리(16)와 상기 벨트(18)에 의해 연결되어 있으며 상기 보스(8)의 외벽에 고정된 상기 종동풀리(17)를 회전시켜 상기 보스(8)를 회전시킨다.At this time, the drive motor 15 provided in the rotary drive unit 13 rotates the drive pulley 16, is connected by the drive pulley 16 and the belt 18 and the boss (8) The boss 8 is rotated by rotating the driven pulley 17 fixed to the outer wall.

그리고, 상기 보스(8)의 회전에 의해 상기 스플라인축(10)은 회전하게 되며, 이때 상기 스플라인축(10)에 고정되어 있는 상기 이동판(6)이 회전하게 되어 상기 웨이퍼보트(4)를 회전시키게 된다.The spline shaft 10 rotates by the rotation of the boss 8, and the movable plate 6 fixed to the spline shaft 10 rotates to rotate the wafer boat 4. Rotated.

또한, 상기 승하강부(19)에 구비된 상기 구동모터(22)가 작동하면, 상기 구동모터(22)에 구비된 캠축(21)이 회전하여 상기 캠(20)이 회전하게 된다.In addition, when the driving motor 22 provided in the lifting unit 19 operates, the cam shaft 21 provided in the driving motor 22 is rotated so that the cam 20 rotates.

이때, 상기 캠(20)의 회전에 의해 상기 캠(20)에 일측단과 접촉하는 상기 스플라인축(10)이 승하강하게 되고, 따라서 상기 스플라인축(10)과 고정되어 있는 상기 이동판(6)이 승하강하여 상기 이동판(6) 상에 위치한 상기 웨이퍼보트(4)를 승하강시키게 된다.At this time, the spline shaft 10 coming into contact with one side end of the cam 20 is moved up and down by the rotation of the cam 20, so that the movable plate 6 fixed to the spline shaft 10 is moved. The wafer boat 4 placed on the movable plate 6 is moved up and down.

따라서, 상기 회전구동부(13) 및 상기 승하강부(19)의 동작에 의해 상기 이동판(6) 상에 위치한 상기 웨이퍼보트(4)는 상기 공정가스가 분사되는 상기 확산로(2)의 내부에서 회전 및 승하강하게 된다.Therefore, the wafer boat 4 located on the movable plate 6 by the operation of the rotary driving unit 13 and the elevating unit 19 is inside the diffusion path 2 into which the process gas is injected. Rotates and descends.

한편, 도4를 참조하여 본 발명의 바람직한 제 2 실시예에 의한 반도체장치 제조용 확산공정설비(31)에 대해 설명하면, 상기 반도체장치 제조용 확산공정설비(31)는 확산로(32)를 구비하고 있으며, 상기 확산로(32)의 내부에는 다수개의 웨이퍼(33)가 적재된 웨이퍼보트(34)가 위치하고 있다.Meanwhile, referring to FIG. 4, the diffusion process facility 31 for manufacturing a semiconductor device according to the second exemplary embodiment of the present invention will be described. The diffusion process facility 31 for manufacturing a semiconductor device includes a diffusion path 32. In the diffusion path 32, a wafer boat 34 on which a plurality of wafers 33 are placed is located.

이때, 상기 웨이퍼보트(34)는 상기 웨이퍼보트(34)를 승하강시키는 웨이퍼보트엘리베이터(도시하지 않음)에 의해 상기 확산로(32)의 내부로 로딩된다.At this time, the wafer boat 34 is loaded into the diffusion path 32 by a wafer boat elevator (not shown) that raises and lowers the wafer boat 34.

그리고, 상기 확산로(32)의 내부로 공정가스를 공급하도록 가스공급원(도시하지 않음)과, 상기 가스공급원에 연결된 분사노즐(35)을 구비하는 가스공급수단이 구비되어 있다.In addition, a gas supply means including a gas supply source (not shown) and an injection nozzle 35 connected to the gas supply source is provided to supply a process gas into the diffusion path 32.

한편, 상기 반도체장치 제조용 확산공정설비(31)는 상기 확산로(32)의 내부에서 상기 웨이퍼보트(34)를 회전 및 승하강시키는 회전승하강수단을 구비하고 있다.On the other hand, the diffusion process equipment for manufacturing a semiconductor device 31 is provided with a rotary lifting means for rotating and lifting the wafer boat 34 in the diffusion path (32).

상기 회전승하강수단은 상기 웨이퍼보트(34)가 위치하는 이동판(36)을 구비하고 있고, 상기 이동판(36)의 하부에는 상기 확산로(32)와 결합하여 상기 확산로(32)를 밀폐시키는 고정판(37)이 설치되어 있으며, 상기 고정판(37)의 하부에는 상기 웨이퍼보트엘리베이터가 설치되어 상기 고정판(37)을 승하강시킨다.The rotating lifting means includes a moving plate 36 on which the wafer boat 34 is located, and the diffusion path 32 is coupled to the diffusion path 32 at a lower portion of the moving plate 36. A fixing plate 37 for sealing is provided, and a wafer boat elevator is installed below the fixing plate 37 to raise and lower the fixing plate 37.

상기 고정판(37)의 하부에는 밑면에 나사홀(38)이 형성되어 있는 박스(39)가 고정되어 있으며, 상기 박스(39)의 내부에는 상기 고정판(37)을 관통하여 상기 이동판(36)에 고정된 고정봉(40)이 설치되어 있다.A box 39 having a screw hole 38 formed therein is fixed to a lower portion of the fixing plate 37, and the moving plate 36 penetrates the fixing plate 37 inside the box 39. The fixed rod 40 fixed to the is installed.

여기서, 상기 고정봉(40)에 의해 관통된 상기 고정판(37)을 밀봉하기 위하여 상기 고정봉(40)에는 마그네틱실(41)이 구비되어 있으며, 상기 마그네틱실(41)은 저압 하에서 저속으로 회전하는 상기 고정봉(40)과 상기 고정판(37)을 밀봉하여 상기 확산로(32)의 내부에 분사된 상기 공정가스가 누출되는 것을 방지한다.Here, the magnetic rod 41 is provided in the fixing rod 40 to seal the fixing plate 37 penetrated by the fixing rod 40, and the magnetic chamber 41 rotates at low speed under low pressure. The fixing rod 40 and the fixing plate 37 are sealed to prevent the process gas injected into the diffusion path 32 from leaking.

그리고, 상기 박스(39)에 형성된 상기 나사홀(38)에는 상기 고정봉(40)에 고정되어 있는 나사봉(42)이 결합되어 있으며, 상기 나사봉(42)은 상기 나사봉(42)을 회전시킴으로써 상기 고정봉(40)에 고정된 상기 이동판(36)을 회전 및 승하강시키는 기어구동부(43)와 연결되어 있다.In addition, a screw rod 42 fixed to the fixing rod 40 is coupled to the screw hole 38 formed in the box 39, and the screw rod 42 connects the screw rod 42. It is connected to the gear drive part 43 for rotating and raising and lowering the movable plate 36 fixed to the fixed rod 40 by rotating.

상기 기어구동부(43)는 상기 나사봉(42)의 하부에 설치된 기어박스(44)를 구비하고 있으며, 상기 기어박스(44)의 내부에는 상기 나사봉(42)과 연결된 수직베벨기어(45)가 설치되어 있고,, 상기 수직베벨기어(45)는 수평베벨기어(46)와 직교하도록 연결되어 있으며, 상기 수평베벨기어(46)는 구동모터(47)와 연결되어 있다.The gear driving part 43 includes a gear box 44 installed under the screw rod 42, and a vertical bevel gear 45 connected to the screw rod 42 in the gear box 44. Is installed, the vertical bevel gear 45 is connected to be orthogonal to the horizontal bevel gear 46, the horizontal bevel gear 46 is connected to the drive motor 47.

이때, 상기 수직베벨기어(45)는 상기 기어박스(44)를 관통하여 외부로 돌출된 수직축(48)을 구비하고 있으며, 상기 수직축(48)은 상기 나사봉(42)과 커플링되어 고정되어 있다.At this time, the vertical bevel gear 45 has a vertical shaft 48 protruding to the outside through the gear box 44, the vertical shaft 48 is coupled and fixed to the screw rod 42 have.

한편, 상기 기어구동부(43)는 상기 기어구동부(43)의 유동을 방지하는 가이드부(49)와 연결되어 있으며, 상기 가이드부(49)는 상기 고정판(37)에 고정된 수직가이드봉(50)을 구비하고 있으며, 상기 기어박스(44)의 측면에는 상기 수직가이드봉(50)에 의해 안내되는 가이드부재(51)가 형성되어 있다.On the other hand, the gear driving unit 43 is connected to the guide portion 49 to prevent the flow of the gear driving portion 43, the guide portion 49 is a vertical guide rod 50 fixed to the fixed plate 37 A guide member 51 is formed on the side surface of the gearbox 44 by the vertical guide rod 50.

또한, 상기 회전승하강수단은 상기 기어구동부(43)의 동작을 제어하는 제어부(52)를 구비하고 있고, 상기 제어부(52)는 상기 수직가이드봉(50)의 상, 하부에 각각 설치된 상, 하한센서(53)(54) 및 상기 가이드부재(51)에 설치된 위치감지센서(55)를 구비하고 있으며, 상기 상, 하한센서(53)(54) 및 상기 위치감지센서(55)에서 인가된 신호에 의해 상기 기어구동부(43)의 동작을 제어하도록 제어신호를 인가하는 제어기(56)를 구비하고 있다.In addition, the rotation elevating means has a control unit 52 for controlling the operation of the gear driving unit 43, the control unit 52 is installed on the upper and lower portions of the vertical guide rod 50, respectively, And a lower position sensor (53) and a position sensor (55) installed in the guide member (51), and applied from the upper and lower limit sensors (53) and the position sensor (55). It is provided with a controller 56 for applying a control signal to control the operation of the gear drive unit 43 by a signal.

이때, 상기 상한센서(53)는 상기 수직가이드봉(50)의 측면에 높이조절이 가능하도록 설치되어 상기 웨이퍼보트(34)가 승하강하는 거리를 조절할 수 있게 하는 것이 바람직하다.At this time, the upper limit sensor 53 is preferably installed on the side of the vertical guide rod 50 so as to be able to adjust the height of the wafer boat 34 to move up and down.

여기서, 본 발명의 바람직한 제 2 실시예에 의한 상기 반도체장치 제조용 확산공정설비(31)의 동작관계에 대해 설명하면, 다수개의 상기 웨이퍼(33)를 적재한 상기 웨이퍼보트(34)는 상기 이동판(36) 상에 위치하게 되고, 상기 웨이퍼보트엘리베이터는 상기 고정판(37)을 상승시켜 상기 이동판(36) 상에 위치한 상기 웨이퍼보트(34)를 상기 확산로(32)의 내부로 이동시킨다.Referring to the operation relationship of the diffusion process equipment 31 for manufacturing a semiconductor device according to the second preferred embodiment of the present invention, the wafer boat 34 on which the plurality of wafers 33 are loaded is the movable plate. Located on 36, the wafer boat elevator raises the fixed plate 37 to move the wafer boat 34 located on the moving plate 36 into the diffusion path 32. As shown in FIG.

그리고, 상기 가스공급원에 연결된 상기 분사노즐(35)이 상기 공정가스를 상기 확산로(32)의 내부에서 상기 웨이퍼(33)를 향해 분사하고, 상기 제어기(56)는 상기 기어구동부(43)에 제어신호를 인가하여 상기 기어구동부(43)를 구동시킨다.In addition, the injection nozzle 35 connected to the gas supply source injects the process gas toward the wafer 33 in the diffusion path 32, and the controller 56 is connected to the gear driving part 43. The gear driving part 43 is driven by applying a control signal.

이때, 상기 제어기(56)는 상기 위치감지센서(55)와 상기 하한센서(54)의 접촉에 의해 인가되는 위치신호가 감지되지 않으면, 상기 기어구동부(43)에 제어신호를 인가하여 공정초기상태, 즉 상기 위치감지센서(55)가 상기 하한센서(54)의 높이에 위치하도록 상기 기어구동부(43)를 작동시킨다.At this time, if the position signal applied by the position detection sensor 55 and the lower limit sensor 54 is not detected, the controller 56 applies a control signal to the gear driving unit 43 to start the process. That is, the gear driving unit 43 is operated such that the position detecting sensor 55 is located at the height of the lower limit sensor 54.

그리고, 상기 위치감지센서(55)가 상기 하한센서(54)와 접촉하여 위치신호를 인가하면 상기 제어기(56)는 상기 기어구동부(43)를 작동시키며, 상기 기어구동부(43)에 구비된 상기 구동모터(47)에 구비된 상기 구동모터(47)는 상기 수평베벨기어(46)를 회전시키고, 상기 수평베벨기어(46)의 회전에 의해 상기 수평베벨기어(46)와 직교하도록 연결된 상기 수직베벨기어(45)가 회전하게 되며, 상기 수직베벨기어(45)에 구비된 상기 수직축(48)과 커플링되어 고정된 상기 나사봉(42)은 상기 수직베벨기어(45)의 회전에 의해 회전하게 된다.When the position sensor 55 contacts the lower limit sensor 54 to apply a position signal, the controller 56 operates the gear driver 43 and the gear driver 43 is provided. The drive motor 47 provided in the drive motor 47 rotates the horizontal bevel gear 46 and is vertically connected to be perpendicular to the horizontal bevel gear 46 by the rotation of the horizontal bevel gear 46. The bevel gear 45 rotates, and the screw rod 42 coupled to and fixed to the vertical shaft 48 provided in the vertical bevel gear 45 rotates by the rotation of the vertical bevel gear 45. Done.

상기 나사봉(42)은 상기 박스(39)에 형성된 상기 나사홀(38)과 나사결합되어 있고, 또한 상기 박스(39)는 상기 고정판(37)에 고정되어 있으므로, 상기 나사봉(42)은 회전을 하면서 상승하게 된다.Since the screw rod 42 is screwed with the screw hole 38 formed in the box 39, and the box 39 is fixed to the fixing plate 37, the screw rod 42 is As you rotate, you rise.

이때, 상기 나사봉(42)에 연결된 상기 수직베벨기어(45)가 위치하는 상기 기어박스(39)는 상기 기어박스(39)의 측면에 형성된 상기 가이드부재(51)와 결합되어 있는 상기 수직가이드봉(50)에 안내되어 상기 나사봉(42)과 함께 상승하게 된다.In this case, the gearbox 39 in which the vertical bevel gear 45 connected to the screw rod 42 is coupled with the guide member 51 formed on the side of the gearbox 39 is the vertical guide. Guided to the rod 50 is to rise with the threaded rod (42).

그리고, 상기 나사봉(42)이 회전하며 상승함에 따라 상기 나사봉(42)에 연결된 상기 고정봉(40)이 회전하며 상승하게 되고, 따라서 상기 고정봉(40)과 고정된 상기 이동판(36) 상에 위치한 상기 웨이퍼보트(34)도 회전하며 상승하게 된다.In addition, as the screw rod 42 rotates and rises, the fixed rod 40 connected to the screw rod 42 rotates and rises, and thus the movable plate 36 fixed to the fixed rod 40. The wafer boat 34 positioned on) also rotates and rises.

한편, 상기 가이드부재(51)에 설치된 상기 위치감지센서(55)가 상승하여 상기 수직가이드봉(50)에 설치된 상기 상한센서(53)와 접촉하면, 상기 상한센서(53)는 상기 제어기(56)에 위치신호를 인가하고, 상기 제어기(56)는 상기 구동모터(47)에 제어신호를 인가하여 상기 구동모터(47)의 회전을 역방향으로 전환시킴으로써 상기 동작의 역순으로 상기 기어구동부(43)를 작동시켜 상기 웨이퍼보트를 회전시키며 하강시키게 된다.On the other hand, when the position detecting sensor 55 installed in the guide member 51 is raised to contact the upper limit sensor 53 installed in the vertical guide rod 50, the upper limit sensor 53 is the controller 56 ) And the controller 56 applies a control signal to the drive motor 47 to switch the rotation of the drive motor 47 in the reverse direction to reverse the operation of the gear driver 43. Rotate and lower the wafer boat.

이러한 상기 기어구동부(43)의 동작을 반복하여 실시함으로써 상기 이동판(36) 상에 위치한 상기 웨이퍼보트(34)는 상기 공정가스가 분사되는 상기 확산로(32)의 내부에서 회전 및 승하강하게 된다.By repeatedly performing the operation of the gear driver 43, the wafer boat 34 positioned on the moving plate 36 rotates and descends inside the diffusion path 32 through which the process gas is injected. .

도5를 참조하여 본 발명의 바람직한 제 3 실시예에 의한 반도체장치 제조용 확산공정설비(61)에 대해 설명하면, 상기 반도체장치 제조용 확산공정설비(61)는 확산로(62)를 구비하고 있으며, 상기 확산로(62)의 내부에는 다수개의 웨이퍼(63)가 적재된 웨이퍼보트(64)가 위치하고 있다.Referring to FIG. 5, a diffusion process facility 61 for manufacturing a semiconductor device according to a third exemplary embodiment of the present invention will be described. The diffusion process facility 61 for manufacturing a semiconductor device includes a diffusion path 62. In the diffusion path 62, a wafer boat 64 on which a plurality of wafers 63 are loaded is located.

이때, 상기 웨이퍼보트(64)는 상기 웨이퍼보트(64)를 승하강시키는 웨이퍼보트엘리베이터(도시하지 않음)에 의해 상기 확산로(62)의 내부로 로딩된다.At this time, the wafer boat 64 is loaded into the diffusion path 62 by a wafer boat elevator (not shown) that raises and lowers the wafer boat 64.

그리고, 상기 확산로(62)의 내부로 공정가스를 공급하도록 가스공급원(도시하지 않음)과, 상기 가스공급원에 연결된 분사노즐(65)을 구비하는 가스공급수단이 구비되어 있다.In addition, a gas supply means including a gas supply source (not shown) and an injection nozzle 65 connected to the gas supply source is provided to supply a process gas into the diffusion path 62.

한편, 상기 반도체장치 제조용 확산공정설비(61)는 상기 확산로(62)의 내부에서 상기 웨이퍼보트(64)를 회전 및 승하강시키는 회전승하강수단을 구비하고 있다.On the other hand, the diffusion process facility 61 for manufacturing a semiconductor device is provided with a rotary lifting means for rotating and raising and lowering the wafer boat 64 inside the diffusion path 62.

상기 회전승하강수단은 상기 웨이퍼보트(64)가 위치하는 이동판(66)을 구비하고 있고, 상기 이동판(66)의 하부에는 상기 확산로(62)와 결합하여 상기 확산로(62)를 밀폐시키는 고정판(67)이 설치되어 있으며, 상기 고정판(67)의 하부에는 상기 웨이퍼보트엘리베이터가 설치되어 상기 고정판(67)을 승하강시킨다.The rotating lifting means includes a moving plate 66 on which the wafer boat 64 is located, and the diffusion path 62 is coupled to the diffusion path 62 at a lower portion of the moving plate 66. A fixing plate 67 for sealing is provided, and a wafer boat elevator is installed below the fixing plate 67 to raise and lower the fixing plate 67.

상기 고정판(67)의 하부에는 박스(68)가 고정되어 있으며, 상기 박스(68)의 내부에는 상기 고정판(67)을 관통하여 상기 이동판(66)에 고정된 리드봉(69)이 설치되어 있다.The box 68 is fixed to the lower portion of the fixing plate 67, and a lead rod 69 fixed to the moving plate 66 through the fixing plate 67 is installed inside the box 68. have.

상기 리드봉(69)에 의해 관통된 상기 고정판(67)을 밀봉하기 위하여 상기 리드봉(69)에는 마그네틱실(70)이 구비되어 있으며, 상기 마그네틱실(70)은 저압 하에서 저속으로 회전하는 상기 리드봉(69)과 상기 고정판(67)을 밀봉하여 상기 확산로(62)의 내부에 분사된 상기 공정가스가 누출되는 것을 방지한다.In order to seal the fixing plate 67 penetrated by the lead rod 69, the lead rod 69 is provided with a magnetic seal 70, and the magnetic seal 70 rotates at low speed under low pressure. The lead rod 69 and the fixing plate 67 are sealed to prevent the process gas injected into the diffusion path 62 from leaking.

그리고, 상기 리드봉(69)에는 상기 리드봉(69)에 연결된 피스톤(71)을 구비하며, 상기 피스톤(71)을 수직으로 승하강시킴으로써 상기 리드봉(69)을 수직으로 승하강시키는 공압실린더(72)가 구비되어 있고, 상기 공압실린더(72)는 상기 박스(68)의 내부에 고정되어 있다.In addition, the lead rod 69 has a piston 71 connected to the lead rod 69, and the pneumatic cylinder for raising and lowering the lead rod 69 vertically by raising and lowering the piston 71 vertically. 72 is provided, and the pneumatic cylinder 72 is fixed inside the box 68.

여기서, 도6을 참조하여 설명하면, 상기 공압실린더(72)는 상기 박스(68)에 고정된 실린더(73)를 구비하고 있고, 상기 실린더(73)는 상기 실린더(73)의 내부를 독립된 2개의 공간으로 나누도록 상기 피스톤(71)에 연결된 분할판(74)을 구비하고 있으며, 상기 분할판(74)에 의해 독립된 2개의 공간으로 각각 공압을 공급하는 에어포트(75)가 설치되어 있다.6, the pneumatic cylinder 72 has a cylinder 73 fixed to the box 68, and the cylinder 73 has two independent interiors of the cylinder 73. A divider plate 74 connected to the piston 71 is provided so as to be divided into two spaces, and an air port 75 for supplying air pressure to two spaces independent of the divider plate 74 is provided.

상기 에어포트(75)는 공압공급원(76)과 연결되어 있으며, 각각의 상기 에어포트(75)로 공압을 번갈아가며 공급함으로써 상기 분할판(74)을 수직으로 승하강시켜 상기 분할판(74)에 연결된 상기 피스톤(71)을 승하강시킴으로써 상기 피스톤(71)이 고정되어 있는 상기 이동판(66)을 승하강시킨다.The airport 75 is connected to the pneumatic supply source 76, by supplying the air pressure alternately to each of the airport (75) by raising and lowering the partition plate 74 vertically to the partition plate (74) The moving plate 66 to which the piston 71 is fixed is raised and lowered by raising and lowering the piston 71 connected thereto.

다시, 도5를 참조하여 설명하면, 상기 회전승하강수단은 상기 리드봉(69)에 연결되어 상기 리드봉(69)을 회전시킴으로써 상기 이동판(66)을 회전시키는 회전구동부(77)를 구비하고 있다.Referring to FIG. 5 again, the rotation elevating means includes a rotation driving part 77 connected to the lead rod 69 to rotate the movable plate 66 by rotating the lead rod 69. Doing.

상기 회전구동부(77)는 구동모터(78)를 구비하고 있으며, 상기 구동모터(78)에는 구동풀리(79)가 연결되어 있다.The rotation driving unit 77 includes a driving motor 78, and a driving pulley 79 is connected to the driving motor 78.

그리고, 상기 리드봉(69)에는 상기 리드봉(69)의 외벽에 종동풀리(80)가 형성되어 있고, 상기 구동풀리(79)와 상기 종동풀리(80)는 벨트(81)에 의해 연결되어 있다.In addition, a driven pulley 80 is formed on an outer wall of the lead rod 69 on the lead rod 69, and the driving pulley 79 and the driven pulley 80 are connected by a belt 81. have.

그리고, 상기 회전구동부(77)는 상기 공압실린더(72)의 동작에 의해 상기 리드봉(69)의 상승시 발생하는 상기 회전구동부(77)의 유동을 방지하기 위하여 상기 박스(68)의 측벽에는 가이드편(87)이 형성되어 있으며, 상기 가이드편(87)에 안내되어 상기 구동모터(86)가 승하강하도록 상기 구동모터(86)의 측면에는 상기 가이드편(87)이 삽입되어 결합하는 가이드홈이 형성되어 있다.In addition, the rotary driver 77 is provided on the sidewall of the box 68 to prevent the rotation of the rotary driver 77 generated when the lead rod 69 is raised by the operation of the pneumatic cylinder (72). A guide piece 87 is formed, and the guide piece 87 is inserted into and coupled to the side surface of the drive motor 86 to guide the guide piece 87 to move up and down the driving motor 86. Grooves are formed.

한편, 상기 회전승하강수단은 상기 공압실린더(72)와 상기 회전구동부(77)의 동작을 제어하는 제어부(82)를 구비하고 있다.On the other hand, the rotary lifting means is provided with a controller 82 for controlling the operation of the pneumatic cylinder 72 and the rotary drive unit 77.

도6을 참조하여 설명하면, 상기 제어부(82)는 상기 실린더(73)의 상, 하부에 각각 설치된 상, 하한센서(83)(84) 및 상기 분할판(74)에 설치된 위치감지센서(85)를 구비하고 있으며, 상기 상, 하한센서(83)(84) 및 상기 위치감지센서(85)에서 인가된 신호에 의해 상기 공압실린더(72)와 상기 회전구동부(77)에 제어신호를 인가하여 상기 공압실린더(72)와 상기 회전구동부(77)의 동작을 제어하는 제어기(86)를 구비하여 이루어진다.Referring to FIG. 6, the control unit 82 is provided with upper and lower limit sensors 83 and 84 installed on the upper and lower portions of the cylinder 73 and position detecting sensors 85 installed on the partition plate 74, respectively. And a control signal is applied to the pneumatic cylinder (72) and the rotary drive unit (77) by signals applied from the upper and lower limit sensors (83) (84) and the position detecting sensor (85). It is provided with a controller 86 for controlling the operation of the pneumatic cylinder 72 and the rotary drive unit 77.

이때, 상기 상한센서(83)는 상기 실린더(73)의 측벽에 높이조절이 가능하도록 설치되어 상기 웨이퍼보트(64)가 승하강하는 거리를 조절할 수 있게 하는 것이 바람직하다.In this case, the upper limit sensor 83 is preferably installed on the side wall of the cylinder 73 to enable height adjustment so that the wafer boat 64 can move up and down.

여기서, 본 발명의 바람직한 제 3 실시예에 의한 상기 반도체 장치 제조용 확산공정설비(61)의 동작관계에 대해 설명하면, 다수개의 상기 웨이퍼(63)를 적재한 상기 웨이퍼보트(64)는 상기 이동판(66) 상에 위치하게 되고, 상기 웨이퍼보트엘리베이터는 상기 고정판(67)을 상승시켜 상기 이동판(66) 상에 위치한 상기 웨이퍼보트(64)를 상기 확산로(62)의 내부로 이동시킨다.Here, the operation relationship of the diffusion process equipment 61 for manufacturing a semiconductor device according to the third preferred embodiment of the present invention will be described. The wafer boat 64 on which the plurality of wafers 63 are loaded is the movable plate. The wafer boat elevator lifts the fixed plate 67 to move the wafer boat 64 located on the movable plate 66 into the diffusion path 62.

그리고, 상기 가스공급원에 연결된 상기 분사노즐(65)은 상기 공정가스를 상기 확산로(62)의 내부에서 상기 웨이퍼(63)를 향해 분사하고, 상기 제어기(86)는 상기 공압실린더(72)와 상기 회전구동부(77)에 제어신호를 인가하여 상기 공압실린더(72)와 상기 회전구동부(77)를 구동시킨다.In addition, the injection nozzle 65 connected to the gas supply source injects the process gas toward the wafer 63 inside the diffusion path 62, and the controller 86 is connected to the pneumatic cylinder 72. A control signal is applied to the rotary driver 77 to drive the pneumatic cylinder 72 and the rotary driver 77.

이때, 상기 제어기(86)는 상기 위치감지센서(85)와 상기 하한센서(84)의 접촉에 의해 인가되는 위치신호가 감지되지 않으면, 상기 공압실린더(72)에 제어신호를 인가하여 공정초기상태, 즉 상기 위치감지센서(85)가 상기 하한센서(84)의 높이에 위치하도록 상기 공압실린더(72)를 작동시킨다.At this time, the controller 86 applies a control signal to the pneumatic cylinder 72 when the position signal applied by the contact of the position detection sensor 85 and the lower limit sensor 84 is not detected, the process initial state. That is, the pneumatic cylinder 72 is operated so that the position detecting sensor 85 is located at the height of the lower limit sensor 84.

그리고, 상기 위치감지센서(85)가 상기 하한센서(84)와 접촉하여 위치신호를 인가하면 상기 제어기(86)는 상기 공압실린더(72)와 상기 회전구동부(77)를 작동시킨다.When the position detecting sensor 85 contacts the lower limit sensor 84 to apply a position signal, the controller 86 operates the pneumatic cylinder 72 and the rotation driving unit 77.

즉, 상기 공압실린더(72)의 하부에 위치한 상기 에어포트(75)로 공압을 공급하면, 상기 분할판(74)의 상승에 의해 상기 피스톤(71)이 상승하게 되고, 상기 피스톤(71)에 연결된 상기 리드봉(69)의 상승에 의해 상기 이동판(66) 상에 웨이퍼보트(64)가 상승하게 된다.That is, when pneumatic pressure is supplied to the airport 75 located below the pneumatic cylinder 72, the piston 71 is raised by the rising of the partition plate 74, and to the piston 71 The wafer boat 64 is raised on the movable plate 66 by the connected lead rod 69.

이때, 상기 회전구동부(77)는 상기 구동모터(78)와 결합된 상기 가이드편(87)에 안내되어 승강하게 된다.At this time, the rotation driving unit 77 is guided and lifted by the guide piece 87 coupled to the drive motor 78.

또한, 상기 회전구동부(77)에 구비된 상기 구동모터(78)가 동작하여 상기 구동풀리(79)를 회전시키면, 상기 구동풀리(79)와 상기 벨트(81)에 의해 연결된 상기 종동풀리(80)가 회전하게 되고, 따라서 상기 종동풀리(80)가 외벽에 고정되어 있는 상기 리드봉(69)이 회전함으로써 상기 이동판(66) 상에 위치한 상기 웨이퍼보트(64)는 회전을 하게 된다.In addition, when the driving motor 78 provided in the rotary driving unit 77 operates to rotate the driving pulley 79, the driven pulley 80 connected by the driving pulley 79 and the belt 81 is rotated. ) Rotates, and the wafer boat 64 located on the movable plate 66 rotates by rotating the lead rod 69 having the driven pulley 80 fixed to the outer wall.

이러한 동작이 동시에 실시됨으로써 상기 웨이퍼보트(64)는 회전을 하며 상승하게 된다.By simultaneously performing such an operation, the wafer boat 64 rotates and rises.

그리고, 상기 분할판(74)이 상승하여 상기 분할판(74)에 설치된 상기 위치감지센서(85)가 상기 하한센서(84)에 도달하면, 상기 하한센서(84)는 상기 제어기(86)에 위치신호를 인가하게 되고, 이때 상기 제어기(86)는 상기 공압공급원(76)에 제어신호를 인가하여 상기 공압실린더(72)의 상부에 구비된 상기 에어포트(75)로 공압을 공급하여 상기 분할판(74)을 하강시키며, 상기 회전구동부(77)는 상기 가이드편(87)에 안내되어 하강하게 되고, 상기 동작의 역순으로 상기 웨이퍼보트(64)를 하강시키게 된다.When the partition plate 74 is raised to reach the lower limit sensor 84 of the position detecting sensor 85 installed on the partition plate 74, the lower limit sensor 84 is connected to the controller 86. In this case, the controller 86 applies a control signal to the pneumatic supply source 76 to supply air pressure to the air port 75 provided at the upper portion of the pneumatic cylinder 72 to divide the division signal. The plate 74 is lowered, and the rotation driving unit 77 is guided and lowered by the guide piece 87, and the wafer boat 64 is lowered in the reverse order of the operation.

또한, 상기 회전구동부(77)는 계속해서 동작을 하고 있으므로, 상기 웨이퍼보트(64)는 하강을 하면서 동시에 회전을 하게 된다.In addition, since the rotary drive unit 77 continues to operate, the wafer boat 64 rotates while being lowered.

한편, 상기 분할판(74)이 하강하여 상기 분할판(74)에 설치된 상기 위치감지센서(85)가 상기 하한센서(84)에 도달하면, 상기 하한센서(84)는 상기 제어기(86)에 위치신호를 인가하게 되고, 상기 제어기(86)는 다시 상기 공압공급원(76)에 제어신호를 인가하여 상기 분할판(74)을 상승시킨다.On the other hand, when the partition plate 74 is lowered and the position detecting sensor 85 installed on the partition plate 74 reaches the lower limit sensor 84, the lower limit sensor 84 is connected to the controller 86. The position signal is applied, and the controller 86 again applies a control signal to the pneumatic source 76 to raise the partition plate 74.

이러한 상기 공압실린더(72)와 상기 회전구동부(77)의 동작을 반복하여 실시함으로써 상기 이동판(66) 상에 위치한 상기 웨이퍼보트(64)는 상기 공정가스가 분사되는 상기 확산로(62)의 내부에서 회전 및 승하강하게 된다.By repeatedly performing the operations of the pneumatic cylinder 72 and the rotary drive unit 77, the wafer boat 64 located on the moving plate 66 is used in the diffusion path 62 in which the process gas is injected. It rotates and descends inside.

따라서, 본 발명의 바람직한 실시예들에 의한 반도체장치 제조용 확산공정설비는 상기 공정가스가 분사되는 상기 확산로의 내부에서 상기 웨이퍼보트를 회전 및 승하강시킴으로써 상기 웨이퍼보트에 적재된 상기 웨이퍼 상에 균일한 확산막을 형성할 수 있다.Therefore, the diffusion process apparatus for manufacturing a semiconductor device according to the preferred embodiments of the present invention is uniformly formed on the wafer loaded on the wafer boat by rotating and lifting the wafer boat in the diffusion path in which the process gas is injected. One diffusion film can be formed.

이상에서와 같이 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 확산공정설비에 의하면 다수개의 웨이퍼가 적재된 웨이퍼보트를 공정가스가 분사되는 확산로의 내부에서 회전 및 승하강시킴으로써 상기 웨이퍼 상에 형성되는 확산막의 균일성을 향상시키게 하는 효과를 갖는다.As described above, according to the diffusion process facility for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, the uniformity of the diffusion film formed on the wafer by rotating and lifting the wafer boat loaded with the plurality of wafers inside the diffusion path through which the process gas is injected. It has an effect of improving.

이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상범위내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications belong to the appended claims.

Claims (16)

확산로;Diffusion furnace; 다수개의 웨이퍼를 적재하여 상기 확산로의 내부에 위치하는 웨이퍼보트;A wafer boat loaded with a plurality of wafers and positioned inside the diffusion path; 상기 확산로의 내부로 공정가스를 분사하도록 가스공급원과 상기 가스공급원에 연결된 분사노즐을 구비하는 가스공급수단; 및Gas supply means having a gas supply source and an injection nozzle connected to the gas supply source to inject a process gas into the diffusion path; And 상기 확산로의 내부에서 상기 웨이퍼보트를 회전 및 승하강시키는 회전승하강수단을 포함하되;Rotation lifting means for rotating and lifting the wafer boat in the interior of the diffusion path; 상기 회전승하강수단은,The rotating lifting means, 상기 웨이퍼보트가 위치하는 이동판;A moving plate on which the wafer boat is located; 상기 이동판의 하부에 위치하여 상기 확산로를 밀폐시키는 고정판;A fixed plate positioned under the moving plate to seal the diffusion path; 상기 고정판을 관통하여 상기 이동판에 고정되어 있으며, 스플라인이 형성되어 있는 스플라인축;A spline shaft penetrating the fixed plate and fixed to the moving plate and having a spline formed therein; 상기 스플라인축이 삽입되도록 내면에 스플라인홈이 형성되어 있고, 상기 고정판에 볼베어링 지지되어 회전가능한 보스;A spline groove formed in an inner surface of the spline shaft to be inserted therein, the ball bearing being supported on the fixed plate and being rotatable; 상기 보스를 회전시켜 상기 보스의 내부에 삽입된 상기 스플라인축을 회전시키고,Rotate the spline shaft inserted into the boss by rotating the boss; 상기 스플라인축의 회전에 의해 상기 이동판을 회전시키도록 상기 보스에 연결된 회전구동부; 및A rotation driving part connected to the boss to rotate the moving plate by the rotation of the spline shaft; And 상기 스플라인축을 승하강시켜 상기 이동판을 승하강시키도록 상기 스플라인축에 연결된 승하강부;An elevating portion connected to the spline shaft to elevate the spline shaft to elevate the movable plate; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 확산공정설비.Diffusion process equipment for manufacturing the semiconductor device, characterized in that comprises a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 보스는 상기 스플라인축의 승하강시 발생하는 마찰을 방지하도록 상기 스플라인축과 상기 보스 사이에 볼베어링이 설치된 볼스플라인타입인 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 확산공정설비.And said boss is a ball spline type having a ball bearing provided between said spline shaft and said boss so as to prevent friction generated when said spline shaft moves up and down. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 회전구동부는,The rotary drive unit, 회전축을 구비하는 구동모터;A drive motor having a rotating shaft; 상기 회전축에 구비된 구동풀리;A drive pulley provided on the rotation shaft; 상기 보스의 외벽에 고정된 종동풀리; 및A driven pulley fixed to the outer wall of the boss; And 상기 구동풀리와 상기 종동풀리를 연결하는 벨트;A belt connecting the driving pulley and the driven pulley; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 확산공정설비.Diffusion process equipment for manufacturing the semiconductor device, characterized in that comprises a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 승하강부는,The elevating unit, 상기 스플라인축의 일측단과 접촉하는 캠;A cam contacting one end of the spline shaft; 상기 캠에 연결된 캠축; 및A camshaft connected to the cam; And 상기 캠축을 회전시키는 구동모터;A drive motor for rotating the camshaft; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 확산공정설비.Diffusion process equipment for manufacturing the semiconductor device, characterized in that comprises a. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 캠은 다양한 캠높이로 형성된 캠으로 교체가 가능하여 상기 스플라인축이 승하강하는 거리를 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 확산공정설비.The cam can be replaced with a cam formed of various cam heights can be adjusted to the distance that the spline shaft rises and falls, characterized in that the diffusion process equipment for manufacturing a semiconductor device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 스플라인축에 의해 관통된 상기 고정판을 밀봉하도록 상기 스플라인축에 구비된 마그네틱실을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 확산공정설비.And a magnetic seal provided in the spline shaft to seal the fixed plate penetrated by the spline shaft. 확산로;Diffusion furnace; 다수개의 웨이퍼를 적재하여 상기 확산로의 내부에 위치하는 웨이퍼보트;A wafer boat loaded with a plurality of wafers and positioned inside the diffusion path; 상기 확산로의 내부로 공정가스를 분사하도록 가스공급원과 상기 가스공급원에 연결된 분사노즐을 구비하는 가스공급수단; 및Gas supply means having a gas supply source and an injection nozzle connected to the gas supply source to inject a process gas into the diffusion path; And 상기 확산로의 내부에서 상기 웨이퍼보트를 회전 및 승하강시키는 회전승하강수단을 포함하되;Rotation lifting means for rotating and lifting the wafer boat in the interior of the diffusion path; 상기 회전승하강수단은,The rotating lifting means, 상기 웨이퍼보트가 위치하는 이동판;A moving plate on which the wafer boat is located; 상기 이동판의 하부에 위치하여 상기 확산로를 밀폐시키는 고정판;A fixed plate positioned under the moving plate to seal the diffusion path; 상기 고정판에 고정되어 있으며, 밑면에 나사홀이 형성된 박스;A box fixed to the fixing plate and having a screw hole formed at a bottom thereof; 상기 박스의 내부에 위치하고, 상기 고정판을 관통하여 상기 이동판에 고정된 고정봉;A fixing rod positioned inside the box and fixed to the moving plate through the fixing plate; 상기 고정봉에 고정되어 있으며, 상기 박스에 형성된 상기 나사홀에 결합하는 나사봉;A screw rod fixed to the fixing rod and coupled to the screw hole formed in the box; 상기 나사봉을 회전시킴으로써 상기 고정봉을 회전 및 승하강시켜 상기 이동판을 회전 및 승하강시키는 기어구동부;A gear driving unit for rotating and elevating the movable plate by rotating and elevating the fixed rod by rotating the screw rod; 상기 기어구동부의 유동을 방지하는 가이드부; 및A guide part for preventing the flow of the gear driving part; And 상기 기어구동부의 동작을 제어하도록 제어신호를 인가하는 제어부;A control unit for applying a control signal to control the operation of the gear driving unit; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 확산공정설비.Diffusion process equipment for manufacturing the semiconductor device, characterized in that comprises a. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 기어구동부는,The gear drive unit, 상기 나사봉과 커플링된 수직축을 구비하는 수직베벨기어;A vertical bevel gear having a vertical shaft coupled with the screw rod; 상기 수직베벨기어와 직교하는 수평베벨기어;A horizontal bevel gear orthogonal to the vertical bevel gear; 상기 수평베벨기어를 회전시키는 구동모터; 및A drive motor for rotating the horizontal bevel gear; And 상기 수직베벨기어, 수평베벨기어와 구동모터가 위치하고 있는 기어박스;A gear box in which the vertical bevel gear, the horizontal bevel gear and the driving motor are located; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 확산공정설비.Diffusion process equipment for manufacturing the semiconductor device, characterized in that comprises a. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 가이드부는,The guide unit, 상기 고정판에 고정된 수직가이드봉; 및A vertical guide rod fixed to the fixing plate; And 상기 기어박스의 측면에 형성되어 있으며, 상기 수직가이드봉에 안내되는 가이드부재;A guide member formed on a side of the gearbox and guided to the vertical guide rod; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 확산공정설비.Diffusion process equipment for manufacturing the semiconductor device, characterized in that comprises a. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 제어부는,The control unit, 상기 수직가이드봉의 상부에 높이조절이 가능하도록 설치된 상한센서;An upper limit sensor installed at an upper portion of the vertical guide rod to enable height adjustment; 상기 수직가이드봉의 하부에 설치된 하한센서;A lower limit sensor installed at a lower portion of the vertical guide rod; 상기 가이드부재에 설치된 위치감지센서; 및A position sensor installed at the guide member; And 상기 상, 하한센서와 위치감지센서에서 인가된 신호에 의해 상기 기어구동부의 동작을 제어하도록 제어신호를 인가하는 제어기;A controller for applying a control signal to control the operation of the gear driving unit by signals applied from the upper and lower limit sensors and the position detection sensor; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 확산공정설비.Diffusion process equipment for manufacturing the semiconductor device, characterized in that comprises a. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 고정봉에 의해 관통된 상기 고정판을 밀봉하도록 상기 고정봉에 구비된 마그네틱실을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 확산공정설비.And a magnetic seal provided in the fixing rod to seal the fixing plate penetrated by the fixing rod. 확산로;Diffusion furnace; 다수개의 웨이퍼를 적재하여 상기 확산로의 내부에 위치하는 웨이퍼보트;A wafer boat loaded with a plurality of wafers and positioned inside the diffusion path; 상기 확산로의 내부로 공정가스를 분사하도록 가스공급원과 상기 가스공급원에 연결된 분사노즐을 구비하는 가스공급수단; 및Gas supply means having a gas supply source and an injection nozzle connected to the gas supply source to inject a process gas into the diffusion path; And 상기 확산로의 내부에서 상기 웨이퍼보트를 회전 및 승하강시키는 회전승하강수단을 포함하되;Rotation lifting means for rotating and lifting the wafer boat in the interior of the diffusion path; 상기 회전승하강수단은,The rotating lifting means, 상기 웨이퍼보트가 위치하는 이동판;A moving plate on which the wafer boat is located; 상기 이동판의 하부에 위치하여 상기 확산로를 밀폐시키는 고정판;A fixed plate positioned under the moving plate to seal the diffusion path; 상기 고정판의 하부에 고정된 박스;A box fixed to the bottom of the fixing plate; 상기 박스의 내부에 위치하고, 상기 고정판을 관통하여 상기 이동판에 고정된 리드봉;A lead rod positioned inside the box and fixed to the moving plate through the fixing plate; 상기 리드봉에 연결된 피스톤을 구비하며, 상기 피스톤을 승하강시켜 상기 이동판을 승하강시키는 공압실린더;A pneumatic cylinder having a piston connected to the lead rod, and lifting and lowering the moving plate to raise and lower the piston; 상기 리드봉을 회전시켜 상기 이동판을 회전시키도록 상기 리드봉에 연결되어 있으며, 상기 박스의 측면에 설치된 가이드부재에 안내되어 승하강이 가능한 회전구동부; 및A rotation driving part connected to the lead rod to rotate the lead rod to rotate the movable plate and guided and lowered by a guide member installed on the side of the box; And 상기 공압실린더와 상기 회전구동부의 동작을 제어하는 제어부;A controller for controlling the operation of the pneumatic cylinder and the rotary drive unit; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 확산공정설비.Diffusion process equipment for manufacturing the semiconductor device, characterized in that comprises a. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 공압실린더는,The pneumatic cylinder, 실린더;cylinder; 상기 실린더의 내부를 독립된 2개의 공간으로 나누도록 상기 피스톤에 연결된 분할판;A divider plate connected to the piston to divide the inside of the cylinder into two independent spaces; 독립된 2개의 공간으로 각각 공압을 공급하도록 설치된 에어포트; 및An air port installed to supply air pressure to two independent spaces, respectively; And 상기 에어포트에 연결된 공압공급원;A pneumatic source connected to the air port; 을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 확산공정설비.Diffusion process equipment for manufacturing the semiconductor device comprising a. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 회전구동부는,The rotary drive unit, 구동모터;Drive motor; 상기 구동모터에 연결된 구동풀리;A drive pulley connected to the drive motor; 상기 리드봉의 외벽에 고정된 종동풀리; 및A driven pulley fixed to an outer wall of the lead rod; And 상기 구동풀리와 상기 종동풀리를 연결하는 벨트;A belt connecting the driving pulley and the driven pulley; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 확산공정설비.Diffusion process equipment for manufacturing the semiconductor device, characterized in that comprises a. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 제어부는,The control unit, 상기 실린더의 상부에 높이조절이 가능하도록 설치된 상한센서;An upper limit sensor installed at an upper portion of the cylinder to enable height adjustment; 상기 실린더의 하부에 설치된 하한센서;A lower limit sensor installed at the lower portion of the cylinder; 상기 분할판에 설치된 위치감지센서; 및A position sensor installed on the partition plate; And 상기 상, 하한센서와 위치감지센서에서 인가된 신호에 의해 상기 공압실린더와 상기 회전구동부의 동작을 제어하도록 제어신호를 인가하는 제어기;A controller for applying a control signal to control the operation of the pneumatic cylinder and the rotary driver by signals applied from the upper and lower limit sensors and the position detection sensor; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 확산공정설비.Diffusion process equipment for manufacturing the semiconductor device, characterized in that comprises a. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 피스톤에 의해 관통된 상기 고정판을 밀봉하도록 상기 피스톤에 구비된 마그네틱실을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 확산공정설비.And a magnetic seal provided in the piston to seal the fixed plate penetrated by the piston.
KR1019980038284A 1998-09-16 1998-09-16 Diffusion Process Equipment for Semiconductor Device Manufacturing KR100297873B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980038284A KR100297873B1 (en) 1998-09-16 1998-09-16 Diffusion Process Equipment for Semiconductor Device Manufacturing

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980038284A KR100297873B1 (en) 1998-09-16 1998-09-16 Diffusion Process Equipment for Semiconductor Device Manufacturing

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20000019926A KR20000019926A (en) 2000-04-15
KR100297873B1 true KR100297873B1 (en) 2001-10-26

Family

ID=19550820

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980038284A KR100297873B1 (en) 1998-09-16 1998-09-16 Diffusion Process Equipment for Semiconductor Device Manufacturing

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100297873B1 (en)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100527671B1 (en) 2004-02-19 2005-11-28 삼성전자주식회사 Method of forming a layer on a wafer
KR101289017B1 (en) * 2012-04-06 2013-07-23 주식회사 경우 Thin film manufacturing apparatus with rotary plate
KR101677362B1 (en) * 2014-02-20 2016-11-18 순천대학교 산학협력단 Cosmetic composition comprising fermented Phellinus linteus extract
KR101711883B1 (en) * 2016-08-12 2017-03-03 김용국 working lift
KR102340294B1 (en) * 2018-01-17 2021-12-15 한화솔루션 주식회사 Coating equipment for bell jar of cvd reactor for producing polysilicon and coating method using the same
CN109176198A (en) * 2018-10-17 2019-01-11 江苏英锐半导体有限公司 A kind of monocrystalline silicon rod milling side processing unit for wafer flow production

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970030253A (en) * 1995-11-30 1997-06-26 김광호 Longitudinal diffusion furnaces and caps used therein

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970030253A (en) * 1995-11-30 1997-06-26 김광호 Longitudinal diffusion furnaces and caps used therein

Also Published As

Publication number Publication date
KR20000019926A (en) 2000-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1213746B1 (en) Single wafer type substrate cleaning method and apparatus
US6915809B2 (en) Single wafer type substrate cleaning method and apparatus
US6792959B2 (en) Single wafer type cleaning method and apparatus
KR100297873B1 (en) Diffusion Process Equipment for Semiconductor Device Manufacturing
KR101457579B1 (en) Substrate processing appratus
US6926817B2 (en) Solution processing apparatus and solution processing method
KR100303155B1 (en) Up-down holder for dry etching apparatus
KR20130002796U (en) Wafer lifting apparatus for semiconductor manufacturing equipment
JP2003088793A (en) Method and apparatus for treating substrate
JP7000054B2 (en) Board processing equipment and board processing method
JP2009032901A (en) Substrate processing apparatus
KR100857062B1 (en) Slit coater
CN116190304A (en) Substrate processing apparatus
KR20010048001A (en) Top and bottom aligning apparatus of flat zone of semiconductor wafer
KR100585021B1 (en) Lifting pin
KR20080076341A (en) Showerhead unit and apparatus for depositing thin film using the same
KR20240104781A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR970002425Y1 (en) Apparatus for wafer coating
KR20120006492U (en) Wafer lifting apparatus for semiconductor manufacturing equipment
KR19980018357A (en) Substrate Processing Equipment
KR20050013396A (en) apparatus for moving up and down lift pin
KR101170593B1 (en) Updown device of variable water tank for wire cut electric discharge machine that use deposition type together with injection type
KR200146689Y1 (en) Dual chamber photoresist coating apparatus for manufacturing semiconductor devices
KR20050105559A (en) Alignment apparatus for wafer in electrodes
KR100620201B1 (en) Vertical type furnace

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20070418

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee