KR100292074B1 - Alarm device of semiconductor fabricating equipment - Google Patents

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KR100292074B1
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Abstract

PURPOSE: An alarm device of semiconductor fabricating equipment is provided to check easily a current state of semiconductor fabricating equipment by using a lamp tower. CONSTITUTION: An input portion receives four input signals(A,B,C,D). A logic combination portion(10) has a combination portion(34). The combination portion(34) receives input signals(A1,B2,C1,D1) of non-inverted states or input signals(A2,B2,C2,D2) of inverted state. The input signals(A2,B2,C2,D2) of inverted state are inverted by a multitude of inverter(26,28,30,32). Each output signal of the combination portion(34) is outputted to three drive portions(12,14,16) corresponding to each output terminals(Q1,Q2,Q3). The drive portions(12,14,16) outputs drive signals for driving three lamps(18,20,22) to a lamp tower(24). The lamp tower(24) includes the lamps(18,20,22).

Description

반도체 제조설비의 경보장치Alarm device of semiconductor manufacturing equipment

본 발명은 반도체 제조설비의 경보장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 원거리에서 쉽게 시각적으로 인식할 수 있는 램프 타워를 설치하여 이온주입과 같은 소정 반도체 제조 공정을 수행하는 설비의 현재 상태를 점등으로 확인하도록 개선시킨 반도체 제조설비의 경보장치에 관한 것이다.The present invention relates to an alarm device of a semiconductor manufacturing facility, and more particularly, by installing a lamp tower that can be easily visually recognized from a long distance, checking the current state of a facility for performing a predetermined semiconductor manufacturing process such as ion implantation by lighting. The present invention relates to an alarm device for semiconductor manufacturing equipment that has been improved.

통상, 반도체소자 제조설비는 해당 반도체 제조공정을 순차적으로 수행하기 위한 최소한 하나 이상의 공정조건들이 설정되어 있으며, 상기 설정된 공정조건들에 따라서 반도체기판 상에 소정의 막들을 순차적으로 산화, 증착 및 식각등을 통하여 소정의 회로패턴으로 구현하거나, 상기 반도체기판 또는 그 위에 형성되는 소정 막중 선택된 부분에 불순물을 이온주입하여 전기적 특성을 변화시키거나 또는 테스트를 하는 등 여러 공정이 각각의 해당 설비별로 진행된다.In general, at least one or more process conditions for sequentially performing a semiconductor manufacturing process are set in a semiconductor device manufacturing facility, and the predetermined films are sequentially oxidized, deposited, and etched on the semiconductor substrate according to the set process conditions. Various processes, such as implementing a predetermined circuit pattern, ion implantation of impurities into a selected portion of the semiconductor substrate or a film formed thereon, to change electrical characteristics, or testing the same, are performed for each corresponding facility.

이러한 각 해당 제조설비에서 수행되는 반도체소자의 제조공정에 있어서 조그만 공정사고는 커다란 대형 사고를 유발할 수 있으므로, 항상 공정 조건 또는 설비상태 등이 일일이 체크되고 있으며, 이러한 체크된 결과에 대한 신호는 온라인을 통하여 모니터링 시스템으로 전송되어 설비의 오퍼레이션 패널에서 공정상태 또는 설비상태를 모니터링하도록 이용되고 있다.In the process of manufacturing a semiconductor device performed at each of these manufacturing facilities, a small process accident can cause a large accident, so that the process conditions or equipment conditions are always checked one by one, and the signal for these checked results is online. It is sent to the monitoring system and used to monitor the process status or equipment status in the operation panel of the equipment.

그러나, 전술한 온라인 상태의 모니터링시스템을 통하여 제조설비에서의 진행되는 공정상태나 설비상태를 오퍼레이션 패널에서 모두 확인할 수 있지만, 작업자가 오퍼레이션 패널에서 조금만 떨어져도 설비상태를 정확히 식별할 수 없다는 문제점이 있다.However, although the process state or equipment state that is in progress in the manufacturing facility can be confirmed in the operation panel through the online monitoring system described above, there is a problem that the operator cannot accurately identify the state of the facility even if the operator is slightly away from the operation panel.

특히, 작업자가 설비의 점검등을 위하여 오퍼레이션 패널로부터 원거리에 위치하고 있는 동안에 설비의 에러가 발생한 경우, 이를 작업자가 신속하게 인지할 수 없기 때문에 에러상태가 지속되어 불량품이 많이 발생되거나 설비의 고장을 초래할 수 있다.In particular, if an error occurs in the facility while the worker is located far from the operation panel for inspection of the facility, the operator may not be able to recognize the error quickly. Can be.

이를 개선하기 위하여 설비의 에러가 발생한 경우, 경보음을 발생시킬 수도 있으나, 설비 주위의 시끄러운 소음으로 알람소리를 쉽게 들을 수가 없으며, 설비의 에러 이외에도 설비의 다양한 진행상태를 식별하기에는 효과적인 방법은 아니었다.In order to improve this, an alarm may be generated when an error occurs in the facility, but the loud noise around the facility does not make it easy to hear the alarm, and it is not an effective method for identifying various progresses of the facility in addition to the error of the facility.

따라서, 오퍼레이션 패널로부터 떨어진 원거리에서도 설비의 진행상태를 육안으로 쉽게 식별할 수 있는 경보장치가 요구되어진다.Therefore, there is a need for an alarm device that can easily visually identify the progress of the equipment even from a distance away from the operation panel.

본 발명의 목적은, 소정 반도체 공정을 수행하는 특정 제조설비의 공정상태 또는 설비상태를 온라인으로 모니터링하는 오퍼레이션 패널로부터 원거리에서도 설비의 상태를 육안으로 쉽게 판별할 수 있는 반도체 제조설비의 경보장치를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a warning device for a semiconductor manufacturing facility that can easily visually determine the status of a facility at a distance from an operation panel that monitors the process status or facility status of a specific manufacturing facility that performs a predetermined semiconductor process online. There is.

도1은 본 발명의 일 실시예를 적용한 이온주입설비의 각 챔버를 나타내는 개략도이다.1 is a schematic view showing each chamber of an ion implantation apparatus to which an embodiment of the present invention is applied.

도2는 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 경보장치의 바람직한 실시예를 나타내는 블록도이다.2 is a block diagram showing a preferred embodiment of the alarm apparatus of the semiconductor manufacturing equipment according to the present invention.

도3은 본 발명의 일 실시예를 적용한 이온주입설비의 각 설비상태에 대하여 입력되는 각 입력신호와 그에 따른 램프타워의 표시결과를 나타내는 도면이다.FIG. 3 is a diagram showing display results of respective input signals and corresponding lamp towers input for each equipment state of the ion implantation apparatus to which an embodiment of the present invention is applied.

※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of symbols for main parts of drawing

2 : 출입문 4 : 투입챔버2: Door 4: Input Chamber

6 : 로드락챔버 8 : 공정챔버6: load lock chamber 8: process chamber

10 : 논리조합부 12, 14, 16 : 구동부10: logic combination unit 12, 14, 16: drive unit

18, 20, 22 : 램프 24 : 램프 타워18, 20, 22: lamp 24: lamp tower

26, 28, 30, 32 : 인버터 34 : 조합기26, 28, 30, 32: Inverter 34: Combiner

36 : 오아(OR) 게이트36: OR gate

상기 목적을 달성하기 위한 반도체 제조설비의 경보장치는, 특정 반도체 제조설비의 각 상태에 대한 최소한 하나 이상의 입력신호를 입력받아서 논리조합하는 논리조합수단을 구비한다. 상기 논리조합된 결과는 구동수단으로 입력되어 램프를 구동하기 위한 최소한 하나 이상의 구동신호로 출력하게 되며, 상기 출력되는 각 구동신호는 그에 일대일 대응되는 수의 램프를 구동시키며, 상기 램프들은 램프 타워에 설치되어 상기 각 구동신호에 의하여 제조설비의 각 상태별로 구분되도록 표시되어진다.An alarm device for a semiconductor manufacturing facility for achieving the above object comprises a logic combining means for receiving and logically combining at least one input signal for each state of a particular semiconductor manufacturing facility. The logical combination result is input to the driving means and outputs at least one driving signal for driving the lamp. Each of the output driving signals drives a number of lamps corresponding to one-to-one, and the lamps are connected to the lamp tower. It is installed and displayed according to each state of the manufacturing equipment by the drive signal.

상기 논리조합수단의 출력신호의 수와 상기 구동수단의 구동부는 상기 램프 타워에 설치되는 램프의 수와 일대일 대응되는 수를 가지며, 상기 램프는 서로 다른 색을 발광하도록 설치된다.The number of output signals of the logical combination means and the driving portion of the driving means have a number corresponding one to one with the number of lamps installed in the lamp tower, and the lamps are installed to emit different colors.

바람직하게는, 상기 반도체 제조설비의 각 입력신호는 제조설비와 경보장치와의 간섭을 막기위해 입출력간을 전기적으로 절연할 수 있는 포토커플러(photocoupler)를 통하여 상기 경보장치의 논리조합수단에 입력되도록 구성된다.Preferably, each input signal of the semiconductor manufacturing equipment is input to the logical combination means of the alarm apparatus through a photocoupler that can electrically insulate between input and output to prevent interference between the manufacturing equipment and the alarm apparatus. It is composed.

본 발명의 경보장치가 적용되는 상기 반도체 제조설비는, 기본적으로 특정 공정이 수행될 웨이퍼를 수용한 카세트를 투입하는 투입챔버와 상기 특정 공정이 진행되는 공정챔버 및 상기 투입챔버와 공정챔버 사이를 연결하며, 상기 카세트가 이송되어 대기하는 로드락챔버를 포함한다.In the semiconductor manufacturing apparatus to which the alarm device of the present invention is applied, an input chamber for injecting a cassette containing a wafer on which a specific process is to be basically performed, a process chamber in which the specific process is performed, and a connection between the input chamber and the process chamber And a load lock chamber in which the cassette is transferred and waiting.

이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명은 작업자가 반도체 제조설비의 상태를 오퍼레이션 패널로부터 원거리에서도 육안으로 쉽게 식별할 수 있도록 램프 타워를 설치하고, 램프 타워의 각 램프의 점등이 상기 제조설비의 각 상태별로 다르게 표시되도록 논리회로를 구성하는 것이다.The present invention is to install a lamp tower so that the operator can easily identify the state of the semiconductor manufacturing equipment with the naked eye from the operation panel, and the logic circuit so that the lighting of each lamp of the lamp tower is displayed differently for each state of the manufacturing equipment. To construct.

따라서, 본 발명은 반도체소자의 제조공정에 포함되는 다양한 공정들, 예를 들어, 산화공정, 증착공정, 사진공정, 식각공정, 이온주입공정 및 확산공정등의 웨이퍼 처리공정에 적용될 수 있을 뿐만 아니라, 나아가 웨이퍼 처리공정 전의 단결정 웨이퍼 제조공정 및 웨이퍼 처리공정(fabrication)을 수행한 후의 웨이퍼에 대한 검사, 절단, 본딩등 조립공정등에 전반적으로 적용할 수 있다.Therefore, the present invention can be applied to a wafer processing process such as various processes included in the manufacturing process of a semiconductor device, for example, an oxidation process, a deposition process, a photo process, an etching process, an ion implantation process, and a diffusion process. Furthermore, the present invention can be generally applied to an assembly process such as inspection, cutting, and bonding of the wafer after the single crystal wafer manufacturing process and the wafer fabrication process (fabrication) before the wafer processing process.

본 발명의 경보장치의 실시예는 반도체 제조설비중 이온주입설비에 대하여 적용한 경우를 나타내며, 베리안(Varian)사의 이온주입장치(모델명: VARIAN 350D/300XP를 사용하였다. 이온주입장치는 기본적으로 반도체 웨이퍼상에 특정 전하를 갖는 불순물이온을 주입하여 불순물 주입부분의 전기적특성을 변화시키는 장치로서, 이온소오스로부터 발생된 불순물이온을 추출하고 이를 질량분석기를 통과시킴으로써 원하는 질량을 갖는 특정 불순물이온만을 선택하여 가속시킨 후, 이온주입공정이 수행되는 공정챔버내에 위치한 엔드스테이션상의 웨이퍼상에 가속주입하는 것이다. 이때 상기 공정챔버는 특정의 진공상태로 유지되며, 상기 공정챔버로의 공정수행할 웨이퍼의 로딩 및 언로딩을 효과적으로 수행하기 위하여 웨이퍼를 대기시키는 로드락챔버를 연결시킨다.The embodiment of the alarm device of the present invention shows a case where the ion implantation device is used in a semiconductor manufacturing facility, and Varian's ion implantation device (model name: VARIAN 350D / 300XP) was used. A device that injects impurity ions having a specific charge into the phase to change the electrical characteristics of the impurity implanted portion, and extracts the impurity ions generated from the ion source and passes them through a mass spectrometer to accelerate the selection by selecting only specific impurity ions having a desired mass. After that, it is accelerated injection onto the wafer on the end station located in the process chamber in which the ion implantation process is performed, wherein the process chamber is maintained in a specific vacuum state, and the loading and unloading of the wafer to be processed into the process chamber is performed. Effective loading To thereby connect the load lock chamber to the atmosphere of the wafer.

도1은 본 발명의 일 실시예를 적용한 이온주입설비의 각 챔버를 나타내는 개략도이다.1 is a schematic view showing each chamber of an ion implantation apparatus to which an embodiment of the present invention is applied.

도1을 참조하면, 이온주입공정이 수행될 웨이퍼가 위치할 수 있는 공정챔버(8)에는 로드락챔버(6)가 연결되어 있으며, 상기 로드락챔버(6)에는 웨이퍼가 수용된 카세트가 작업자에 의해 출입문(2)을 통하여 투입되는 투입챔버(4)가 연결되어 있다. 상기 투입챔버(4)와 로드락챔버(6) 사이 및 상기 로드락챔버(6)와 공정챔버(8) 사이에는 게이트가 형성되어 있으며, 상기 각 챔버에는 웨이퍼의 이송을 원활히 수행하기 위하여 각기 진공라인(도시안됨)이 설치되어 있다.Referring to FIG. 1, a load lock chamber 6 is connected to a process chamber 8 in which a wafer on which an ion implantation process is to be performed is located, and a cassette containing a wafer is provided to an operator in the load lock chamber 6. The input chamber 4 which is input through the door 2 by this is connected. Gates are formed between the input chamber 4 and the load lock chamber 6, and between the load lock chamber 6 and the process chamber 8, and the respective chambers are vacuumed to smoothly transfer wafers. Line (not shown) is installed.

도1을 참조하여 이온주입공정 전후의 웨이퍼의 이송단계를 기준으로 구분되는 설비의 상태를 나타내면 다음과 같다.Referring to Figure 1 shows the state of the facility divided on the basis of the transfer step of the wafer before and after the ion implantation process as follows.

1) 제 1 상태(카세트 없음) : 투입챔버(4)내에 공정수행될 웨이퍼가 수용된 카세트가 투입되지 않은 상태를 나타낸다.1) First state (no cassette): A state in which the cassette in which the wafer to be processed is held is not inserted in the input chamber 4.

2) 제 2 상태(카세트 로드) : 투입챔버(4)내에 상기 카세트가 투입되어 존재하는 상태를 나타낸다.2) Second State (Cassette Rod): Shows a state where the cassette is inserted into the input chamber 4 and is present.

3) 제 3 상태(로딩) : 투입챔버(4)내에 존재하는 카세트가 이송수단에 의하여 로드락챔버(6)로 이송되고, 계속하여 카세트에 수용된 웨이퍼가 공정챔버(8)로 로딩되어 이온주입 직전까지 계속되는 상태를 나타낸다.3) 3rd state (loading): The cassette which exists in the input chamber 4 is transferred to the load lock chamber 6 by a conveying means, Then, the wafer accommodated in the cassette is loaded into the process chamber 8, and ion implantation is carried out. It shows the state which continues until just before.

4) 제 4 상태(이온주입) : 공정챔버(8)내에서 웨이퍼에 대한 이온주입공정이 진행되는 상태를 나타낸다.4) 4th state (ion implantation): It shows the state in which the ion implantation process with respect to a wafer progresses in the process chamber 8. As shown in FIG.

5) 제 5 상태(이온주입 에러) : 이온주입공정 수행중 이온주입 에러가 발생된 상태를 나타낸다.5) Fifth state (ion implantation error): Indicates a state where an ion implantation error occurs during the ion implantation process.

6) 제 6 상태(이온주입 대기) : 하나의 웨이퍼에 대하여 이온주입공정이 완료된 후 다음 웨이퍼에 대한 이온주입공정이 수행되기 직전까지의 상태를 나타낸다.6) 6th state (Ion implantation waiting): It shows the state from the completion of an ion implantation process with respect to one wafer, to just before the ion implantation process with respect to the next wafer.

상기 제 1 내지 제 6 상태외에도 상기 제 3 상태와 반대되는 과정으로써, 마지막 웨이퍼에 대한 이온주입공정이 완료된 후부터 웨이퍼들이 로드락챔버(6)내에 위치하고 있는 카세트로 언로딩된 후, 상기 카세트가 투입챔버(4)내로 이송되기까지의 상태를 제 7 상태(언로딩)로 구분하여 나타낼 수도 있다.In addition to the first to sixth states, the process is opposite to the third state. After the ion implantation process for the last wafer is completed, the wafers are unloaded into the cassette located in the load lock chamber 6, and then the cassette is inserted. The state until transfer into the chamber 4 may be divided into seventh states (unloading).

여기서, 상기 제 7 상태(언로딩)는 상기 제 3 상태(로딩)와 반대과정의 상태를 나타내는 것으로써, 제 7 상태를 별도의 설비상태로 구분하지 않고 제 3 상태에 포함시킬 수 있다. 또한 상기 제 3 상태 및 제 7 상태를 상기 제 6 상태와 함께 모두 이온주입이 수행되지 않는(이온주입 에러를 나타내는 제 5 상태는 제외한다) 이온주입 대기상태, 즉 제 6 상태와 동일한 상태로 포함하여 구분할 수도 있다.Here, the seventh state (unloading) represents a state opposite to the third state (loading), and the seventh state may be included in the third state without being classified as a separate facility state. In addition, the third state and the seventh state are included together with the sixth state in an ion implantation standby state, that is, in the same state as the sixth state in which ion implantation is not performed (excluding the fifth state indicating an ion implantation error). You can also distinguish.

이는 작업자가 상기 투입챔버(4)에 카세트를 투입시킨 후, 이온주입공정을 수행하기 위해 오퍼레이션 패널에서 스타트버튼을 누르면, 상기 제 3 상태(로딩)로부터 연속하여 이온주입공정이 수행되기 때문에, 작업자가 오퍼레이션 패널로부터 원거리에 위치하더라도 작업자는 이후의 이온주입설비의 공정 및 설비상태중 크게 이온주입이 이루어지지 않는 이온주입 대기상태, 이온주입공정이 진행되는 이온주입상태 및 이온주입공정중 에러가 발생한 경우의 이온주입 에러상태만을 식별할 수 있으면 족하기 때문이다.This is because the operator inserts the cassette into the charging chamber 4 and then presses the start button on the operation panel to perform the ion implantation process, so that the ion implantation process is performed continuously from the third state (loading), Even if is located far from the operation panel, the operator is in the ion implantation standby state where ion implantation does not occur greatly during the process and facility conditions of the ion implantation facility, the ion implantation state during the ion implantation process, and an error occurs during the ion implantation process. This is because only the ion implantation error state can be identified.

이상에서 설명한 설비상태의 구분은 이온주입설비에 대한 하나의 실시예에 불과하며, 동일한 이온주입설비에 대하여도 더 많은 또는 더 작은 수의 설비상태로 구분할 수 있음은 당연한 일이며, 나아가 이온주입설비 이외의 다른 반도체 제조설비에 대하여는 그 제조설비와 그 제조설비에서 수행되는 제조공정의 특성에 따라 다양한 공정상태 및 설비상태로 구분할 수 있음은 물론이다.The classification of the equipment state described above is only one embodiment for the ion implantation equipment, and it is natural that the same ion implantation equipment can be divided into more or smaller equipment states. Other semiconductor manufacturing facilities other than the above can be classified into various process states and equipment states according to the manufacturing equipment and the characteristics of the manufacturing process performed in the manufacturing equipment.

본 발명의 실시예를 적용한 이온주입장치에서는 상기 각 설비상태, 예를 들어 제 1 내지 제 6 상태를 나타내기 위하여 4개의 입력신호를 설정하였다. 즉, 본 발명의 실시예에서는 상기 4개의 입력신호를 조합하여 6가지의 설비상태를 상기 램프 타워에 설치된 서로 다른 색으로 발광하는 3개의 램프로 구분되도록 표시하였다. 그러나 본 발명의 사상은 상기 실시예에 국한되지 않으며, 입력신호의 수, 설비상태의 수 및 램프의 수 등은 임의로 설정할 수 있다.In the ion implantation apparatus to which the embodiment of the present invention is applied, four input signals are set to indicate the respective equipment states, for example, the first to sixth states. That is, in the embodiment of the present invention by combining the four input signals, the six installation conditions are displayed to be divided into three lamps emitting light of different colors installed in the lamp tower. However, the spirit of the present invention is not limited to the above embodiment, and the number of input signals, the number of facility states, the number of lamps, and the like can be arbitrarily set.

상기 제 1 내지 제 6 상태에 대한 4개의 입력신호의 파형도와 진리표를 도3에 표시하였다. 도3을 참조하면, 상기 입력신호중 시작신호(A)는 이온주입설비에서 이온주입공정을 위해 카세트를 로딩할 때나 이온주입중에 발생하는 신호로써, 상기 제 3 상태, 제 4 상태 및 제 6 상태시 발생(도3의 파형도에서 로우 레벨)한다. 다음으로 준비신호(B)는 설비에서 언제나 작업을 할 수 있는 경우 발생하는 신호로써, 상기 제 2 상태, 제 3 상태, 제 4 상태, 제 5 상태 및 제 6 상태시 발생한다. 다음으로 재구동신호(C)는 설비가 작업을 완료한 후 다음 작업이 진행될 수 있음을 나타내는 신호로써 상기 제 1 상태 및 제 4 상태시 발생한다. 다음으로 대기신호(D)는 설비가 작업도중 에러가 발생하여 재시작을 요구할 때 발생되는 신호로써, 상기 제 1 상태, 제 2 상태 및 제 5 상태시 발생한다.The waveform and truth table of the four input signals for the first to sixth states are shown in FIG. Referring to FIG. 3, the start signal A of the input signals is a signal generated when the cassette is loaded for the ion implantation process in the ion implantation facility or during ion implantation, and in the third state, the fourth state, and the sixth state. Generation (low level in the waveform diagram of FIG. 3). Next, the preparation signal B is a signal generated when the work can be performed at any time in the facility, and occurs in the second state, the third state, the fourth state, the fifth state, and the sixth state. Next, the re-drive signal C is a signal indicating that the next work can proceed after the facility completes the work and is generated in the first state and the fourth state. Next, the wait signal D is a signal generated when an error occurs during the operation of the facility and requires restart, and occurs in the first state, the second state, and the fifth state.

도3에서 진리표는 각 입력신호의 파형도에서 하이 레벨은 "1"로, 로우 레벨은 "0"으로 표시되어 있음을 알 수 있다.3, the truth table shows that the high level is "1" and the low level is "0" in the waveform diagram of each input signal.

도2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조설비의 경보장치를 나타내는 개략도로써, 크게 입력부, 논리조합부(10), 구동부(12, 14, 16) 및 램프타워(24)로 구성된다.2 is a schematic diagram showing an alarm device for semiconductor manufacturing equipment according to an embodiment of the present invention, and is largely composed of an input unit, a logic combination unit 10, drivers 12, 14, and 16 and a lamp tower 24. As shown in FIG.

입력부는 상기 도3의 4개의 입력신호(A∼D)가 입력되는 부분으로써, 본 발명의 실시예를 적용한 이온주입설비의 오퍼레이션 패널에 모니터링되는 전기적신호를 그대로 입력받을 수도 있으나, 바람직하게는 보조장치인 본 발명의 경보장치로부터의 간섭신호가 역류되어 주요장치인 이온주입설비의 신호장애에 따른 오동작을 초래하는 것을 방지하기 위하여 포토커플러(Photocoupler, 도시안됨)를 입력부에 설치하여 전기적 절연을 꾀할 수도 있다. 상기 포토커플러는 전기적신호를 발광다이오드에 의해 광신호로 변환하여 송신하고, 수신한 광신호는 포토트랜지스터에 의해 전기적신호로 복원한다.The input unit is a portion in which the four input signals A to D of FIG. 3 are input, but may receive the electric signals monitored on the operation panel of the ion implantation facility according to the embodiment of the present invention as it is, but preferably auxiliary. In order to prevent the interference signal from the alarm device of the present invention, which is a device, to be reversed and cause a malfunction due to a signal failure of the ion implantation device, which is a main device, a photocoupler (not shown) is installed at the input to provide electrical insulation. It may be. The photocoupler converts an electrical signal into an optical signal by a light emitting diode and transmits the optical signal, and restores the received optical signal to an electrical signal by a phototransistor.

논리조합부(10)는 상기 입력부를 통하여 입력된 각 설비상태에 대한 입력신호를 조합하여 현재의 공정 및 설비상태에 대하여 판단을 수행하도록 구성되어 있다. 상기 논리조합부(10)내에는 조합기(34)가 구성되어 있으며, 상기 조합기(34)에는 상기 입력부로부터 각 설비상태에 따른 입력신호(A-D)가 각기 비반전상태(A1, B1, C1, D1) 또는 인버터(26, 28, 30, 32)를 거쳐 반전상태(A2, B2, C2, D2)로 각각 입력되도록 구성되어 있으며, 도3에서의 출력신호와 같은 결과를 얻기 위한 논리조합동작을 수행하도록 구성되어 있다. 즉, 상기 각 설비상태에 대한 입력신호(A,B,C,D)가 각기 비반전 또는 반전상태로 입력된 후 상기 조합기(34)에서 논리조합된 후 3가지의 구분되는 형태로 출력단(Q1, Q2, Q3)을 통하여 출력하게 된다.The logic combination unit 10 is configured to combine the input signals for the respective equipment states input through the input unit to perform determination on the current process and equipment status. The combiner 34 is configured in the logical combiner 10. The combiner 34 has non-inverted states A1, B1, C1, and D1 of the input signal AD corresponding to each equipment state from the input unit. Or inverted state (A2, B2, C2, D2) through the inverters 26, 28, 30, 32, respectively, and performs a logical combination operation to obtain the same result as the output signal in FIG. It is configured to. That is, the input signals A, B, C, and D for each of the equipment states are respectively input in a non-inverting or inverting state, and then logically combined in the combiner 34, and then output stages Q1 in three distinct forms. , Q2, Q3).

상기 조합기(34)로부터 논리조합된 각 출력신호는 각 출력단(Q1, Q2, Q3)과 각기 일대일로 대응하는 3개의 구동부(12, 14, 16)로 출력되며, 각 구동부(12, 14, 16)는 램프타워(24)에 역시 상기 각 구동부와 일대일로 대응하여 설치된 3개의 램프(18, 20, 22)를 각기 구동시키기 위한 구동신호를 출력하게 된다.Each output signal logically combined from the combiner 34 is output to three driving units 12, 14, and 16 corresponding to each output terminal Q1, Q2, and Q3 in one-to-one correspondence, and each of the driving units 12, 14, and 16. ) Outputs driving signals to the lamp tower 24 to drive the three lamps 18, 20, and 22 that are installed in one-to-one correspondence with the driving units.

보다 구체적으로, 상기 제조설비의 특정 설비상태에 대하여 조합기(34)에 입력된 입력신호를 논리판단한 결과가, 제 1 출력단(Q1)을 통하여 제 1 구동부(12)를 거친 후 상기 램프타워(24)내의 예를 들면, 노랑색 발광하는 제 1 램프(18)를 구동하는 구동신호를 출력하게 되며, 제 2 출력단(Q2)을 통하여 제 2 구동부(14)를 거친 후 녹색 발광하는 제 2 램프(20)를 구동하는 구동신호를 출력하게 되며, 제 3 출력단(Q3)을 통하여 제 3 구동부(16)를 거친 후 적색 발광하는 제 3 램프(22)를 구동하는 구동신호를 출력하게 된다.More specifically, the result of logically determining the input signal input to the combiner 34 with respect to the specific equipment state of the manufacturing facility, after passing through the first drive unit 12 through the first output terminal Q1, the lamp tower 24 For example, the driving signal for driving the first lamp 18 emitting yellow light is output, and the second lamp 20 emitting green light after passing through the second driving unit 14 through the second output terminal Q2. ) And a driving signal for driving the third lamp 22 emitting red light after passing through the third driving unit 16 through the third output terminal Q3.

이때, 램프타워(24)의 각 램프(18,20,22)는 상기 각 구동부(12, 14, 16)의 구동신호에 따라 점등 및 소등 동작을 수행한다. 즉, 조합기(34)는 상기 각 램프(18, 20, 22)를 점등하기 위하여, 로우 레벨신호가 각 해당하는 출력단(Q1, Q2, Q3)으로부터 해당하는 각 구동부(12, 14, 16)로 인가되고, 각 구동부(12, 14, 16)는 각 해당하는 램프(18, 20, 22)로 하이 레벨의 구동신호를 출력하여 각 램프(18, 20, 22)를 점등시킨다. 반대로, 조합기(34)는 상기 각 램프(18, 20, 22)를 소등하기 위하여, 하이 레벨신호가 각 해당하는 출력단(Q1, Q2, Q3)으로부터 해당하는 각 구동부(12, 14, 16)로 인가되고, 각 구동부(12, 14, 16)는 각 해당하는 램프(18, 20, 22)로 로우 레벨의 구동신호를 출력하여 각 램프(18, 20, 22)를 소등시킨다.At this time, each lamp 18, 20, 22 of the lamp tower 24 is turned on and off in accordance with the drive signal of each of the driving units (12, 14, 16). That is, the combiner 34 switches the low level signal from the corresponding output stages Q1, Q2, and Q3 to the corresponding driving units 12, 14, and 16 in order to light up the respective lamps 18, 20, and 22. Each of the driving units 12, 14, and 16 outputs a high level drive signal to the corresponding lamps 18, 20, and 22 to light each of the lamps 18, 20, 22. On the contrary, the combiner 34 switches the high level signal from the corresponding output stages Q1, Q2, and Q3 to the corresponding driving units 12, 14, and 16 in order to extinguish the lamps 18, 20, and 22. Each of the driving units 12, 14, and 16 outputs a low level driving signal to the corresponding lamps 18, 20, and 22 to turn off the lamps 18, 20, and 22, respectively.

예를 들어, 이온주입상태를 나타내는 제 4 상태에 대하여 설명하면, 설비상태가 제 4 상태로 되어 도3에 표시된 바와 같이 노랑색 발광하는 제 1 램프(18)가 온(ON)되고, 녹색 발광하는 제 2 램프(20)가 온(ON)되며, 적색 발광하는 제 3 램프(22)가 오프(OFF)되기 위해서, 상기 조합기(34)에 입력신호 "A" 에는 "0", "B"에는 "0", "C"에는 "0" 및 "D"에는 "1"의 신호가 입력된다. 이어서, 상기 조합기(34)에서의 논리조합 결과, 각 램프에 대응하는 제 1 출력단(Q1) 및 제 2 출력단(Q2)이 로우 레벨상태로, 제 3 출력단(Q3)는 하이 레벨상태 결정되며, 상기 제 1 구동부(12) 및 제 2 구동부(14)에 각기 로우 레벨신호가, 제 3 구동부(16)에는 하이 레벨신호가 각기 인가되도록 한다. 로우 레벨신호를 입력받은 상기 제 1 구동부(12) 및 제 2 구동부(14)는 각기 제 1 램프(18) 및 제 2 램프(20)로 하이 레벨의 구동신호를 출력하여 제 1 램프(18) 및 제 2 램프(20)를 각기 점등시키며(ON), 하이 레벨신호를 입력받은 상기 제 3 구동부(16)는 로우 레벨의 구동신호를 출력하여 제 3 램프(22)를 소등시킨다(OFF).For example, a fourth state representing the ion implantation state will be described. As shown in Fig. 3, the first lamp 18, which emits yellow light as shown in Fig. 3, is turned on and green light is emitted. In order for the second lamp 20 to be turned on and the third lamp 22 emitting red light to be turned off, the combiner 34 has an input signal "A" for "0" and "B" for the input. The signals "0" and "1" are input to "0" and "C". Subsequently, as a result of the logic combination in the combiner 34, the first output terminal Q1 and the second output terminal Q2 corresponding to each lamp are in a low level state, and the third output terminal Q3 is determined in a high level state. The low level signal is applied to the first driver 12 and the second driver 14, and the high level signal is applied to the third driver 16, respectively. The first driver 12 and the second driver 14 receiving the low level signal output a high level driving signal to the first lamp 18 and the second lamp 20, respectively, and thus the first lamp 18. And the second lamp 20 is turned on (ON), and the third driver 16 receiving the high level signal outputs a low level driving signal to turn off the third lamp 22 (OFF).

한편, 전술한 제 4 상태가 아닌, 제 1 상태, 제 2 상태, 제 3 상태, 제 5 상태 및 제 6 상태에 대하여도 도3에 표시된 바와 같이 각기 상태에 해당하는 입력신호(A 내지 D)가 입력된 후 전술한 과정을 통하여 각 해당하는 램프를 점등 또는 소등시키게 된다.On the other hand, for the first state, the second state, the third state, the fifth state, and the sixth state other than the above-described fourth state, as shown in FIG. After the input is to turn on or off the respective lamps through the above-described process.

한편, 상기 램프타워(24) 내의 특정 램프를 점멸동작시키기 위하여, 예를 들어, 상기 조합기(34)의 제 3 출력단(Q3)에는 소정의 주파수를 갖는 펄스신호(BLK)를 제 3 출력단(Q3)의 출력신호와 조합하기 위한 오아 게이트(36)를 구성하여, 상기 제 3 램프(22)를 점멸동작시키기 위한 블랭킹신호를 제 3 구동부(16)에 인가시킬 수도 있다. 물론 전체 램프에 대하여도 동일한 원리에 의해 점등이 아닌 점멸동작을 수행하도록 구성시킬 수 있음은 당연한 것이다.On the other hand, in order to flash a specific lamp in the lamp tower 24, for example, the third output terminal Q3 of the third output terminal Q3 of the combiner 34 is provided with a pulse signal BLK having a predetermined frequency. The OR gate 36 may be configured to combine with the output signal of the NELTA gate, and a blanking signal for blinking the third lamp 22 may be applied to the third driver 16. Of course, the entire principle of the lamp can be configured to perform a flashing operation instead of lighting by the same principle.

한편, 도3의 출력신호에서 나타난 각 램프의 점등 또는 소등상태의 선택과 각 램프의 색깔의 선택은 설계자의 의도하에 임의로 결정될 수 있다. 본 실시예에서는 이온주입설비에서 수행되는 공정의 성질상, 통상 작업자가 오퍼레이션 패널에서 제 1 및 제 2 상태를 확인한 후 이온주입설비의 스타트버튼을 눌러 이온주입작업을 시작하게 되며, 스타트버튼의 동작과 함께 설비상태는 제 3 상태로 이행되며, 이 후에는 작업자는 카세트에 수용된 전체 웨이퍼, 예를 들어 25매에 대하여 이온주입공정이 수행되는 동안에 설비의 현장점검등을 위하여 오퍼레이션 패널로부터 원거리에 위치하게 되는 경우가 발생한다.On the other hand, the selection of the lighting or unlit state and the color of each lamp shown in the output signal of Figure 3 may be arbitrarily determined by the designer. In the present embodiment, due to the nature of the process performed in the ion implantation equipment, the operator usually checks the first and second state on the operation panel and then press the start button of the ion implantation equipment to start the ion implantation operation, the operation of the start button With this, the equipment state is transferred to the third state, after which the operator is remotely located from the operation panel for field inspection of the equipment during the ion implantation process for all the wafers, for example, 25 sheets contained in the cassette. It happens.

따라서 본 발명의 실시예에서는 주로 제 3 상태이후 원거리에서도 작업자가 이온주입설비의 공정 및 설비상태를 육안으로 쉽게 식별하는 것으로써 족하기 때문에, 램프타워에서 도3에서처럼 제 1 상태 및 제 2 상태에 대한 표시없이 단순화하여 제 3 상태, 제 4 상태, 제 5 상태 및 제 6 상태만을 상기 3개의 서로 다른 색으로 발광하는 램프로 구분되게 표시할 수도 있다. 본 실시예에서는, 전술한 바와 같이 이온주입공정의 제 3 상태 내지 제 6 상태의 과정에서, 상기 제 3 상태와 제 6 상태를, 이온주입상태(제 4 상태)와 이온주입에러상태(제 5 상태)와만 구분되어도 경보기능을 충분히 수행할 수 있다고 생각되기 때문에 램프타워에서 동일한 색의 램프가 발광되도록 구성하였다.Therefore, in the embodiment of the present invention mainly because the operator can easily identify the process and equipment state of the ion implantation equipment even at a long distance after the third state, the lamp tower in the first state and the second state as shown in FIG. It may be simplified to display the third state, the fourth state, the fifth state, and the sixth state separately by lamps emitting light in the three different colors. In this embodiment, as described above, in the third to sixth states of the ion implantation process, the third and sixth states are defined as the ion implantation state (fourth state) and the ion implantation error state (fifth). Since it is considered that the alarm function can be sufficiently performed even if it is only a state), the lamp of the same color is configured to emit light in the lamp tower.

한편, 본 실시예에서 실질적으로 이온주입공정이 수행되기 전인 제 1 및 제 2 상태는 녹색 램프(20)가 소등되며, 이온주입공정이 시작된 제 3 상태에서 제 6 상태에 이르기까지는 녹색 램프(20)가 계속 점등되도록 하였으며, 녹색 램프(20)가 점등된 상태에서 웨이퍼상에 실질적인 이온주입공정이 수행되는 경우에는 노랑색 램프(20)가 추가로 점등되도록 하였으며, 이온주입 에러가 발생하면 노랑색 램프(20)는 소등되고, 통상적으로 비상상태를 알리는 적색 램프(22)가 점등되도록 구성하였다.Meanwhile, in the present embodiment, the green lamp 20 is turned off in the first and second states substantially before the ion implantation process is performed, and the green lamp 20 is changed from the third state to the sixth state in which the ion implantation process is started. ) And the yellow lamp 20 is further turned on when a substantial ion implantation process is performed on the wafer while the green lamp 20 is lit. When the ion implantation error occurs, the yellow lamp ( 20) is turned off, it is configured so that the red lamp 22 that normally informs the emergency state is turned on.

특히, 본 실시예에서는 이온주입 에러상태(제 5 상태)시 작업자의 신속한 조치가 매우 중요하기 때문에 전술한 바와 같이 적색 램프(22)는 점멸동작을 수행할 수 있도록 구성하였다.In particular, in this embodiment, since the operator's quick action is very important in the ion implantation error state (the fifth state), as described above, the red lamp 22 is configured to perform the flashing operation.

이상의 실시예에 대하여 설명한 바와 같이, 본 실시예에서는 반도체 제조공정중 이온주입설비에 있어서, 공정수행을 위한 웨이퍼의 로딩 및 언로딩에 관하여 공정 및 설비상태를 제 1 내지 제 6 상태로 구분하고, 각 설비상태에 대하여 4개의 입력신호(A, B, C, D)를 통하여 3개의 구별되는 램프(18, 20, 22)만으로 식별되도록 구성하였다.As described above, in the present embodiment, in the ion implantation equipment during the semiconductor manufacturing process, process and equipment conditions are divided into first to sixth states with respect to loading and unloading of wafers for process performance. It is configured to identify only three distinct lamps 18, 20, 22 through four input signals A, B, C, and D for each equipment state.

그러나나, 본 발명의 사상은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 사상이 미치는 범위내에서 반도체 제조공정을 수행하기 위한 다양한 제조설비에 적용할 수 있으며, 각 제조설비의 특성에 맞게 경보기능을 충족시킬 수 있는 범위내에서 적절한 수의 공정 및 설비상태를 설정할 수 있으며, 입력신호의 수 및 파형과 그에 대응하는 램프의 수 및 색깔도 다양하게 선택할 수 있다.However, the spirit of the present invention is not limited to the above embodiments, and can be applied to various manufacturing facilities for performing a semiconductor manufacturing process within the scope of the spirit of the present invention, and has an alarm function according to the characteristics of each manufacturing facility. It is possible to set the appropriate number of process and equipment conditions within the range that can meet the requirements, and the number and color of the input signal and the corresponding lamp number and color can be variously selected.

따라서, 본 발명에 의하면 작업자가 제조설비의 오퍼레이션 패털로부터 원거리에 위치하더라도 현장에서 육안으로 각 설비들의 상태를 판단하여 긴급한 경우에도 신속하게 조처가 이루어질 수 있어서, 설비의 가동율을 극대화하고 공정의 안전성이 도모되며 그에 따라서 수율이 상승되는 효과가 있다.Therefore, according to the present invention, even if an operator is located far from the operation pattern of the manufacturing equipment, the status of each equipment can be determined visually in the field to be promptly taken in case of emergency, thereby maximizing the operation rate of the equipment and improving the safety of the process. It is planned to increase the yield accordingly.

이상에서 본 발명은 상기의 상세한 설명과 첨부한 도면에 의해 몇가지의 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만, 이는 본 발명의 범위를 한정하려는 의도로 해석되어서는 아니되고, 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.In the above, the present invention has been described in detail with reference to the above detailed description and accompanying drawings, but it should not be construed as limiting the scope of the present invention, but variously defined within the technical scope of the present invention. Modifications and variations are apparent to those skilled in the art, and such variations and modifications are within the scope of the appended claims.

Claims (15)

특정 반도체 제조설비의 각 상태에 대한 최소한 하나 이상의 입력신호를 입력받아서 논리조합하는 논리조합수단;Logic combining means for receiving and logically combining at least one input signal for each state of a specific semiconductor manufacturing facility; 상기 논리조합된 결과를 입력받아서 램프를 구동하기 위한 최소한 하나 이상의 구동신호를 출력하는 구동수단; 및Driving means for receiving at least one result of the logical combination and outputting at least one driving signal for driving a lamp; And 상기 출력되는 각 구동신호에 일대일 대응되는 수의 램프를 구비하고, 상기 램프가 상기 각 구동신호에 의하여 제조설비의 각 상태별로 구분되도록 표시되는 램프 타워;A lamp tower having a number of lamps corresponding to the driving signals output one-to-one, and displayed such that the lamps are classified according to each state of a manufacturing facility by the driving signals; 를 구비함을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 경보장치.Alarm device for semiconductor manufacturing equipment characterized in that it comprises a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 논리조합수단의 출력신호의 수와 상기 구동수단의 구동부는 상기 램프 타워에 설치되는 램프의 수와 일대일 대응되는 수를 가짐을 특징으로 하는 상기 반도체 제조설비의 경보장치.And the number of output signals of the logical combination means and the driving unit of the driving means has a number corresponding one-to-one to the number of lamps installed in the lamp tower. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 램프 타워에는 서로 다른 색을 발광하는 램프가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 제조설비의 경보장치.And the lamp tower is provided with lamps emitting different colors. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반도체 제조설비의 각 상태에 대한 입력신호는 포토커플러(photocoupler)를 통하여 상기 논리조합수단에 입력되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 경보장치.And an input signal for each state of the semiconductor manufacturing equipment is input to the logic combining means through a photocoupler. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 제조설비는,The method of claim 1, wherein the semiconductor manufacturing equipment, 특정 공정이 수행될 웨이퍼를 수용한 카세트를 투입하는 투입챔버;An input chamber for inputting a cassette containing a wafer on which a specific process is to be performed; 상기 특정 공정이 진행되는 공정챔버; 및A process chamber in which the specific process is performed; And 상기 투입챔버와 공정챔버 사이를 연결하며, 상기 카세트가 이송되어 대기하는 로드락챔버;A load lock chamber connecting between the input chamber and the process chamber, wherein the cassette is transferred and waiting; 를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 제조설비의 경보장치.The alarm device of the semiconductor manufacturing equipment, characterized in that comprising a. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 반도체 제조설비는, 이온주입공정이 수행되는 이온주입설비임을 특징으로 하는 상기 반도체 제조설비의 경보장치.The semiconductor manufacturing equipment is an alarm device for the semiconductor manufacturing equipment, characterized in that the ion implantation process is performed. 제 6 항에 있어서, 상기 논리조합 수단에 입력되는 제조설비의 각 상태는,The state of each manufacturing facility input to the logical combination means is 상기 투입챔버내에 카세트가 없음을 나타내는 제 1 상태;A first state indicating that there is no cassette in the input chamber; 상기 투입챔버내에 카세트가 투입되어 존재함을 나타내는 제 2 상태;A second state indicating that a cassette is inserted and present in the input chamber; 상기 투입챔버로부터 상기 카세트가 상기 로드락챔버로 이송되고, 상기 이송된 카세트내의 웨이퍼가 상기 공정챔버의 공정수행위치에 로딩되어 이온주입 직전까지의 상태를 나타내는 제 3 상태;A third state in which the cassette is transferred from the input chamber to the load lock chamber, and the wafer in the transferred cassette is loaded at a process performing position of the process chamber and immediately before ion implantation; 상기 공정수행위치에 로딩된 웨이퍼상에 이온주입공정이 수행되는 제 4 상태;A fourth state in which an ion implantation process is performed on the wafer loaded at the process execution position; 상기 웨이퍼에 대한 이온주입공정의 에러발생시 에러상태를 나타내는 제 5 상태; 및A fifth state representing an error state when an error occurs in an ion implantation process for the wafer; And 상기 이온주입공정이 완료된 웨이퍼가 상기 로드락챔버의 카세트로 언로딩된 후, 상기 카세트내의 다음 웨이퍼가 공정챔버로 로딩되어 이온주입 직전까지 대기하는 상태를 나타내는 제 6 상태;A sixth state in which the wafer after the ion implantation process is completed is unloaded into the cassette of the load lock chamber, and the next wafer in the cassette is loaded into the process chamber to wait until immediately before ion implantation; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 제조설비의 경보장치.Alarm device of the semiconductor manufacturing equipment comprising a. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 카세트의 마지막 웨이퍼에 대한 이온주입공정이 완료된 후부터 상기 웨이퍼가 상기 로드락챔버에 대기하는 카세트로 이송된 후, 상기 카세트가 상기 투입챔버로 이송되기까지의 상태를 나타내는 제 7 상태를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 제조설비의 경보장치.And a seventh state indicating a state after the ion implantation process for the last wafer of the cassette is completed, after the wafer is transferred to the cassette waiting in the load lock chamber, and until the cassette is transferred to the charging chamber. Alarm device for the semiconductor manufacturing equipment, characterized in that. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 제 3 상태, 제 6 상태 및 제 7 상태에 대한 입력신호는 동일하며, 그에 대응하는 상기 램프 타워의 램프가 동일하게 표시되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 제조설비의 경보장치.And the input signals for the third state, the sixth state, and the seventh state are the same, and lamps of the lamp tower corresponding thereto are displayed identically. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 각 상태에 대하여 각기 4개의 입력신호가 입력되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 제조설비의 경보장치.And four input signals are input for each of the states. 제 10 항에 있어서, 상기 4개의 입력신호는,The method of claim 10, wherein the four input signals, 상기 제 3 상태, 제 4 상태 및 제 6 상태시 발생하는 시작신호(A);A start signal (A) generated during the third, fourth and sixth states; 상기 제 2 상태, 제 3 상태, 제 4 상태, 제 5 상태 및 제 6 상태시 발생하는 준비신호(B);A preparation signal (B) generated in the second state, third state, fourth state, fifth state and sixth state; 상기 제 1 상태 및 제 4 상태시 발생하는 재구동신호(C); 및A re-drive signal C generated in the first and fourth states; And 상기 제 1 상태, 제 2 상태 및 제 5 상태시 발생하는 대기신호(D);A standby signal (D) generated during the first state, the second state and the fifth state; 로 이루어진 것을 특징으로 하는 상기 반도체 제조설비의 경보장치.Alarm device of the semiconductor manufacturing equipment, characterized in that consisting of. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 램프 타워에는 서로 다른 색을 발광하는 3개의 램프가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 제조설비의 경보장치.The lamp tower is provided with an alarm device of the semiconductor manufacturing equipment, characterized in that three lamps for emitting different colors. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 3개의 램프는 각기 적색, 녹색 및 노랑색을 띠며, 상기 제 3 상태 내지 제 6 상태시 상기 녹색의 램프가 계속 점등되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 제조설비의 경보장치.Each of the three lamps is red, green, and yellow, and the green lamp is continuously lit in the third to sixth states. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 제 5 상태가 되면, 상기 녹색의 램프가 점등하고 있는 동시에 상기 적색의 램프도 동시에 점등되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 제조설비의 경보장치.And in the fifth state, the green lamp is turned on and the red lamp is turned on at the same time. 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 상기 적색의 램프에 연결된 구동신호를 출력하는, 상기 논리조합수단의 논리조합된 결과에 대하여 소정 주파수를 갖는 펄스 신호를 조합시켜 상기 적색의 램프가 점멸되도록 블랭킹동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 제조설비의 경보장치.And the blanking operation is performed such that the red lamp is blinked by combining a pulse signal having a predetermined frequency with respect to the logically combined result of the logic combining means which outputs a drive signal connected to the red lamp. Alarm of manufacturing equipment.
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