JP2000150331A - Alarm device for semiconductor manufacturing equipment - Google Patents

Alarm device for semiconductor manufacturing equipment

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JP2000150331A
JP2000150331A JP10373342A JP37334298A JP2000150331A JP 2000150331 A JP2000150331 A JP 2000150331A JP 10373342 A JP10373342 A JP 10373342A JP 37334298 A JP37334298 A JP 37334298A JP 2000150331 A JP2000150331 A JP 2000150331A
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JP
Japan
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state
semiconductor manufacturing
alarm device
lamp
input
Prior art date
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Application number
JP10373342A
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Japanese (ja)
Inventor
Heiki Rin
炳基 林
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Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an alarm device for semiconductor manufacturing equipment for providing a lamp tower to be recognizable visually from a distant place and confirming the present conditions of the equipment by lightening of a lamp while a given step like ion implantation is carried out. SOLUTION: An alarm device includes a logic combining means 10 for receiving at least one signal for each condition of a given semiconductor manufacturing equipment and combining the logic, driving means 12, 14, and 16 for receiving an input as logical combination and driving a lamp, and lamps 18, 20, and 22 of a given number corresponding with 1:1 ratio to that of driving signals. Then a lamp tower 24, in which the lamps 18, 20, and 22 are lightened and recognizable according to each condition of the manufacturing equipment by using the driving signal, so a state of processing progress of each equipment can be easily judged visually from a distant place, and an erroneous accident can be dealt with easily.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造設備の
警報装置に関するもので、より詳しくは遠距離から容易
に視覚的に認識することができるランプタワーを設置し
てイオン注入のような所定の半導体製造工程を遂行する
設備の現在の状態を点灯で確認するように改善させた半
導体製造設備の警報装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an alarm device for a semiconductor manufacturing facility, and more particularly, to a method for installing a lamp tower which can be easily visually recognized from a long distance by installing a lamp tower. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an alarm device for a semiconductor manufacturing facility in which a current state of a facility for performing a semiconductor manufacturing process is checked by lighting.

【0002】[0002]

【従来の技術】通常、半導体素子製造設備は該当半導体
製造工程を順次的に遂行するための最小限一つ以上の工
程条件が設定されているし、前記設定された工程条件等
によって半導体基板上に所定の膜を順次的に酸化、蒸着
及びエッチング等を通じて所定の回路パターンに具現す
るか、前記半導体基板またはその上に形成される所定の
膜の中で選択された部分に不純物をイオン注入して電気
的特性を変化させるかまたはテストをするなど、いくつ
かの工程がそれぞれの該当設備別に進行される。
2. Description of the Related Art In general, a semiconductor device manufacturing facility sets at least one or more process conditions for sequentially performing a corresponding semiconductor manufacturing process. A predetermined film may be sequentially oxidized, embodied into a predetermined circuit pattern through vapor deposition and etching, or an impurity may be ion-implanted into a selected portion of the semiconductor substrate or a predetermined film formed on the semiconductor substrate. Several processes are performed for each corresponding facility, such as changing electrical characteristics or performing a test.

【0003】このような各該当製造設備で遂行される半
導体素子の製造工程において、小さな工程事故は、大き
な事故を誘発することができるので、常に工程条件また
は設備状態等がチェックされているし、このようなチェ
ックされた結果による信号はオンラインを通じてモニタ
リングシステムに転送されて設備のオパレーションパネ
ルで工程状態または設備状態をモニタリングするように
利用されている。
In a semiconductor device manufacturing process performed in each of the above-described manufacturing facilities, a small process accident can cause a large accident. Therefore, process conditions or equipment conditions are constantly checked. The signal based on the result of the check is transferred to a monitoring system online to be used for monitoring a process state or an equipment state on an operation panel of the equipment.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、前述したオン
ライン状態のモニタリングシステムを通じて製造設備で
の進行される工程状態や設備状態をオパレーションパネ
ルで全て確認することができるが、作業者がオパレーシ
ョンパネルからちょっと離れても設備状態を正確に識別
することができないという問題点がある。
However, through the on-line monitoring system described above, it is possible to confirm the progress of the process and the state of the equipment in the manufacturing equipment on the operation panel. However, there is a problem that the equipment state cannot be accurately identified even if it is slightly away from the apparatus.

【0005】特に、作業者が設備の点検等のためにオパ
レーションパネルから遠距離に位置している間に設備の
エラーが発生した場合、これを作業者が迅速に認知する
ことができないので、エラー状態が持続されて不良品が
多く発生されるか、設備の故障を招来することができ
る。
[0005] In particular, when an error occurs in the equipment while the operator is located far from the operation panel for inspection of the equipment or the like, the operator cannot quickly recognize the error. The error state is maintained, and a large number of defective products are generated, or the equipment may be broken.

【0006】これを改善するために設備のエラーが発生
した場合、警報音を発生させることもできるが、設備の
周囲の騒音によりアラーム音を容易に聞くことができな
いし、設備のエラー以外にも設備の多様な進行状態を識
別するには効果的な方法ではなかった。従って、オパレ
ーションパネルから離れた遠距離でも設備の進行状態を
肉眼で容易に識別することができる警報装置が要求され
る。
In order to solve this problem, when an error occurs in the equipment, an alarm sound can be generated. However, the alarm sound cannot be easily heard due to the noise around the equipment, and besides the error of the equipment, the alarm sound cannot be heard. It was not an effective way to identify the various stages of equipment. Accordingly, there is a need for an alarm device that can easily identify the progress state of equipment with the naked eye even at a long distance away from the operation panel.

【0007】本発明の目的は、所定の半導体工程を遂行
する特定製造設備の工程状態または設備状態をオンライ
ンでモニタリングするオパレーションパネルから遠距離
でも設備の状態を肉眼で容易に判別することができる半
導体製造設備の警報装置を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to be able to easily determine the state of a facility even with a long distance from an operation panel for monitoring the process state or the state of the facility of a specific manufacturing facility for performing a predetermined semiconductor process. An object of the present invention is to provide an alarm device for a semiconductor manufacturing facility.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めの半導体製造設備の警報装置は、特定半導体製造設備
の各状態に対する最小限一つ以上の入力信号の入力を受
けて論理組合せる論理組合手段を備える。
According to the present invention, there is provided an alarm device for a semiconductor manufacturing facility for attaining one or more input signals for each state of a specific semiconductor manufacturing facility. Equipped with union means.

【0009】前記論理組合された結果は駆動手段に入力
されてランプを駆動するための最小限一つ以上の駆動信
号に出力するようになり、前記出力される各駆動信号は
それに一対一対応される数のランプを駆動させるし、前
記ランプはランプタワーに設置されて前記各駆動信号に
よって製造設備の各状態別に区分されるように表示され
る。
The result of the logical combination is inputted to the driving means and outputted as at least one driving signal for driving the lamp, and the outputted driving signals correspond one-to-one. A number of lamps are driven, and the lamps are installed in a lamp tower and are displayed so as to be classified according to each state of the manufacturing equipment according to each of the driving signals.

【0010】前記論理組合せ手段の出力信号の数と前記
駆動手段の駆動部は、前記ランプタワーに設置されるラ
ンプの数と一対一対応される数を有し、前記ランプは異
なる色を発光するように設置される。
[0010] The number of output signals of the logical combination means and the driving section of the driving means have a number corresponding one-to-one with the number of lamps installed in the lamp tower, and the lamps emit different colors. Is installed as follows.

【0011】好ましくは、前記半導体製造設備の各入力
信号は製造設備と警報装置との干渉を防ぐために入出力
間を電気的に絶縁することができるフォトカップラー
(photocoupler)を通じて前記警報装置の
論理組合手段に入力されるように構成される。
Preferably, each input signal of the semiconductor manufacturing equipment is a logical combination of the alarm device through a photocoupler which can electrically insulate the input and output in order to prevent interference between the manufacturing equipment and the alarm device. Configured to be input to the means.

【0012】本発明の警報装置が適用される前記半導体
製造設備は、基本的に特定工程が遂行されるウェーハを
収容したカセットを投入する投入チャンバーと、前記特
定工程が進行される工程チャンバー及び前記投入チャン
バーと工程チャンバーの間を連結しながら、前記カセッ
トが移送されて待機するロードロックチャンバーを含
む。
The semiconductor manufacturing equipment to which the alarm device of the present invention is applied basically includes a loading chamber for loading a cassette accommodating a wafer on which a specific process is performed, a process chamber in which the specific process is performed, and The cassette includes a load lock chamber which is transferred and waits while connecting the charging chamber and the process chamber.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施例を
添付した図面を参照に詳しく説明する。本発明は作業者
が半導体製造設備の状態をオパレーションパネルから遠
距離からも肉眼で容易に識別することができるようにラ
ンプタワーを設置し、ランプタワーの各ランプの点灯が
前記製造設備の各状態別に異なるように表示されるよう
に論理回路を構成することである。
Preferred embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention installs a lamp tower so that an operator can easily identify the state of the semiconductor manufacturing equipment visually from a long distance from the operation panel, and lighting of each lamp of the lamp tower is performed by each of the manufacturing equipment. To configure a logic circuit so that it is displayed differently for each state.

【0014】従って、本発明は半導体素子の製造工程に
含まれる多様な工程など、例えば、酸化工程、蒸着工
程、写真工程、エッチング工程、イオン注入工程及び拡
散工程などのウェーハ処理工程に適用されることだけで
はなく、さらにウェーハ処理工程前の単結晶ウェーハ製
造工程及びウェーハの処理工程(fabricatio
n)を遂行した後のウェーハに対する検査、切断、ボン
ディング等組立工程などに全般的に適用することができ
る。
Accordingly, the present invention can be applied to various processes included in a semiconductor device manufacturing process, such as a wafer processing process such as an oxidation process, a deposition process, a photo process, an etching process, an ion implantation process, and a diffusion process. Not only that, the single crystal wafer manufacturing process and the wafer processing process (fabricatio) before the wafer processing process are further performed.
The present invention can be generally applied to an inspection process, a cutting process, a bonding process, and the like for a wafer after performing n).

【0015】本発明の警報装置の実施例は半導体製造設
備の中でイオン注入設備に対して適用した場合を表す
し、バリアン(Varian)社のイオン注入装置(モ
デル名:VARIAN 350D/300XP)を使用した。 イ
オン注入装置は基本的に半導体ウェーハ上に特定電荷を
有する不純物イオンを注入して不純物注入部分の電気的
特性を変化させる装置で、イオンソースから発生された
不純物イオンを抽出し、これを質量分析器を通過させる
ことで好ましい質量を有する特定不純物イオンのみを選
択して加速させた後、イオン注入工程が遂行される工程
チャンバー内に位置したエンドステーション上のウェー
ハ上に加速注入することである。
An embodiment of the alarm device of the present invention represents a case where the present invention is applied to an ion implantation facility in a semiconductor manufacturing facility, and an ion implantation system (model name: VARIAN 350D / 300XP) manufactured by Varian is used. used. An ion implanter is a device that basically implants impurity ions with a specific charge onto a semiconductor wafer and changes the electrical characteristics of the impurity-implanted portion. It extracts the impurity ions generated from the ion source and performs mass spectrometry. After selecting and accelerating only specific impurity ions having a preferable mass by passing through a vessel, accelerated implantation is performed on a wafer on an end station located in a process chamber where an ion implantation process is performed.

【0016】この際、前記工程チャンバーは特定の真空
状態に維持され、前記工程チャンバーへの工程遂行する
ウェーハのローディング及びアンローディングを効果的
に遂行するためにウェーハを待機させるロードロックチ
ャンバーを連結される。
At this time, the process chamber is maintained in a specific vacuum state, and is connected to a load lock chamber for holding the wafer in order to effectively perform loading and unloading of the wafer for performing the process into the process chamber. You.

【0017】図1は、本発明の一実施例を適用したイオ
ン注入設備の各チャンバーを示す概略図である。図1を
参照すると、イオン注入工程が遂行されるウェーハが位
置することができる工程チャンバー8にはロードロック
チャンバー6が連結されているし、前記ロードロックチ
ャンバー6にはウェーハが収容されたカセットが作業者
によって出入口2を通じて投入される投入チャンバー4
が連結されている。
FIG. 1 is a schematic diagram showing each chamber of an ion implantation facility to which one embodiment of the present invention is applied. Referring to FIG. 1, a load lock chamber 6 is connected to a process chamber 8 where a wafer on which an ion implantation process is to be performed is located, and a cassette accommodating the wafer is mounted in the load lock chamber 6. An input chamber 4 input by an operator through the entrance 2
Are connected.

【0018】前記投入チャンバー4とロードロックチャ
ンバー6の間及び前記ロードロックチャンバー6と工程
チャンバー8の間にはゲートが形成されているし、前記
各チャンバーにはウェーハの移送を円滑に遂行するため
に各真空ライン(図示しない)が設置されている。
Gates are formed between the loading chamber 4 and the load lock chamber 6 and between the load lock chamber 6 and the process chamber 8 so that wafers can be smoothly transferred to each of the chambers. Each vacuum line (not shown) is installed.

【0019】図1を参照してイオン注入工程前後のウェ
ーハの移送段階を基準に区分される設備の状態を示すと
次のようである。 1)第1状態(カセットなし):投入チャンバー4内に
工程遂行されるウェーハが収容されたカセットが投入さ
れない状態を示す。
Referring to FIG. 1, the state of the equipment classified based on the wafer transfer stage before and after the ion implantation process is as follows. 1) First state (without cassette): A state in which a cassette accommodating a wafer to be processed in the charging chamber 4 is not loaded.

【0020】2)第2状態(カセットロード):投入チ
ャンバー4内に前記カセットが投入されて存在する状態
を示す。 3)第3状態(ローディング):投入チャンバー4内に
存在するカセットが移送手段によってロードロックチャ
ンバー6に移送され、継続してカセットに収容されたウ
ェーハが工程チャンバー8にローディングされてイオン
注入直前まで継続される状態を示す。
2) Second state (cassette load): a state in which the cassette is loaded into the loading chamber 4 and is present. 3) Third state (loading): the cassette present in the charging chamber 4 is transferred to the load lock chamber 6 by the transfer means, and the wafers stored in the cassette are continuously loaded into the process chamber 8 until immediately before ion implantation. Indicates a continued state.

【0021】4)第4状態(イオン注入):工程チャン
バー8内でウェーハに対するイオン注入工程が進行され
る状態を示す。 5)第5状態(イオン注入エラー):イオン注入工程遂
行中、イオン注入エラーが発生された状態を示す。
4) Fourth state (ion implantation): A state in which the ion implantation step for the wafer in the process chamber 8 proceeds. 5) Fifth state (ion implantation error): Indicates a state in which an ion implantation error has occurred during the ion implantation process.

【0022】6)第6状態(イオン注入待機):一つの
ウェーハに対してイオン注入工程が完了された後、次の
ウェーハに対するイオン注入工程が遂行される直前まで
の状態を示す。
6) Sixth state (waiting for ion implantation): Indicates a state immediately after the ion implantation step for one wafer is completed and immediately before the ion implantation step for the next wafer is performed.

【0023】前記第1乃至第6状態以外にも前記第3状
態と反対になる過程で、最後のウェーハに対するイオン
注入工程が完了された後から、ウェーハがロードロック
チャンバー6内に位置しているカセットにアンローディ
ングされた後、前記カセットが投入チャンバー4内に移
送されるまでの状態を第7状態(アンローディング)に
区分して示すこともできる。
In the process opposite to the third state other than the first to sixth states, the wafer is located in the load lock chamber 6 after the ion implantation process for the last wafer is completed. The state from the unloading to the cassette to the transfer of the cassette into the charging chamber 4 may be indicated as a seventh state (unloading).

【0024】ここで、前記第7状態(アンローディン
グ)は前記第3状態(ローディング)と反対過程の状態
を示すことで、第7状態を別途の設備状態に区分しない
で、第3状態に含むこともできる。また、前記第3状態
およぼい第7状態を前記第6状態と共に全てイオン注入
が遂行されない(イオン注入エラーを示す第5状態は除
外する)イオン注入待機状態、即ち第6状態と同一であ
る状態に含めて区分することもできる。)
Here, the seventh state (unloading) is a state opposite to the third state (loading), and is included in the third state without being divided into a separate equipment state. You can also. Further, the third state and the seventh state are the same as the sixth state together with the sixth state in which the ion implantation is not performed (the fifth state indicating an ion implantation error is excluded), that is, the sixth state. It can also be classified by including it in the state. )

【0025】これは作業者が前記投入チャンバー4にカ
セットを投入させた後、イオン注入工程を遂行するため
にオパレーションパネルでスタートボタンを押すと、前
記第3状態(ローディング)から連続してイオン注入工
程が遂行されるので、作業者がオパレーションパネルか
ら遠距離に位置しても作業者は以後のイオン注入設備の
工程及び設備状態中、大きくイオン注入が行われないイ
オン注入待機状態、イオン注入工程が進行されるイオン
注入状態及びイオン注入工程中エラーが発生した場合の
イオン注入エラー状態のみを識別することができると十
分である。
When the operator pushes the start button on the operation panel to perform the ion implantation process after loading the cassette into the loading chamber 4, the ion is continuously loaded from the third state (loading). Since the implantation process is performed, even if the operator is located at a long distance from the operation panel, during the subsequent ion implantation equipment process and equipment state, the ion implantation standby state where no significant ion implantation is performed, It is sufficient to be able to identify only the ion implantation state in which the implantation process proceeds and the ion implantation error state when an error occurs during the ion implantation process.

【0026】以上で説明した設備状態の区分はイオン注
入設備に対する一つの実施例に過ぎないし、同一なイオ
ン注入設備に対してもより多くのまたはより少ない数の
設備状態に区分することができることは当然なことで、
さらにイオン注入設備以外の他の半導体製造設備に対し
てはその製造設備とその製造設備で遂行される製造工程
の特性によって多様な工程状態及び設備状態に区分する
ことができることは勿論である。
The division of the equipment state described above is only one embodiment for the ion implantation equipment, and it can be divided into more or less equipment states for the same ion implantation equipment. Naturally,
Further, other semiconductor manufacturing equipment other than the ion implantation equipment can be divided into various process states and equipment states according to the characteristics of the manufacturing equipment and the manufacturing process performed in the manufacturing equipment.

【0027】本発明の実施例を適用したイオン注入装置
では、前記各設備状態、例えば、第1乃至第6状態を表
すために4つの入力信号を設定した。即ち、本発明の実
施例では前記4つの入力信号を組合せて6つの設備の状
態を前記ランプタワーに設置された他の色に発光する3
つのランプに区分されるように表示した。
In the ion implantation apparatus to which the embodiment of the present invention is applied, four input signals are set in order to represent each of the equipment states, for example, the first to sixth states. That is, in the embodiment of the present invention, the four input signals are combined to change the state of the six facilities to another color installed in the lamp tower.
Displayed as being divided into three lamps.

【0028】しかし、本発明の思想は前記実施例に局限
されなく、入力信号の数、設備状態の数及びランプの数
などは任意に設定することができる。前記第1乃至第6
状態に対する4つの入力信号の波形図と真理表(tru
thtable)を図3に表示した。
However, the concept of the present invention is not limited to the above embodiment, and the number of input signals, the number of equipment states, the number of lamps, and the like can be arbitrarily set. The first to sixth
Waveform diagram and truth table (tru) of four input signals with respect to state
3) is shown in FIG.

【0029】図3を参照すると、前記入力信号中スター
ト信号Aはイオン注入設備でイオン注入工程のためにカ
セットをローディングする時やイオン注入中に発生する
信号で、前記第3状態、第4状態及び第6状態時、発生
(図3の波形図でローレベル)する。次に準備信号Bは
設備でいつも作業をすることができる場合発生する信号
で、前記第2状態、第3状態、第4状態、第5状態及び
第6状態時発生する。
Referring to FIG. 3, the start signal A in the input signal is a signal generated when the cassette is loaded for the ion implantation process in the ion implantation equipment or during the ion implantation. And in the sixth state (low level in the waveform diagram of FIG. 3). Next, the preparation signal B is a signal generated when the work can always be performed in the equipment, and is generated in the second state, the third state, the fourth state, the fifth state, and the sixth state.

【0030】次に再駆動信号Cは設備が作業を完了した
後、次の作業が進行されることができることを示す信号
で、前記第1状態及び第4状態時発生する。次に待機信
号Dは設備が、作業途中エラーが発生して再スタートを
要求する時発生される信号で、前記第1状態、第2状態
及び第5状態時発生する。
Next, the re-drive signal C is a signal indicating that the next operation can be performed after the equipment has completed the operation, and is generated in the first state and the fourth state. Next, the standby signal D is a signal generated when the equipment requests a restart due to an error during the operation, and is generated in the first state, the second state, and the fifth state.

【0031】図3で真理表は各入力信号の波形図でハイ
レベルは“1”に、ローレベルは“0”で表示されてい
ることが分かる。図2は、本発明の実施例による半導体
製造設備の警報装置を示す概略図で、大きく入力部、論
理組合部10、駆動部12、14、16及びランプタワ
ー24で構成される。
In FIG. 3, it can be seen that the truth table in the waveform diagram of each input signal indicates that the high level is "1" and the low level is "0". FIG. 2 is a schematic view showing an alarm device of a semiconductor manufacturing facility according to an embodiment of the present invention, which is mainly composed of an input unit, a logic combination unit 10, driving units 12, 14, 16 and a lamp tower 24.

【0032】入力部は、前記図3の4つの入力信号A−
Dが入力される部分で、本発明の実施例を適用したイオ
ン注入設備のオパレーションパネルにモニタリングされ
る電気的信号の入力を受けることもできるが、好ましく
は補助装置である本発明の警報装置からの干渉信号が逆
流して主な装置であるイオン注入設備の信号障害による
誤動作を招来することを防ぐためにフォトカップラー
(Photocoupler,図示しない)を入力部に
設置して電気的絶縁を図ることもできる。
The input section receives the four input signals A-
In the portion where D is input, it is possible to receive the input of an electrical signal monitored by the operation panel of the ion implantation equipment to which the embodiment of the present invention is applied, but the alarm device of the present invention which is preferably an auxiliary device A photocoupler (not shown) may be installed at the input unit to prevent electrical interference by preventing interference signals from flowing back and causing malfunction due to a signal failure of the main ion implantation equipment. it can.

【0033】前記フォトカップラーは電気的信号を発光
ダイオードによって光信号に変換して送信し、受信した
光信号はフォトトランジスターによって電気的信号に復
元される。
The photocoupler converts an electric signal into an optical signal by using a light emitting diode and transmits the optical signal. The received optical signal is restored to an electric signal by a phototransistor.

【0034】論理組合部10は、前記入力部を通じて入
力された各設備状態に対する入力信号を組合せて現在の
工程及び設備状態に対して判断を遂行するように構成さ
れている。前記論理組合部10内には組合器34が構成
されているし、前記組合器34には前記入力部から各設
備状態による入力信号A−Dがそれぞれ非反転状態A
1,B1,C1,D1またはインバータ26、28、3
0、32を経て反転状態A2,B2,C2,D2にそれ
ぞれ入力されるように構成されているし、図3での出力
信号のような結果を得るための論理組合動作を遂行する
ように構成されている。
The logic combination unit 10 is configured to perform a determination on a current process and equipment status by combining input signals for each equipment status input through the input unit. A combiner 34 is formed in the logic combiner 10. The combiner 34 receives, from the input unit, input signals AD according to the respective equipment states in a non-inverted state A.
1, B1, C1, D1 or inverters 26, 28, 3
It is configured to be input to the inversion states A2, B2, C2, and D2 via 0 and 32, respectively, and to perform a logical combination operation for obtaining a result like the output signal in FIG. Have been.

【0035】即ち、前記各設備状態に対する入力信号
A,B,C,Dが各非反転または反転状態に入力された
後、前記組合器34で論理組合された後、3つの区分さ
れる形態に出力端Q1,Q2,Q3を通じて出力するよ
うになる。
That is, after the input signals A, B, C, and D for the respective equipment states are input to the respective non-inverted or inverted states, and are logically combined by the combiner 34, the signals are divided into three types. The signals are output through the output terminals Q1, Q2, and Q3.

【0036】前記組合器34から論理組合された各出力
信号は各出力端Q1,Q2,Q3と各一対一に内応する
3つの駆動部12、14、16に出力されるし、各駆動
部12、14、16はランプタワー24にやはり前記各
駆動部と一対一対応して設置された3つのランプ18、
20、22をそれぞれ駆動させるための駆動信号を出力
するようになる。
The output signals logically combined from the combiner 34 correspond to the output terminals Q1, Q2, Q3 one-to-one.
The three driving units 12, 14, 16 are output to the three driving units 12, 14, 16, and the three driving lamps 12, 14, 16 are installed on the lamp tower 24 in a one-to-one correspondence with the driving units.
A drive signal for driving each of the transistors 20 and 22 is output.

【0037】より詳しくは、前記製造設備の特定設備状
態に対して組合器34に入力された入力信号を論理判断
した結果が、第1出力端Q1を通じて第1駆動部12を
経た後、前記ランプタワー24内の、例えば、黄色を発
光する第1ランプ18を駆動する駆動信号を出力するよ
うになり、第2出力端Q2を通じて第2駆動部14を経
た後、緑色を発光する第2ランプ20を駆動する駆動信
号を出力するようになり、第3出力端Q3を通じて第3
駆動部16を経た後、赤色を発光する第3ランプ22を
駆動する駆動信号を出力するようになる。
More specifically, the result of logically determining the input signal input to the combiner 34 with respect to the specific equipment state of the manufacturing equipment, the result of the logical determination being made through the first driving unit 12 through the first output terminal Q1, and then to the lamp A drive signal for driving, for example, the first lamp 18 that emits yellow light in the tower 24 is output, and the second lamp 20 that emits green light after passing through the second drive unit 14 through the second output terminal Q2. And outputs a driving signal for driving the third signal through the third output terminal Q3.
After passing through the driving unit 16, a driving signal for driving the third lamp 22 that emits red light is output.

【0038】この際、ランプタワー24の各ランプ1
8、20、22は前記各駆動部12、14、16の駆動
信号によって点灯及び消灯動作を遂行する。即ち、組合
器34は、前記各ランプ18、20、22を点灯するた
めに、ローレベル信号が各該当する出力端Q1,Q2,
Q3から該当する各駆動部12、14、16に与えら
れ、各駆動部12、14、16は各該当するランプ1
8、20、22にハイレベルの駆動信号を出力して各ラ
ンプ18、20、22を点灯させる。
At this time, each lamp 1 of the lamp tower 24 is
Reference numerals 8, 20, and 22 perform lighting and extinguishing operations according to the driving signals of the driving units 12, 14, and 16, respectively. That is, in order to light the lamps 18, 20, and 22, the combiner 34 outputs the corresponding output terminals Q1, Q2,
The corresponding driving units 12, 14, and 16 are provided from Q3 to the corresponding driving units 12, 14, and 16, respectively.
A high-level drive signal is output to 8, 20, 22 to light each of the lamps 18, 20, 22.

【0039】反対に、組合器34は前記各ランプ18、
20、22を消灯するために、ハイレベル信号が各該当
する出力端Q1,Q2,Q3から該当する各駆動部1
2、14、16に与えられ、各駆動部12、14、16
は各該当するランプ18、20、22にローレベルの駆
動信号を出力して各ランプ18、20、22を消灯させ
る。
On the contrary, the combination unit 34 is connected to each of the lamps 18,
In order to turn off the light sources 20 and 22, a high-level signal is output from the corresponding output terminals Q 1, Q 2 and Q 3 to the corresponding drive units 1.
2, 14, 16 and each driving unit 12, 14, 16,
Outputs a low-level drive signal to each of the corresponding lamps 18, 20, and 22 to turn off each of the lamps 18, 20, and 22.

【0040】例えば、イオン注入状態を示す第4状態に
対して説明すると、設備状態が第4状態になり、図3に
表示されたように黄色を発光する第1ランプ18がオン
(ON)され、緑色を発光する第2ランプ20がオン
(ON)されるし、赤色を発光する第3ランプ22がオ
フ(OFF)されるために、前記組合器34に入力信号
“A”には“0”,“B”には“0”、“C”には
“0”及び“D”には“1”の信号が入力される。
For example, a description will be given of a fourth state indicating an ion implantation state. The equipment state becomes the fourth state, and the first lamp 18 which emits yellow light is turned on as shown in FIG. Since the second lamp 20 that emits green light is turned on (ON) and the third lamp 22 that emits red light is turned off (OFF), the input signal “A” is supplied to the combiner 34 with “0”. "B" is input with "0", "C" is input with "0", and "D" is input with "1".

【0041】続いて、前記組合器34での論理組合結
果、各ランプに対応する第1出力端Q1及び第2出力端
Q2がローレベル状態に、第3出力端Q3はハイレベル
状態に決定されるし、前記第1駆動部12及び第2駆動
部14に各ローレベル信号が、第3駆動部16にはハイ
レベル信号が各与えられるようにする。
Subsequently, as a result of the logical combination in the combiner 34, the first output terminal Q1 and the second output terminal Q2 corresponding to each lamp are determined to be in a low level state, and the third output terminal Q3 is determined to be in a high level state. Alternatively, the first driver 12 and the second driver 14 are supplied with low-level signals, and the third driver 16 is supplied with high-level signals.

【0042】ローレベル信号の入力を受けた前記第1駆
動部12及び第2駆動部14は各第1ランプ18及び第
2ランプ20にハイレベルの駆動信号を出力して第1ラ
ンプ18及び第2ランプ20を各点灯させるし(O
N),ハイレベル信号の入力を受けた前記第3駆動部1
6はローレベルの駆動信号を出力して第3ランプ22を
消灯させる(OFF)。
The first driving unit 12 and the second driving unit 14 receiving the low level signal output a high level driving signal to each of the first lamp 18 and the second lamp 20 to output the first lamp 18 and the second driving signal. 2 Turn on each lamp 20 (O
N), the third driving unit 1 receiving the input of the high level signal
Reference numeral 6 outputs a low-level drive signal to turn off the third lamp 22 (OFF).

【0043】一方、前述した第4状態ではない、第1状
態、第2状態、第3状態、第5状態及び第6状態に対し
ても図3に表示されたように各状態に該当する入力信号
(A乃至D)が入力された後、前述した過程を通じて各
該当するランプを点灯または消灯させるようになる。
On the other hand, for the first state, the second state, the third state, the fifth state, and the sixth state other than the fourth state described above, the input corresponding to each state as shown in FIG. After the signals (A to D) are input, the corresponding lamps are turned on or off through the above-described process.

【0044】一方、前記ランプタワー24内の特定ラン
プを点滅動作させるために、例えば、前記組合器34の
第3出力端Q3には所定の周波数を有するパルス信号B
LKを第3出力端Q3の出力信号と組合せるためのオア
ーゲート36を構成し、前記第3ランプ22を点滅動作
させるためのブランキング信号を第3駆動部16に与え
ることもできる。勿論、全体ランプに対しても同一な原
理によって点灯ではない点滅動作を遂行するように構成
させることができることは当然である。
On the other hand, in order to blink a specific lamp in the lamp tower 24, for example, a pulse signal B having a predetermined frequency is supplied to the third output terminal Q3 of the combiner 34.
An OR gate 36 for combining LK with the output signal of the third output terminal Q3 may be formed, and a blanking signal for blinking the third lamp 22 may be supplied to the third drive unit 16. Of course, it is needless to say that the entire lamp can be configured to perform a blinking operation instead of lighting according to the same principle.

【0045】一方、図3の出力信号で表れた各ランプの
点灯または消灯状態の選択と、各ランプの色の選択は設
計者の意図下で任意に決定することができる。本実施例
ではイオン注入設備で遂行される工程の性質上、通常作
業者がオパレーションパネルで第1及び第2状態を確認
した後、イオン注入設備のスタートボタンを押してイオ
ン注入作業を始まるようになり、スタートボタンの動作
とともに設備状態は第3状態に移行され、この後には作
業者はカセットに収容された全体のウェーハ、例えば、
25枚に対してイオン注入工程が遂行される間に設備の
現場点検などのためにオパレーションパネルから遠距離
に位置するようになる場合が発生する。
On the other hand, the selection of the ON / OFF state of each lamp and the selection of the color of each lamp represented by the output signal of FIG. 3 can be arbitrarily determined according to the intention of the designer. In this embodiment, due to the nature of the process performed in the ion implantation facility, the worker usually checks the first and second states on the operation panel and then presses the start button of the ion implantation facility to start the ion implantation operation. Then, the equipment state is shifted to the third state with the operation of the start button, and thereafter, the operator can move the entire wafer contained in the cassette, for example,
While the ion implantation process is being performed on 25 wafers, the wafers may be located far from the operation panel for on-site inspection of equipment.

【0046】従って、本発明の実施例では主に第3状態
以後遠距離でも作業者がイオン注入設備の工程及び設備
状態を肉眼で容易に識別することで十分なので、ランプ
タワーで図3でのように第1状態及び第2状態に対する
表示無しに単純化して第3状態、第4状態、第5状態及
び第6状態のみを前記3つの異なる色に発光するランプ
で区分されるように表示することもできる。
Therefore, in the embodiment of the present invention, it is sufficient for the operator to easily identify the process and the state of the ion implantation equipment with naked eyes even at a long distance after the third state. Thus, the first state and the second state are simplified without display, and only the third state, the fourth state, the fifth state, and the sixth state are displayed so as to be distinguished by the lamps emitting the three different colors. You can also.

【0047】本実施例では、前述したようにイオン注入
工程の第3状態乃至第6状態の過程で、前記第3状態と
第6状態を、イオン注入状態(第4状態)とイオン注入
エラー状態(第5状態)だけが区分されても警報機能を
十分に遂行することができると考えられるので、ランプ
タワーで同一な色のランプが発光されるように構成し
た。一方、本実施例で実質的にイオン注入工程が遂行さ
れる前の第1及び第2状態は緑色のランプ20が消灯さ
れるし、イオン注入工程が始まった第3状態から第6状
態に至るまでは緑色のランプ20が継続に点灯されるよ
うにしたし、緑色のランプ20が点灯された状態でウェ
ーハ上に実質的なイオン注入工程が遂行される場合には
黄色ランプ18が追加に点灯されるようにしたし、イオ
ン注入エラーが発生すると黄色ランプ18は消灯され、
通常的に非常状態を知らせる赤色ランプ22が点灯され
るように構成した。
In this embodiment, as described above, in the third to sixth states of the ion implantation process, the third state and the sixth state are changed to the ion implantation state (fourth state) and the ion implantation error state. Since it is considered that the alarm function can be sufficiently performed even if only the (fifth state) is classified, the lamp of the same color is emitted from the lamp tower. On the other hand, in the first and second states before the ion implantation process is substantially performed in the present embodiment, the green lamp 20 is turned off, and the ion implantation process starts from the third state to the sixth state. Until the green lamp 20 is continuously lit, the yellow lamp 18 is additionally lit when a substantial ion implantation process is performed on the wafer with the green lamp 20 lit. The yellow lamp 18 is turned off when an ion implantation error occurs,
In general, the red lamp 22 for notifying the emergency state is turned on.

【0048】特に、本実施例ではイオン注入エラー状態
(第5状態)時、作業者の迅速な措置がとても重要であ
るので前述したように赤色ランプ22は点滅動作を遂行
できるように構成した。
In particular, in the present embodiment, when the ion implantation error state (fifth state) occurs, it is very important that the operator take quick action, so that the red lamp 22 is configured to perform the blinking operation as described above.

【0049】以上の実施例に対して説明したように、本
実施例では半導体製造工程中イオン注入設備において、
工程遂行のためのウェーハのローディング及びアンロー
ディングに関して工程及び設備状態を第1乃至第6状態
に区分し、各設備状態に対して4つの入力信号A,B,
C,Dを通じて3つの区別されるランプ18、20、2
2のみで識別されるように構成した。
As described with respect to the above embodiment, in this embodiment, in the ion implantation facility during the semiconductor manufacturing process,
For loading and unloading of wafers for performing the process, the process and the equipment state are divided into first to sixth states, and four input signals A, B, and
Three distinct lamps 18, 20, 2 through C, D
It was configured to be identified by only 2.

【0050】しかし、本発明の思想は前記実施例に限定
されないし、本発明の思想が及ぶ範囲内で半導体製造工
程を遂行するための多様な製造設備に適用することがで
きるし、各製造設備の特性に合うように警報機能を充足
させる範囲内で適切な数の工程及び設備状態を設定する
ことができるし、入力信号の数及び波形とそれに対応す
るランプの数及び色も多様に選択することができる。
However, the concept of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be applied to various manufacturing facilities for performing a semiconductor manufacturing process within the scope of the present invention. It is possible to set an appropriate number of processes and equipment conditions within a range that satisfies the alarm function so as to meet the characteristics of the above, and also variously select the number and waveform of the input signals and the waveforms and the corresponding lamps. be able to.

【0051】[0051]

【発明の効果】従って、本発明によると作業者が製造設
備のオパレーションパネルから遠距離に位置しても現場
で肉眼で海区設備の状態を判断して、緊急な場合にも迅
速に措置が行われることができるので、設備の稼動率を
極大化して工程の安全性が図られ、これによって収率が
上昇される効果がある。
Therefore, according to the present invention, even if an operator is located far from the operation panel of the manufacturing equipment, the operator can judge the condition of the sea area equipment with the naked eye at the site, and quickly take measures even in an emergency. Since it can be performed, the operation rate of the equipment is maximized, and the safety of the process is achieved, thereby increasing the yield.

【0052】以上で本発明は記載された具体例に対して
のみ詳しく説明されたが、本発明の技術思想範囲内で多
様な変形及び修正が可能であることは当業者にとって明
白なことであり、このような変形及び修正が添付された
特許請求の範囲に属することは当然なことである。
Although the present invention has been described in detail only with respect to the specific examples described above, it will be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made within the technical idea of the present invention. It is to be understood that such variations and modifications fall within the scope of the appended claims.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例を適用したイオン注入設備の
各チャンバーを示す概略図である。
FIG. 1 is a schematic view showing each chamber of an ion implantation facility to which an embodiment of the present invention is applied.

【図2】本発明による半導体製造設備の警報装置の好ま
しい実施例を示すブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing a preferred embodiment of an alarm device for a semiconductor manufacturing facility according to the present invention.

【図3】本発明の一実施例を適用したイオン注入設備の
各設備状態に対して入力される各入力信号とそれによる
ランプタワーの表示結果を示す図面である。
FIG. 3 is a diagram showing input signals input to each equipment state of an ion implantation equipment to which an embodiment of the present invention is applied and display results of a lamp tower based on the input signals.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 出入口 4 投入チャンバー 6 ロードロックチャンバー 8 工程チャンバー 10 論理組合部 12、14、16 駆動部 18、20、22 ランプ 24 ランプタワー 26、28、30、32 インバータ 34 組合器 36 オアー(OR)ゲート 2 Entrance 4 Input chamber 6 Load lock chamber 8 Process chamber 10 Logic unit 12, 14, 16 Drive unit 18, 20, 22 Lamp 24 Lamp tower 26, 28, 30, 32 Inverter 34 Combiner 36 OR gate

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 特定半導体製造設備の各状態に対する最
小限一つ以上の入力信号の入力を受けて論理組合せる論
理組合手段と、 前記論理組合された結果の入力を受けてランプを駆動す
るための最小限一つ以上の駆動信号を出力する駆動手段
と、 前記出力される各駆動信号に一対一対応される数のラン
プを備え、前記ランプが前記各駆動信号によって製造設
備の各状態別に区分されるように表示されるランプタワ
ーと、 を備えることを特徴とする半導体製造設備の警報装置。
1. A logic combination means for receiving and inputting at least one input signal for each state of a specific semiconductor manufacturing facility and performing a logic combination, and for driving a lamp in response to an input of the result of the logic combination. Driving means for outputting at least one or more drive signals, and a number of lamps corresponding one-to-one to each of the output drive signals, wherein the lamps are classified according to each state of the manufacturing equipment according to each of the drive signals. A warning device for a semiconductor manufacturing facility, comprising: a lamp tower displayed to be displayed.
【請求項2】 前記論理組合せ手段の出力信号の数と前
記駆動手段の駆動部は、前記ランプタワーに設置される
ランプの数と一対一対応される数を有することを特徴と
する請求項1記載の半導体製造設備の警報装置。
2. The system according to claim 1, wherein the number of output signals of said logical combination means and the number of driving units of said driving means correspond to the number of lamps installed in said lamp tower on a one-to-one basis. An alarm device for a semiconductor manufacturing facility as described in the above.
【請求項3】 前記ランプタワーには異なる色を発光す
るランプが設置されていることを特徴とする請求項1記
載の半導体製造設備の警報装置。
3. The alarm device for semiconductor manufacturing equipment according to claim 1, wherein lamps emitting different colors are installed in said lamp tower.
【請求項4】 前記半導体製造設備の各状態に対する入
力信号はフォトカップラーを通じて前記論理組合手段に
入力されることを特徴とする請求項1記載の半導体製造
設備の警報装置。
4. The alarm device for a semiconductor manufacturing facility according to claim 1, wherein an input signal for each state of said semiconductor manufacturing facility is input to said logical combination means through a photocoupler.
【請求項5】 前記半導体製造設備は、 特定の工程が遂行されるウェーハを収容したカセットを
投入する投入チャンバーと、 前記特定工程が進行される工程チャンバーと、 前記投入チャンバーと前記工程チャンバーとの間を連結
し、前記カセットが移送されて待機するロードロックチ
ャンバーと、 を備えることを特徴とする請求項1記載の半導体製造設
備の警報装置。
5. The semiconductor manufacturing facility, comprising: an input chamber into which a cassette accommodating a wafer on which a specific process is to be performed; a process chamber in which the specific process is performed; The alarm device for a semiconductor manufacturing facility according to claim 1, further comprising: a load lock chamber connecting the cassettes and transferring and waiting the cassette.
【請求項6】 前記半導体製造設備は、イオン注入工程
が遂行されるイオン注入設備であることを特徴とする請
求項5記載の半導体製造設備の警報装置。
6. The alarm device for a semiconductor manufacturing facility according to claim 5, wherein the semiconductor manufacturing facility is an ion implantation facility for performing an ion implantation process.
【請求項7】 前記論理組合手段に入力される製造設備
の各状態は、 前記投入チャンバー内にカセットがないことを示す第1
状態と、 前記投入チャンバー内にカセットが投入されて存在する
ことを示す第2状態と、 前記投入チャンバーから前記カセットが前記ロードロッ
クチャンバーに移送され、前記移送されたカセット内の
ウェーハが前記工程チャンバーの工程遂行位置にローデ
ィングされてイオン注入直前までの状態を示す第3状態
と、 前記工程遂行位置にローディングされたウェーハ上にイ
オン注入工程が遂行される第4状態と、 前記ウェーハに対するイオン注入工程のエラー発生時、
エラー状態を示す第5状態と、 前記イオン注入工程が完了されたウェーハが前記ロード
ロックチャンバーのカセットにアンローディングされた
後、前記カセット内の次のウェーハが工程チャンバーに
ローディングされてイオン注入直前まで待機する状態を
示す第6状態と、 を含むことを特徴とする請求項5記載の半導体製造設備
の警報装置。
7. Each state of the manufacturing equipment input to the logical combination means is a first state indicating that there is no cassette in the input chamber.
And a second state indicating that a cassette has been inserted into the charging chamber, and the cassette has been transferred from the charging chamber to the load lock chamber, and a wafer in the transferred cassette has been transferred to the process chamber. A third state indicating a state immediately before the ion implantation after being loaded at the step performing position, a fourth state wherein an ion implanting step is performed on the wafer loaded at the step performing position, and an ion implanting step for the wafer When an error occurs,
A fifth state indicating an error state; and, after the wafer on which the ion implantation process is completed is unloaded into the cassette of the load lock chamber, the next wafer in the cassette is loaded into the process chamber until immediately before ion implantation. The alarm device for a semiconductor manufacturing facility according to claim 5, further comprising: a sixth state indicating a standby state.
【請求項8】 前記カセットの最後のウェーハに対する
イオン注入工程が完了された後から、前記ウェーハが前
記ロードロックチャンバーに待機するカセットに移送さ
れた後、前記カセットが前記投入チャンバーに移送され
るまでの状態を示す第7状態をさらに含むことを特徴と
する請求項7記載の半導体製造設備の警報装置。
8. After the ion implantation process for the last wafer in the cassette is completed, the wafer is transferred to a cassette waiting in the load lock chamber, and then the cassette is transferred to the loading chamber. The alarm device for a semiconductor manufacturing facility according to claim 7, further comprising a seventh state indicating the state of (i).
【請求項9】 前記第3状態、第6状態及び第7状態に
対する入力信号は同一で、それに対応する前記ランプタ
ワーのランプが同一に表示されることを特徴とする請求
項8記載の前記半導体製造設備の警報装置。
9. The semiconductor of claim 8, wherein the input signals for the third, sixth, and seventh states are the same, and the corresponding lamps on the lamp tower are displayed the same. Alarm device for manufacturing equipment.
【請求項10】 前記各状態に対して各4つの入力信号
が入力されることを特徴とする請求項7記載の半導体製
造設備の警報装置。
10. The alarm device for semiconductor manufacturing equipment according to claim 7, wherein four input signals are input for each of said states.
【請求項11】 前記4つの入力信号は、 前記第3状態、第4状態、及び第6状態時、発生するス
タート信号と、 前記第2状態、第3状態、第4状態、第5状態及び第6
状態時、発生する準備信号と、 前記第1状態及び第4状態時、発生する再駆動信号と、 前記第1状態、第2状態、及び第5状態時、発生する待
機信号と、 からなることを特徴とする請求項10記載の半導体製造
設備の警報装置。
11. The four input signals include a start signal generated in the third state, the fourth state, and the sixth state, and a start signal generated in the second state, the third state, the fourth state, the fifth state, and the second state. Sixth
A ready signal generated in the state, a re-drive signal generated in the first state and the fourth state, and a standby signal generated in the first state, the second state, and the fifth state. The alarm device for a semiconductor manufacturing facility according to claim 10, wherein:
【請求項12】 前記ランプタワーには、異なる色を発
光する3つのランプが設置されていることを特徴とする
請求項10記載の半導体製造設備の警報装置。
12. The alarm device according to claim 10, wherein the lamp tower is provided with three lamps that emit different colors.
【請求項13】 前記3つのランプは各赤色、緑色及び
黄色の色で、前記第3状態乃至第6状態時、前記緑色の
ランプが継続点灯されていることを特徴とする請求項1
2記載の半導体製造設備の警報装置。
13. The method according to claim 1, wherein the three lamps are red, green, and yellow respectively, and the green lamp is continuously lit during the third to sixth states.
3. The alarm device for a semiconductor manufacturing facility according to 2.
【請求項14】 前記第5状態になると、前記緑色のラ
ンプが点灯していると同時に前記赤色のランプも同時に
点灯されることを特徴とする請求項13記載の半導体製
造設備の警報装置。
14. The alarm device for a semiconductor manufacturing facility according to claim 13, wherein in the fifth state, the green lamp is turned on and the red lamp is turned on at the same time.
【請求項15】 前記赤色のランプに連結された駆動信
号を出力する、前記論理組合手段の論理組合された結果
に対して所定の周波数を有するパルス信号を組合せて前
記赤色のランプが点滅されるようにブランキング動作を
遂行することを特徴とする請求項14記載の半導体製造
設備の警報装置。
15. The red lamp is turned on and off by outputting a driving signal connected to the red lamp and combining a pulse signal having a predetermined frequency with a logical combination result of the logical combination means. 15. The alarm device according to claim 14, wherein the blanking operation is performed as described above.
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