KR100289959B1 - Manufacturing method of embedded capacitor of low temperature simultaneous firing ceramic - Google Patents
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Abstract
본 발명은 저온동시소성세라믹 (LTCC: Low Temperature Cofired Ceramic)의 내장 커패시터 제조방법에 관한 것으로, 그린시트 상에 원하는 형상의 하부전극을 프린팅하고, 고온소결된 유전체를 상기 하부전극의 크기보다 작은 크기 및 소정의 두께로 절단하여 상기 하부전극의 상부에 정렬시켜 유전체층을 형성한다. 상기 유전체층의 상부에 상기 유전체층의 크기보다 작은 상부전극을 프린팅하고, 그린시트를 소정의 회로소자가 프린팅된 또다른 그린시트들과 적절히 적층하여 레미네이션한다. 이 그린시트들을 저온에서 동시소성하여 저온동시소성세라믹의 내장 커패시터를 제조함으로써, 그 유전층으로서 고온에서 이미 소결된 유전체를 사용하므로 저온소성시 필요한 소결보조재가 필요없으며, 따라서 자체의 유전율이 높은 유전층을 이용할 수 있게 되므로 작은 부피에도 높은 커패시턴스값을 얻을 수 있고, 핀홀등의 발생이 억제되며, 또한 레미네이션된 그린시트들에 대한 저온동시소성공정중 그린시트의 조성과 유전체가 반응을 일으키지 않게 되므로 커패시터의 커패시턴스값이 일정하게 되며 따라서 원하는 커패시턴스값을 획득할 수 있게 된다.The present invention relates to a method for manufacturing a built-in capacitor of low temperature cofired ceramic (LTCC), and to print a lower electrode of a desired shape on a green sheet, and a high-temperature sintered dielectric smaller than the size of the lower electrode. And cut to a predetermined thickness to align the upper portion of the lower electrode to form a dielectric layer. An upper electrode smaller than the size of the dielectric layer is printed on the dielectric layer, and the green sheet is appropriately laminated with other green sheets printed with a predetermined circuit element and laminated. By co-firing these green sheets at low temperature, a built-in capacitor of low temperature co-fired ceramic is used, and since the dielectric layer already sintered at high temperature is used as the dielectric layer, there is no need for the sintering auxiliary material required for low temperature firing, thus providing a high dielectric constant layer. The high capacitance value can be obtained even at a small volume, the occurrence of pinholes is suppressed, and the composition and dielectric of the green sheet do not cause a reaction during the low temperature simultaneous firing process for laminated green sheets. The capacitance value of becomes constant and thus the desired capacitance value can be obtained.
Description
본 발명은 저온동시소성세라믹(LTCC: Low Temperature Cofired Ceramic)의 내장 커패시터 제조방법에 관한 것으로, 특히 미리 소결된 유전체를 사용함으로써 전기적 및 열적 성질이 우수한 커패시터를 제조하기 위한 저온동시소성세라믹의 내장 커패시터 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a built-in capacitor of low temperature cofired ceramic (LTCC), in particular a low temperature co-fired ceramic built-in capacitor for producing a capacitor having excellent electrical and thermal properties by using a pre-sintered dielectric It relates to a manufacturing method.
최근에, 전자기기의 소형화, 경량화, 고밀도화 및 고신뢰성화의 추세에 따라 반도체는 고집적화, 다기능화, 고속화, 고출력화, 및 고신뢰성화가 필수적으로 요구되고 있으며, 이에 따라 종래의 알루미나 기판 재료에 비해 더욱 고 기능화된 세라믹 기판이 사용되고 있다. 이와 같이 종래의 알루미나를 능가하는 고기능화된 세라믹 기판 재료로 사용되기 위해서는 특히 저온 소결성이 요구되고 있다.In recent years, according to the trend of miniaturization, light weight, high density, and high reliability of electronic devices, semiconductors are required to be highly integrated, multifunctional, high speed, high output, and high in reliability, and thus, compared with conventional alumina substrate materials. Highly functionalized ceramic substrates are used. Thus, low temperature sintering is particularly required to be used as a highly functionalized ceramic substrate material that exceeds conventional alumina.
세라믹 기판에 저온 소결성이 요구되는 이유로는 알루미나와 같이 소결 온도가 높은 경우(약 1500℃), 제조 단가의 상승이 불가피하며 배선 재료와 함께 동시 소성할 때 도체 재료로 융점이 높은 W 및 Mo 등을 사용해야 하기 때문이다. 그리고, 이같은 고융점의 금속들은 그 고유 저항값이 높기 때문에 회로의 배선 저항이 높아져 회로의 전송 손실을 고려할 때 배선 패턴의 미세화에 한계가 있어 결국 집적회로의 고밀도화를 이룰 수 없게 된다.The reason that low temperature sinterability is required for ceramic substrates is that when the sintering temperature is high like alumina (about 1500 ℃), the manufacturing cost is inevitably increased. Because you have to use. In addition, since these high-melting metals have high resistivity values, the wiring resistance of the circuit is high, so that the wiring pattern is limited in miniaturization in consideration of the transmission loss of the circuit, and thus, the integrated circuit cannot be densified.
따라서, 세라믹 기판에서 배선이 고밀도화와 반도체의 고속화를 달성하기 위하여는 배선 재료를 고려해야 한다. 이러한 점들을 고려할 때 저항이 낮고 가격도 저렴한 배선 재료로는 구리를 들수 있는데 구리는 용융온도가 1050℃이기 때문에 구리를 배선 재료로 사용하기 위해서는 1000℃ 이하의 저온에서 기판 재료를 소결할 수 있어야 한다.Therefore, in order to achieve high density of wiring and high speed of semiconductor in a ceramic substrate, wiring material must be considered. Considering these points, copper is a low-resistance and inexpensive wiring material. Since copper has a melting temperature of 1050 ° C, it is necessary to sinter the substrate material at a low temperature below 1000 ° C in order to use copper as a wiring material. .
통상적으로 LTCC 기판은 다음과 같은 공정을 거침에 의하여 제작된다.Typically, LTCC substrate is manufactured by the following process.
먼저, 기판 재료로 각각의 그린시트를 준비한다. 이 그린시트를 구성하기 위한 재료로서는, 충전재(filler)로 사용되는 세라믹과 글래스 시스템의 복합체로 형성된 재료, 또는 충전재로 사용되는 세라믹과 글래스-세라믹 시스템의 복합체로 형성된 재료를 사용한다. 일반적으로 충전재/글래스 시스템보다 충전재/글래스-세라믹 시스템의 경우에 기계적강도가 훨씬 우수하다. 상기와 같은 조성의 충전재/글래스-세라믹이 혼합된 분말에 접합제(binder), 가소제(plasticizer), 및 용제(solvant) 등을 혼합하여 닥터블레이드(doctor-blade) 방법에 의하여 건조두께가 100~200μm 정도의 그린시트를 형성한다.First, each green sheet is prepared as a substrate material. As a material for constructing the green sheet, a material formed of a composite of a ceramic and a glass system used as a filler or a material formed of a composite of a ceramic and a glass-ceramic system used as a filler is used. In general, mechanical strength is much better for filler / glass-ceramic systems than for filler / glass systems. Drying thickness is 100 ~ by a doctor-blade method by mixing a binder, plasticizer, and solvent with powder of filler / glass-ceramic having the above composition. A green sheet of about 200 μm is formed.
다음, 적층시 각각의 층에 해당하는 그린시트 상에 모듈회로도에 따라 적절한 위치에 비아(via)를 펀칭하여 형성한 후 스크린 프린팅 방법으로 비아의 공간을 충전시킨다.Next, vias are formed by punching vias at appropriate positions according to the module circuit diagram on the green sheets corresponding to the layers, and then filling the spaces of the vias by screen printing.
그 후, 각각의 층에 해당하는 그린시트 상에 모듈회로도에 따라 저항, 컨덕터, 커패시터, 인덕터 등과 같은 회로소자를 스크린 프린팅한 후, 레미네이션 작업에 의하여 인쇄된 그린시트를 각 해당 층에 적절하게 적층시켜 적층체를 만든다.After that, screen printing the circuit elements such as resistors, conductors, capacitors, inductors, etc. according to the module circuit diagram on the green sheet corresponding to each layer, and then apply the green sheet printed by the lamination operation to the respective layers. Lamination forms a laminate.
그리고, 이 적층체를 1000℃ 이하, 바람직하게는 약 850℃ 정도의 온도에서 동시소성하여 원하는 LTCC 기판을 완성한다.The laminate is co-fired at a temperature of about 1000 ° C. or less, preferably about 850 ° C. to complete the desired LTCC substrate.
그러나, 이러한 LTCC기판은 그린시트 적층체의 동시소성시 글래스세라믹의 특성인 소성수축에 의하여 기판의 변형이 발생하므로 정확한 회로패턴의 구현이 어렵다.However, since the LTCC substrate is deformed due to plastic shrinkage, which is a characteristic of glass ceramics, during simultaneous firing of the green sheet laminate, it is difficult to implement accurate circuit patterns.
따라서, 소성시 그린시트의 수축을 방지하기 위한 한 방법으로 그린시트 적층체 하부에 Cu/SUS/Cu, Cu/Invar/Cu, Cu/Kovar/Cu, Invar, Kovar등과 같은 금속 기판을 사용하여 세라믹과 금속을 접합시킴으로써, 이 접합력으로 그린시트 적층체의 소성수축을 방지하여 LTCC-M (Low Temperature Cofired Ceramic on Metal : 금속상 저온동시소성세라믹) 기판을 완성한다.Therefore, as a method for preventing shrinkage of the green sheet during firing, ceramics using metal substrates such as Cu / SUS / Cu, Cu / Invar / Cu, Cu / Kovar / Cu, Invar, and Kovar under the green sheet laminate By bonding the metal and the metal, this bonding force prevents the plastic shrinkage of the green sheet laminate to complete the LTCC-M substrate (Low Temperature Cofired Ceramic on Metal).
소성시 그린시트의 수축을 방지하기 위한 또다른 방법으로 그린시트 적층체 하부에 Al2O3AlN, Si3N4등과 같은 세라믹기판을 접합시킴으로써, 이 접합력으로 그린시트 적층체의 소성수축을 방지하여 LTCC-C (Low Temperature Cofired Ceramic on Ceramic : 세라믹상 저온동시소성세라믹) 기판을 완성한다. 세라믹을 기판으로 사용하는 경우, 금속 기판에서 필요한 도금, 산화 및 소성공정을 생략할 수 있다.Another method for preventing shrinkage of the green sheet during firing is to bond a ceramic substrate such as Al 2 O 3 AlN, Si 3 N 4, etc. to the lower part of the green sheet laminate, thereby preventing plastic shrinkage of the green sheet laminate. Low Temperature Cofired Ceramic on Ceramic (LTCC) substrate is completed. When ceramic is used as the substrate, the plating, oxidation and firing processes necessary for the metal substrate can be omitted.
이어, 완성된 LTCC 기판을 절단기를 사용하여 그 내부에 형성된 각각의 회로에 따라 그 경계를 절단하여 각 회로의 부품을 제조하게 된다. 따라서, 한번의 공정을 통해 다수의 회로 부품을 제조할 수 있게 된다.Subsequently, the parts of each circuit are manufactured by cutting the boundary of the completed LTCC substrate according to each circuit formed therein using a cutter. Therefore, it is possible to manufacture a plurality of circuit components in one process.
그런데, 상기한 바와 같은 LTCC, LTCC-M, LTCC-C 의 제조시 그린시트의 소성온도가 1000℃ 이하로 낮은 온도에서 제작되게 된다. 이러한 낮은 온도에서의 소성작업은 기존의 높은 온도에서의 소성작업에 비하여 내부소자, 특히 커패시터 등과 같은 내부소자의 각 구성성분의 소성조건에 적합하지 않으므로 소자의 전기적 및 열적 성질이 저하되는 원인이 되었다.However, when the LTCC, LTCC-M, LTCC-C as described above, the firing temperature of the green sheet is produced at a temperature lower than 1000 ℃. The firing at such a low temperature is a cause of deterioration of the electrical and thermal properties of the device because it is not suitable for the firing conditions of each component of the internal device, especially a capacitor, etc., compared to the firing at a high temperature. .
보다 구체적으로 말하면, 커패시터는, 그린시트 상에 스크린프린팅 작업에 의하여 먼저 전극을 프린팅하고, 그 상부에 유전체 페이스트를 스크린프린팅한 후 건조시키고, 상부 전극을 스크린프린팅하여 형성한다. 그 후 각각의 그린시트를 적층하여 동시소성함으로써 내장된 커패시터를 완성한다.More specifically, the capacitor is formed by first printing an electrode on the green sheet by a screen printing operation, screen printing a dielectric paste on the top, and drying the screen, and screen printing the upper electrode. Each green sheet is then stacked and cofired to complete the embedded capacitor.
이 때, 보통 유전체 페이스트의 소성은 1300℃ 내외 또는 그 이상에서 이루어지므로 1000℃ 이하에서 소결되도록 하기 위하여는 소결 보조재로서 프릿 글래스(frit glass)가 첨가되는 데 이러한 성분들은 유전율이 낮으므로 커패시터의 커패시턴스값을 저하시키는 원인이 되었다. 또한, 커패시터의 유전층의 이러한 첨가제는 동시소성시 핀홀의 발생을 증가시키므로 유전층의 두께를 얇게 할 경우 에러가 발생할 확률이 높아졌다. 뿐만 아니라, 커패시터는 유전체의 두께를 원하는 폭으로 일정하게 유지시킬 수 있어야 원하는 커패시턴스값을 획득할 수 있는데, 동시소성 공정중 그린시트의 조성에서 유리성분이 커패시터의 유전체로 확산하여 반응하게 됨으로써 커패시터의 유전층의 두께의 오차가 커지게 되고 이리하여 커패시터의 커패시턴스값이 일정하지 않게 되며 원하는 커패시턴스값을 획득할 수가 없는 문제점이 있었다.At this time, since the firing of the dielectric paste is usually performed at or around 1300 ° C. or higher, frit glass is added as a sintering aid to sinter at 1000 ° C. or lower. Since these components have a low dielectric constant, the capacitance of the capacitor It caused the value to fall. In addition, these additives in the dielectric layer of the capacitor increase the occurrence of pinholes during cofiring, thereby increasing the probability of error when the dielectric layer is thinned. In addition, the capacitor must be able to maintain the thickness of the dielectric constant to the desired width to obtain the desired capacitance value, the glass component in the composition of the green sheet during the co-firing process by diffusion diffused into the dielectric of the capacitor to react The error of the thickness of the dielectric layer becomes large, and thus the capacitance value of the capacitor is not constant, and there is a problem in that the desired capacitance value cannot be obtained.
따라서, 본 발명의 기술적 과제는 전기적 및 열적 성질이 우수한 커패시터를 제조하기 위한 저온동시소성세라믹의 내장 커패시터 제조방법을 제공하고자 하는 것이다.Accordingly, the technical problem of the present invention is to provide a method for manufacturing a built-in capacitor of a low temperature co-fired ceramic for producing a capacitor having excellent electrical and thermal properties.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 기술적 과제는,The present invention has been made to solve the above problems, the technical problem of the present invention,
그린시트 상에 원하는 형상의 하부전극을 프린팅하는 단계;Printing a lower electrode of a desired shape on the green sheet;
고온소결된 유전체를 상기 하부전극의 크기보다 작은 크기 및 소정의 두께로 절단하여 상기 하부전극의 상부에 정렬시켜 유전체층을 형성하는 단계;Cutting the hot sintered dielectric into a smaller size and a predetermined thickness than that of the lower electrode to form a dielectric layer on the lower electrode;
상기 유전체층의 상부에 상기 유전체층의 크기보다 작은 상부전극을 프린팅하는 단계;Printing an upper electrode on the dielectric layer, the upper electrode being smaller than the size of the dielectric layer;
상기의 그린시트를 소정의 회로소자가 프린팅된 또다른 그린시트들과 적절히 적층하여 레미네이션하는 단계;Stacking and laminating the green sheet with another green sheet printed with a predetermined circuit element;
상기 레미네이션된 그린시트들을 저온에서 동시소성하여 내부 커패시터를 형성하는 단계;Co-firing the laminated green sheets at low temperature to form an internal capacitor;
로 구성되는 저온동시소성세라믹의 내장 커패시터 제조방법을 제공하는 데 있다.It is to provide a method for manufacturing a built-in capacitor of low-temperature co-fired ceramic consisting of.
상기한 바와 같은 본 발명에 따른 저온동시소성세라믹의 내장 커패시터 제조방법에 의하여 제조된 커패시터는, 그 유전층으로서 고온에서 이미 소결된 유전체를 사용하므로 저온소성시 필요한 소결보조재가 필요없으며, 따라서 자체의 유전율이 높은 유전층을 이용할 수 있게 되므로 작은 부피에도 높은 커패시턴스값을 얻을 수 있게 되며 저온동시세라믹의 콤팩트화를 달성할 수 있게 된다.The capacitor manufactured by the method of manufacturing a built-in capacitor of a low-temperature co-fired ceramic according to the present invention as described above uses a dielectric already sintered at high temperature as its dielectric layer, and thus does not require a sintering auxiliary material required for low-temperature firing, and thus its dielectric constant. This high dielectric layer makes it possible to obtain high capacitance values in small volumes and to achieve compactness of low temperature co-ceramic ceramics.
또한, 상기한 바와 같은 본 발명에 따른 저온동시소성세라믹의 내장 커패시터 제조방법에 의하여 제조된 커패시터는, 소결보조재 등이 함유되지 않은 유전체를 고온에서 소성하게 되므로 핀홀등의 발생이 억제되고 따라서 높은 커패시턴스값을 획득할 수 있는 효과를 얻으며, 동시에 유전층의 두께를 얇게 할 경우 에러발생이 방지되어 제조수율이 향상된다.In addition, the capacitor manufactured by the method of manufacturing a built-in capacitor of a low-temperature co-fired ceramic according to the present invention as described above is fired at a high temperature of a dielectric material containing no sintering aid, etc., so that occurrence of pinholes is suppressed and thus high capacitance. The effect of obtaining a value is obtained, and at the same time, when the thickness of the dielectric layer is reduced, an error is prevented and manufacturing yield is improved.
뿐만 아니라, 미리 고온소결된 유전체를 사용하게 되면, 레미네이션된 그린시트들에 대한 저온동시소성공정중 그린시트의 조성과 유전체가 반응을 일으키지 않게 되므로 커패시터의 커패시턴스값이 일정하게 되며 따라서 원하는 커패시턴스값을 획득할 수 있게 된다.In addition, the use of the pre-heated dielectric material, the composition of the green sheet and the dielectric does not react during the low temperature simultaneous firing process for the laminated green sheets, the capacitance value of the capacitor is constant, and thus the desired capacitance value Can be obtained.
도 1은 저온동시소성세라믹의 비아가 형성된 그린시트들의 단면도;BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a sectional view of green sheets in which vias of a low temperature co-fired ceramic are formed;
도 2는 저온동시소성세라믹의 그린시트 상에 커패시터가 형성된 상태의 단면도;2 is a cross-sectional view of a capacitor formed on a green sheet of a low temperature simultaneous firing ceramic;
도 3은 저온동시소성세라믹의 그린시트 상에 커패시터가 형성된 상태의 평면도; 및3 is a plan view of a state in which a capacitor is formed on a green sheet of a low temperature co-fired ceramic; And
도 4는 저온동시소성세라믹의 그린시트들 사이에 내장되는 커패시터의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a capacitor embedded between the green sheets of the low temperature co-fired ceramic.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of drawing>
10, 20 : 그린시트 19, 29 : 비아10, 20: green sheet 19, 29: via
13 : 도선 110 : 커패시터13: lead wire 110: capacitor
111 : 하부전극 113 : 유전체층111: lower electrode 113: dielectric layer
115 : 상부전극115: upper electrode
이하, 본 발명의 저온동시소성세라믹의 내장 커패시터 제조방법의 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 의거 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a preferred embodiment of the method of manufacturing a built-in capacitor of the low temperature simultaneous firing ceramic of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 저온동시소성세라믹의 비아가 형성된 그린시트들의 단면도이고, 도 2는 저온동시소성세라믹의 그린시트 상에 커패시터가 형성된 상태의 단면도이고, 도 3은 저온동시소성세라믹의 그린시트 상에 커패시터가 형성된 상태의 평면도이고, 도 4는 저온동시소성세라믹의 그린시트들 사이에 내장되는 커패시터의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of green sheets having vias of a low temperature co-fired ceramic, FIG. 2 is a cross-sectional view of a capacitor formed on a green sheet of low temperature co-fired ceramic, and FIG. 3 is a capacitor on a green sheet of low temperature co-fired ceramic Is a plan view of the state formed, Figure 4 is a cross-sectional view of a capacitor embedded between the green sheet of the low-temperature co-fired ceramic.
먼저, 기판 재료로 각각의 그린시트(10, 20)를 준비한다. 이 그린시트를 구성하기 위한 재료로서, 일반적으로 충전재/글래스 시스템보다 충전재/글래스-세라믹 시스템의 경우에 기계적강도가 훨씬 우수하므로 세라믹(충전재) 및 글래스-세라믹 시스템의 복합체로 형성된 재료를 사용한다. 상기와 같은 조성의 충전재/글래스-세라믹이 혼합된 분말에 접합제(binder), 가소제(plasticizer), 및 용제(solvant) 등을 혼합하여 닥터블레이드(doctor-blade) 방법에 의하여 건조두께가 100~200μm 정도의 그린시트를 형성한다.First, each of the green sheets 10 and 20 is prepared as a substrate material. As a material for constructing the green sheet, a material formed of a composite of a ceramic (filler) and a glass-ceramic system is generally used because the mechanical strength is much higher in the case of a filler / glass-ceramic system than a filler / glass system. Drying thickness is 100 ~ by a doctor-blade method by mixing a binder, plasticizer, and solvent with powder of filler / glass-ceramic having the above composition. A green sheet of about 200 μm is formed.
다음, 적층시 각각의 층에 해당하는 그린시트(10, 20) 상에 모듈회로도에 따라 적절한 위치에 비아(via)(19, 29)를 펀칭하여 형성한 후 스크린 프린팅 방법으로 비아의 공간을 충전시킨다.Next, the vias 19 and 29 are formed by punching the vias 19 and 29 at appropriate positions on the green sheets 10 and 20 corresponding to the respective layers during lamination, and then filling the spaces of the vias by screen printing. Let's do it.
그 후, 각각의 층에 해당하는 그린시트(10, 20) 상에 모듈회로도에 따라 저항, 컨덕터, 커패시터, 인덕터 등과 같은 회로소자를 스크린 프린팅한다.Thereafter, circuit elements such as resistors, conductors, capacitors, and inductors are screen printed on the green sheets 10 and 20 corresponding to the respective layers.
이 때, 커패시터(110)를 형성하고자 하는 경우에 대하여 이하에 상세히 설명한다.In this case, a case in which the capacitor 110 is to be formed will be described in detail below.
그린시트(10) 상에 100μm 정도의 두께로 사각 형상의 하부전극(111)을 프린팅한다. 일반적으로 하부전극(111)의 프린팅시에, 상기 커패시터(100)의 하부전극(111)과 다른 회로소자와의 연결을 위하여 하부전극(111)과 연결된 도체라인(13)을 함께 스크린프린팅한다.A square lower electrode 111 is printed on the green sheet 10 with a thickness of about 100 μm. In general, during printing of the lower electrode 111, the conductor line 13 connected to the lower electrode 111 is screen-printed together to connect the lower electrode 111 of the capacitor 100 with other circuit elements.
그 후, 유전체 BaTiO3+3 mol% Fe2O3분말을 1300℃에서 고온소결하여 형성된 고형의 유전체를 약 10~100μm 정도의 두께로 절단하여 이를 상기 하부전극(111)의 상부에 정렬시켜 유전체층(113)을 형성한다. 이 때 유전체층(113)은 하부전극(111)과 동일한 크기이거나, 하부전극(111)보다 작거나 또는 크거나 그 크기는 무방하다. 상기 정렬된 유전체층(113)에 0.5~10 MPa의 압력을 가하여 정렬된 유전체층(113)의 높이를 일정하게 맞춘다. 선택적으로, 상기 유전체층(113)은 하부전극(111) 상에 정렬하기 전에 판 형상의 유전체층(113)의 외부에 1μm 정도의 또 다른 유전체막을 증착(deposition)시키고, 그 유전체막 외부에 Ag을 추가로 증착시킴으로써, 유전체층(113)의 거친 표면을 평탄화하고, 동시에 그린시트의 적층 레이네이션공정시 계면에서의 결합을 우수하게 한다.Subsequently, the solid dielectric formed by sintering the dielectric BaTiO 3 +3 mol% Fe 2 O 3 powder at high temperature at 1300 ° C. is cut to a thickness of about 10 to 100 μm, and the dielectric layer is aligned on the lower electrode 111. And form 113. In this case, the dielectric layer 113 may be the same size as the lower electrode 111 or smaller or larger than the lower electrode 111. The height of the aligned dielectric layer 113 is uniformly adjusted by applying a pressure of 0.5 to 10 MPa to the aligned dielectric layer 113. Optionally, before the dielectric layer 113 is aligned on the lower electrode 111, another dielectric layer of about 1 μm is deposited outside the plate-shaped dielectric layer 113, and Ag is added outside the dielectric layer 113. By vapor deposition, the rough surface of the dielectric layer 113 is planarized, and at the same time, the bonding at the interface is excellent in the lamination process of the green sheet.
그 후, 상기 유전체층(113)의 상부에 약 100μm 정도의 두께로 상부전극(115)을 프린팅한다. 상부전극(115)는 상기 하부전극(111)과 접촉되어 전기적 불량이 발생하지 않도록 상기 유전체층(113)보다 작은 크기로 상부전극(115)을 프린팅한다.Thereafter, the upper electrode 115 is printed on the dielectric layer 113 to a thickness of about 100 μm. The upper electrode 115 prints the upper electrode 115 to a size smaller than the dielectric layer 113 so that the lower electrode 111 is not in contact with the lower electrode 111.
그 후, 필요한 각 회로소자가 적절히 프린팅된 그린시트들을 레미네이션 작업에 의하여 적절하게 적층시켜 적층체를 만든다. 즉, 상부전극(115) 상에는 또다른 그린시트(20)가 적층되고, 상부전극(115)은 상부의 그린시트(20) 상의 임의의 회로와 비아(29)를 통하여 전기적으로 연결된다.Thereafter, each of the necessary circuit elements is appropriately stacked by lamination to appropriately print the green sheets to form a laminate. That is, another green sheet 20 is stacked on the upper electrode 115, and the upper electrode 115 is electrically connected to an arbitrary circuit on the upper green sheet 20 through the vias 29.
그리고, 이 적층체는 그 하부에 Cu/SUS/Cu, Cu/Invar/Cu, Cu/Kovar/Cu, Invar, Kovar 등과 같은 금속 기판을 설치하여 그린시트의 세라믹과 금속기판을 접합시거나, 아니면 그린시트 적층체 하부에 Al2O3AlN, Si3N4등과 같은 세라믹기판을 접합시킴으로써, 이 접합력으로 그린시트 적층체의 소성수축을 방지하여 LTCC-M (Low Temperature Cofired Ceramic on Metel : 금속상 저온동시소성세라믹)기판 또는 LTCC-C (Low Temperature Cofired Ceramic on Ceramic : 세라믹상 저온동시소성세라믹)기판을 완성한다.The laminate is formed by attaching a metal substrate such as Cu / SUS / Cu, Cu / Invar / Cu, Cu / Kovar / Cu, Invar, Kovar, etc. to bond the ceramic and metal substrate of the green sheet, or By bonding ceramic substrates such as Al 2 O 3 AlN, Si 3 N 4, etc. to the lower part of the sheet laminate, the plastic sheet shrinkage prevents plastic shrinkage of the green sheet laminate. Completes a co-fired ceramic substrate or LTCC-C (Low Temperature Cofired Ceramic on Ceramic) substrate.
참고로, LTCC (Low Temperature Cofired Ceramic : 저온동시소성세라믹)의 경우에는, 동시소성시 그린시트 및 내부회로 등이 x, y, z축 방향으로 소성수축이 발생하게 된다. 이에 비하여 본 발명에서의 커패시터 내부의 이미 소결된 유전체층은 수축이 크게 발생하지 않게 되므로 이 수축률의 차이에 따라 각 성분들의 변형에 차이가 발생하게 되며, 또한 수축시 계면에 수축률 차이에 의한 내부응력이 발생하여 유전체층에 변형에 의한 크랙(crack)이 발생하게 된다. 따라서, 본 발명에서와 같이 이미 소결된 유전체를 사용하는 커패시터 제조방법은, 동시소성시 x, y축 방향으로 변형을 억제하는 LTCC-M 기판 또는 LTCC-C 기판에 적용하는 것이 더욱 유효하다.For reference, in case of LTCC (Low Temperature Cofired Ceramic), plastic shrinkage occurs in the x, y, and z axis directions during simultaneous firing. In contrast, since the shrinkage of the already sintered dielectric layer inside the capacitor of the present invention does not occur significantly, a difference occurs in the deformation of each component according to the difference in the shrinkage rate, and the internal stress caused by the difference in the shrinkage rate at the interface during shrinkage To generate cracks in the dielectric layer. Therefore, the capacitor manufacturing method using the already sintered dielectric as in the present invention, it is more effective to apply to the LTCC-M substrate or LTCC-C substrate that suppresses deformation in the x, y axis direction at the time of simultaneous firing.
이어, 완성된 LTCC-M 또는 LTCC-C를 절단기를 사용하여 그 내부에 형성된 각각의 회로에 따라 그 경계를 절단하여 각 회로의 부품을 제조하게 된다. 따라서, 한번의 공정을 통해 다수의 회로 부품을 제조할 수 있게 된다.Subsequently, the finished LTCC-M or LTCC-C is cut using a cutter to cut the boundary according to each circuit formed therein, thereby manufacturing the components of each circuit. Therefore, it is possible to manufacture a plurality of circuit components in one process.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 저온동시소성세라믹의 내장 커패시터 제조방법에 의하여 제조된 커패시터는, 그 유전층으로서 고온에서 이미 소결된 유전체를 사용하므로 저온소성시 필요한 소결보조재가 필요없으며, 따라서 자체의 유전율이 높은 유전층을 이용할 수 있게 되므로 작은 부피에도 높은 커패시턴스값을 얻을 수 있게 되며 저온동시세라믹의 콤팩트화를 달성할 수 있게 된다.As described in detail above, the capacitor manufactured by the method of manufacturing a built-in capacitor of a low temperature co-fired ceramic according to the present invention does not need a sintering auxiliary material necessary for low temperature firing since the dielectric layer already sintered at high temperature is used as the dielectric layer. The use of a dielectric layer with a high dielectric constant makes it possible to obtain high capacitance values even in small volumes and to achieve compactness of low temperature co-ceramic ceramics.
또한, 상기한 바와 같은 본 발명에 따른 저온동시소성세라믹의 내장 커패시터 제조방법에 의하여 제조된 커패시터는, 소결보조재 등이 함유되지 않은 유전체를 고온에서 소성하게 되므로 핀홀등의 발생이 억제되고 따라서 높은 커패시턴스값을 획득할 수 있는 효과를 얻으며, 동시에 유전층의 두께를 얇게 할 경우 에러발생이 방지되어 제조수율이 향상된다.In addition, the capacitor manufactured by the method of manufacturing a built-in capacitor of a low-temperature co-fired ceramic according to the present invention as described above is fired at a high temperature of a dielectric material containing no sintering aid, etc., so that occurrence of pinholes is suppressed and thus high capacitance. The effect of obtaining a value is obtained, and at the same time, when the thickness of the dielectric layer is reduced, an error is prevented and manufacturing yield is improved.
뿐만 아니라, 미리 고온소결된 유전체를 사용하게 되면, 레미네이션된 그린시트들에 대한 저온동시소성공정중 그린시트의 조성과 유전체가 반응을 일으키지 않게 되므로 커패시터의 커패시턴스값이 일정하게 되며 따라서 원하는 커패시턴스값을 획득할 수 있게 된다.In addition, the use of the pre-heated dielectric material, the composition of the green sheet and the dielectric does not react during the low temperature simultaneous firing process for the laminated green sheets, the capacitance value of the capacitor is constant, and thus the desired capacitance value Can be obtained.
Claims (7)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980061753A KR100289959B1 (en) | 1998-12-30 | 1998-12-30 | Manufacturing method of embedded capacitor of low temperature simultaneous firing ceramic |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980061753A KR100289959B1 (en) | 1998-12-30 | 1998-12-30 | Manufacturing method of embedded capacitor of low temperature simultaneous firing ceramic |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000045202A KR20000045202A (en) | 2000-07-15 |
| KR100289959B1 true KR100289959B1 (en) | 2001-06-01 |
Family
ID=19568457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019980061753A KR100289959B1 (en) | 1998-12-30 | 1998-12-30 | Manufacturing method of embedded capacitor of low temperature simultaneous firing ceramic |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100289959B1 (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000050865A (en) * | 1999-01-15 | 2000-08-05 | 전주범 | Aligning Device for attaching LTCCM Module on Heat-Sinc |
| KR20030084355A (en) * | 2002-04-26 | 2003-11-01 | 엘지이노텍 주식회사 | Embedded Capacitor and LTCC Multi-Layer Board using Embedded Capacitor |
| KR100790694B1 (en) | 2006-06-30 | 2008-01-02 | 삼성전기주식회사 | Method of manufacturing a ltcc board with embedded capacitors |
| KR102078015B1 (en) * | 2013-11-07 | 2020-04-07 | 삼성전기주식회사 | Low temperature co-fired ceramic substrate with embedded capacitors |
-
1998
- 1998-12-30 KR KR1019980061753A patent/KR100289959B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20000045202A (en) | 2000-07-15 |
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