KR100278742B1 - Method of forming fine pattern of highly reflective material - Google Patents
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Abstract
본 발명은 경사식각을 이용하여 감광층의 직각도에 무관한 패턴을 반사율이 높은 재료에 대해 형성하기 위한 고반사 물질의 미세 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 기판(10)상에 고반사 물질층(11)을 증착한후 제1 포토레지스트층(12)을 형성하는 고반사 물질 및 포토레지스트 형성 공정, 형성하려는 고반사 물질(11) 패턴의 일측면을 형성하기 위해 상기 제1 포토레지스트층(12)의 일측부(13)를 노광시키고 현상하여 일측부(13)가 제거된 포토레지스트층(12)을 형성하는 제1 노광 및 현상 공정, 상기 노광 및 현상된 포토레지스트층(12)과 고반사 물질층(11)에 대해 상기 포토레지스트층(12)의 일측부(13) 방향에서 경사지게 에칭하는 제1 에칭 공정, 에칭된 고반사 물질층(11) 위에 제2 포토레지스트층(14)을 형성하는 제2 포토레지스트 형성 공정, 형성하려는 고반사 물질(11) 패턴의 타측면을 형성하기 위해 상기 제2 포토레지스트층(12)의 타측부(15)를 노광시키고 현상하여 타측부(15)가 제거된 포토레지스트층(12)을 형성하는 제2 노광 및 현상 공정, 및 상기 노광 및 현상된 제2 포토레지스트층(12)과 고반사 물질층(11)에 대해 상기 포토레지스트층(12)의 타측부(15) 방향에서 경사지게 에칭하는 제2 에칭 공정에 의해 수행된다.The present invention relates to a method of forming a fine pattern of a highly reflective material for forming a pattern irrespective of the squareness of the photosensitive layer with respect to a material having high reflectivity by using an inclined etching. 11) after the deposition of the high reflective material and the photoresist forming process for forming the first photoresist layer 12, the first photoresist layer 12 to form one side of the pattern of the high reflective material 11 to be formed A first exposure and development process of exposing and developing one side portion 13 of the photoresist layer to form the photoresist layer 12 from which the one side portion 13 has been removed, and high reflection with the exposed and developed photoresist layer 12. A first etching process in which the material layer 11 is etched obliquely in the direction of one side 13 of the photoresist layer 12, and a second photoresist layer 14 is formed on the etched high reflective material layer 11. Second photoresist forming process, the high reflective material to be formed (11) a second to form the photoresist layer 12 from which the other side 15 is removed by exposing and developing the other side 15 of the second photoresist layer 12 to form the other side of the pattern An exposure and development process, and a second etching that is inclinedly etched with respect to the exposed and developed second photoresist layer 12 and the highly reflective material layer 11 in the direction of the other side 15 of the photoresist layer 12. Carried out by the process.
따라서 본 발명은 미세 패턴을 용이하게 구현할 수 있으므로 고집적화된 칩을 생성할 수 있다.Therefore, the present invention can easily implement a fine pattern can produce a highly integrated chip.
Description
본 발명은 경사식각을 이용하여 감광층의 직각도에 무관한 패턴을 반사율이 높은 재료에 대해 형성하기 위한 고반사 물질의 미세 패턴 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of forming a fine pattern of a highly reflective material for forming a pattern irrespective of the squareness of the photosensitive layer with respect to a material having high reflectivity using an inclined etching.
일반적으로 콘덕터로 주로 사용되는 알루미늄 및 금 등과 같은 금속 물질은 반사율이 높다. 이와 같이 반사율이 높은 물질로 미세 패턴을 형성하는 방법을 도 1을 참조하여 설명한다.In general, metal materials such as aluminum and gold, which are mainly used as conductors, have high reflectance. As described above, a method of forming a fine pattern of a material having high reflectance will be described with reference to FIG. 1.
먼저, 도 1a 에 도시한 바와 같이 기판(1)상에 고반사 물질(2)과 포토레지스트층(3)을 순차적으로 형성한후, 도 1b 에 도시한 바와 같이 원하는 패턴 형상을 갖는 마스크(4)를 사용하여 노광시킨다. 이와 같이 마스크(4)를 통해 포토레지스트층(3)이 노광되면 포토레지스트층(3)이 반응하게 되고, 이를 현상기로 현상하면 도 1c 에 도시한 바와 같이 포토레지스트 패턴(3)을 형성하게 된다.First, as shown in FIG. 1A, the high reflective material 2 and the photoresist layer 3 are sequentially formed on the substrate 1, and then the mask 4 having the desired pattern shape as shown in FIG. 1B. To be exposed. As such, when the photoresist layer 3 is exposed through the mask 4, the photoresist layer 3 reacts. When the photoresist layer 3 is developed using a developing device, the photoresist pattern 3 is formed as illustrated in FIG. 1C. .
이를 포토레지스트 패턴(3)이 형성된 상태에서 에칭 과정을 수행하면 도 1d 에 도시한 바와 같이 고반사 물질의 패턴(2)이 형성되게 된다.When the etching process is performed while the photoresist pattern 3 is formed, the pattern 2 of the highly reflective material is formed as shown in FIG. 1D.
그러나 이러한 종래의 고반사 물질의 미세 패턴 형성 방법은 도 2 에 도시한 바와 같이 회절에 의해 패턴이 형성되지 않는 경우가 있다.However, in the conventional method for forming a fine pattern of a high reflective material, as shown in FIG. 2, a pattern may not be formed by diffraction.
즉, 도 2a 에 도시한 바와 같이 마스크(4)를 통해 입사되는 빔은 회절 현상을 일으키게 되고 이에 따라 비노출 영역(5)이 작아져서 도 2b 에 도시한 바와 같이 포토레지스트 패턴이 거의 형성되지 않게 된다.That is, as shown in FIG. 2A, the beam incident through the mask 4 causes diffraction, and thus the non-exposed region 5 becomes small, so that a photoresist pattern is hardly formed as shown in FIG. 2B. .
따라서 종래의 고반사 물질의 미세 패턴 형성 방법은 회절에 의해 패턴이 변형되어 고집적화가 용이하지 못한 문제점이 있었다.Therefore, the conventional method for forming a fine pattern of a highly reflective material has a problem in that the pattern is deformed by diffraction and thus high integration is difficult.
상기 문제점을 개선하기 위해 본 발명은 경사 식각을 이용하여 감광층의 직각도에 무관한 패턴을 형성하여 칩의 고집적화가 가능하도록 하기 위한 고반사 물질의 미세 패턴 형성 방법을 제공함에 그 목적이 있다.In order to improve the above problems, an object of the present invention is to provide a method of forming a fine pattern of a highly reflective material to enable high integration of a chip by forming a pattern irrespective of the squareness of the photosensitive layer using an inclined etching.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 기판상에 고반사 물질층을 증착한후 제1 포토레지스트층을 형성하는 고반사 물질 및 포토레지스트 형성 공정, 형성하려는 고반사 물질 패턴의 일측면을 형성하기 위해 상기 제1 포토레지스트층의 일측부를 노광시키고 현상하여 일측부가 제거된 포토레지스트층을 형성하는 제1 노광 및 현상 공정, 상기 노광 및 현상된 포토레지스트층과 고반사 물질층에 대해 상기 포토레지스트층의 일측부 방향에서 경사지게 에칭하는 제1 에칭 공정, 에칭된 고반사 물질층 위에 제2 포토레지스트층을 형성하는 제2 포토레지스트 형성 공정, 형성하려는 고반사 물질 패턴의 타측면을 형성하기 위해 상기 제2 포토레지스트층의 타측부를 노광시키고 현상하여 타측부가 제거된 포토레지스트층을 형성하는 제2 노광 및 현상 공정, 및 상기 노광 및 현상된 제2 포토레지스트층과 고반사 물질층에 대해 상기 포토레지스트층의 타측부 방향에서 경사지게 에칭하는 제2 에칭 공정에 의해 수행됨을 특징으로 하는 고반사 물질의 미세 패턴 형성 방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention is a high reflective material and a photoresist forming process for forming a first photoresist layer after depositing a high reflective material layer on a substrate, to form one side of the high reflective material pattern to be formed A first exposure and development process of exposing and developing one side of the first photoresist layer to form a photoresist layer from which one side is removed, and the photoresist layer with respect to the exposed and developed photoresist layer and the highly reflective material layer. A first etching process of etching obliquely in one side direction, a second photoresist forming process of forming a second photoresist layer on the etched high reflective material layer, the second to form another side of the high reflective material pattern to be formed A second exposure and development step of exposing and developing the other side of the photoresist layer to form a photoresist layer from which the other side is removed, and It provides a method of forming a fine pattern of a high reflective material, characterized in that by the second etching process to be inclined in the direction of the other side of the photoresist layer with respect to the previously exposed and developed second photoresist layer and high reflective material layer do.
도 1 은 종래의 미세 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 도면1 is a view for explaining a conventional fine pattern formation method
도 2 는 종래의 고반사 물질의 회절에 의한 패턴 변형을 설명하기 위한 도면2 is a view for explaining a pattern deformation by diffraction of a conventional high reflective material
도 3 은 본 발명에 의한 미세 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 도면3 is a view for explaining a method for forming a fine pattern according to the present invention;
도 4 는 도 3 의 RIE 처리 공정를 설명하기 위한 도면4 is a view for explaining the RIE processing process of FIG.
도 5 는 도 3 의 에칭 공정를 설명하기 위한 도면5 is a view for explaining an etching process of FIG.
도 6 은 도 3 의 에칭 공정를 설명하기 위한 도면6 is a view for explaining an etching process of FIG.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
10 : 기판 11, 14 : 포토레지스터10: substrate 11, 14: photoresist
12 : 고반사 물질 13, 15 : 노광부12: highly reflective material 13, 15: exposed portion
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명에 의한 고반사 물질의 미세 패턴 형성 방법은 도 3 에 도시한 바와 같이 기판(10)상에 고반사 물질층(11)을 증착한후 제1 포토레지스트층(12)을 형성하는 고반사 물질 및 포토레지스트 형성 공정, 상기 고반사 물질 및 포토 레지스트 형성 공정 수행후 상기 제1 포토레지스트층(12)의 두께(dpr)를 조절하기 위해 O2플라즈마 RIE(Reactive Ion Etching)를 사용하여 상부의 포토레지스트층(12)의 일부를 제거하는 제1 RIE 처리 공정, 형성하려는 고반사 물질(11) 패턴의 일측면을 형성하기 위해 상기 제1 포토레지스트층(12)의 일측부(13)를 노광시키고 현상하여 일측부(13)가 제거된 포토레지스트층(12)을 형성하는 제1 노광 및 현상 공정, 상기 노광 및 현상된 포토레지스트층(12)과 고반사 물질층(11)에 대해 상기 포토레지스트층(12)의 일측부(13) 방향에서 경사지게 에칭하는 제1 에칭 공정, 에칭된 고반사 물질층(11) 위에 제2 포토레지스트층(14)을 형성하는 제2 포토레지스트 형성 공정, 상기 제2 포토레지스트 형성 공정 수행후 상기 제2 포토레지스트층의 두께(dpr)를 조절하기 위해 O2플라즈마 RIE(Reactive Ion Etching)를 사용하여 상부의 포토레지스트층(12)의 일부를 제거하는 제2 RIE 처리 공정, 형성하려는 고반사 물질(11) 패턴의 타측면을 형성하기 위해 상기 제2 포토레지스트층(12)의 타측부(15)를 노광시키고 현상하여 타측부(15)가 제거된 포토레지스트층(12)을 형성하는 제2 노광 및 현상 공정, 및 상기 노광 및 현상된 제2 포토레지스트층(12)과 고반사 물질층(11)에 대해 상기 포토레지스트층(12)의 타측부(15) 방향에서 경사지게 에칭하는 제2 에칭 공정에 의해 수행된다.In the method of forming a fine pattern of the highly reflective material according to the present invention, as shown in FIG. 3, the highly reflective material is formed on the substrate 10 and then the first reflective layer 12 is formed. After the material and the photoresist forming process and the high reflective material and the photoresist forming process are performed, an O 2 plasma reactive ion etching (RIE) is used to control the thickness dpr of the first photoresist layer 12. A first RIE treatment step of removing a portion of the photoresist layer 12, exposing one side 13 of the first photoresist layer 12 to form one side of the pattern of high reflective material 11 to be formed. And developing the photoresist layer 12 from which the one side 13 is removed, and the photoresist layer 12 and the high reflective material layer 11 are exposed to each other. Etching inclined in the direction of one side 13 of resist layer 12 Is a first etching process, a second photoresist forming process of forming a second photoresist layer 14 on the etched high reflection material layer 11, and performing the second photoresist forming process, A second RIE treatment process for removing a portion of the upper photoresist layer 12 using O 2 plasma Reactive Ion Etching (RIE) to adjust the thickness (dpr), the other pattern of the highly reflective material 11 to be formed. A second exposure and development process of exposing and developing the other side 15 of the second photoresist layer 12 to form a side surface to form the photoresist layer 12 from which the other side 15 is removed, and The second photoresist layer 12 and the highly reflective material layer 11 that have been exposed and developed are performed by a second etching process that is inclinedly etched in the direction of the other side 15 of the photoresist layer 12.
여기서, 상기 고반사 물질층의 에칭율(Em)은 상기 제1 및 제2 포토레지스트층의 에칭율(Epr)보다 크게 결정된다. 이는 RIE의 경우 가스를 변경하여 구현할 수 있고, 이온 밀링(Ion Milling)의 경우 알루미늄 및 금에서 에칭율(Em)은 포토레지스트층의 에칭율(Epr)보다 4내지 10배 정도 크므로 쉽게 구현할 수 있다.Here, the etching rate Em of the high reflective material layer is determined to be larger than the etching rates Epr of the first and second photoresist layers. This can be achieved by changing the gas in the case of RIE, and in the case of ion milling, the etching rate (Em) in aluminum and gold is 4 to 10 times larger than the etching rate (Epr) of the photoresist layer. have.
이와 같이 이루어지는 본 발명에 의한 고반사 물질의 미세 패턴 형성 방법을 도 3, 도 4, 도 5 를 참조하여 설명한다.The method of forming a fine pattern of the highly reflective material according to the present invention thus made will be described with reference to FIGS. 3, 4 and 5.
먼저, 도 3a 에 도시한 바와 같이 고반사 물질 및 포토레지스트층 형성 공정를 수행하여 기판(10)상에 고반사 물질층(11)을 증착한후 제1 포토레지스트층(12)을 형성한다.First, as shown in FIG. 3A, a high reflective material and photoresist layer forming process is performed to deposit the high reflective material layer 11 on the substrate 10, and then the first photoresist layer 12 is formed.
즉, 기판(10)상에 미세 패턴을 형성하려는 알루미늄과 같은 금속층, 즉 고반사 물질층(11)을 증착한후, 포토레지스트층(12)을 코팅한다.That is, after depositing a metal layer, such as aluminum, that is, a highly reflective material layer 11, to form a fine pattern on the substrate 10, the photoresist layer 12 is coated.
이와 같이 고반사 물질 및 포토레지스트 형성 공정를 수행한후에는 도 4 에 도시한 바와 같이 제1 RIE 처리 공정를 수행하여 상기 고반사 물질층(11)의 두께(dm)가 제1 포토레지스트층(12)의 두께(dpr) 보다 두껍도록 O2플라즈마 RIE(Reactive Ion Etching)를 사용하여 상부의 포토레지스트층(12)의 일부를 제거한다.As described above, after the high reflective material and the photoresist forming process are performed, as shown in FIG. 4, the first RIE treatment process is performed to obtain a thickness dm of the high reflective material layer 11. A portion of the upper photoresist layer 12 is removed using an O 2 plasma Reactive Ion Etching (RIE) to be thicker than the thickness dpr.
이때 잔류하는 포토레지스트층의 두께(dpr)는 다음 수학식 1 과 같다.At this time, the thickness dpr of the remaining photoresist layer is represented by Equation 1 below.
따라서 다음 수학식 2 가 성립한다.Therefore, the following equation (2) holds.
여기서, t는 시간, Epr은 포토레지스트의 에칭율, Em은 금속층의 에칭율, dpr은 잔류하는 포토레지스트층(3)의 두께, dm은 패턴닝하고자하는 두께를 각각 나타낸다.Where t is time, Epr is the etching rate of the photoresist, Em is the etching rate of the metal layer, dpr is the thickness of the remaining photoresist layer 3, and dm is the thickness to be patterned, respectively.
또한, 금속층의 에칭율(Em)은 포토레지스트층의 에칭율(Epr)보다 큰 조건에서 결정한다.In addition, the etching rate Em of the metal layer is determined under conditions larger than the etching rate Epr of the photoresist layer.
이와 같이 제1 RIE 처리 공정를 수행한후에는 도 3b 에 도시한 바와 같이 제1 노광 및 현상 공정를 수행하여 형성하려는 고반사 물질(11) 패턴의 일측면을 형성하기 위해 상기 제1 포토레지스트층(12)의 일측부(13)를 노광시키고 현상하여 일측부(13)가 제거된 포토레지스트층(12)을 형성한다.As described above, after the first RIE treatment process is performed, the first photoresist layer 12 is formed to form one side of the pattern of the highly reflective material 11 to be formed by performing the first exposure and development process as shown in FIG. 3B. One side 13 of the substrate 13 is exposed and developed to form a photoresist layer 12 from which one side 13 is removed.
즉, 도 3b 에 도시한 바와 같이 금속층, 즉 고반사 물질층(11)의 일측, 즉 우측면을 식각 형성하기 위한 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있도록 마스크를 형성하고 노광하여 노광부(13)를 형성한후 현상하여 도 3b 에 도시한 바와 같이 노광부(13)를 제거한 포토레지스트 패턴을 형성한다.That is, as shown in FIG. 3B, a mask is formed and exposed to form a photoresist pattern for etching the metal layer, that is, the one side or the right side of the high reflective material layer 11, thereby forming the exposure part 13. After the development, the photoresist pattern from which the exposed portion 13 is removed is formed as shown in FIG. 3B.
이와 같이 제1 노광 및 현상 공정를 수행한후에는 제1 에칭 공정를 수행하여 상기 노광 및 현상된 포토레지스트층(12)과 고반사 물질층(11)에 대해 상기 포토레지스트층(12)의 일측부(13) 방향에서 경사지게 에칭한다.After performing the first exposure and development processes as described above, one side 13 of the photoresist layer 12 may be applied to the exposed and developed photoresist layer 12 and the highly reflective material layer 11 by performing a first etching process. Etch inclined in the direction of).
이때 고반사 물질층(11), 즉 금속층의 에칭율(Em)이 포토레지스트층(12)의 에칭율(Epr) 보다 크게 하는 조건에서 경사지는 방향으로 드라이 에칭하는데, 이를 도 5를 참조하여 설명한다.In this case, dry etching is performed in a direction inclined under a condition that the etching rate Em of the high reflective material layer 11, that is, the metal layer is larger than the etching rate Epr of the photoresist layer 12, which will be described with reference to FIG. 5. do.
드라이 에칭을 도 5 에 도시한 바와 같이 θ의 각도로 실시하면 포토레지스트층(12)의 에칭 길이(lpr)와 금속층, 즉 고반사 물질층(12)의 에칭 길이(lm)는 다음 수학식 3 에 나타낸 바와 같다.When dry etching is performed at an angle of θ as shown in FIG. 5, the etching length lpr of the photoresist layer 12 and the etching length lm of the metal layer, that is, the highly reflective material layer 12 are represented by Equation 3 below. As shown in.
상기 수학식 3에서 전체 에칭 시간은 동일하고 상기 수학식 2를 만족하므로 다음 수학식 4가 성립하게 된다.Since the total etching time in Equation 3 is the same and satisfies Equation 2, Equation 4 is established.
이때 x 성분으로의 길이(a2)는 다음 수학식 5 와 같은 조건을 만족한다.At this time, the length (a 2 ) to the x component satisfies the condition as shown in the following equation (5).
따라서 a1과 a2와 aα는 다음 수학식 6과 같이 나타난다.Accordingly, a 1 , a 2, and a α are represented by Equation 6 below.
따라서 패턴닝하고자하는 금속층의 두께(dm)와 포토레지스트층(dpr)의 비는 다음 수학식 7 과 같다.Therefore, the ratio of the thickness dm of the metal layer to be patterned and the photoresist layer dpr is expressed by Equation 7 below.
여기서, dm은 패턴닝하고자하는 금속층의 두께이고, dpr은 금속층의 두께(dm)의 에칭 선택도에 의해 결정되는 포토레지스트의 두께이고, tan α는 노광량이나 노출시간에 의해 형성되는 패턴 형성 각도로 0도보다 크고 90도보다 작다.Where dm is the thickness of the metal layer to be patterned, dpr is the thickness of the photoresist determined by the etching selectivity of the thickness dm of the metal layer, and tan α is the pattern formation angle formed by the exposure or exposure time. Greater than 0 degrees and less than 90 degrees
따라서 위의 수학식 7을 만족하는 조건으로 에칭 경사각도(θ)를 설정하면 에칭후 생성되는 패턴은 기판 방향에서 수직으로 형성된다.Therefore, when the etching inclination angle (θ) is set to the condition that satisfies Equation 7, the pattern generated after etching is formed perpendicular to the substrate direction.
이를 도 6을 참조하여 증명하면 다음과 같다.Proving this with reference to FIG. 6 is as follows.
x지점으로 통과하는 이온의 경로에 대해 포토레지스트를 에칭하는 시간(t1)과 금속층을 에칭하는 시간(t2)로 나누어 생각하면 y와 비교시 시간(t1)은 동일한 에칭 길이를 나타낸다(lpr1 = lx1)이 된다. 따라서 lpr2와 lx2만을 비교하면 되는데 이를 수학식 8 에 나타낸다.Considering the time (t1) for etching the photoresist and the time (t2) for etching the metal layer with respect to the path of ions passing through the x point, the time (t1) compared with y represents the same etching length (lpr1 = lx1). ) Therefore, only lpr2 and lx2 need to be compared.
동일한 시간(t2) 중에 lpr2의 에칭 선택도를 만족시키는 lx2가 에칭되는데, 이를 수학식 9 에 나타내면 다음과 같다.During the same time t2, lx2 that satisfies the etching selectivity of lpr2 is etched.
따라서 다음 수학식 10 과 수학식 11 이 된다.Therefore, the following equations (10) and (11) are obtained.
여기서 상기 수학식 10 은 에칭 선택도(selectivity)를 이용하면 되고, 상기 수학식 11 은 앞에서 설정된 조건이므로, 기판에 수직으로 금속 패턴이 형성된다.Here, Equation 10 may use etching selectivity, and Equation 11 is a condition set previously, so that a metal pattern is formed perpendicular to the substrate.
이와 같이 제1 에칭 공정를 수행한후에는 도 3d 에 도시한 바와 같이 제2 포토레지스트 형성 공정를 수행하여 에칭된 고반사 물질층(11) 위에 제2 포토레지스트층(14)을 형성한다.After the first etching process is performed, the second photoresist layer 14 is formed on the etched high reflection material layer 11 by performing the second photoresist forming process as shown in FIG. 3D.
즉, 고반사 물질층(11)의 수직 패턴이 형성된 일측면의 반대편 타측면의 수직 패턴을 형성하기 위해 도 3d 에 도시한 바와 같이 고반사 물질층(11)과 기판(10)위에 포토레지스트(14)를 증착한다.That is, in order to form the vertical pattern of the other side opposite to the one side on which the vertical pattern of the high reflective material layer 11 is formed, as shown in FIG. 3D, the photoresist is formed on the high reflective material layer 11 and the substrate 10. 14) is deposited.
상기 제2 포토레지스트 형성 공정를 수행한후에는 제2 RIE 처리 공정를 수행하여 상기 제2 포토레지스트층(12)의 두께(dpr)를 조절하기 위해 O2플라즈마 RIE(Reactive Ion Etching)를 사용하여 상부의 포토레지스트층(12)의 일부를 제거한다.After the second photoresist forming process, a second RIE treatment process is performed to adjust the thickness dpr of the second photoresist layer 12 using an O 2 plasma reactive ion etching (RIE). A part of the resist layer 12 is removed.
즉, 제2 포토레지스트 형성 공정에서 포토레지스트층914)을 두껍게 형성시킨후 O2플라즈마 RIE(Reactive Ion Etching) 처리하여 스텝커버리지(Step Coverage)를 개선하고 두께 조절을 용이하게 한다.That is, in the second photoresist forming process, the photoresist layer 914 is thickly formed and then treated with O 2 plasma RIE (Reactive Ion Etching) to improve step coverage and facilitate thickness control.
이와 같이 제2 RIE 처리 공정를 수행한후에는 제2 노광 및 현상 공정를 수해아여 형성하려는 고반사 물질(11) 패턴의 타측면을 형성하기 위해 상기 제2 포토레지스트층(12)의 타측부(15)를 노광시키고 현상하여 타측부(15)가 제거된 포토레지스트층(12)을 형성한다.After performing the second RIE treatment process as described above, the other side 15 of the second photoresist layer 12 is formed to form the other side surface of the high reflective material 11 pattern to be formed by the second exposure and development process. The photoresist layer 12 from which the other side 15 is removed is formed by exposing and developing.
즉, 도 3e 에 도시한 바와 같이 금속층, 즉 고반사 물질층(14)의 타측, 즉 좌측면을 식각 형성하기 위한 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있도록 마스크를 형성하고 노광하여 노광부(15)를 형성한후 현상하여 도 3f 에 도시한 바와 같이 노광부(15)를 제거한 포토레지스트 패턴을 형성한다.That is, as illustrated in FIG. 3E, a mask is formed and exposed to form a photoresist pattern for etching the metal layer, that is, the left side of the high reflective material layer 14, that is, the left side, thereby exposing the exposed portion 15. After the formation, it is developed to form a photoresist pattern from which the exposed portion 15 is removed as shown in FIG. 3F.
이와 같이 제2 노광 및 현상 공정를 수행한후에는 상기 제1 에칭 공정에서와 동일한 방법으로 제2 에칭 공정를 수행하여 상기 노광 및 현상된 제2 포토레지스트층(12)과 고반사 물질층(11)에 대해 상기 포토레지스트층(12)의 타측부(15) 방향에서 경사지게 에칭한다.After performing the second exposure and development processes as described above, the second etching process is performed in the same manner as in the first etching process, so that the exposed and developed second photoresist layer 12 and the high reflective material layer 11 are applied. Etching is inclined in the direction of the other side 15 of the photoresist layer 12.
이와 같이 제2 에칭 공정를 수행하면 도 3g 에 도시한 바와 같이 원하는 형태의 금속층, 즉 고반사 물질층 패턴(11)을 형성하게 된다.As described above, when the second etching process is performed, a metal layer having a desired shape, that is, a highly reflective material layer pattern 11 is formed as illustrated in FIG. 3G.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의한 고반사 물질의 미세 패턴 형성 방법은 미세 패턴을 용이하게 구현할 수 있으므로 고집적화된 칩을 생성할 수 있다.As described above, the method for forming a fine pattern of the highly reflective material according to the present invention can easily implement a fine pattern, thereby generating a highly integrated chip.
Claims (2)
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Family Applications (1)
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1998
- 1998-12-02 KR KR1019980052657A patent/KR100278742B1/en not_active IP Right Cessation
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