KR100273900B1 - 박막형광로조절장치와그제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 M×N(M, N은 정수)개의 화소에 대응하는 M×N개의 트랜지스터가 매트릭스 형태로 내장되어 있는 구동기판의 상부에 형성된 보호층과; 보호층의 상부에 형성되어 후속하는 공정 동안 보호층과 그 하부가 손상되는 것을 방지하는 식각 방지층과; 식각 방지층의 상부에 화소마다 행(또는 열)방향으로 이웃하는 화소와 연결되는 브리지를 가지되, 브리지와 인접하는 영역이 식각 방지층과 접하고, 브리지에서 연장된 다른 영역은 식각 방지층과 소정 간격 이격되어 형성된 멤브레인과; 멤브레인의 상부에 이웃하는 화소와 절연부를 개재하여 형성되어 화소마다 트랜지스터로부터 화상 신호를 제공받는 하부전극과; 하부전극의 상부에 절연부를 개재하여 형성되어 전계의 크기에 비례하여 변형되는 변형층과; 변형층의 상부에 절연부를 개재하여 형성되어 있는 상부전극과; 화소마다 행(또는 열) 방향으로 이웃하는 화소와 연결되도록 절연부의 상부와 상부전극의 상부에 형성된 접속층을 구비한다.

Description

박막형 광로 조절 장치와 그 제조 방법{APPARATUS AND FABRICATING METHOD OF ACTUATED MIRROR ARRAYS}
본 발명은 박막형 광로 조절 장치와 그 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 액츄에이터의 브리지(bridge)상에 형성되어 있는 절연창의 단차로 인하여 변형층과 상부전극에 크랙(crack)이 발생하는 것을 방지할 수 있는 박막형 광로 조절 장치와 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 광학 에너지(optical energy)를 스크린상에 투영하기 위한 장치인 공간적인 광 모듈레이터(spatial light modulator)는 광통신, 화상 처리 및 정보 디스플레이 장치등에 다양하게 응용될 수 있다. 이러한 장치들은 광원으로부터 입사되는 광속을 스크린에 투영하는 방법에 따라서 직시형 화상 표시 장치와 투사형 화상 표시 장치로 구분된다. 직시형 화상 표시 장치로는 CRT(Cathod Ray Tube)등이 있으며, 투사형 화상 표시 장치로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display:이하 'LCD'라 칭함), DMD(Deformable Mirror Device), 또는 AMA(Actuated Mirror Arrays)등이 있다.
상술한 CRT장치는 평균 100ft-L(백색 표시) 이상인 휘도, 30:1 이상인 콘트라스트비, 1만시간 이상의 수명등이 보증된 우수한 표시 장치이다. 그러나, CRT는 중량 및 용적이 크고 높은 기계적인 강도를 유지하기 때문에 화면을 완전한 평면으로 하기가 곤란하여 주변부가 왜곡되는 문제점이 있었다. 또한, CRT는 전자빔으로 형광체를 여기해서 발광시키므로 화상을 만들기 위해 고전압을 필요로 하는 문제점이 있었다.
따라서, 상술한 CRT의 문제점을 해결하기 위해 LCD가 개발되었다. 이러한 LCD의 장점을 CRT와 비교하여 설명하면 다음과 같다. LCD는 저전압에서 동작하며, 소비 전력이 작고, 변형 없는 화상을 제공한다.
그러나, 상술한 장점들에도 불구하고 LCD는 광속의 편광으로 인하여 1∼2％의 낮은 광효율을 가지며, 그 내부의 액정 물질의 응답 속도가 느린 문제점이 있었다.
이에 따라, 상술바와 같은 LCD의 문제점들을 해결하기 위하여 DMD, 또는 AMA등의 장치가 개발되었다. 현재, DMD가 약 5% 정도의 광효율을 가지는 것에 비하여 AMA는 10% 이상의 광효율을 얻을 수 있다. 또한, AMA는 입사되는 광속의 극성에 의해 영향을 받지 않을 뿐만아니라 광속의 극성에 영향을 끼치지 않는다.
통상적으로, AMA 내부에 형성된 각각의 액츄에이터들은 인가되는 화상 신호 및 바이어스 전압에 의하여 발생되는 전계에 따라 변형을 일으킨다. 이 액츄에이터가 변형을 일으킬 때, 액츄에이터의 상부에 장착된 각각의 거울들은 전계의 크기에 비례하여 경사지게 된다.
따라서, 이 경사진 거울들은 광원으로부터 입사된 빛을 소정의 각도로 반사시킬 수 있게 된다. 이 각각의 거울들을 구동하는 액츄에이터의 구성 재료로서 PZT(Pb(Zr, Ti)O3), 또는 PLZT((Pb, La)(Zr, Ti)O3)등의 압전 세라믹이 이용된다. 또한, 이 액츄에이터의 구성 재료로 PMN(Pb(Mg, Nb)O3)등의 전왜 세라믹을 이용할 수 있다.
상술한 AMA는 벌크(bulk)형과 박막(thin film)형으로 구분된다. 현재 AMA는 박막형 광로 조절 장치가 주종을 이루는 추세이다.
도 1은 종래의 박막형 광로 조절 장치에 대한 평면도이다.
도 1을 참조하면, 액츄에이터(130)의 일측은 그 중앙부에 사각형 형상의 오목한 부분을 가지며, 이 오목한 부분이 양쪽 가장자리로 갈수록 계단형으로 넓어지는 형상으로 형성된다. 액츄에이터(130)의 타측은 오목한 부분에 대응하여 중앙부로 갈수록 계단형으로 좁아지는 사각형 형상의 돌출부를 갖는다. 그러므로, 액츄에이터(130)의 오목한 부분에는 인접한 액츄에이터의 사각형 형상의 돌출부가 끼워지고, 사각형 형상의 돌출부는 인접한 액츄에이터의 오목한 부분에 끼워지게 된다.
액츄에이터(130)는 구동부(150)와 브리지(170)로 나뉜다. 구동부(150)는 도 2에 도시한 구동기판(10)의 식각 방지층(40)과 소정 거리 이격되어 형성되어 있으며 화상 신호가 인가될 때 변형되어 광학계를 통하여 입사되는 광속의 경로를 변경하여 슬릿에 반사한다. 이때, 구동부(150)가 변형되는 각도에 따라 슬릿을 통과하는 광속의 양이 변경되어 다양한 컬러 화면을 구현하게 된다.
브리지(170)는 화소마다 행(또는 열) 방향으로 이웃하는 화소와 연결한다. 브리지(170)는 도 2에 도시한 구동기판(10)의 식각 방지층(40)과 접하며 브리지(170)에서 연장된 구동부(150)는 식각 방지층(40)과 소정 거리 이격되어 형성된다. 따라서, 브리지(170)는 화상 신호가 인가될 때 구동부(150)가 안정하게 동작하도록 한다. 또한, 브리지(170)의 소정 부분에는 이웃하는 액츄에이터와 전기적으로 분리하기 위하여 절연창(140)이 형성된다.
도 2는 도 1에 도시한 장치를 A-A' 선으로 자른 단면도이다.
도 2를 참조하면, 박막형 광로 조절 장치는 일측 상부에 드레인(drain:20)이 형성된 구동기판(10)과 그 상부에 형성된 액츄에이터(130)를 포함한다.
구동기판(130)의 내부에는 M×N(M, N은 정수)개의 트랜지스터가 매트릭스(matrix) 형태로 내장되어 있다. 또한, 구동기판(10)은 그 상부 및 드레인(20)의 상부에 형성된 보호층(30)과 그 상부에 형성된 식각 방지층(40)을 포함한다.
액츄에이터(130)는 식각 방지층(40)중 그 하부에 드레인(20)이 형성된 부분에 일측이 접촉되며 타측이 에어갭(air gap:50)을 개재하여 식각 방지층(40)과 평행하도록 형성된 멤브레인(membrane:60)과, 멤브레인(60)의 상부에 형성된 하부전극(70)과, 하부전극(70)의 상부에 형성된 변형층(80)과, 변형층(80)의 상부에 형성된 상부전극(90)과, 상부전극(90)의 소정 부분에 형성된 스트라이프(100)와, 변형층(80)의 타측으로부터 하부전극(70), 멤브레인(60), 식각 방지층(40), 보호층(30)을 통하여 드레인(20)까지 수직하게 형성된 배전홀(110)과, 배전홀(110)내에 하부전극(70)과 드레인(20)이 서로 전기적으로 연결되도록 형성된 배전체(120)를 포함한다.
도 3은 도 1에 도시한 장치를 B-B' 선으로 자른 단면도이다.
도 3을 참조하면, 브리지(170)는 구동기판(10)과, 구동기판(10)의 상부에 형성된 보호층(30)과, 보호층(30)의 상부에 형성된 식각 방지층(40)과, 식각 방지층(40)의 상부에 형성된 멤브레인(60)과, 멤브레인(60)의 상부에 형성된 하부전극(70)과, 하부전극(70)의 소정 부분을 제거하여 형성된 절연창(140)과, 하부전극(70)과 절연창(140)의 상부에 형성된 변형층(80)과, 변형층(80)의 상부에 형성된 상부전극(90)을 포함한다.
상술한 브리지(170)에서 하부전극(70)의 소정 부분이 제거된 절연창(140)은 액츄에이터(130)와 이웃하는 액츄에이터를 전기적으로 분리하여 트랜지스터로부터 개별적인 화상 신호가 제공된다. 따라서, 각 액츄에이터(130)들은 화상 신호가 개별적으로 제공되므로 독립적으로 구동된다.
그러나, 종래의 박막형 광로 조절 장치는 화소마다 개별적인 화상 신호를 제공하기 위하여 이웃하는 액츄에이터들과 전기적으로 분리시키는 절연창에 의해 발생하는 단차로 인하여 변형층과 상부전극에 크랙이 발생하는 문제점이 있었다.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 절연창의 내부에 절연부를 형성하여 단차를 제거함으로써 변형층과 상부전극에 발생하는 크랙을 방지할 수 있는 박막형 광로 조절 장치와 그 제조 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, M×N(M, N은 정수)개의 화소에 대응하는 M×N개의 트랜지스터(도시안됨)가 매트릭스 형태로 내장되어 있는 구동기판의 상부에 형성된 보호층과; 보호층의 상부에 형성되어 후속하는 공정 동안 보호층과 그 하부가 손상되는 것을 방지하는 식각 방지층과; 식각 방지층의 상부에 화소마다 행(또는 열)방향으로 이웃하는 화소와 연결되는 브리지를 가지되, 브리지와 인접하는 영역이 식각 방지층과 접하고, 브리지에서 연장된 다른 영역은 식각 방지층과 소정 간격 이격되어 형성된 멤브레인과; 멤브레인의 상부에 이웃하는 화소와 절연부를 개재하여 형성되어 화소마다 트랜지스터로부터 화상 신호를 제공받는 하부전극과; 하부전극의 상부에 절연부를 개재하여 형성되어 전계의 크기에 비례하여 변형되는 변형층과; 변형층의 상부에 절연부를 개재하여 형성되어 있는 상부전극과; 화소마다 행(또는 열) 방향으로 이웃하는 화소와 연결되도록 절연부의 상부와 상부전극의 상부에 형성된 접속층을 구비한다.
본 발명의 상술한 목적과 여러 가지 장점은 이 기술 분야에 숙련된 사람들에 의해 하기에 기술되는 발명의 바람직한 실시예로 부터 더욱 명확하게 될 것이다.
도 1은 종래의 박막형 광로 조절 장치에 대한 평면도,
도 2는 도 1의 장치를 A-A' 선으로 자른 단면도,
도 3은 도 1의 장치를 B-B' 선으로 자른 단면도,
도 4는 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치의 평면도,
도 5는 도 4의 장치를 C-C' 선으로 자른 단면도,
도 6은 도 5의 장치를 D-D' 선으로 자른 단면도,
도 7a 내지 도 7c는 도 6에 도시한 장치의 제조 공정도.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉
510 : 구동기판 530 : 보호층
540 : 식각 방지층 560 : 멤브레인
570 : 하부전극 580 : 변형층
590 : 상부전극 640 : 절연창
645 : 절연부 650 : 구동부
660 : 접속층 670 : 브리지
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치를 상세하게 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치의 평면도이다.
도 4를 참조하면, 액츄에이터(630)의 일측은 그 중앙부에 사각형 형상의 오목한 부분을 가지며, 이 오목한 부분이 양쪽 가장자리로 갈수록 계단형으로 넓어지는 형상으로 형성된다. 액츄에이터(630)의 타측은 오목한 부분에 대응하여 중앙부로 갈수록 계단형으로 좁아지는 사각형 형상의 돌출부를 갖는다. 그러므로, 액츄에이터(630)의 오목한 부분에는 인접한 액츄에이터의 사각형 형상의 돌출부가 끼워지고, 사각형 형상의 돌출부가 인접한 액츄에이터의 오목한 부분에 끼워지게 된다.
액츄에이터(630)는 구동부(650)와 브리지(670)로 나뉜다. 구동부(650)는 도 5에 도시한 구동기판(510)의 식각 방지층(540)과 소정 거리 이격되어 형성되며 화상 신호가 인가될 때 변형되어 광학계를 통하여 입사되는 광속의 경로를 변경하여 슬릿에 반사한다. 이때, 구동부(650)가 변형되는 각도에 따라 슬릿을 통과하는 광속의 양이 변경되어 다양한 컬러 화면을 구현하게 된다.
브리지(670)는 화소마다 행(또는 열) 방향으로 이웃하는 화소와 연결된다. 브리지(670)는 구동기판(510)의 식각 방지층(540)과 접하며 브리지(670)에서 연장된 구동부(650)는 식각 방지층(540)과 소정 거리 이격되어 형성된다. 따라서, 브리지(670)는 화상 신호가 인가될 때 구동부(650)가 안정하게 동작하도록 한다. 또한, 브리지(670)의 소정 부분에는 이웃하는 액츄에이터들과 전기적으로 분리하기 위하여 브리지(670)상의 상부전극(590)으로부터 멤브레인(560)의 상부까지 수직하게 절연창(640)이 형성된다. 그리고, 절연창(640)의 내부에는 산화 실리콘 등의 절연물로 절연부(645)가 형성된다. 이러한 절연부(645)를 통하여 절연창(640)에 의해 발생한 단차가 제거되므로 변형층(580)과 상부전극(590)에는 크랙이 발생하지 않는다.
도 5는 도 4에 도시한 장치를 C-C' 선으로 자른 단면도이다.
도 5를 참조하면, 박막형 광로 조절 장치는 일측 상부에 드레인(520)이 형성된 구동기판(510)과 그 상부에 형성된 액츄에이터(630)를 포함한다.
구동기판(510)의 내부에는 M×N(M, N은 정수)개의 트랜지스터가 매트릭스 형태로 내장되어 있다. 또한, 구동기판(510)은 그 상부 및 드레인(520)의 상부에 보호층(530)과 식각 방지층(540)이 순차적으로 형성된다.
액츄에이터(630)는 식각 방지층(540)중 그 하부에 드레인(520)이 형성된 부분에 일측이 접촉되며 타측이 에어갭(550)을 개재하여 식각 방지층(540)과 평행하도록 형성된 멤브레인(560)과, 멤브레인(560)의 상부에 형성된 하부전극(570)과, 하부전극(570)의 상부에 형성된 변형층(580)과, 변형층(580)의 일측 상부에 형성된 상부전극(590)과, 상부전극(590)의 소정 부분에 형성된 스트라이프(600)와, 변형층(580)의 타측으로부터 하부전극(570), 멤브레인(560), 식각 방지층(540), 보호층(530)을 통하여 드레인(520)까지 형성된 배전홀(610)과, 배전홀(610)내에 하부전극(570)과 드레인(520)이 서로 전기적으로 연결되도록 형성된 배전체(620)를 포함한다.
도 6은 도 4에 도시한 장치를 D-D' 선으로 자른 단면도이다.
도 6을 참조하면, 브리지(670)는 구동기판(510)과, 구동기판(510)의 상부에 형성된 보호층(530)과, 보호층(530)의 상부에 형성된 식각 방지층(540)과, 식각 방지층(540)의 상부에 형성된 멤브레인(560)과, 멤브레인(560)의 상부에 형성된 하부전극(570)과, 하부전극(570)의 상부에 형성된 변형층(580)과, 변형층(580)의 상부에 형성된 상부전극(590)과, 상부전극(590)으로부터 멤브레인(560)의 상부까지 수직하게 형성된 절연창(640)과, 절연창(640)의 내부를 채우며 형성된 절연부(645)와, 절연창(640)과 절연부(645)에 의해 전기적으로 분리된 상부전극(590)을 연결하는 접속층(660)을 포함한다.
도 7a 내지 도 7c는 도 6에 도시한 장치의 제조 공정도이다.
도 7a를 참조하면, 구동기판(510)은 M×N(M, N은 정수)개의 트랜지스터(도시안됨)가 매트릭스 형태로 내장되어 있다.
보호층(530)은 구동기판(510)의 상부에 인 실리케이트 유리를 화학 기상 증착 방법으로 형성된다. 보호층(530)은 0.1∼1.0㎛ 정도의 두께로 형성된다. 보호층(530)은 후속하는 공정동안 트랜지스터가 내장된 구동기판(510)이 손상되는 것을 방지한다.
식각 방지층(540)은 보호층(530)의 상부에 형성된다. 식각 방지층(540)은 질화물을 저압 화학 기상 증착(LPCVD) 방법으로 형성된다. 식각 방지층(540)은 1000∼2000Å의 두께로 형성된다. 식각 방지층(540)은 보호층(530) 및 그 하부가 후속하는 식각 공정동안 손상되는 것을 방지한다.
식각 방지층(540)의 상부에 멤브레인 물질층(560')을 적층한다. 멤브레인 물질층(560')은 질화물을 저압 화학 기상 증착방법으로 형성된다. 멤브레인 물질층(560')은 0.1∼1.0㎛의 두께로 형성된다.
멤브레인 물질층(560')의 상부에 하부전극 물질층(570')을 적층한다. 하부전극 물질층(570')은 백금 또는 백금-탄탈륨등의 전기 도전성이 우수한 금속을 스퍼터링 방법으로 1000∼1200Å 정도의 두께를 갖도록 형성된다.
하부전극 물질층(570')의 상부에는 PZT 또는 PLZT 등의 압전물질로 변형 물질층(580')이 형성된다. 변형 물질층(580')은 졸-겔법, 스퍼터링 방법 또는 화학 기상 증착 방법으로 0.1∼1.0㎛ 두께를 가지도록 형성된다. 이어서, 변형 물질층(580')을 급속 열처리(RAT)하여 상변이시킨다.
변형 물질층(580')의 상부에는 전기 도전성과 반사 특성이 우수한 금속, 예를 들어 알루미늄, 백금 또는 은등으로 상부전극 물질층(590')이 형성된다. 상부전극 물질층(590')은 스퍼터링 방법에 의해 형성된다.
도 7b를 참조하면, 상부전극 물질층(590')의 소정 부분에서 변형 물질층(580'), 하부전극 물질층(570')을 수직으로 제거하여 절연창(640)을 형성한다. 절연창(640)은 각 화소의 액츄에이터(630)들이 개별 화상신호에 독립적으로 구동되도록 이웃하는 액츄에이터들과 전기적으로 분리시킨다. 이때, 절연창(640)은 멤브레인 물질층(560')이 노출되도록 형성된다.
도 7c를 참조하면, 절연창(640)의 내부를 산화 실리콘 등의 절연물로 채워 절연부(645)를 형성한다. 절연부(645)는 노출된 멤브레인 물질층(560')의 상부로부터 상부전극 물질층(590')의 최상위까지 형성된다.
따라서, 절연부(645)는 절연창(640)에 의해 발생하는 단차를 제거하여 후술하는 변형층(580)과 상부전극(590)에 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이때, 상부전극 물질층(590')은 절연창(640)과 절연부(645)에 의해 이웃하는 액츄에이터들과 전기적으로 분리된다. 그러나, 상부전극(590)은 공통전극이므로 이웃하는 액츄에이터들과 전기적으로 연결되어야 한다.
그러므로, 절연창(640)과 절연부(645)에 의해 전기적으로 분리된 상부전극 물질층(590)의 상부에 접속층(660)을 형성한다. 접속층(660)은 전기 도전성이 우수한 물질인 백금을 리프트 오프에 의한 방법으로 형성된다.
마지막으로, 상부전극 물질층(590'), 변형 물질층(580'), 하부전극 물질층(570') 및 멤브레인 물질층(560)을 화소 단위로 패터닝하여 상부전극(590), 변형층(580), 하부전극(570) 및 멤브레인(560)을 형성한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치는 상부전극으로부터 멤브레인의 상부까지 절연창을 형성한 후 그 내부를 절연 물질로 채워 단차를 제거하므로 변형층과 상부전극이 단차로 인하여 크랙이 발생되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명을 도면을 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (7)

  1. M×N(M, N은 정수)개의 화소에 대응하는 M×N개의 트랜지스터(도시안됨)가 매트릭스 형태로 내장되어 있는 구동기판(510)의 상부에 형성된 보호층(530)과;
    상기 보호층(530)의 상부에 형성되어 후속하는 공정 동안 상기 보호층(530)과 그 하부가 손상되는 것을 방지하는 식각 방지층(530)과;
    상기 식각 방지층(530)의 상부에 상기 화소마다 행(또는 열)방향으로 이웃하는 화소와 연결되는 브리지(670)를 가지되, 상기 브리지(670)와 인접하는 영역이 상기 식각 방지층(540)과 접하고, 상기 브리지(670)에서 연장된 다른 영역은 상기 식각 방지층(670)과 소정 간격 이격되어 형성된 멤브레인(560)과;
    상기 멤브레인(560)의 상부에 이웃하는 화소와 절연부(645)를 개재하여 형성되어 상기 화소마다 상기 트랜지스터로부터 화상 신호를 제공받는 하부전극(570)과;
    상기 하부전극(570)의 상부에 상기 절연부(645)를 개재하여 형성되어 전계의 크기에 비례하여 변형되는 변형층(580)과;
    상기 변형층(580)의 상부에 상기 절연부(645)를 개재하여 형성되어 있는 상부전극(590)과;
    상기 화소마다 행(또는 열) 방향으로 이웃하는 화소와 연결되도록 상기 절연부(645)의 상부와 상기 상부전극(590)의 상부에 형성된 접속층(660)을 구비하는 박막형 광로 조절 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 절연부(645)가 산화 실리콘 등의 절연물로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 접속층(660)이 백금등이 전기 도전성이 우수한 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치.
  4. 트랜지스터와 그 상부에 이를 보호하는 보호층(530)과 최상부에 식각 방지층(540)을 가지는 구동기판(510)의 상부에 각 화소마다 상기 구동기판(510)의 일부를 노출시키는 패턴을 가지도록 희생층(도시안됨)을 형성한 단계와;
    상기 희생층 및 노출된 상기 구동기판(510) 상부에 멤브레인 물질층(560'), 하부전극 물질층(570'), 변형 물질층(580') 및 상부전극 물질층(590')을 차례로 적층하는 단계와;
    상기 상부전극 물질층(590')중 행(또는 열)방향을 따라 이웃하는 화소끼리 연결되는 브리지(670)가 형성될 영역중에서 소정 부분을 제거하여 절연창(640)를 형성하는 단계와;
    상기 절연창(640)의 내부를 절연물로 채워 절연부(645)를 형성하는 단계와;
    상기 절연창(640)과 상기 절연부(645)로인하여 전기적으로 분리된 상부전극 물질층(590')을 전기적으로 연결하는 접속층(640)을 형성하는 단계와;
    상기 상부전극 물질층(590'), 상기 변형 물질층(580'), 상기 하부전극 물질층(570'), 상기 멤브레인 물질층(560')을 화소 단위로 패터닝하여 상부전극(590), 변형층(580), 하부전극(570), 멤브레인(560)을 형성하는 단계를박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 절연부(645)가 산화 실리콘 등의 절연물로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 접속층(660)이 백금 등의 전기 도전성이 우수한 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
  7. 제 4 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 접속층(660)이 리프트 오프에 의한 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
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