KR100267561B1 - Hologram pickup module producing device and the same method - Google Patents

Hologram pickup module producing device and the same method Download PDF

Info

Publication number
KR100267561B1
KR100267561B1 KR1019970055861A KR19970055861A KR100267561B1 KR 100267561 B1 KR100267561 B1 KR 100267561B1 KR 1019970055861 A KR1019970055861 A KR 1019970055861A KR 19970055861 A KR19970055861 A KR 19970055861A KR 100267561 B1 KR100267561 B1 KR 100267561B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
stem
laser diode
silicon sub
nitrogen
junction block
Prior art date
Application number
KR1019970055861A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR19990034321A (en
Inventor
박순규
Original Assignee
구자홍
엘지전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 구자홍, 엘지전자주식회사 filed Critical 구자홍
Priority to KR1019970055861A priority Critical patent/KR100267561B1/en
Publication of KR19990034321A publication Critical patent/KR19990034321A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100267561B1 publication Critical patent/KR100267561B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03HHOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
    • G03H1/00Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03HHOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
    • G03H1/00Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
    • G03H1/22Processes or apparatus for obtaining an optical image from holograms
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/08Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optical Head (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

PURPOSE: An apparatus and a method for manufacturing a hologram pickup module are provided to simplify a manufacturing process by improving a structure of a solder junction device. CONSTITUTION: A junction block(70) is controlled to adhere a laser diode(52) to a stem(51). The first supply unit(61) provides the stem(51) to an inside of the junction block(70) and extracts the stem(51) bonded with the laser diode(52). The second supply unit(62) and the third supply unit(63) are faced to each other at both sides of one linear movable guide. The second and the third supply units(62,63) provide a silicon serve(53) and the laser diode(52) to the inside of the junction block(70). A control portion(64) controls operations of the first, the second, and the third supply units(61,62,63) and a temperature of the junction block(70).

Description

홀로그램 픽업 모듈 제조장치 및 그 방법.(Hologram Pickup Module Producing Device)Hologram Pickup Module Manufacturing Apparatus and Method. (Hologram Pickup Module Producing Device)

본 발명은 광 디스크에서 신호를 읽기 위한 핵심 부품인 홀로그램 픽업 모듈의 제조장치 및 그 방법에 관한 것으로서, 특히 납 접합장치의 구조를 개선하여 생산투자비 절감 및 제조공정을 간단히 하는 홀로그램 픽업 모듈의 제조장치 및 그 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a device for manufacturing a hologram pickup module, which is a key component for reading signals from an optical disk, and a method thereof, and more particularly, to a device for manufacturing a hologram pickup module that reduces production investment costs and simplifies a manufacturing process by improving a structure of a lead bonding device. And to a method thereof.

홀로그램 픽업 모듈(10)은 도 1a와 도 1b에 도시된 바와 같이 몸체부인 스템(1)과, 상기 스템(1)의 상면에 부착되어 홀로그램 픽업 모듈 작동중 레이저다이오드(3)에서 발생되는 열을 방출시키기 위한 히트싱크(4)와, 상기 히트싱크(4)에 부착되는 레이저다이오드(3)와, 상기 레이저다이오드(3)를 안정적으로 히트싱크(4)에 부착시키기 위한 실리콘 서브(2)와, 레이저다이오드(3)에서 받은 신호를 전달하는 리드선(5)으로 구성되어 있다.As shown in FIGS. 1A and 1B, the hologram pickup module 10 is attached to a stem 1, which is a body, and an upper surface of the stem 1, to heat heat generated by the laser diode 3 during operation of the hologram pickup module. A heat sink 4 for discharging, a laser diode 3 attached to the heat sink 4, a silicon sub 2 for stably attaching the laser diode 3 to the heat sink 4; And a lead wire 5 for transmitting a signal received from the laser diode 3.

종래의 상기 홀로그램 픽업 모듈(10)을 제조하는 장치는 도 2b와 도 2c에 도시된 바와 같이 실리콘 서브(2)를 고정시키는 기구인 클램프(11)와, 열을 실리콘서브(2)에 전달하는 제 1히터블록(12)과, 열을 스템(1)의 히트싱크(4)에 전달하는 제 2히터블록(21)과, 레이저다이오드(3)가 흡착되고 이송되는 제 1흡착헤드(14)와, 실리콘 서브(2)와 접합된 레이저다이오드(3')가 흡착되고 이송되는 제 2흡착헤드(22)와, 상기 레이저다이오드(3)와 실리콘 서브(2)와 접합된 레이저다이오드(3')가 흡착된 위치를 확인하여 상기 제 1, 제 2흡착헤드(14,22)에 작동신호를 출력하는 제어부(13)와, 압축질소를 공급하는 질소 공급파이프(15)와, 히트싱크(4)의 상면에 납(23)을 공급하는 납 공급부(24)로 구성되어 있다.The conventional apparatus for manufacturing the hologram pickup module 10 includes a clamp 11, which is a mechanism for fixing the silicon sub 2, as shown in FIGS. 2B and 2C, and transfers heat to the silicon sub 2. The first heater block 12, the second heater block 21 for transferring heat to the heat sink 4 of the stem 1, and the first adsorption head 14 through which the laser diode 3 is adsorbed and transported. And a second adsorption head 22 through which the laser diode 3 'bonded to the silicon sub 2 is adsorbed and transported, and a laser diode 3' bonded to the laser diode 3 and the silicon sub 2. ), A control unit 13 for outputting an operation signal to the first and second adsorption heads 14 and 22, a nitrogen supply pipe 15 for supplying compressed nitrogen, and a heat sink 4 It consists of a lead supply part 24 which supplies the lead 23 to the upper surface.

상기 홀로그램 픽업 모듈(10)을 제조할 때는 도 2d에 도시된 일반적인 납 접합온도곡선을 따라 스템(1)의 온도를 조절을 하여야 한다.When manufacturing the hologram pickup module 10 it is necessary to adjust the temperature of the stem (1) according to the general lead junction temperature curve shown in Figure 2d.

먼저, 도 2b에 도시된 바와 같이 실리콘 서브를 클램프(11)에 의해 제 1히터블록(12)에 위치를 결정한 후 히터에 전원이 공급되어 상기 히터블록(12)의 온도가 접합온도(t3)까지 상승한다. 온도가 접합온도(t3)에 이르면 실리콘 서브(2)의 상면에 도포되어 있던 납이 용융된다.First, as shown in FIG. 2B, the silicon sub is positioned in the first heater block 12 by the clamp 11, and then power is supplied to the heater so that the temperature of the heater block 12 is the junction temperature t3. To rise. When the temperature reaches the junction temperature t3, the lead applied to the upper surface of the silicon sub 2 is melted.

이때, 레이저다이오드(3)가 제 1흡착헤드(14)에 흡착되고 제어부(13)가 실리콘 서브(2)의 위치를 확인하고 상기 제 1흡착헤드(14)를 제 1히터블록(12)으로 이동시켜 레이저다이오드(3)를 실리콘 서브(2)의 상면에 접합시키게 된다.At this time, the laser diode 3 is adsorbed on the first adsorption head 14, the control unit 13 confirms the position of the silicon sub 2, and moves the first adsorption head 14 to the first heater block 12. By moving, the laser diode 3 is bonded to the upper surface of the silicon sub 2.

레이저다이오드(3)와 실리콘 서브(2)가 접합되면, 히터의 전원이 차단되고, 질소 공급파이프(15)로부터 압축질소가 공급되어 상기 제 1히터블록(12)의 온도가 취출온도(t1)까지 냉각된다. 이후, 실리콘 서브(2)와 접합된 레이저다이오드(3')가 취출된다.When the laser diode 3 and the silicon sub 2 are bonded together, the power supply of the heater is cut off, compressed nitrogen is supplied from the nitrogen supply pipe 15 so that the temperature of the first heater block 12 becomes the extraction temperature t1. Cools down. Thereafter, the laser diode 3 'bonded to the silicon sub 2 is taken out.

상기 실리콘 서브(2)와 접합된 레이저다이오드(3')가 취출된 후 도 2c에 도시된 바와 같이 먼저, 스템(1)이 제 2히터블록(21)에 밀착되면, 히터에 전원이 공급되어 상기 제 2히터블록(21)과 히트싱크(4)의 온도가 작업온도(t3)로 상승하고, 소량의 납(23)이 납 공급부(24)를 통해 히트싱크(4)의 상면에 정량 공급되어 용융된다. 이때, 실리콘 서브(2)와 접합된 레이저다이오드(3')가 제 2흡착헤드(22)에 흡착되고 제어부(13)가 실리콘 서브(2)와 접합된 레이저다이오드(3')의 위치를 확인하고 제 2흡착헤드(22)를 제 2히터블록(41)으로 이동시켜 히트싱크(4)의 상면에 접합시키게 된다.After the laser diode 3 ′ bonded to the silicon sub 2 is taken out, as shown in FIG. 2C, when the stem 1 is in close contact with the second heater block 21, power is supplied to the heater. The temperature of the second heater block 21 and the heat sink 4 rises to the working temperature t3, and a small amount of lead 23 is supplied quantitatively to the upper surface of the heat sink 4 through the lead supply unit 24. And melted. At this time, the laser diode 3 ′ bonded to the silicon sub 2 is adsorbed onto the second adsorption head 22, and the control unit 13 checks the position of the laser diode 3 ′ bonded to the silicon sub 2. Then, the second adsorption head 22 is moved to the second heater block 41 and bonded to the upper surface of the heat sink 4.

이후, 히터의 전원을 차단하여 스템(1)의 온도가 취출온도(t1)로 하강되면 실리콘 서브(2) 및 레이저다이오드(3)가 스템(1)에 접합된 홀로그램 픽업 모듈(10)을 취출한다.Subsequently, when the temperature of the stem 1 is lowered to the extraction temperature t1 by cutting off the power of the heater, the hologram pickup module 10 in which the silicon sub 2 and the laser diode 3 are joined to the stem 1 is taken out. do.

그러나, 상기와 같이 구성된 종래의 홀로그램 픽업 모듈 제조장치 및 그 방법은 두 대의 장치가 필요하고 두 번의 공정을 겪으므로 번거로우며 생산 투자비용이 고가이며, 또한 납이 소량으로 정량 공급 되야 하고 온도가 민감하게 유지되어야 하는 어려움이 있으며, 히터의 가열과 냉각을 반복해야 하므로 시간당 생산성이 저하되고 히터의 수명단축과 제품의 품질이 저하되는 문제점이 있다.However, the conventional hologram pick-up module manufacturing apparatus and the method configured as described above require two apparatuses and undergo two processes, which is cumbersome, expensive to invest in production, and small amount of lead and quantitative supply of lead and sensitive temperature. There is a difficulty to be maintained, and since the heating and cooling of the heater must be repeated, the productivity per hour is lowered, there is a problem that shorten the life of the heater and the quality of the product.

따라서, 종래에는 상술한 문제점을 해결하기 위하여 홀로그램 픽업 모듈 제조장치를 시트에 부착커팅 되어 있는 실리콘서브와, 레이저다이오드를 특정작업 장소로 공급하는 부품공급수단과, 상기 부품공급수단으로부터 공급되는 실리콘서브와 레이저다이오드를 외부로 제공되는 스템에 납을 사용하여 접합을 수행하는 장소로 사용되며 그 납 접합의 신뢰성을 높이기 위해 요구되는 각각의 온도분포에 따른 다수개의 온도유지수단과, 상기 온도유지수단에 상기 스템을 외부로부터 공급하며 각 온도유지수단에서 작업되어진 부품을 다음 작업단계의 온도 유지수단으로 이송시키는 다수개의 부품이송수단과, 상기 부품이송수단을 전·후진시키며 각 온도유지수단간의 간격만큼 좌우로 이동시키기 위한 동기 이송수단으로 구성하였다.(공개특허 공보 제 98-15348호에 의해 인용함)Therefore, conventionally, in order to solve the above-mentioned problems, a silicon sub with a hologram pickup module manufacturing apparatus attached and cut to a sheet, a part supply means for supplying a laser diode to a specific work place, and a silicon sub supply supplied from the part supply means And a laser diode, which is used as a place to perform soldering using lead to a stem provided to the outside, and a plurality of temperature holding means according to respective temperature distributions required to increase the reliability of the lead bonding, and the temperature holding means. A plurality of component transfer means for supplying the stem from the outside and transferring the components worked in each temperature holding means to the temperature holding means in the next work step, and moving the component transferring means forward and backward and left and right by the interval between the respective temperature holding means. It consists of a synchronous feed means for moving to the Cited by 98-15348)

그러나, 이와 같이 구성된 종래의 홀로그램 픽업 모듈 제조장치는 2대의 장비를 이용하여 두 번의 공정을 통하여 작업해야만 했던 생산방식을 개선하여 1회에 연속작업을 하도록 공정과정을 압축함에 따라 소량의 납을 정량 공급해야만 하는 어려운 공정을 삭제할 수는 있었으나, 온도유지수단 및 부품이송수단을 다수개 사용하고, 상기 부품이송수단을 전·후진시키며, 각 온도유지수단간의 간격만큼 좌우로 이동시키기 위한 동기 이송수단을 사용하게 되어 작업 공정이 번거로울 뿐만 아니라 정밀도를 요구하는 고가의 구동 메카니즘을 다수개 사용함에 따라 생산투자 비용이 많이 든다는 문제점이 있었다.However, the conventional hologram pickup module manufacturing apparatus configured as described above quantifies a small amount of lead by compressing the process to perform continuous operation at one time by improving the production method that had to work through two processes using two equipments. Although it was possible to eliminate a difficult process that had to be supplied, a synchronous transfer means for using a plurality of temperature holding means and parts transferring means, moving the parts transferring means forward and backward, and moving left and right by the interval between the respective temperature holding means In addition to the cumbersome work process, there is a problem in that the production investment cost is high due to the use of a large number of expensive driving mechanisms requiring precision.

본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 납 접합장치의 구조를 단순하게 구현하여 생산공정을 줄임은 물론 생산투자 비용을 절감시키는 홀로그램 픽업 모듈 제조장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and the object of the present invention is to provide a hologram pick-up module manufacturing apparatus that simply implements the structure of the lead bonding device to reduce the production process as well as the production investment cost. have.

도 1a는 홀로그램 픽업 모듈의 구성도이고,1A is a configuration diagram of a hologram pickup module,

도 1b는 홀로그램 픽업 모듈의 평면도와 측단면도이며,Figure 1b is a plan view and side cross-sectional view of the hologram pickup module,

도 2a는 종래의 홀로그램 픽업 모듈 제조방법에 따른 순서도이고,Figure 2a is a flow chart according to a conventional method for manufacturing a hologram pickup module,

도 2b는 종래의 레이저다이오드와 실리콘 서브의 접합에 관한 구성도이며,FIG. 2B is a block diagram of a junction of a conventional laser diode and a silicon sub,

도 2c는 종래의 실리콘 서브와 접합된 레이저다이오드를 스템에 접합시키는 것에 관한 구성도이고,FIG. 2C is a schematic diagram of bonding a laser diode bonded to a silicon sub-layer to a stem,

도 2d는 일반적인 납 접합에서의 온도곡선이며,Figure 2d is a temperature curve in a typical lead junction,

도 3a는 본 발명에 의한 홀로그램 픽업 모듈의 접합방법에 따른 순서도이고,Figure 3a is a flow chart according to the bonding method of the hologram pickup module according to the present invention,

도 3b는 본 발명에서 연속되는 과정의 흐름도이며,3b is a flow chart of a continuous process in the present invention,

도 3c는 본 발명의 구성도이고,3c is a block diagram of the present invention,

도 3d는 본 발명의 요부구성인 접합블록의 상세도이며,Figure 3d is a detailed view of the junction block of the main component of the present invention,

도 3e는 본 발명의 홀로그램 픽업 모듈 제조방법을 적용할 때의 히터블록과 스템의 온도곡선이다.Figure 3e is a temperature curve of the heater block and the stem when applying the hologram pickup module manufacturing method of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

51 : 스템 52 : 레이저다이오드51 stem 52 laser diode

53 : 실리콘 서브 54 : 히트싱크53 silicon sub 54 heat sink

61 : 제 1공급유니트 62 : 제 2공급유니트61: 1st supply unit 62: 2nd supply unit

63 : 제 3공급유니트 64 : 제어부63: third supply unit 64: control unit

65 : 카메라 66 : 시트65: camera 66: sheet

70 : 접합블록 71 : 케이스70: junction block 71: case

72 : 히터블록 73 : 가열질소 공급파이프72: heater block 73: heating nitrogen supply pipe

74 : 냉각질소 공급파이프 75 : 히터74: cooling nitrogen supply pipe 75: heater

본 발명은 스템을 가열한 후 상기 스템에 형성되어 있는 히트싱크에 양면이 납으로 코팅되어 있는 실리콘 서브의 일단면을 접합하고 상기 접합된 부품에서 실리콘서브의 면 중 히트싱크가 접합된 단면과 대응하는 다른 단면에 연속적으로 레이저다이오드를 접합하여 홀로그램 픽업 모듈을 제조하는 장치에 있어서, 상기 스템에 레이저다이오드가 접합되도록 온도조절이 이루어지는 접합블록과, 상기 접합 블록내에 스템을 공급하고 이 스템에 레이저다이오드가 접합된 제품을 취출하는 제 1공급유니트와, 하나의 직선이동가이드에 의해 서로 대향된 방향으로 진행되어 상기 접합블록 내에 실리콘 서브와 레이저다이오드를 공급하는 제 2,3공급유니트와, 상기 제 1,제 2,제 3공급유니트의 작동 및 접합블록내의 온도를 제어하는 제어부로 구성된 것을 특징으로 한다.The present invention bonds one end surface of a silicon sub-coated on both sides with lead to a heat sink formed on the stem after heating the stem, and corresponds to a cross section in which the heat sink is bonded among the surfaces of the silicon sub in the joined part. A device for manufacturing a hologram pick-up module by continuously joining a laser diode to another end face, the apparatus comprising: a junction block in which temperature is controlled to bond the laser diode to the stem, a stem supplied into the junction block, and a laser diode supplied to the stem Supply unit for taking out the bonded product, the second and third supply units for supplying the silicon sub and the laser diode in the junction block by advancing in a direction opposite to each other by one linear movement guide, and the first Characterized by consisting of a control unit for controlling the operation of the second and third supply units and the temperature in the junction block It shall be.

또한, 양단면에 납이 프리코팅 된 실리콘서브의 일단면을 스템의 히트싱크 상면에 접합하고, 접합된 부품에서 상기 실리콘서브의 면중 히팅싱크와 접합된 면과 대응하는 다른 단면에 레이저 다이오드를 연속적으로 접합하여 홀로그램 픽업 모듈을 제조하는 방법에 있어서,In addition, one end surface of the silicon sub-coated lead on both ends is bonded to the top surface of the heat sink of the stem, and the laser diode is continuously connected to the other end surface corresponding to the surface of the silicon sub joined with the heat sink in the bonded part. In the method of manufacturing a hologram pickup module by bonding to,

상기 접합블록내의 히터블록을 일정온도까지 가열시키는 동시에 접합블록내에 가열된 질소를 공급하는 제 1단계와, 상기 제 1단계의 접합블록내에 히트싱크가 부착된 스템을 공급하여 상기 히터블록에 밀착시키는 동시에 상기 스템의 온도가 납의 용융점 이하가 유지되도록 상기 접합블록내에 냉각질소 공급파이프를 통해 질소를 공급하는 제 2단계와, 상기 제 2단계 후 상기 스템의 히트싱크의 상면에 실리콘 서브를 안착시키는 제 3단계와, 상기 제 3단계의 실리콘 서브 상면에 레이저다이오드를 안착시키는 제 4단계와, 상기 냉각질소 공급파이프로부터의 질소공급을 중단하고 실리콘 서브의 양면에 도포되어 있는 납을 용융시켜 상기 실리콘 서브와 레이저다이오드를 스템의 히트싱크에 접합시키는 제 5단계와, 상기 냉각질소 공급파이프로부터 대량의 질소를 공급하고 실리콘 서브의 양면에 도포되어 있는 납을 응고시켜 제품을 완성하는 제 6단계와, 상기 제 6단계 후 레이저다이오드가 접합된 스템을 취출하는 제 7단계로 구성된 것을 특징으로 한다.Heating the heater block in the junction block to a predetermined temperature and supplying heated nitrogen in the junction block; and supplying a stem with a heat sink in the junction block of the first stage to closely contact the heater block. At the same time, the second step of supplying nitrogen through the cooling nitrogen supply pipe in the junction block so that the temperature of the stem is maintained below the melting point of lead, and the second step of seating the silicon sub on the upper surface of the heat sink of the stem after the second step A third step; and a fourth step of seating a laser diode on the silicon sub-top surface of the third step; and stopping supply of nitrogen from the cooling nitrogen supply pipe and melting lead applied to both sides of the silicon sub-melt. And a fifth step of bonding the laser diode to the heat sink of the stem, and from the cooling nitrogen supply pipe It is characterized in that it comprises a sixth step of completing the product by supplying nitrogen and solidifying lead applied to both sides of the silicon sub, and the seventh step of taking out the stem bonded to the laser diode after the sixth step.

이하 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

먼저, 본 발명은 도3b에 도시된 바와 같이 스템(51)을 공급하고(A), 양면에 납이 도포 되어 있는 실리콘 서브(53)를 히트싱크(54)의 상면에 공급하고(B), 상기실리콘 서브(53) 상면에 레이저다이오드(52)를 공급(C)하는 순서로 진행된다.First, the present invention supplies the stem 51 as shown in Fig. 3b (A), and the silicon sub 53, which is coated with lead on both sides, to the upper surface of the heat sink 54 (B), The laser diode 52 is supplied to the upper surface of the silicon sub 53 in the order of supplying (C).

본 발명은 도 3c에 도시된 바와 같이 스템(51)에 레이저다이오드(52)가 접합되도록 온도조절이 이루어지는 접합블록(70)과, 상기 접합블록(70)내에 히트싱크(54)가 부착된 스템(51)을 공급하고 상기 스템(51)에 레이저다이오드(52)가 접합된 제품을 취출하는 제 1공급유니트(61)와, 상기 접합블록(70)내에 공급된 스템(51)의 히트싱크(54) 상면에 양면이 납으로 도포 되어 있는 실리콘 서브(53)를 공급하는 제 2공급유니트(62)와, 상기 접합블록(70)내에 공급된 실리콘 서브(53)의 상면에 레이저다이오드(52)를 공급하는 제 3공급유니트(63)와, 상기 제 1, 제 2, 제 3공급유니트(61, 62, 63)의 작동 및 접합블록(70)내의 온도를 제어하는 제어부(64)와 레이저다이오드(52)와 실리콘 서브(53)를 부착하고 있는 시트(66)로 구성된다.According to the present invention, as shown in FIG. 3C, a junction block 70 in which temperature control is performed to bond the laser diode 52 to the stem 51, and a stem to which a heat sink 54 is attached to the junction block 70 are attached. A first supply unit 61 for supplying 51 and taking out a product having the laser diode 52 bonded to the stem 51, and a heat sink of the stem 51 supplied in the junction block 70; 54) The laser diode 52 is provided on the second supply unit 62 for supplying the silicon sub 53 on which both surfaces are coated with lead, and the upper surface of the silicon sub 53 supplied in the junction block 70. The control unit 64 and the laser diode for controlling the temperature of the third supply unit 63, the operation of the first, second, third supply units (61, 62, 63) and the junction block 70 for supplying 52 and the sheet 66 to which the silicon sub 53 is attached.

여기서, 상기 접합블록(70)은 도 3d에 도시된 바와 같이 스템(51)이 공급되는 정면과 레이저다이오드(52) 및 실리콘 서브(53)가 공급되는 상면에 개구부가 각각 형성된 케이스(71)와, 상기 케이스(71)의 내부에 안착되고 스템(51)에 열을 전달하는 히터블록(72)과, 상기 케이스(71)의 내부로 가열된 질소를 공급하는 가열질소 공급파이프(73)와, 상기 케이스(71) 내부에 도입되고 일단이 스템(51)에 밀착되어 레이저다이오드(52)와 접합된 스템(51)이 냉각되도록 질소를 공급하는 냉각질소 공급파이프(74)로 구성된다.As shown in FIG. 3D, the junction block 70 includes a case 71 in which openings are formed in a front surface to which the stem 51 is supplied and an upper surface to which the laser diode 52 and the silicon sub 53 are supplied. A heater block 72 seated inside the case 71 and transferring heat to the stem 51, a heating nitrogen supply pipe 73 for supplying heated nitrogen to the inside of the case 71; It is composed of a cooling nitrogen supply pipe 74 introduced into the case 71 and one end is in close contact with the stem 51 to supply nitrogen to cool the stem 51 bonded to the laser diode 52.

상기 가열질소 공급파이프(73)는 그 내부에 질소를 가열하는 히터(75)가 설치되어 있다,The heating nitrogen supply pipe 73 is provided with a heater 75 for heating nitrogen therein.

상기 제 2, 제 3공급유니트(62,63)는 상기 실리콘 서브(53) 및 레이저다이오드(52) 공급시 실리콘 서브(53) 및 레이저다이오드(52)의 흡착위치를 확인하여 상기 제어부(64)에 신호를 입력하는 위치확인용 카메라(65)가 각각 설치되어 있다.The second and third supply units 62 and 63 check the suction positions of the silicon sub 53 and the laser diode 52 when the silicon sub 53 and the laser diode 52 are supplied to the control unit 64. Positioning cameras 65 for inputting a signal are provided respectively.

본 발명에 의한 홀로그램 픽업 모듈의 제조방법을 설명하면,Referring to the manufacturing method of the hologram pickup module according to the present invention,

먼저, 전원이 투입되면 상기 히터블록(72)이 가열되어 도 3e에 도시된 바와 같이 히터블록(72)의 온도가 납이 완전히 용융되는 접합온도(t'3)까지 상승되고 접합작업 동안 계속 그 온도를 유지하게 된다.First, when the power is turned on, the heater block 72 is heated to increase the temperature of the heater block 72 to the junction temperature t'3 at which lead is completely melted, as shown in FIG. To maintain the temperature.

상기 히터블록(72)이 가열된 후, 가열질소 공급파이프로(73)부터 가열된 질소를 케이스(71)로 둘러싸인 접합블록(70)내로 계속 공급한다. 상기 가열질소는 상기 히터블록(72)과 스템(51)이 대기와 접촉하여 온도가 하강하거나 산화되는 것을 방지하게 된다.After the heater block 72 is heated, heated nitrogen from the heating nitrogen supply pipe 73 is continuously supplied into the junction block 70 surrounded by the case 71. The heating nitrogen prevents the heater block 72 and the stem 51 from coming into contact with the atmosphere to lower the temperature or oxidize.

상기 히터블록(72)이 가열된 후 제 1공급유니트(61)가 스템(51)을 접합블록(70)의 히터블록(72)에 밀착시키고 가열된 히터블록(72)의 열 전달에 의해 스템(51)이 가열된다. 이때 스템(51)이 납 용융온도(t'3)까지 가열되지 않도록 일단이 스템(51)에 밀착된 냉각질소 공급파이프(74)로부터 질소를 공급하여 도 3e에 도시된 바와 같이 스템(51)의 온도가 준비온도(t'2)를 유지하도록 제어부(64)에서 제어한다.After the heater block 72 is heated, the first supply unit 61 adheres the stem 51 to the heater block 72 of the junction block 70, and the stem is heated by heat transfer of the heated heater block 72. 51 is heated. At this time, the stem 51 is supplied with nitrogen from the cooling nitrogen supply pipe 74 whose one end is in close contact with the stem 51 so that the stem 51 is not heated to the lead melting temperature t'3. As shown in FIG. The temperature is controlled by the controller 64 so as to maintain the preparation temperature t'2.

상기 스템(51)의 온도조절 후, 제 2공급유니트(62)가 시트(66)에 부착되고 양면에 납이 도포된 실리콘 서브(53)를 흡착하고, 흡착된 실리콘 서브(53)의 흡착 위치는 제 2공급유니트(62)에 설치된 위치확인용 카메라(65)가 확인하고 그 신호를 제어부(64)에 입력시킨다. 상기 제어부(64)가 입력된 신호를 받아 제 2공급유니트(62)의 위치를 보정한 출력신호를 제 2공급유니트(62)로 보내면 제 2공급유니트(62)는 그 신호에 따라 이동하여 상기 스템(51)에 부착되어진 히트싱크(54)의 상면에 실리콘 서브(53)를 안착시킨다.After the temperature of the stem 51 is adjusted, the second supply unit 62 is attached to the sheet 66 and adsorbs the silicon sub 53 with lead on both sides, and the adsorption position of the adsorbed silicon sub 53 is applied. The positioning camera 65 installed in the second supply unit 62 confirms and inputs the signal to the control unit 64. When the control unit 64 receives the input signal and sends an output signal correcting the position of the second supply unit 62 to the second supply unit 62, the second supply unit 62 moves according to the signal. The silicon sub 53 is seated on an upper surface of the heat sink 54 attached to the stem 51.

상기 실리콘 서브(53)의 안착 후, 제 3공급유니트(63)가 시트(66)에 부착된 레이저다이오드(52)를 흡착하고, 흡착된 레이저다이오드(52)의 흡착위치는 제 3공급유니트(63)에 설치된 위치확인용 카메라(65)가 확인하고 그 확인된 신호를 제어부(64)에 입력시킨다. 상기 제어부(64)가 입력된 신호를 받아 제 3공급유니트(63)의 위치를 보정한 출력신호를 제 3공급유니트(63)로 보내면 제 3공급유니트(63)는 그 신호에 따라 이동하여 상기 스템(51)에 안착된 실리콘 서브(53)의 상면에 레이저 다이오드(52)를 안착시킨다.After the silicon sub 53 is seated, the third supply unit 63 adsorbs the laser diode 52 attached to the sheet 66, and the adsorption position of the adsorbed laser diode 52 is changed to the third supply unit ( The positioning camera 65 installed at 63 checks and inputs the confirmed signal to the control unit 64. When the control unit 64 receives the input signal and sends an output signal correcting the position of the third supply unit 63 to the third supply unit 63, the third supply unit 63 moves in accordance with the signal. The laser diode 52 is mounted on the upper surface of the silicon sub 53 seated on the stem 51.

상기 레이저다이오드(52)의 안착 후, 냉각질소 공급파이프(74)로부터 공급되는 질소의 공급을 중단하면 스템(51)은 상기 히터블록(72)과 가열질소의 열 전달에 의해 도 3e에 도시된 바와 같이 납이 용융되는 접합온도(t'3)까지 가열된다. 스템(51)이 상기 접합온도에 이르면 실리콘 서브(53)의 양면에 도포되어 있는 납이 용융된다.After the laser diode 52 is settled, if the supply of nitrogen supplied from the cooling nitrogen supply pipe 74 is stopped, the stem 51 is shown in FIG. 3E by heat transfer of the heater block 72 and the heating nitrogen. As such, it is heated to the junction temperature t'3 at which lead is melted. When the stem 51 reaches the joining temperature, the lead applied to both surfaces of the silicon sub 53 is melted.

상기 실리콘 서브(53)의 납이 용융된 후, 상기 냉각질소 공급파이프(74)로부터 강력한 질소공급이 이루어지면 스템(51)의 온도가 도 3e에 도시된 바와 같이 납의 응고온도이하(t'1)로 하강되고 스템(51)의 히트싱크(54)에 안착된 실리콘 서브(53)의 납이 응고되어 레이저다이오드(52)와 실리콘 서브(53)가 스템(51)의 히트싱크(54)의 상면에 접합하게 된다. 이때, 히터블록(72)의 온도는 도3e에 도시된 바와 같이 약간 하강하게 된다.After the molten lead of the silicon sub 53 is melted, when a strong nitrogen supply is made from the cooling nitrogen supply pipe 74, the temperature of the stem 51 is lower than the solidification temperature of the lead as shown in FIG. 3E (t′1). And the lead of the silicon sub53 solidified on the heat sink 54 of the stem 51 is solidified so that the laser diode 52 and the silicon sub 53 of the heat sink 54 of the stem 51 are solidified. It is bonded to the upper surface. At this time, the temperature of the heater block 72 is slightly lowered as shown in Figure 3e.

상기 스템(51)과 레이저다이오드(52)의 접합 후, 상기 스템(51)이 취출온도(t'1)에 이르면 냉각질소 공급파이프(74)로부터의 질소공급을 중단시키고 상기 제1공급유니트(61)에 의해 레이저다이오드(52)와 실리콘 서브(53)가 접합된 스템(51)을 취출한다, 이때, 상기 히터블록(72)은 새로운 스템(51)이 공급되기 이전에 납의 용융점 온도(t'3)로 복귀된다.After the stem 51 and the laser diode 52 are joined, when the stem 51 reaches the extraction temperature t'1, the nitrogen supply from the cooling nitrogen supply pipe 74 is stopped and the first supply unit ( 61 pulls out the stem 51 to which the laser diode 52 and the silicon sub 53 are joined, wherein the heater block 72 has a melting point temperature t of lead before the new stem 51 is supplied. Return to '3).

이와 같이, 본 발명은 접합블록내에서 온도가 고정된 히터블록으로 스템을 가열시키며, 납을 접합 하기 위한 스템의 온도를 유지시키거나 접합 후 스템을 냉각시키는 것을 질소를 분사시켜 냉각시키도록 구성함에 따라 다수개와 온도유지수단을 사용하여 각 단계별로 이송시키는 작업이 줄어들어 제조 공정수를 줄임은 물론 부품이송수단의 수를 줄이게 되어 생산 투자비가 절감되는 이점이 있다.Thus, the present invention is configured to heat the stem by a heater block having a fixed temperature in the junction block, and to maintain the temperature of the stem for joining the lead or to cool the stem after the joining by injecting nitrogen to cool it. As a result, the number of steps and the number of temperature transfer means are reduced, thereby reducing the number of manufacturing processes and reducing the number of parts transfer means, thereby reducing production investment costs.

또한, 접합블록 내에서 납 접합이 이루어지도록 하여 대기와 접촉되는 것을 줄이게 되어 납 접합 강도를 좋게 하는 이점이 있다.In addition, there is an advantage in that the lead bonding is made in the junction block to reduce the contact with the atmosphere to improve the lead bonding strength.

Claims (8)

스템을 가열한 후 상기 스템에 형성되어 있는 히트싱크에 양면이 납으로 코팅되어 있는 실리콘 서브의 일단면을 접합하고 상기 접합된 부품에서 실리콘 서브의 면 중 히트싱크가 접합된 단면과 대응하는 다른 단면에 연속적으로 레이저 다이오드를 접합하여 홀로그램 픽업 모듈을 제조하는 장치에 있어서,After heating the stem, one end surface of the silicon sub coated on both sides with lead is bonded to the heat sink formed on the stem, and the other cross section corresponding to the cross section of the heat sink bonded on the silicon sub surface of the bonded part. An apparatus for manufacturing a hologram pickup module by successively bonding a laser diode to 상기 스템에 레이저다이오드가 접합되도록 온도조절이 이루어지는 접합블록과, 상기 접합블록 내에 스템을 공급하고 이 스템에 레이저다이오드가 접합된 제품을 취출하는 제 1공급유니트와, 하나의 직선이동가이드에 의해 서로 대향된 방향으로 진행되어 상기 접합블록 내에 실리콘 서브와 레이저다이오드를 공급하는 제 2,3 공급유니트와, 상기 제 1,제 2,제 3공급유니트의 작동 및 접합블록내의 온도를 제어하는 제어부로 구성된 것을 특징으로 하는 홀로그램 픽업 모듈 제조장치.A junction block having a temperature control such that the laser diode is bonded to the stem, a first supply unit supplying the stem to the junction block and extracting a product having the laser diode bonded to the stem, and one linear moving guide. A second and a third supply unit for supplying a silicon sub and a laser diode to the junction block in opposite directions, and a control unit for controlling the operation of the first, second and third supply units and the temperature in the junction block. Hologram pickup module manufacturing apparatus characterized in that. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 접합블록은 스템 가열시 대기를 차단시켜 납의 산화를 막는 케이스와, 상기 케이스의 내부에 안착되고 스템에 열을 전달하는 히터블록과, 상기 케이스의 내부로 가열된 질소를 공급하는 가열질소 공급파이프와, 상기 케이스 내부에 도입되고 일단이 스템에 밀착되어 레이저다이오드와 접합된 스템이 냉각되도록 질소를 공급하는 냉각질소 공급파이프로 구성된 것을 특징으로 하는 홀로그램 픽업 모듈 제조장치.The junction block blocks the atmosphere when the stem is heated to prevent oxidation of lead, a heater block seated inside the case and transferring heat to the stem, and a heating nitrogen supply pipe for supplying heated nitrogen to the inside of the case. And a cooling nitrogen supply pipe which is introduced into the case and has one end adhered to the stem to supply nitrogen to cool the stem joined to the laser diode. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 가열질소 공급파이프는 그 내부에 질소를 가열하는 히터가 설치된 것을 특징으로 하는 홀로그램 픽업 모듈 제조장치.The heating nitrogen supply pipe is a hologram pickup module manufacturing apparatus, characterized in that a heater for heating the nitrogen is installed therein. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 케이스는 레이저다이오드 및 실리콘 서브가 공급되도록 정면 및 상면에 개구부가 각각 형성된 것을 특징으로 하는 홀로그램 픽업 모듈 제조장치.The case is a hologram pickup module manufacturing apparatus, characterized in that the opening is formed in the front and the upper surface to supply the laser diode and the silicon sub, respectively. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2, 제 3공급유니트는 상기 실리콘 서브 및 레이저다이오드 공급시 실리콘 서브 및 레이저다이오드의 흡착위치를 확인하여 상기 제어부에 신호를 입력하는 위치확인용 카메라가 각각 설치된 것을 특징으로 하는 홀로그램 픽업 모듈 제조장치.The second and third supply unit is a hologram pickup module manufacturing characterized in that the positioning camera for inputting a signal to the control unit to check the suction position of the silicon sub and the laser diode when the silicon sub and the laser diode supplied Device. 양단면에 납이 프리코팅 된 실리콘서브의 일단면을 스템의 히트싱크 상면에 접합하고, 접합된 부품에서 상기 실리콘서브의 면중 히팅싱크와 접합된 면과 대응하는 다른 단면에 레이저 다이오드를 연속적으로 접합하여 홀로그램 픽업 모듈을 제조하는 방법에 있어서,One end of the silicon sub-coated lead-coated on both ends is joined to the top surface of the heat sink of the stem, and the laser diode is continuously bonded to the other end of the silicon sub-surface corresponding to the surface of the silicon sub-interface bonded to the heat sink. In the method of manufacturing a hologram pickup module, 상기 접합블록내의 히터블록을 일정온도까지 가열시키는 동시에 접합블록내에 가열된 질소를 공급하는 제 1단계와, 상기 제 1단계의 접합블록내에 히트싱크가 부착된 스템을 공급하여 상기 히터블록에 밀착시키는 동시에 상기 스템의 온도가 납의 용융점 이하가 유지되도록 상기 접합블록내에 냉각질소 공급파이프를 통해 질소를 공급하는 제 2단계와, 상기 제 2단계 후 상기 스템의 히트싱크의 상면에 실리콘 서브를 안착시키는 제 3단계와, 상기 제 3단계의 실리콘 서브 상면에 레이저다이오드를 안착시키는 제 4단계와, 상기 냉각질소 공급파이프로부터의 질소공급을 중단하고 실리콘 서브의 양면에 도포되어 있는 납을 용융시켜 상기 실리콘 서브와 레이저다이오드를 스템와 히트싱크에 접합시키는 제 5단계와, 상기 냉각질소 공급 파이프로부터 대량의 질소를 공급하고 실리콘 서브의 양면에 도포되어 있는 납을 응고시켜 제품을 완성하는 제 6단계와, 상기 제 6단계 후 레이저다이오드가 접합된 스템을 취출하는 제 7단계로 구성된 것을 특징으로 하는 홀로그램 픽업 모듈 제조 방법.Heating the heater block in the junction block to a predetermined temperature and supplying heated nitrogen in the junction block; and supplying a stem with a heat sink in the junction block of the first stage to closely contact the heater block. At the same time, the second step of supplying nitrogen through the cooling nitrogen supply pipe in the junction block so that the temperature of the stem is maintained below the melting point of lead, and the second step of seating the silicon sub on the upper surface of the heat sink of the stem after the second step A third step; and a fourth step of seating a laser diode on the silicon sub-top surface of the third step; and stopping supply of nitrogen from the cooling nitrogen supply pipe and melting lead applied to both sides of the silicon sub-melt. And a fifth step of joining the laser diode to the stem and the heat sink, and from the cooling nitrogen supply pipe. A hologram comprising a sixth step of completing a product by supplying nitrogen and solidifying lead coated on both sides of the silicon sub, and a seventh step of extracting a stem to which the laser diode is bonded after the sixth step How to make a pickup module. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제 4단계는 시트에 부착되어 있는 실리콘 서브를 공급유니트를 통해 흡착하는 제 1과정과, 상기 제 1 과정의 실리콘 서브 흡착위치를 위치확인용 카메라를 통해 확인하여 제어부에 신호를 입력하는 제 2과정과, 상기 제어부에서 출력한 신호에 따라 상기 공급유니트의 위치를 보정한 후 상기 스템의 히트싱크의 상면에 실리콘 서브를 안착시키는 제 3과정으로 구성된 것을 특징으로 하는 홀로그램 픽업 모듈 제조방법.The fourth step is a first step of adsorbing the silicon sub adhered to the sheet through the supply unit and a second step of confirming the silicon sub adsorption position of the first process through a positioning camera to input a signal to the controller. And a third step of seating the silicon sub on the upper surface of the heat sink of the stem after correcting the position of the supply unit according to the signal output from the controller. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제 6단계는 시트에 부착되어 있는 레이저다이오드를 공급유니트를 통해 흡착하는 제 1과정과, 상기 제 1과정의 레이저다이오드의 흡착위치를 위치확인용 카메라를 통해 확인하여 제어부에 신호를 입력하는 제 2과정과, 상기 제어부에서 출력한 신호에 따라 상기 공급유니트의 위치를 보정하여 실리콘 서브의 상면에 레이저다이오드를 안착시키는 제 3과정으로 구성된 것을 특징으로 하는 홀로그램 픽업 모듈 제조방법.In the sixth step, the first step of adsorbing the laser diode attached to the sheet through the supply unit and the step of checking a suction position of the laser diode of the first step through a positioning camera to input a signal to the controller And a third step of mounting the laser diode on the upper surface of the silicon sub by correcting the position of the supply unit according to the signal output from the controller.
KR1019970055861A 1997-10-29 1997-10-29 Hologram pickup module producing device and the same method KR100267561B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970055861A KR100267561B1 (en) 1997-10-29 1997-10-29 Hologram pickup module producing device and the same method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970055861A KR100267561B1 (en) 1997-10-29 1997-10-29 Hologram pickup module producing device and the same method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990034321A KR19990034321A (en) 1999-05-15
KR100267561B1 true KR100267561B1 (en) 2000-10-16

Family

ID=19523655

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970055861A KR100267561B1 (en) 1997-10-29 1997-10-29 Hologram pickup module producing device and the same method

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100267561B1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980015348A (en) * 1996-08-21 1998-05-25 구자홍 Method and apparatus for joining hologram pickup module

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980015348A (en) * 1996-08-21 1998-05-25 구자홍 Method and apparatus for joining hologram pickup module

Also Published As

Publication number Publication date
KR19990034321A (en) 1999-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0406351B1 (en) Ultrasonic laser soldering
CN100525591C (en) Manufacturing method of laminated substrate, and semiconductor device for module and manufacturing apparatus
KR100267561B1 (en) Hologram pickup module producing device and the same method
JP3195970B2 (en) Chip heating mechanism in semiconductor chip bonder
JP3368814B2 (en) Thermocompression bonding equipment for electronic components
JP2770803B2 (en) Electronic component mounting equipment
JPH0346343A (en) Semiconductor manufacturing apparatus
JPH02213075A (en) Jointing method for lead
JP2703272B2 (en) Wire bonding equipment
KR100196403B1 (en) Bonding method and device for hologram pick up module
JP3242486B2 (en) Semiconductor molding equipment
JP2749140B2 (en) Wire bonding method
JPH0237729A (en) Manufacture of semiconductor device
KR100261495B1 (en) Indexing system of a leadframe
JPH04338657A (en) Connecting structure connecting method and connecting device between chip part and substrate
JPH069215B2 (en) Positioning device
GB2271305A (en) Reflow soldering process control
JPH03163838A (en) Die-bonding device
JPH09191020A (en) Method of bonding component to substrate and its apparatus, method of bonding semiconductor chip to lead frame and its apparatus
KR100781150B1 (en) Wire bonder
JP2837145B2 (en) Connection method and connection device between chip component and substrate
JP2812094B2 (en) Solder TAB structure, solder TAB ILB apparatus and ILB method
JP2519829B2 (en) Heating device and mounting method using the same
JPH04219942A (en) Connecting method for lead of ic component
KR970002101Y1 (en) Wire bonding device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20070629

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee