KR100259236B1 - 저반사 코팅 기판 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 유리 또는 플라스틱 기판의 한쪽 표면상에 제 1층으로서 금속 또는 이의 질화물(nitride) 박막, 제 2층으로서 산화물 또는 불화물 박막이 순차적으로 형성되어 이루어지며, 가시광선 평균투과율이 25∼70%이고 가시광선 평균반사율 2% 이하인 저반사 코팅 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 저반사 코팅 기판은, 단순한 2층 코팅을 가지며, 정전기 방지 효과, 전자파 차폐 효과, 명암 대비 증진 효과가 우수하고, 제조 공정이 단순하여 산업적으로 생산시 불량률이 낮고 생산 속도 및 생산 수율이 높다.

Description

저반사 코팅 기판 및 이의 제조 방법.
본 발명은, 기판상에 저반사 코팅막을 형성함에 있어서, 통상적으로 사용되는 투명한 박막 대신에 일정한 광흡수율을 가진 박막을 제막함으로써, 제조 공정이 단순하고 대비 효과가 개선된 저반사 코팅 기판 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
통상적으로, 저반사 코팅 기판은 투명한 물질을 기판(일반적으로, 유리 또는 플라스틱)에 코팅하여 저반사 효과를 얻는다. 그러나, 이와 같이 저반사 코팅 기판을 제조하는 경우, 전면 뿐 아니라 이면에서의 반사도 함께 줄여야 하므로 양면을 모두 코팅해야 하고, 박막(코팅막)을 비교적 두껍게 설계해야 한다는 문제점이 있다. 그 밖에도 박막의 두께를 매우 정밀하게 조절해야 하는 단점이 있다.
한편, 종래와 같이, 유리기판 위에 흡수막을 사용하여 저반사 유리를 제조하는 경우(국내 특허 공고 제97-902호), 흡수막 저반사 유리는, 예를 들면 유리/TiO2(11nm)/SiO2(30nm)/TiO2(100nm)/SiO2(80nm)와 같은 4층 이상의 막 구조를 가지는 것이 일반적이므로, 그 제조 공정이 복잡하였다.
따라서, 본 발명의 목적은, 종래 저반사 코팅 기판에서와 같이 양면을 모두 코팅하여 여러층으로 제조할 필요가 없고, 두께를 두껍게 할 필요가 없으며, 제조 공정이 단순하고, 대비 효과가 개선된 저반사 코팅 기판 및 이의 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 대표적인 저반사 유리의 층 구조를 나타낸 것이다.
도 2는 실시예 2에 따라 제막한 저반사 유리의 분광 반사율을 측정한 그래프이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따르면, 유리 플라스틱 등 기판의 한쪽 표면상에 제 1층으로서 금속 또는 이의 질화물(nitride) 박막, 제 2층으로서 산화물 또는 불화물 박막이 순차적으로 형성되어 이루어지며, 가시광선 평균투과율이 25∼70%이고 가시광선 평균반사율 2% 이하인 저반사 코팅 기판이 제공된다.
또한, 기판의 한 쪽 표면상에 제 1층으로서 금속 또는 이의 질화물(nitride) 박막, 제 2층으로서 산화물 또는 불화물 박막을 순차적으로 코팅하는 저반사 코팅 기판의 제조 방법이 제공된다. 이 때, 스퍼터링을 통하여 코팅할 수 있다.
본 발명의 저반사 코팅 기판의 제 1층은 Cr, Nb, NiCr, Si, SST, Ti, TiN 중 하나로부터 형성하는 것이 바람직하다.
상기 산화물 박막은, SiO2또는 SiO2가 중량비로 85% 이상이고 귤절율이 1.4 ∼ 1.5인 물질로 형성되는 것이 바람직하며, SiO2에 Al를 1∼15% 첨가하거나 B를 60∼400ppm 첨가하여 직류 스퍼터링에 적합하도록 만든 물질을 예로 들 수 있다. 상기 불화물은 MgF2와 같은 귤절율 1.4 이하의 물질을 포함하여 이루어진 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 저반사 코팅 기판은 가시광선 평균투과율 25∼70%가 바람직하며, 평균 투과율이 25% 미만이거나 70%를 초과하는 경우에는 저반사가 되지 않는다. 또한, 가시광선 평균반사율 2% 이하가 바람직하며, 2%를 초과하는 경우, 코팅 기판의 반사율이 높아 상업적으로 가치가 없다.
따라서, 본 발명의 바람직한 실시형태에 의하면, 기판 // Cr, Nb, NiCr, Si, SST, Ti, TiN 중의 한 물질 / SiO2또는 SiO2를 포함하는 물질/ 공기층 또는 기판 // Cr, Nb, NiCr, Si, SST, Ti, TiN 중의 한 물질 / MgF2/ 공기층의 구조를 가지는 저반사 코팅 기판이 제공된다.
이러한 구조를 통하여 박막의 증착속도를 높일 수 있으므로, 진공증착기 뿐만아니라, 동시에 2 개의 코팅 챔버를 가진 연속식 스퍼트링 방식의 코팅 기기에서도 제막이 가능하다. 즉, 코팅 속도가 매우 빠른 Cr, Nb, NiCr, Si, SST, Ti, TiN 와 같은 금속 물질 또는 이의 질화물을 흡수막으로 사용함으로써, 특성의 큰 변화 없이 빠른 증착속도로 2 개의 챔버를 가진 연속식 스퍼트링 시스템에서 기판을 가열하지 않고도 내구성 및 기타 특성이 우수한 저반사 코팅기판을 얻을 수 있다.
상기와 같이 금속 또는 이의 질화물을 박막으로 사용하면, 박막 자체가 전기 전도성을 띠므로, 정전기 방지 효과, 전자파 차폐 효과를 갖는다. 특히, 본 발명에서 사용한 Ti 금속은 전기전도성이 우수하므로, 이를 박막을 사용함으로써 전기 전도성이 우수한 저반사 코팅 기판을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 저반사 코팅 기판은 또한 명암대비 증진 효과가 있다. 따라서, 보안기로 사용하는 경우, 통상의 음극선관 표시장치(CRT 화면)에 비하여 표면에서의 반사율이 낮으므로, 화질이 훨씬 선명해 진다.
본 발명에 따라, 막의 구조를 2 층으로 단순화시킴으로써 얻을 수 있는 장점은 다음과 같다.
① 코팅층이 단순하여 종래의 4층 흡수막 저반사 유리에 비하여 생산 속도를 50% 이상 증진시킬 수 있다.
② 연속식 스퍼트링 방식으로 코팅하는 경우, 2개의 코팅 챔버만으로도 생산이 가능하여, 산업적 규모로 저반사 코팅 기판을 제조할 때 타겟(target)의 교체에 소요되는 시간을 줄일 수가 있으므로, 생산 수율을 증대시킬 수 있다. 또한, 진공 증착하는 경우에도, 코팅막이 단순화되어 막 두께 분포가 균질한 제품을 얻을 수 있다.
③ 제조 공정이 단순하여 품질관리 측면에서 불량률을 현저하게 줄일 수 있다.
실시예
실시예 1
두께 3 mm의 유리를 하기와 같이 제막하였다. 우선, 코팅 챔버에 질소가스를 57 sccm 공급하면서 Ti 타겟에 4.0 kw의 전력을 인가하며 1230 mm/min의 속도로 이동시키며 유리를 코팅하였다. 이어서, 코팅 챔버에 Ar 가스를 20 sccm, O2가스를 20 sccm씩 공급하면서 Si 타겟에 8.0 kw의 전력을 인가하며 410 mm/min의 속도로 이동시키며 상기 TiN 코팅 유리 상에 코팅하였다.
상기와 같이 제막한 TiN/SiO2저반사 코팅 유리는, 가시광선 평균반사율이 0.7%이며, 가시광선 평균투과율이 66%였다. 이 코팅 유리는 저반사 특성뿐만 아니라 광흡수층에 의해 나타나는 명암대비상승효과, 사용한 질화티타늄(TiN)박막에 의해 도전성을 띠므로 정전기 방지특성, 전자파 차폐특성을 부가적으로 얻을 수 있었다.
실시예 2
두께 3 mm의 유리기판 상에서, Ti 타겟을 사용하여 Ar 가스를 40 sccm 씩 공급하면서 1.0 kW의 전력을 인가하였다. 기판을 2800 mm/min 속도로 이동시키며 코팅함으로써, 5 nm의 Ti 박막을 얻었다. 이어서, 실시예 1과 동일한 방법으로 SiO2막을 제막하였다.
상기와 같이 제막한 Ti/SiO2저반사 코팅 유리는, 가시광선 평균반사율이 0.6 %이며 가시광선 평균투과율이 66%로, 투과색상이 실시예 1 보다 뉴트랄에 근접하여 우수하였다.
실시예 3
두께 3 mm의 유리기판 상에서, Si 타겟을 사용하여 Ar 가스를 40 sccm 씩 공급하면서 0.8 kW의 전력을 인가하였다. 기판을 4470 mm/min 속도로 이동시키며 코팅하여 3 nm 의 박막을 제막하였다. 이어서, 실시예 1과 동일한 방법으로 SiO2막을 제막하였다.
이상과 같이 제막한 Si/SiO2저반사 코팅 유리는, 가시광선 평균반사율이 0.8%이며 가시광선 평균투과율이 70% 정도였다. 이 코팅막은 음극이 하나뿐인 소형 코팅장치에서도 생산이 가능한 장점이 있다.
실시예 4
실시예 1 과 같이 제막하되, 기판으로서 투과율 50 % 정도의 착색유리를 사용하였다. 제막된 코팅 유리는 가시광선 평균반사율 0.7 %이며 가시광선 평균투과율이 35% 정도였다.
실시예 5
실시예 1 과 같이 제막하되, 기판으로서 투과율 50% 정도의 아크릴 또는 폴리카보네이트 기판을 사용하였다. 제막된 코팅물은 가시광선 평균반사율 0.7%이며 가시광선 평균투과율이 35% 정도였다.
이와 같이 제조된 저반사 코팅 기판은, 전시장의 전시대, 상점의 진열대, 건축물의 창호, 병원 및 실험실의 칸막이 유리 및 각종 표시소자의 전면 카바 유리 및 전자파 정전기 차폐 유리 등에 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 저반사 코팅 기판은, 단순한 2층 코팅을 가지며, 제조 공정이 단순하여 산업적으로 생산시 불량률이 낮고 생산 속도 및 생산 수율이 높고, 정전기 방지 효과, 전자파 차폐 효과 및 명암 대비 증진 효과가 있다.

Claims (7)

  1. 기판의 한쪽 표면상에 제 1층으로서 금속 또는 이의 질화물(nitride) 박막, 제 2층으로서 산화물 또는 불화물 박막이 순차적으로 형성되어 이루어지며, 가시광선 평균투과율이 25∼70%이고 가시광선 평균반사율 2% 이하인 저반사 코팅 기판.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 금속 또는 이의 질화물이 Cr, Nb, NiCr, Si, SST, Ti, TiN 중 하나인 것을 특징으로 하는 저반사 코팅 기판.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 산화물이 SiO2또는 SiO2가 중량비로 85 % 이상이고 귤절율이 1.4 ∼ 1.5인 물질인 것을 특징으로 하는 저반사 코팅 기판.
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 불화물이 귤절율 1.4 이하의 물질인 것을 특징으로 하는 저반사 코팅 기판.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 귤절율 1.4 이하의 물질이 MgF2인 것을 특징으로 하는 저반사 코팅 기판.
  6. 스퍼터링 방법을 사용하여, 기판의 한 쪽 표면상에 제 1층으로서 금속 또는 이의 질화물 박막, 제 2층으로서 산화물 또는 질화물 박막을 순차적으로 코팅하는 것을 특징으로 하는, 가시광선 평균투과율이 25∼70%이고 가시광선 평균반사율 2% 이하인 저반사 코팅 기판의 제조 방법.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 금속 또는 이의 질화물이 Cr, Nb, NiCr, Si, SST, Ti, TiN 중 하나이고, 상기 산화물이 SiO2또는 SiO2가 중량비로 85 % 이상이고 귤절율이 1.4 ∼ 1.5인 물질이고, 상기 불화물이 MgF2인 것을 특징으로 하는 저반사 코팅 기판의 제조 방법.
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