KR100253341B1 - 반도체 웨이퍼의 후면연마법 및 그 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼의 후면연마법 및 그 장치에 관한 것으로, 종래 기술에 의한 반도체 웨이퍼의 후면연마법 및 그 장치는 상기 반도체 웨이퍼의 후면에 생성된 피치가 크게 파쇄됨과 아울러 파쇄깊이가 큰 파쇄층을 형성하게 되어 그 반도체 웨이퍼에 크랙(Crack)을 발생시키고, 또 상기 크랙으로 인하여 상기 반도체 웨이퍼가 상기 티아암이나 상기 리버스아암으로 이송시에 가해진 약간의 충격으로 파손되는 문제점이 발생하였다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 본 발명에 의한 반도체 웨이퍼의 후면연마법 및 그 장치는 아래 도면에 도시된 바와 같이 Z1-척테이블을 반시계방향으로 회전하고 상기 제 1 스핀들을 상기 Z1-척테이블의 회전중심으로 수직으로 이동함과 아울러 수평이동하면서 상기 제 1 스핀들에 의하여 구동되는 연마휠을 반시계방향으로 회전구동하여 상기 반도체 웨이퍼의 후면을 1차 연마하고, 또 상기 Z2-척테이블을 시계방향으로 회전하고 상기 제 2 스핀들을 상기 Z2-척테이블의 회전중심으로 수직으로 이동함과 아울러 수평이동하면서 상기 제 2 스핀들에 의하여 구동되는 연마휠을 시계방향으로 회전구동하여 상기 반도체 웨이퍼의 후면을 2차 연마하므로써 그 반도체 웨이퍼의 후면에 생성된 피치(Pitch)가 두방향으로 생성됨과 아울러 작게 파쇄되고, 또 상기 반도체 웨이퍼의 후면의 파쇄깊이가 낮은 파쇄층을 갖게 되어 그 반도체 웨이퍼에 크랙(Crack)이 발생하는 것을 방지함과 아울러 상기 반도체 웨이퍼가 상기 티아암이나 상기 리버스아암으로 이송시에 가해진 충격으로 인하여 파손되는 것을 방지할 수 있는 효과를 기대할 수 있다.

Description

반도체 웨이퍼의 후면연마법 및 그 장치
본 발명은 반도체 웨이퍼의 후면연마법 및 그 장치에 관한 것으로, 특히 연마할 반도체 웨이퍼가 고정되는 척테이블의 회전중심으로 상기 반도체 웨이퍼를 연마하는 연마휠이 수평으로 이동함과 아울러 회전하여 상기 반도체 웨이퍼를 연마할 수 있도록 하므로써 그 반도체 웨이퍼의 파쇄층의 간격을 조밀하게 함과 아울러 높이를 낮추고, 또 상기 반도체 웨이퍼에 크랙(Crack)이 발생하는 것을 방지함과 아울러 그 반도체 웨이퍼가 깨어지는 것을 방지할 수 있도록 한 반도체 웨이퍼의 후면연마법 및 그 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 패키지를 제조하는 중간단계의 제품인 반도체 웨이퍼는 상기 반도체 패키지의 소형화 및 열응력을 감소시키기 위한 목적으로 후면을 연마하게 된다.
이와 같이 상기 반도체 웨이퍼의 후면을 연마하기 위해서는 상기 도 1에 도시된 바와 같은 연마장치를 사용하게 되는데, 이러한 연마장치는 연마할 다수의 반도체 웨이퍼가 장착되는 카세트(1)가 있고, 그 카세트(1)에 장착된 상기 반도체 웨이퍼(W)를 언로딩(Unloading)함과 아울러 그 반도체 웨이퍼(W)를 180°회전시키는 리버스아암(Reverse Arm)(2)이 설치되어 있으며, 그 리버스아암(2)에 언로딩된 상기 반도체 웨이퍼(W)의 중심을 잡아주는 포지션테이블(Position Table)(3)이 설치되어 있다.
또, 상기 포지션테이블(3)에서 중심이 잡아진 상기 반도체 웨이퍼(W)를 이송하는 티아암(T-Arm)(4)이 설치되어 있고, 그 티아암(4)에 의하여 이송된 상기 반도체 웨이퍼(W)가 장착됨과 아울러 회전하는 Z1-척테이블(Chuck Table)(5)이 설치되어 있으며, 그 Z1-척테이블(5)에 장착된 상기 반도체 웨이퍼(W)를 1차적으로 연마하는 연마휠(6a)이 구비된 제 1 스핀들(Spindle)(6)이 설치되어 있다.
상기 제 1 스핀들(6)은 상기 연마휠(6a)을 회전구동함과 아울러 상기 Z1-척테이블(5)에 장착된 상기 반도체 웨이퍼(W)의 연마두께를 조절할 수 있도록 상.하로 이동할 수 있도록 설치되어 있고, 상기 제 1 스핀들(6)에 의하여 1차적으로 연마된 상기 반도체 웨이퍼(W)를 상기 티아암(4)으로 이송하여 2차적으로 연마할 수 있도록 그 반도체 웨이퍼(W)를 장착함과 아울러 회전시키는 Z2-척테이블(7)이 설치되어 있으며, 그 Z2-척테이블(7)에 장착된 상기 반도체 웨이퍼(W)를 2차적으로 연마하는 연마휠(8a)이 구비된 제 2 스핀들(Spindle)(8)이 설치되어 있다.
상기 제 2 스핀들(8)은 상기 제 1 스핀들(6)과 같이 상기 연마휠(8a)을 회전구동함과 아울러 상기 Z2-척테이블(7)에 장착된 상기 반도체 웨이퍼(W)의 연마두께를 조절할 수 있도록 상.하로 이동한다.
또, 상기 Z2-척테이블(7)에서 2차 연마된 상기 반도체 웨이퍼(W)를 상기 티아암(4)으로 이송하고, 이송된 상기 반도체 웨이퍼(W)면에 존재하는 파티클을 세정하는 스핀너테이블(Spinner Table)(9)이 설치되어 있으며, 그 스핀너테이블(9)에서 세정된 상기 반도체 웨이퍼(W)는 상기 리버스아암(2)에 의하여 180°회전함과 아울러 상기 카세트(1)에 로딩되게 되는 것이다.
상기와 같이 구성된 반도체 웨이퍼 후면연마장치는, 먼저 상기 카세트(1)에 장착된 상기 반도체 위이퍼(W)를 상기 리버스아암(2)이 언로딩함과 아울러 그 반도체 웨이퍼(W)를 180°회전하여 상기 포지션테이블(3)로 이송하고, 그 포지션테이블(3)에 이송된 상기 반도체 웨이퍼(W)는 회전중심이 셋팅되게 되며, 회전중심이 셋팅된 상기 반도체 웨이퍼(W)는 티아암(4)에 의하여 상기 Z1-척테이블(5)에 이송됨과 아울러 장착되고, 그 Z1-척테이블(5)은 반시계방향으로 회전구동하게 된다.
상기와 같은 상태에서 상기 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 스핀들(6)이 상기 Z1-척테이블(5)에 장착된 반도체 웨이퍼(W)를 향하여 수직이동함과 아울러 그 제 1 스핀들(6)에 의하여 구동되는 상기 연마휠(6a)이 반시계방향으로 회전하므로써 상기 반도체 웨이퍼(W)는 1차적으로 연마되고, 상기 1차 연마된 상기 반도체 웨이퍼(W)는 상기 티아암(4)에 의하여 상기 Z2-척테이블(7)로 이송장착됨과 아울러 그 Z2-척테이블(7)이 반시계방향으로 회전구동하게 된다.
상기와 같은 상태에서 상기 제 2 스핀들(8)이 상기 Z2-척테이블(7)에 장착된 반도체 웨이퍼(W)를 향하여 수직이동함과 아울러 그 제 2 스핀들(8)에 의하여 구동되는 상기 연마휠(8a)이 반시계방향으로 회전하므로써 상기 반도체 웨이퍼(W)는 2차적으로 연마되게 된다.
상기와 같이 2차적으로 연마된 상기 반도체 웨이퍼(W)는 상기 티아암(4)에 의하여 상기 스핀너테이블(9)에 이송되어 세정되고, 그 스핀너테이블(9)에서 세정된 상기 반도체 웨이퍼(W)는 상기 리버스아암(2)에 의하여 180°회전하여 상기 카세트(1)에 로딩되게 되는 것이다.
상기와 같이 연마된 반도체 웨이퍼(W)는 상기 도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이 일방향으로 피치(Pitch)(W1)가 크게 파쇄되고, 그 파쇄깊이가 깊은 파쇄층을 갖게 된다.
그러나, 상기와 같은 반도체 웨이퍼의 후면연마법과 연마장치에 의한 상기 반도체 웨이퍼의 연마는 피치가 크게 파쇄됨과 아울러 파쇄깊이가 큰 파쇄층을 형성하게 되어 상기 반도체 웨이퍼에 크랙(Crack)을 발생시키고, 또 상기 크랙으로 인하여 상기 반도체 웨이퍼가 상기 티아암이나 상기 리버스아암으로 이송시에 가해진 약간의 충격으로 파손되는 문제점이 발생하였다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기의 문제점을 해결하여 후면 연마되는 상기 반도체 웨이퍼에 크랙이 발생하는 것을 방지함과 아울러 그 반도체 웨이퍼의 파손을 방지할 수 있는 반도체 웨이퍼의 후면연마법 및 그 장치를 제공함에 있다.
도 1은 반도체 웨이퍼의 후면을 연마하는 연마장치의 구조를 보인 사시도.
도 2는 종래 기술에 의한 반도체 웨이퍼의 후면을 연마하는 상태를 보인 개략도.
도 3은 종래 기술에 의하여 연마된 반도체 웨이퍼의 후면상태를 보인 평면도.
도 4는 종래 기술에 의하여 연마된 반도체 웨이퍼의 후면상태를 보인 측면도.
도 5는 종래 기술에 의하여 연마된 반도체 웨이퍼의 후면상태를 보인 현미경 사진.
도 6은 본 발명에 의한 반도체 웨이퍼의 후면을 1차 연마하는 상태를 보인 개략도.
도 7은 본 발명에 의한 반도체 웨이퍼의 후면을 2차 연마하는 상태를 보인 개략도.
도 8은 본 발명에 의하여 연마된 반도체 웨이퍼의 후면상태를 보인 평면도.
도 9는 본 발명에 의하여 연마된 반도체 웨이퍼의 후면상태를 보인 측면도.
도 10은 본 발명에 의하여 연마된 반도체 웨이퍼의 후면상태를 보인 현미경 사진.
** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 **
2 : 리버스아암 3 : 포지션테이블
4 : 티아암 5 : Z1-척테이블
6 : 제 1 스핀들 6a,8a : 연마휠
7 : Z2-척테이블 8 : 제 2 스핀들
9 : 스핀너테이블
본 발명의 목적은 연마될 반도체 웨이퍼가 다수게 장착된 카세트에서 상기 반도체 웨이퍼를 언로딩함과 아울러 180°회전하는 1차 이송단계와, 그 1차 이송된 상기 반도체 웨이퍼의 회전중심을 셋팅하는 센터링단계와, 센터링된 상기 반도체 웨이퍼를 제 1 척테이블로 이송하여 장착하는 2차 이송단계와, 2차 이송되어 상기 반도체 웨이퍼가 장착된 제 1 척테이블을 반시계방향으로 회전함과 아울러 그 반도체 웨이퍼를 연마하는 연마휠을 반시계방향으로 회전하고 그 연마휠을 구동하는 제 1 스핀들을 상기 반도체 웨이퍼의 파쇄깊이를 조절할 수 있도록 수직방향으로 이동함과 아울러 상기 제 1 척테이블의 회전중심축으로 수평이동시켜 상기 반도체 웨이퍼를 연마하는 제 1 연마단계와, 그 제 1 연마단계를 진행한 상기 반도체 웨이퍼를 상기 티아암으로 제 2 척테이블로 이송하여 장착하는 3차 이송단계와, 그 3차 이송단계에 의하여 상기 반도체 웨이퍼가 장착된 상기 제 2 척테이블을 시계방향으로 회전함과 아울러 그 반도체 웨이퍼를 연마하는 연마휠을 시계방향으로 회전하고 그 연마휠을 구동하는 제 2 스핀들을 상기 반도체 웨이퍼의 파쇄깊이를 조절할 수 있도록 수직방향으로 이동함과 아울러 상기 제 2 척테이블의 회전중심축으로 수평이동시켜 상기 반도체 웨이퍼를 연마하는 제 2 연마단계와, 그 제 2 연마단계를 진행한 상기 반도체 웨이퍼를 상기 티아암으로 스피너테이블에 이송하는 4차 이송단계와, 그 4차 이송단계의 진행으로 이송된 상기 반도체 웨이퍼를 상기 스피너테이블에서 세정하는 세정단계와, 그 세정단계를 진행한 상기 반도체 웨이퍼를 180°회전함과 아울러 상기 카셋트에 로딩하는 5차 이송단계로 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 후면연마법에 의하여 달성된다.
또, 본 발명의 목적은 연마될 반도체 웨이퍼가 다수게 장착된 카세트에서 상기 반도체 웨이퍼를 180°회전하여 언로딩 또는 연마됨과 아울러 세정된 상기 반도체 웨이퍼를 상기 카세트에 180°회전하여 로딩하는 리버스아암과, 그 리버스아암에 의하여 언로딩된 상기 반도체 웨이퍼의 회전중심을 셋팅하는 포지션 테이블과, 그 포지션 테이블에 의하여 회전중심이 셋팅된 상기 반도체 웨이퍼를 1차적으로 연마하는 제 1 연마장치와, 그 제 1 연마장치에 의하여 연마된 상기 반도체 웨이퍼를 2차적으로 연마하는 제 2 연마장치와, 그 제 2 연마장치에 의하여 2차적으로 연마된 상기 반도체 웨이퍼를 세정하는 세정장치와, 그 세정장치와 상기 제 1 연마장치 그리고 상기 제 2 연마장치 및 상기 포지션 테이블간에 상기 반도체 웨이퍼를 이송하는 이송장치를 구비한 반도체 웨이퍼의 후면연마장치에 있어서;
상기 제 1 연마장치와 제 2 연마장치는 상기 반도체 웨이퍼를 장착고정하여 시계방향 또는 반시계방향으로 회전시키는 척테이블과, 그 척테이블에 장착고정된 상기 반도체 웨이퍼를 시계방향 또는 반시계방향으로 회전구동하여 그 반도체 웨이퍼의 파쇄깊이를 조절함과 아울러 연마하는 연마휠이 구비된 휠구동장치와, 그 휠구동장치를 상기 척테이블의 회전중심축으로 수평이동시킬 수 있는 수평이동장치를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 후면연마장치에 의하여 달성된다.
다음은, 본 발명에 의한 반도체 웨이퍼의 후면연마법 및 그 장치의 바람직한 일실시예를 첨부된 도면에 의거하여 상세하게 설명한다.
도 6은 본 발명에 의한 반도체 웨이퍼의 후면을 1차 연마하는 상태를 보인 개략이고, 도 7은 본 발명에 의한 반도체 웨이퍼의 후면을 2차 연마하는 상태를 보인 개략도이며, 또 도 8은 본 발명에 의하여 연마된 반도체 웨이퍼의 후면상태를 보인 평면도이고, 도 9는 본 발명에 의하여 연마된 반도체 웨이퍼의 후면상태를 보인 측면도이며, 도 10은 본 발명에 의하여 연마된 반도체 웨이퍼의 후면상태를 보인 현미경 사진이다.
참고로, 종래와 동일한 부분은 같은 부호를 사용한다.
먼저, 본 발명에 의한 반도체 웨이퍼의 후면연마법은 상기 도 6과 도 7에 도시된 바와 같이, 연마될 반도체 웨이퍼(W)가 다수게 장착된 카세트(1)에서 상기 반도체 웨이퍼(W)를 리버스아암(2)으로 언로딩함과 아울러 180°회전하여 1차적으로 포지션 테이블(3)로 이송하고, 그 포지션 테이블(3)에 이송된 상기 반도체 웨이퍼(W)의 회전중심을 셋팅하며, 또 상기 회전중심이 셋팅된 상기 반도체 웨이퍼(W)를 제 1 척테이블인 Z1-척테이블(5)로 2차적으로 이송하고, 상기 반도체 웨이퍼(W)가 장착된 Z1-척테이블(5)을 반시계방향으로 회전함과 아울러 그 반도체 웨이퍼(W)를 연마하는 연마휠(6a)을 반시계방향으로 회전하고 그 연마휠(6a)을 구동하는 휠구동장치인 제 1 스핀들(6)을 상기 반도체 웨이퍼(W)의 파쇄깊이를 조절할 수 있도록 수직방향으로 이동함과 아울러 상기 Z1-척테이블(6a)의 회전중심축으로 수평이동시켜 상기 반도체 웨이퍼(W)를 1차적으로 연마하며, 그리고 1차적으로 연마된 상기 반도체 웨이퍼(W)를 티아암(4)으로 제 2 척테이블인 Z2-척테이블(7)로 3차적으로 이송장착하고, 그 Z2-척테이블(7)을 시계방향으로 회전함과 아울러 상기 반도체 웨이퍼(W)를 연마하는 연마휠(8a)을 시계방향으로 회전하고 그 연마휠(8a)을 구동하는 휠구동장치인 제 2 스핀들(8)을 상기 반도체 웨이퍼(W)의 파쇄깊이를 조절할 수 있도록 수직방향으로 이동함과 아울러 상기 Z2-척테이블(7)의 회전중심축으로 수평이동시켜 상기 반도체 웨이퍼(W)를 2차적으로 연마하며, 그리고 또 2차적으로 연마된 상기 반도체 웨이퍼(W)를 상기 티아암(4)으로 상기 스피너테이블(9)에 4차적으로 이송하고, 그 스피너테이블(9)에 이송된 상기 반도체 웨이퍼(W)를 세정하며, 상기 스피너테이블(9)에서 세정된 상기 반도체 웨이퍼(W)를 180°회전함과 아울러 상기 카셋트(1)에 로딩하므로써 상기 반도체 웨이퍼(W)의 후면이 연마되는 방법인 것이다.
또, 본 발명에 의한 반도체 웨이퍼의 후면연마장치는 연마할 다수의 반도체 웨이퍼(W)가 장착되는 카세트(1)가 있고, 그 카세트(1)에 장착된 상기 반도체 웨이퍼(W)를 언로딩함과 아울러 그 반도체 웨이퍼(W)를 180°회전시키는 리버스아암(2)이 설치되어 있으며, 그 리버스아암(2)에 언로딩된 상기 반도체 웨이퍼(W)의 중심을 잡아주는 포지션테이블(3)이 설치되어 있다.
또, 상기 포지션테이블(3)에서 중심이 잡아진 상기 반도체 웨이퍼(W)를 이송하는 티아암(4)이 설치되어 있고, 그 티아암(4)에 의하여 이송된 상기 반도체 웨이퍼(W)가 1차적으로 연마되는 제 1 연마장치인 Z1-척테이블(5)과 그 Z1-척테이블(5)에 장착된 상기 반도체 웨이퍼(W)를 1차적으로 연마하는 연마휠(6a)이 구비된 휠구동장치인 제 1 스핀들(6)이 설치되어 있다.
상기 제 1 스핀들(6)은 상기 연마휠(6a)을 반시계방향으로 회전구동함과 아울러 상기 Z1-척테이블(5)에 장착된 상기 반도체 웨이퍼(W)의 연마두께를 조절할 수 있도록 상.하로 이동할 수 있도록 설치되어 있고, 또 상기 Z1-척테이블(5)도 반시계방향으로 회전구동함과 아울러 그 Z1-척테이블(5)의 회전중심으로 상기 제 1 스핀들(6)을 수평이동시킬 수 있는 제 1 수평이동장치가 설치되어 있다.
상기 제 1 수평이동장치는 상기 제 1 스핀들(6)의 몸체가 수평적으로 이동할 수 있도록 가이드하는 선형가이드바(미도시)와 그 선형가이드바내에서 회전구동하는 스크류(미도시)와 그 스크류를 구동하는 구동장치인 전동기(미도시)로 구성되어 있다.
또, 상기 제 1 스핀들(6)에 의하여 1차적으로 연마된 상기 반도체 웨이퍼(W)를 상기 티아암(4)으로 이송하여 2차적으로 연마되는 제 2 연마장치인 Z2-척테이블(7)과 그 Z2-척테이블(7)에 장착된 상기 반도체 웨이퍼(W)를 2차적으로 연마하는 연마휠(8a)이 구비된 휠구동장치인 제 2 스핀들(8)이 설치되어 있다.
상기 제 2 스핀들(8)은 상기 연마휠(8a)을 시계방향으로 회전구동함과 아울러 상기 Z2-척테이블(7)에 장착된 상기 반도체 웨이퍼(W)의 연마두께를 조절할 수 있도록 상.하로 이동할 수 있도록 설치되어 있고, 또 상기 Z2-척테이블(7)도 시계방향으로 회전구동함과 아울러 그 Z2-척테이블(7)의 회전중심으로 상기 제 2 스핀들(8)을 수평이동시킬 수 있는 제 2 수평이동장치가 설치되어 있다.
상기 제 2 수평이동장치는 상기 제 2 스핀들의 몸체가 수평적으로 이동할 수 있도록 가이드하는 선형가이드바(미도시)와 그 선형가이드바내에서 회전구동하는 스크류(미도시)와 그 스크류를 구동하는 구동장치인 전동기(미도시)로 구성되어 있다.
그리고, 상기 Z2-척테이블(7)에서 2차 연마된 상기 반도체 웨이퍼(W)를 상기 티아암(4)으로 이송하고, 이송된 상기 반도체 웨이퍼(W)면에 존재하는 파티클을 세정하는 스핀너테이블(9)이 설치되어 있으며, 그 스핀너테이블(9)에서 세정된 상기 반도체 웨이퍼(W)는 상기 리버스아암(2)에 의하여 180°회전함과 아울러 상기 카세트(1)에 로딩되게 되는 것이다.
상기와 같이 구성된 반도체 웨이퍼 후면연마장치는, 먼저 상기 카세트(1)에 장착된 상기 반도체 위이퍼(W)를 상기 리버스아암(2)이 언로딩함과 아울러 그 반도체 웨이퍼(W)를 180°회전하여 상기 포지션테이블(3)로 이송하고, 그 포지션테이블(3)에 이송된 상기 반도체 웨이퍼(W)는 회전중심이 셋팅되게 되며, 상기 회전중심이 셋팅된 상기 반도체 웨이퍼(W)는 상기 티아암(4)에 의하여 상기 Z1-척테이블(5)에 이송됨과 아울러 장착되고, 그 Z1-척테이블(5)은 반시계방향으로 회전구동하게 된다.
상기와 같은 상태에서 상기 제 1 스핀들(6)이 상기 Z1-척테이블(5)에 장착된 반도체 웨이퍼(W)를 향하여 수직이동함과 아울러 그 제 1 스핀들(6)에 의하여 구동되는 상기 연마휠(6a)이 반시계방향으로 회전하면서 상기 Z1-척테이블(5)의 회전중심축으로 제 1 수평이동장치에 의하여 수평이동되어 상기 반도체 웨이퍼(W)가 1차적으로 연마되고, 상기 1차 연마된 상기 반도체 웨이퍼(W)는 상기 티아암(4)에 의하여 상기 Z2-척테이블(7)로 이송장착됨과 아울러 그 Z2-척테이블(7)이 반시계방향으로 회전구동하게 된다.
상기와 같은 상태에서 상기 제 2 스핀들(8)이 상기 Z2-척테이블(7)에 장착된 반도체 웨이퍼(W)를 향하여 수직이동함과 아울러 그 제 2 스핀들(8)에 의하여 구동되는 상기 연마휠(8a)이 시계방향으로 회전하면서 상기 Z2-척테이블(7)의 회전중심축으로 상기 제 2 수평이동장치에 의하여 수평이동되어 상기 반도체 웨이퍼(W)가 2차적으로 연마되고, 상기와 같이 2차적으로 연마된 상기 반도체 웨이퍼(W)는 상기 티아암(4)에 의하여 상기 스핀너테이블(9)에 이송되어 세정되고, 그 스핀너테이블(9)에서 세정된 상기 반도체 웨이퍼(W)는 상기 리버스아암(2)에 의하여 180°회전하여 상기 카세트(1)에 로딩되게 되는 것이다.
상기와 같이 연마된 반도체 웨이퍼(NW)는, 상기 도 8 내지 도 10에 도시된 바와 같이 두방향으로 피치(Pitch)(NW1)가 작게 파쇄되고, 그 파쇄깊이가 낮은 파쇄층을 갖게 되는 것을 확인할 수 있게 된다.
상기와 같이, 상기 Z1-척테이블을 반시계방향으로 회전하고 상기 제 1 스핀들을 상기 Z1-척테이블의 회전중심으로 수직으로 이동함과 아울러 수평이동하면서 상기 제 1 스핀들에 의하여 구동되는 연마휠을 반시계방향으로 회전구동하여 상기 반도체 웨이퍼의 후면을 1차 연마하고, 또 상기 Z2-척테이블을 시계방향으로 회전하고 상기 제 2 스핀들을 상기 Z2-척테이블의 회전중심으로 수직으로 이동함과 아울러 수평이동하면서 상기 제 2 스핀들에 의하여 구동되는 연마휠을 시계방향으로 회전구동하여 상기 반도체 웨이퍼의 후면을 2차 연마하므로써 그 반도체 웨이퍼의 후면에 생성된 피치(Pitch)가 두방향으로 생성됨과 아울러 작게 파쇄되고, 또 상기 반도체 웨이퍼의 후면의 파쇄깊이가 낮은 파쇄층을 갖게 되어 그 반도체 웨이퍼에 크랙(Crack)이 발생하는 것을 방지함과 아울러 상기 반도체 웨이퍼가 상기 티아암이나 상기 리버스아암으로 이송시에 가해진 충격으로 인하여 파손되는 것을 방지할 수 있는 효과를 기대할 수 있다.

Claims (4)

  1. 연마될 반도체 웨이퍼가 다수게 장착된 카세트에서 상기 반도체 웨이퍼를 언로딩함과 아울러 180°회전하는 1차 이송단계와, 그 1차 이송된 상기 반도체 웨이퍼의 회전중심을 셋팅하는 센터링단계와, 상기 센터링된 상기 반도체 웨이퍼를 제 1 척테이블로 이송하여 장착하는 2차 이송단계와, 2차 이송되어 상기 반도체 웨이퍼가 장착된 제 1 척테이블을 반시계방향으로 회전함과 아울러 그 반도체 웨이퍼를 연마하는 연마휠을 반시계방향으로 회전하고 그 연마휠을 구동하는 제 1 스핀들을 상기 반도체 웨이퍼의 파쇄깊이를 조절할 수 있도록 수직방향으로 이동함과 아울러 상기 제 1 척테이블의 회전중심축으로 수평이동시켜 상기 반도체 웨이퍼를 연마하는 제 1 연마단계와, 그 제 1 연마단계를 진행한 상기 반도체 웨이퍼를 상기 티아암으로 제 2 척테이블로 이송하여 장착하는 3차 이송단계와, 그 3차 이송단계에 의하여 상기 반도체 웨이퍼가 장착된 상기 제 2 척테이블을 시계방향으로 회전함과 아울러 그 반도체 웨이퍼를 연마하는 연마휠을 시계방향으로 회전하고 그 연마휠을 구동하는 제 2 스핀들을 상기 반도체 웨이퍼의 파쇄깊이를 조절할 수 있도록 수직방향으로 이동함과 아울러 상기 제 2 척테이블의 회전중심축으로 수평이동시켜 상기 반도체 웨이퍼를 연마하는 제 2 연마단계와, 그 제 2 연마단계를 진행한 상기 반도체 웨이퍼를 상기 티아암으로 스피너테이블에 이송하는 4차 이송단계와, 그 4차 이송단계의 진행으로 이송된 상기 반도체 웨이퍼를 상기 스피너테이블에서 세정하는 세정단계와, 그 세정단계를 진행한 상기 반도체 웨이퍼를 180°회전함과 아울러 상기 카셋트에 로딩하는 5차 이송단계로 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 후면연마법.
  2. 연마될 반도체 웨이퍼가 다수게 장착된 카세트에서 상기 반도체 웨이퍼를 180°회전하여 언로딩 또는 연마됨과 아울러 세정된 상기 반도체 웨이퍼를 상기 카세트에 180°회전하여 로딩하는 리버스아암과, 그 리버스아암에 의하여 언로딩된 상기 반도체 웨이퍼의 회전중심을 셋팅하는 포지션 테이블과, 그 포지션 테이블에 의하여 회전중심이 셋팅된 상기 반도체 웨이퍼를 1차적으로 연마하는 제 1 연마장치와, 그 제 1 연마장치에 의하여 연마된 상기 반도체 웨이퍼를 2차적으로 연마하는 제 2 연마장치와, 그 제 2 연마장치에 의하여 2차적으로 연마된 상기 반도체 웨이퍼를 세정하는 세정장치와, 그 세정장치와 상기 제 1 연마장치 그리고 상기 제 2 연마장치 및 상기 포지션 테이블간에 상기 반도체 웨이퍼를 이송하는 이송장치를 구비한 반도체 웨이퍼의 후면연마장치에 있어서; 상기 제 1 연마장치와 제 2 연마장치는 상기 반도체 웨이퍼를 장착고정하여 시계방향 또는 반시계방향으로 회전시키는 척테이블과, 그 척테이블에 장착고정된 상기 반도체 웨이퍼를 시계방향 또는 반시계방향으로 회전구동하여 그 반도체 웨이퍼의 파쇄깊이를 조절함과 아울러 연마하는 연마휠이 구비된 휠구동장치와, 그 휠구동장치를 상기 척테이블의 회전중심축으로 수평이동시킬 수 있는 수평이동장치를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 후면연마장치.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 제 1 연마장치는 상기 반도체 웨이퍼를 장착고정하여 반시계방향으로 회전구동하는 Z1-척테이블과, 그 Z1-척테이블에 장착고정된 상기 반도체 웨이퍼를 연마할 수 있는 연마휠을 반시계방향으로 회전구동하는 휠구동장치인 제 1 스핀들을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 후면연마장치.
  4. 제 2항에 있어서, 상기 제 2 연마장치는 상기 반도체 웨이퍼를 장착고정하여 시계방향으로 회전구동하는 Z2-척테이블과, 그 Z2-척테이블에 장착고정된 상기 반도체 웨이퍼를 연마할 수 있는 연마휠을 시계방향으로 회전구동하는 휠구동장치인 제 2 스핀들을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 후면연마장치.
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