KR100227701B1 - 음극선관의 건식 전자사진식 제조방법으로 제조된 판넬을 지니는 벌브의 제조방법 및 그 스크린 제조용 광전도막용액 - Google Patents

Abstract

본 발명은, 판넬의 베이킹공정없이 판넬과 펀넬의 봉착공정되어 전도막, 광전도막과 각 형광체 및 라커 등에 존재하는 용매 등의 휘발성성분을 양호하게 제거할수 있는 음극선관의 건식 전자사진식 제조방법으로 제조된 판넬을 지니는 벌브의 제조방법 및 그 스크린 제조용 광전도막용액을 제공한다.

그 광전도막 용액은, 자외선에 반응하는 물질로는 비스 디메틸 페닐 디페닐부타트리엔(bis dimethyl phenyl diphenyl butatriene)과, 트리니트로플루오리논(trinitro-fluorenone: TNF) 및 에틸 안트라퀴논(ethyl anthraquinone: EAQ)중 적어도 한가지이상을 각각 0.01 내지 10중량과, 고분자바인더(binder)로서 스트렌 메틸메타크릴레이트 코폴리머(styrene methyle methacrylate copolymer)의 1내지 30중량을 잔량인 톨루엔(toluene)이나 크실렌(xylene)에 용해시킨 것을 특징으로 한다.

이에 따라, 건식전자사진식 스크린 제조방법으로 제조된 판넬의 베이킹공정 없이 판넬과 펀넬의 봉착공정에서 전도막(32), 광전도막(34)과 각 형광체 및 라커 등에 존재하는 용매 등의 휘발성성분을 양호하게 제거할 수 있어 벌브제조에 있어 베이킹공정을 생략할 수 있는 등의 효과가 있다.

Description

음극선관의 건식 전자사진식 제조방법으로 제조된 판넬을 지니는 벌브의 제조방법 및 그 스크린 제조용 광전도막용액

본 발명은 음극선관의 건식 전자사진식 제조방법으로 제조된 판넬을 지니는 벌브의 제조방법 및 그 스크린 제조용 광전도막용액에 관한 것으로, 특히 판넬의 스크린의 베이킹공정없이 판넬과 펀넬의 봉착공정에서 베이킹을 할 수 있는 음극선관의 건식 전자사진식 제조방법으로 제조된 판넬을 지니는 벌브의 제조방법 및 그 스크린 제조용 광전도막용액에 관한 것이다.

일반적으로 음극선관은, 제1도의 도시된 바와 같이, 판넬(panel)(12), 펀넬(funnel)(13) 및 네크(14)로 구분되는 진공 벌브(bulb)와, 그 네크(14)내부에 장착되는 전자총(11)과, 판넬(12)의 측벽에 장착되는 새도우마스크(16)를 구비한다.

그 판넬(12)의 면판(18)의 내면에는 형광면(20)이 형성되어 있어, 전자총(11)으로부터 방출된 전자빔(19a)(19b)은 각종 렌즈계에 의해 집속 되고 가속되며, 양극보턴(15)을 통해 인가되는 고전압에 의해 크게 가속되면서 편향요크(17)에 의해 편향되고 새도우마스크(16)의 애퍼처 또는 슬로트(16a)를 통과하여 형광면(20)에 주사된다.

형광면(20)은 면판(18)의 배면에 형성되는데, 칼라의 경우 제2도에 도시된 바와 같이 일정한 배열구조의 다수의 스트라이프(stripe) 또는 도트(dot)형상의 형광체(R,G,B)와 그 각 형광체들 사이의 블랙코팅과 같은 빛흡수물질(21)로 형성된다. 또, 그 배면은 전도막층으로서 알루미늄박막층(22)이 형성되어 형광면의 휘도 증대, 형광면의 이온손상방지, 형광면의 전위강하방지 등의 역할을 하게된다. 또한, 도시되지는 않지만, 그 알루미늄박막층(22)의 평면도 및 반사율을 높이기 위해서는 형광면(20)과 광전도막층(34)사이에 라커(lacquer)와 같은 수지가 도포된다.

이러한 형광면(20)이 발색광 인성분과 같은 형광입자들을 포함하는 현탁액(slurry) 또는 빛흡수물질을 포함하는 현탁액을 도포하고 건조시켜 형성되는 종래의 습식 사진석판술(photolithographic wet process)은, 고화질의 요구를 총족시키지 못할 뿐만 아니라 제조공정 및 제조설비가 복잡하여 제조비용이 크게 소요되며, 또한, 대량의 청정수 소모와 폐수발생, 인배출물, 6가 크롬감광체 배출 등 여러 가지 문제점들을 안고 있다. 최근에 이러한 습식사진석판술을 개량한 전자사진식(electrophotographical) 스크린제조방법이 개발되었는데, 이 전자사진식 제조방법도 습식은 여전히 상술한 문제점들을 안고 있으며, 건식제조방법에 의해서는 상술한 문제점들이 상당히 해소되었다.

그 일예로, 본 출원인이 출원한 "음극선관의 스크린 제조방법"에 관하여 설명하면 다음과 같다.

제3도 (a) 내지 (e)는 상기 제조방법에 따른 각 공정을 개략적으로 도시한다.

제3도 (a)는 면판(18)의 내면에 전도막(132)과 그 위에 광전도막(134)이 형성되는 코팅공정이다. 전도막(132)은 예를 들면, 폴리일렉트로라이트(polyelectrolyte)로서 Calgon사제품인 상품명 Catfloc-c 1-50 중량와 1-50 중량의 10PVA용액의 수용액(나머지는 물)을 종래의 방법으로 도포하여 건조시키므로써 형성된다. 그 위에 자외선에 반응하는 물질을 포함하는 신규한 광전도막도포용액을 도포하여 건조시킨다. 자외선에 반응하는 물질로는 비스 디메틸 페닐 디페틸 부타트리엔(bis dimethyl phenyl diphenyl butatriene), 트리니트로플루오리논(trinitro-fluorenone: TNF) 및 에틸 안트라퀴논(ethly anthraquinone: EAQ)중 적어도 한가지이상을 사용하였으며, 그 광전도막도포용액으로는 0.01 내지 10중량의 비스 디메틸 페닐 디페닐 부타트리엔과 고분자바인더(binder)로서 1내지 30 중량의 폴리스티렌(polystyrene)을 잔량인 톨루엔(toluene)이나 크실렌(xylene)에 용해시켜 사용하였다.

제3도 (b)는 대전공정을 개략적으로 도시한 것이다. +1K볼트 이하, 바람직하게는 +700볼트이상의 직류전압을 인가하여 코로나방전장치로 대전시켰다. 광전도막(134)이 적어도 파장 450nm 이하의 자외선에 반응하기 때문에 암실작업이 불필요하다.

제3도 (c)는 노광공정을 개략적으로 도시한 것으로서, 자외선광원(138)으로부터 파장이 짧고 직진성을 가진 자외선이, 자외선투과렌즈(140)를 통과하여 소망의 입사각으로 새도우마스크(16)에 입사하며, 소망의 배열을 가진 새도우마스크(16)의 애퍼처(aperture) 또는 슬리트(16a)홀을 통과하여 광전도막(134)을 소망의 배열로 노광시킨다. 이 때 전도막(132)이 어스되어 있어 그 노광부분의 전하는 그 전도막(132)을 통과하여 방출된다. 그리고, 비노광부분의 전하는 그대로 광전도막(134)에 잔존하게 된다. 이 노광공정도 자외선광원(138)을 사용하기 때문에 암실에서 작업할 필요가 없다.

제3도 (d)는 현상공정을 개략적으로 도시한다. 종래에는 이 현상공정에서 캐리어 비드와 형광체 입자 또는 빛흡수물질입자들을 혼합하여 마찰에 의한 정전기를 대전시켰으나, 본 출원인의 발명에 의하면, 형광체 분말 또는 빛흡수물질의 분말과 같은 미세분말을 공기압에 의해 호퍼(148)로부터 벤츄리관(146)을 통해 코로나방전장치와 같은 방전전극(144a)과 노즐(144b)을 통과시켜 분사시키므로써 그 미세분말을 대전시키고 광전도막(134)의 노광부분과 비노광부분의 어느 하나에 부착시킨다. 방전전극(144a)에 의해 미세분말에 대전되는 정전기의 극성은 상기 노광공정에서의 노광부분과 비노광부분중 어느 부분에 그 미세분말을 부착시킬 것인가에 따라 결정된다.

즉 +전하를 띤 비노광부분에 부착시킬 경우에는 미세분말이 - 전하로 대전되고, 전하가 방출된 노광부분에 부착시킬 경우에는 미세분말이 +전하로 대전된다. 현상용기(142)로 분사된, 대전된 미세분말은 전기적 인력과 반발력의 작용에 의하여 소망의 배열로 광전도막(134)의 표면에 강하게 부착된다.

제3도 (e)는 베이퍼 스웰링(vapour swelling)법을 이용한 본 출원인의 발명에 따른 고착(fixing)공정을 개략적으로 도시한다. 이 공정에서는, 상기 현상공정에서 소망의 미세분말(들)이 소망의 배열로 부착된 광전도막(134)의 표면에 아세톤, 메틸 이소부틸 케톤과 같은 솔벤트증기를 접촉시키므로써, 적어도 광전도막(134)에 포함된 폴리머를 용해시키고, 이 용해된 폴리머의 접착력에 의해 전기력작용으로 부착된 미세분말(들)을 고착시킨다.

제4도는 상술한 기본공정들이 칼라음극선관의 R,G,B 형광체 스크린제조에 적용되는 예를 공정도로 도시한 것이다. 여기에 투입되는 패널(12)은 그 면판(18)의 내면에 종래의 습식 스크린제조방법이나 건식 스크린제조방법 또는 상술한 본 발명의 스크린 제조방법에 의해 소망의 배열로 빛흡수물질(21)이 고착된 것이다. 그러나, 빛흡수물질(21)이 먼저 형성될 필요는 없고 미국 특허 제 5, 240, 798호에서와 같이, 이후 설명하는 형광체들을 고착시킨 후, 빛흡수물질(21)을 소망의 배열로 본 발명의 제조방법을 이용하여 부착 및 고착시킬 수도 있다.

먼저, 단계 S101은 1차 코팅단계이고, 단계 S102는 2차 코팅단계로서, 제3도 (a)와 관련하여 상술한 바와 같이 전도막(132)위에 자외선에 감응하는 물질을 포함하는 광전도막(134)이 코팅된다. 이와같이 코팅된 다음, 제1 형광체를 부착시키기 위하여, 단계 S103에서 광전도막(134)이 제5(b)도에서와 같이 대전된다. 그 뒤 단계 S104는 제3c도의 노광공정에 의해 소망의 제1형광체 배열구조가 노광되는 1차 노광단계이며, 이와같이 1차 노광된 광전도막(134)은 단계 S105에서 제3도 (d)의 현상공정에 의해 제1형광체배열을 위한 노광부분만이 현상된다. 이 1차 현상단계인 단계 S105에서 제1형광체가 소망의 배열로 부착되면, 그 부착된 1차 형광체를 고착시킬 필요없이 제2형광체를 위하여 단계 S106인 2차 대전단계에서 제1형광체가 부착된 광전도막(134)을 재대전, 즉 2차 대전시킨다. 그 뒤, 제2 형광체를 위해 단계 S107(2차 노광)과 단계 S108(2차현상)을 실시하며, 마찬가지로 제2 형광체를 고착시킬 필요없이 단계 S109에서 3차 대전이 실시된다. 이와같이 3차 대전이 실시된 후, 제3 형광체를 부착시키기 위해 단계 S110(3차노광)와 단계 S111(3차현상)이 실시되며, 그 뒤 단계 112에서 제1내지 제3형광체들이 제3도 (e)의 고착공정에 의해서 광전도막(134)위에 고착된다. 그 뒤, 단계 S113에서 라커수지가 도포되고, 단계 S114에서 알루미늄 필름이 형성된다. 이와같이 알루마이징공정(S114)을 거친, 알루미늄박막이 형성된 판넬(12)을 단계 S115의 베이킹공정에서 대기중에서 약 30분 동안 425℃에서 가열, 건조하므로써 전도막(32), 광전도막(34)과 각 형광체 및 라커 등에 존재하는 용매 등의 휘발성성분이 제거되고 형광체들이 고정되어 원하는 스크린(20)이 얻어진다. 판넬(12)은 그 뒤 새도우마스크-프레임 조립체 및 인너실드가 조립되고 전자총이 조립되고 안너다그가 도포된 펀넬(13)과 봉착공정에서 프리트글라스를 개재하여 봉착됨으로써 음극선관의 벌브로 완성된다.

이상에서 본 출원인이 출원한 "음극선관의 스키린 제조방법"이 설명되었는데, 그 공정 중 상술한 단계 S115의 베이킹공정을 생략하고 판넬(12)과 펀넬(13)의 봉착공정에서 전도막(32), 광전도막(34)과 각 형광체 및 라커 등에 존재하는 용매 등의 휘발성성분을 제거하는 데에는 여러가지 문제가 있다. 특히, 상술한 알루미늄박막이 부풀어 오르거나 상술한 광전도막(134)에 포함된 폴리스티렌이 휘발되지 아니하는 등의 문제점이 있었다.

따라서, 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 건식전자사진식 스크린 제조방법으로 제조된 판넬의 베이킹공정없이 판넬과 펀넬의 봉착공정에서 전도막, 광전도막과 각 형광체 및 라커 등에 존재하는 용매 등의 휘발성성분을 양호하게 제거할 수 있는 음극선관의 건식 전자사진식 제조방법으로 제조된 판넬을 지니는 벌브의 제조방법 및 그 스크린 제조용 광전도막용액을 제공하는 데에 그 목적이 있다.

제1도는 칼라음극선관의 부분단면한 개략평면도.

제2도는 제1도의 음극선관의 스크린 구성을 나타낸 부분 확대단면도.

제3도는 건식전자사진식 스크린 제조방법을 설명하기 위한 개략도.

제4도는 건식 전자사진식 스크린 제조방법을 의해 칼라음극선관을 제조하는 공정도.

제5도는 베이킹공정과 봉착공정에서의 시간-온도 곡선그라프.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

10 : 음극선관(CRT) 11 : 전자총

12 : 판넬(panel) 13 : 펀넬(funnel)

14 : 네크(neck) 15 : 양극 보턴

16 : 새도우마스크 17 : 편향요크

18 : 판넬면판 19,19a,19b : 전자빔

20 : 형광면(스크린) 21 : 빛흡수물질

22 : 라커막 23 : 알루미늄박막층

36 : 코로나방전장치 132 : 전도막

134 : 광전도막 138 : 광원

140 : 렌즈 142 : 현상용기

144a : 방전전극 144b : 노즐

본 발명은 상기의 목적을 달성하기 위하여, 판넬의 내면에 코팅된 휘발성 전도막위에 휘발성 광전도막을 형성시키고, 그 광전도막에 균일한 정전하를 대전시킨후, 그 광전도막을 광원으로 새도우마스크를 통과시켜 선택적으로 노광하고, 그 노광된 부분에 방전전극에 의해 대전된 제1형광체를 부착, 현상시키며, 제2 및 제3형광체에 대해서도 각각 소망의 배열로 상기 대전단계, 노광단계 및 현상단계를 반복하고 나서 그 형광체들을 고착시킨 후, 라커수지막과 알루미늄박막이 형성된 판넬에 새도우마스크-프레임 조립체 및 인너실드가 조립된 판넬조립체와, 전자총이 조립되고 안너다그가 도포된 펀넬조립체사이에 프리트글라스를 개재하여 봉착로를 통과시킴으로써 봉착되어 완성되는 벌브의 제조방법에 있어서, 상기 판넬이 봉착로를 통과할 때 베이킹되도록 상기 광전도막이 고분자바인더(binder)로서 스티렌 메틸 메티크릴레이트 코폴리머(styrene methyle methacrylate copolymer)의 1 내지 30중량을 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은, 판넬의 내면에 코팅된 휘발성 전도막위에 휘발성 광전도막을 형성시키고, 그 광전도막에 균일한 정전하를 대전시킨 후, 그 광전도막을 광원으로 새도우마스크를 통과시켜 선택적으로 노광하고, 그 노광된 부분에 방전전극에 의해 대전된 제1형광체를 부착, 현상시키며, 제2 및 제3형광체에 대해서도 각각 소망의 배열로 상기 대전단계, 노광단계 및 현상단계를 반복하고 나서 그 형광체들을 고착시킨 후, 라커수지막과 알루미늄박막이 형성된 판넬에 새도우마스크-프레임조립체 및 인너실드가 조립된 판넬조립체와, 전자총이 조립되고 안너다그가 도포된 펀넬조립체사이에 프리트글라스를 개재하여 봉착로를 통과시킴으로써 봉착되어 완성되는 벌브의 판넬 스크린의 건식 전자사진식 제조용 광전도막 용액에 있어서, 자외선에 반응하는 물질로는 비스 디메틸 페닐 디페닐 부타트리엔(bis dimethyl phenyl diphenyl butatriene)과, 트리니트로플루오리논(trinitro-fluorenone: TNF) 및 에틸 안트라퀴논(ethly anthraquinone: EAQ)중 적어도 한가지이상을 각각 0.01 내지 10중량과, 고분자바인더(binder)로서 스티렌 메틸 메타크릴레이트 코폴리머(styrene methyle methacrylate copolymer)의 1 내지 30중량을 잔량인 톨루엔(toluene)이나 크실렌(xylene)에 용해시킨 것을 특징으로 하는 음극선관의 건식 전자사진식 스크린 제조용 광전도막용액을 제공한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.

본 발명에 의하면, 판넬 내면에 휘발성 전도막을 형성시키고 그 위에 휘발성 광전도막을 형성시키며, 그 광전도막에 코로나 방전장치 등에 의해 균일한 정전하를 대전시킨 후, 광원에 의해 선택적으로 상기 광전도막의 정전하를 방출시켜서 정전하로 대전된 형광체 분말입자를 부착시키는 전자사진식 음극선관의 스크린 제조용 광전도막 도포용액은, 자외선에 반응하는 물질로는 비스 디메틸 페닐 디페닐 부타트리엔(bis dimethyl phenyl diphenyl butatriene)과, 트리니트로플루오리논(trinitrofluorenone: TNF) 및 에틸 안트라퀴논(ethly anthraquinone: EAQ)중 적어도 한가지이상을 각각 0.01 내지 10중량와, 스티렌 메틸 메타크릴레이트 코폴리머(styrene methyle methacrylate copolymer)의 1 내지 30중량을 잔량인 톨루엔이나 크실렌에 용해시켜 구성된다.

제5도에서 종래에는 곡선 S2로 도시된 바와 같이 베이킹공정에서 약 30분 동안 425℃에서 가열, 건조되었으나, 봉착공정은, 곡선 S1으로 도시된 바와 같이 봉착로(프리트로)에서 서서히 가열되어 450℃(프리트온도)부근에서 35 내지 40분간 유지시킨 후 노내에서 서냉시키으로써 프리트글라스에 의해 판넬과 펀넬이 봉착되어 벌브가 완성되기 때문에 종래의 폴리스티렌(polystylene)을 고분자 바인더로 사용하여 그 베이킹공정없이 봉착공정에서 베이킹할 경우에는 상술한 바와 같이 알루미늄박막이 부풀어 오르거나 상술한 광전도막(134)에 포함된 폴리스티렌이 휘발되지 아니하였지만, 상술한 본 발명의 광전도막(134)은 다음과 같이 구성되는 스티렌 메틸 메타크릴레이트 코폴리머는 위의 봉착공정에서 알루미늄박막이 부풀어 오르거나 그스티렌 메틸 메타크릴레이트 코폴리머가 휘발되지 아니하는 문제점이 발생하지 아니하였기 때문에 벌브제조를 위한 전공정에서 볼 때 공정수가 단축된다.

상기 스티렌 메틸 메타크릴레이트 코폴리머는, 폴리메틸 메타크릴레이트와 폴리스티렌이 다음과 같이 공중합체를 형성한다. 즉, 폴리메틸 메타크릴레이트인와 폴리스틸렌인이 일예로,와 같이 구성된다. 상기 폴리 메틸 메타크릴레이트는 언지핑(unzipping)특성 및 연소 특성이 우수하기 때문에 폴리스티렌이 연소시 발생하는 상술한 문제점을 감소시켜준다.

이와 같이 구성되는 스티렌 메틸 메타크릴레이트 코폴리머를 함유한 본 발명에 따라 광전도막용액은, 제3도 (a)에 관련하여 상술한 바와 같이 면판(18)의 내면에 도포된 전도막(132)위에 광전도막(134)을 형성하기 위해 종래의 스핀코팅과 같은 방법으로 코팅되고 제3도 (b)에서는 그 광전도막(134)이 균일하게 코로나방전장치(36)에 의해 대전되며, 제3도 (c)에서 소정의 배열구조로 노광되어 소정의 배열구조의 전하잠상이 얻어지고 그 전하잠상에, 형광체분말을 공기압에 의해 호퍼(148)로부터 벤츄리관(146)을 통해 코로나방전장치와 같은 방전전극(144a)과 노즐(144b)을 통과시켜 분사시키므로써 현상된다. 이와 같이 현상된 판넬은 제3도 (e)에서와 같이 베이퍼 스웰링법을 이용하여 고착된 후(제4도에서는 3색의 형광체에 대해 단계 S101로 부터 단계 S112), 단계 S113 및 단계 S114에서 라커수지막과 알루미늄박막이 형성되고 단계 S115의 베이킹없이 새도우마스크(16) 등이 판넬(12)에 조립되며, 이와 같이 조립된 판넬(12)은 전자총(17) 등이 조립되고 인너다그가 도포된 펀넬(13)과 프리트글라스를 개재하여 픽스쳐에 로딩되고 봉착로를 통과하게 된다. 그 봉착로에서는 그 판넬(12)과 펀넬(13)이 제5도에서 곡선 S1로 도시된 바와 같이 서서히 가열되어 450℃(프리트온도)부근에서 35 내지 40분간 유지시킨 후 노내에서 서냉시킴으로써 본 발명에 따라 판넬의 스크린상의 전도막(32), 광전도막(34)과 각 형광체 및 라커 등에 존재하는 용매 등의 휘발성성분의 제거되고 완성된 벌브가 제조된다.

상술한 광전도막 용액에서 상기 비스 디메틸 페닐 디페닐 부타트리엔대신에 메틸 페닐 트리페닐 부타트리엔(methyl phenyl triphenyl butatrie)을 사용할 경우 더욱 상기 톨루엔이나 크실렌에 용해가 잘 되어 그 광전도막용액을 제조하는 데에 시간이 절감되고 작업성이 향상된다.

또한, 상기 트리니트로플루오리논(TNF)은 발암성 물질로 알려져 있기 때문에 안전성문제가 대두된다. 따라서, 그 대신에 2,5 - 비스(4-디에틸아미노페닐)-1,3,4-옥사디아졸 [2,5-bis(4-diethylaminophenyl)-1,3,4-oxadiazole]을 사용하는 것이 바람직하다.

상술한 본 발명에 따른 음극선관의 건식 전자사진식 제조방법으로 제조된 판넬을 지니는 벌브의 제조방법 및 이에 사용되는 광전도막도포용액의 구성과 그 작용에 의하면, 건식전자사진식 스크린 제조방법으로 제조된 판넬의 베이킹공정없이 판넬과 펀넬의 봉착공정에서 전도막, 광전도막과 각 형광체 및 라커 등에 존재하는 용매 등의 휘발성성분을 양호하게 제거할 수 있어 벌브제조에 있어 베이킹공정을 생략할 수 있는 등의 효과가 있다.

이상에서 본 발명의 일예를 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 청구범위 기재사항으로부터 당업자라면 용이하게 여러 가지 응용과 변형이 가능할 것이다.

Claims (3)

1. 판넬의 내면에 코팅된 휘발성 전도막위에 휘발성 광전도막을 형성시키고, 그 광전도막에 균일한 정전하를 대전시킨 후, 그 광전도막을 광원으로 새도우마스크를 통과시켜 선택적으로 노광하고, 그 노광된 부분에 방전자극에 의해 대전된 제1형광체를 부착, 현상시키며, 제2 및 제3형광체에 대해서도 각각 소망의 배열로 상기 대전단계, 노광단계 및 현상단계를 반복하고 나서 그 형광체들을 고착시킨 후, 라커수지막과 알루미늄박막이 형성된 판넬에 새도우마스크-프레임 조립체 및 인너실드가 조립된 판넬조립체와, 전자총이 조립되고 안너다그가 도포된 펀넬조립체사이에 프리트글라스를 개재하여 봉착로를 통과시킴으로써 봉착되어 완성되는 벌브의 제조방법에 있어서, 상기 판넬이 봉착로를 통과할 때 베이킹되도록 상기 광전도막이 고분자바인더(binder)로서 스티렌 메틸 메타크릴레이트 코폴리머(styrene methyle methacrylate copolymer)의 1 내지 30중량을 포함하는 것을 특징으로 하는 음극선관의 건식 전자사진식 제조방법으로 제조된 판넬을 지니는 벌브의 제조방법.
2. 판넬의 내면에 코팅된 휘발성 전도막위에 휘발성 광전도막을 형성시키고, 그 광전도막에 균일한 정전하를 대전시킨 후, 그 광전도막을 광원으로 새도우마스크를 통과시켜 선택적으로 노광하고, 그 노광된 부분에 방전전극에 의해 대전된 제1형광체를 부착, 현상시키며, 제2 및 제3형광체에 대해서도 각각 소망의 배열로 상기 대전단계, 노광단계 및 현상단계를 반복하고 나서 그 형광체들을 고착시킨 후, 라커수지막과 알루미늄박막이 형성된 판넬에 새도우마스크-프레임 조립체 및 인너실드가 조립된 판넬조립체와, 전자총이 조립되고 안너다그가 도포된 펀넬조립체사이에 프리트글라스를 개재하여 봉착로를 통과시킴으로써 봉착되어 완성되는 벌브의 판넬 스크린의 건식 전자사진식 제조용 광전도막 용액에 있어서, 자외선에 반응하는 물질로는 비스 디메틸 페닐 디페닐 부타트리엔(bis dimethyl phenyl diphenyl butatriene)과, 트리니트로플루오리논(trinitro- fluorenone: TNF) 및 에틸 안트라퀴논(ethyl anthraquinone: EAQ)중 적어도 한가지이상을 각각 0.01 내지 10중량과, 고분자바인더(binder)로서 스티렌 메틸 메타크릴레이트 코폴리머(styrene methyle methacrylate copolymer)의 1 내지 30중량을 잔량인 톨루엔(toluene)이나 크실렌(xylene)에 용해시킨 것을 특징으로 하는 음극선관의 건식 전자사진식 스크린 제조용 광전도막용액.
3. 제2항에 있어서, 상기 비스 디메틸 페닐 디페닐 부타트리엔대신에 0.01∼10중량의 메틸 페닐 트리페닐 부타트리엔(methyl phenyl triphenyl butatrie)것을 특징으로 하는 음극선관의 건식 전자사진식 스크린 제조용 광전도막용액.