KR100223285B1 - 반도체 소자의 세정방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조시 웨이퍼의 금속 오염 물질 제거를 위하여 HCl 용액에서 세정한 웨이퍼를 S^2-이온이 용해된 순수에서 헹구고 순수에서 오버플로우한 후 건조작업을 실시하므로써 세정 효과를 극대화할 수 있어 소정의 성능 및 수율을 향상할 수 있는 반도체 소자의 세정 방법이 제시된다.

Description

반도체 소자의 세정 방법

본 발명은 반도체 소자의 세정 방법에 관한 것으로, 특히 금속 이온 제거를 위한 세정 방법에 관한 것이다.

웨이퍼에 금속 오염이 발생할 경우 금속 양이온에 의해 전자가 포획되어 전류 흐름이 불안정화되고 이들 양이온에 의해 문턱 전압의 변이가 일어날 수 있다.

따라서, 본 발명은 웨이퍼 제조시 금속 이온을 효율적으로 제거하기 위하여 S^2-이온이 용해된 순수(DI water)에 웨이퍼를 세정(Rinse)하는 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 웨이퍼를 황산/과수(H₂O₂) 용액을 사용한 피란하 클리닝 후 불산 세정을 수행하는 단계와, 상기 불산 세정을 수행한 웨이퍼를 HCl 용액에서 세정하는 단계와, 상기 HCl 용액에서 세정한 웨이퍼를 S^2-이온이 용해된 순수에서 헹구는 단계와, 상기 S^2-이온이 용해된 순수에서 헹군 웨이퍼를 순수에서 오버플로우한 후 건조작업을 실시하는 것을 특징으로 한다.

첨부 도면은 본 발명에 따른 S^2-이온과 Fe 이온의 결합 관계를 도시한 도면.

첨부된 도면을 참도하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.

첨부 도면은 본 발명에 따른 S^2-이온과 Fe 이온의 결합 관계를 도시한 도면이다. 웨이퍼 가공에서 가장 쉽게 영향을 주면서 그 양이 많은 Fe은 S^2-이온과 큰 친화력을 가지고 있어서 Wafer로부터 쉽게 Fe 원자를 떼어낼 수 있다. 순수(DI Wafer)에 용해되어 있는 S^2-는 Fe와 결합하여 도시된 바와 같이 수용액 속에 부유하게 되고 이때 Fe-S의 쌍극자가 물의 쌍극자에 의해 둘러싸여 웨이퍼로 다시 재흡착되는 것을 방지하게 된다.

일반적인 웨이퍼 세정법은 황산/과수(H₂0₂) 용액을 사용한 피란하 클리닝(Piranha Cleaning) 후 불산 세정을 거쳐 금속 이온 제거를 위해 염산(HCl) 용액에 담그어 세정을 하게 된다. HCl 용액에서 나온 웨이퍼는 순수(DI Water)에 S^2-이온을 용해시켜 공급함으로써 Fe의 오염을 최소화할 수 있다. S^2-이온이 용해된 순수(DI Water)에서의 헹굼 뒤 마지막으로 순수(DI Water)로 600초 오버플로우(overflow)한 다음 건조작업을 실시하여 세정을 끝마친다.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 세정 효과의 극대화로 소정의 성능 및 수율을 향상할 수 있는 효과가 있다.

Claims (2)

1. 웨이퍼를 황산/과수(H₂O₂) 용액을 사용한 피란하 클리닝 후 불산 세정을 수행하는 단계와, 상기 불산 세정을 수행한 웨이퍼를 HCl 용액에서 세정하는 단계와, 상기 HCl 용액에서 세정한 웨이퍼를 S^2-이온이 용해된 순수에서 헹구는 단계와, 상기 S^2-이온이 용해된 순수에서 헹군 웨이퍼를 순수에서 오버플로우한 후 건조작업을 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정 방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 순수에서의 오버플로우는 600초 가량 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정 방법.