KR100220585B1 - 광로 조절 장치의 제조 방법 - Google Patents

광로 조절 장치의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100220585B1
KR100220585B1 KR1019960018392A KR19960018392A KR100220585B1 KR 100220585 B1 KR100220585 B1 KR 100220585B1 KR 1019960018392 A KR1019960018392 A KR 1019960018392A KR 19960018392 A KR19960018392 A KR 19960018392A KR 100220585 B1 KR100220585 B1 KR 100220585B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
lower electrode
forming
sacrificial layer
actuator
Prior art date
Application number
KR1019960018392A
Other languages
English (en)
Other versions
KR970077762A (ko
Inventor
민용기
Original Assignee
전주범
대우전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 전주범, 대우전자주식회사 filed Critical 전주범
Priority to KR1019960018392A priority Critical patent/KR100220585B1/ko
Priority to US08/858,885 priority patent/US5930025A/en
Priority to JP54206197A priority patent/JP3881697B2/ja
Priority to AU27935/97A priority patent/AU716242B2/en
Priority to CN97195061A priority patent/CN1220067A/zh
Priority to PCT/KR1997/000089 priority patent/WO1997046025A1/en
Priority to DE69706762T priority patent/DE69706762T2/de
Priority to IDP971711A priority patent/ID16958A/id
Priority to ARP970102296A priority patent/AR007778A1/es
Publication of KR970077762A publication Critical patent/KR970077762A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100220585B1 publication Critical patent/KR100220585B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • G02B26/0858—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting means being moved or deformed by piezoelectric means

Abstract

본 발명은 광로 조절 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 변형부에 발생되는 크랙에 의해서 하부 전극과 상부 전극에 쇼트가 유발되어 광로 조절 장치가 손상되는 문제점을 해소하기 위해서, 변형부의 형성 이후에 비아홀 및 비아컨택을 형성하되, 종래의 변형부에 의해서 절연되던 비아 컨택과 상부 전극사이에는 절연층을 더 형성하도록 이루어진 광로 조절 장치의 제조 방법을 제공함으로써, 상부 전극과 하부 전극간의 쇼트 발생을 방지하여 광로 조절 장치의 신뢰성을 증진시키는 발명이다.

Description

광로 조절 장치의 제조 방법
제1도는 일반적인 광로 조절 장치를 개략적으로 도시한 평면도.
제2도는 제1도에 표시된 선-을 취하여 광로 조절 장치를 부분적으로 도시한 단면도.
제3도는 제11도에 표시된 선-을 취하여 광로 조절 장치를 부분적으로 도시한 단면도.
제4(a)도 내지 제4(l)도는 본 발명에 따라 광로 조절 장치를 제조하는 공정을 순차적으로 도시한 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
400 : 구동 기판 410 : 보호층
420 : 식각 스톱층 430 : 희생층
440 : 멤브레인 450 : 하부 전극
460 : 변형부 470 : 비아 콘택
480 : 절연층 490 : 상부 전극
본 발명은 투사형 화상 표시 장치에 이용되는 광로 조절 장치에 관한 것으로서, 특히 비아홀에서의 단차로 인해 발생되는 변형부의 크랙(Crack)을 방지할 수 있는 광로 조절 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 화상 표시 장치로 사용되는 편광 디스플레이 장치(FPD:Flat Panel Display)는 무게, 부피, 및 전력 소모가 큰 진공관(CRT:Cathode Ray Tube)을 대체하기 위한 평판 표시 장치로서, 투사형 디스플레이와 직시형 디스플레이로 구분되며 또한 이러한 디스플레이 장치에 사용되는 소자는 PDP(Plasma Display Panel), EL(Electroluminescent), LED(Light Emission Diode), FED(Field Emission Display)등과 같이 전계 작용에 의하여 방출되는 전자의 직접 또는 간접적인 가시광으로 화상을 나타내는 방출형 디스플레이 장치와 LCD(Liquid Crystal Display), ECD(Electrochromic Display), DMD(Digital Micromirror Display), AMA(Actuated Mirror Array), GLV(Grating Light Value) 등과 같이 광밸브(Light Valve)로 작용하여 전자의 방출없이 반사광에 의하여 화상을 나타내는 비방출형 디스플레이 장치로 구분된다.
이때, 상기 AMA(Actuated Mirror Array)는 전자-광학적 비선형 특성을 향상시키기 위하여 능동 소자가 능동 행렬 구동 방식(Active Matrix Addressing)으로 구성된 액티브 매트릭스(Active Matrix)상에 복수개의 층이 순차적으로 적충된 미러 어레이를 소정 형상으로 패터닝함으로써 형성되며, 상기 액츄에이터는 상기 복수개의 층들중 신호 전극 및 공통 전극으로 각각 작용하는 2개의 도전층사이에 압전 세라믹 조성물로 이루어진 절연층이 개재되어 있는 캔틸레버 구조로 형성되어 있고 상기 2개의 도전층에 인가되는 전기적 신호에 의한 상기 압전 재료의 압전 변형에 의하여 광원으로부터 방사되는 백색광을 스크린상에 제어된 광로를 따라서 반사시켜서 광원을 나타낸다.
즉, 제1도를 참조하면, 종래 일실시예에 따른 광로 조절 장치는 반도체의 박막 형성 공정과 같은 미세 패턴 형성 공정에 의하여 액티브 매트릭스 상에 소정형상으로 패터닝된 멤브레인(120) 및 하부 전극(130)과 변형부(140)와 상부 전극(150)을 포함하고 있으며 상기 멤브레인(120)은 상기 액티브 매트릭스 상에 소정 형상으로 형성된 희생층(도시되어 있지 않음)을 제거함으로써 캔틸레버 구조로 형성되고 그 결과 캔틸레버 구조 특성에 의해서 상기 액츄에이터(100)는 외부로부터 전기적 신호가 인가됨으로서 상기 하부 전극(130) 및 상부 전극(150)사이에 발생하는 전위차에 의하여 상기 변형부(140)가 압전 변형을 나타낼 때 소정 각도로 틸팅될 수 있도록 상기 액티브 매트릭스의 표면으로부터 소정 간격으로 이격된 구동부(A)와 상기 액티브 매트릭스의 표면상에 부착 고정된 지지부(B)로 나누어지고 이러한 구성으로 이루어진 복수개의 액츄에이터(100)는 인접하는 지지부(B)를 연결시키는 브리지(C)에 의하여 상호 연결된다.
즉, 제1도에 표시된 선-을 취하여 상기 액츄에이터(100)의 브리지(C) 단면을 도시한 제2도 및 선-를 취하여 상기 액츄에이터(100)의 브리지(C) 단면을 도시한 제3도를 참조하면, 소정 형상의 액츄에이터(100)가 형성되는 액티브 매트릭스(110)는 복수개의 능동 소자(도시되어 있지 않음)가 매트릭스 구조로 형성된 실리콘 웨이퍼(110a)와 상기 능동 소자를 외부로부터의 화학적 또는 물리적 침해로부터 보호하기 위한 보호층(110b)과 상기 보호층(110b)이 불산 용액과 같은 식각 용액에 용해되는 것을 방지하기 위한 식각 스톱층(110c)으로 이루어져 있고, 상기 액티브 매트릭스(110)의 식각 스톱층(110c)상에는 실리콘 질화물 조성의 멤브레인(120)과, 도전성 재료의 하부 전극(130)과, 압전 세라믹으로 이루어진 변형부(140)와, 도전성 재료의 상부 전극(150)이 순차적으로 형성되어 있다. 이때, 상기 브리지(C)에 형성된 하부 전극(130)은 그 일부가 절개되어 이소 컷팅부(I.C)를 이루며, 이와 같은 이소 컷팅부(I.C)에 의해서 하부 전극(130)은 각 픽셀끼리 전기적으로 절연되어 개별 구동할 수 있게 된다.
한편, 상기 하부 전극(130)은 상기 멤브레인(120)에 형성된 콘택 홀(도시되어 있지 않음)을 통하여 상기 액티브 매트릭스(110)에 내장된 능동 소자와 전기적으로 접촉되어서 외부로부터 인가되는 전기적 신호가 유입되는 신호 전극으로 작용하는 반면에 상기 상부 전극(150)은 공통 전극으로 작용하며, 상기 액츄에이터(110)의 구동부(A)는 상기된 바와 같이 외부로부터 전기적 신호가 인가됨으로써, 상기 하부 전극(130) 및 상부 전극(150)사이에 발생되는 전위차에 의해서 상기 변형부(140)가 압전 변형 특성을 나타내고, 그에 의해서 액츄에이터(110)는 소정의 각도로 틸팅된다.
한편, 상술한 비아홀(도시 생략함)은 멤브레인으로부터 액티브 매트릭스의 능동 소자까지 연장되어 형성되어 있는데, 하부 전극(130)과 상부 전극(150)을 전기적으로 연결하기 위한 비아 컨택(도시 생략함)의 형성시, 비아 컨택이 비아홀 내에 충분히 매립되지 않아서 단차가 발생된다.
이와 같이 비아홀 부위에서 발생된 단차는, 그 상부에 형성되는 변형부에 크랙(Crack)을 발생시키는 원인이되며, 이와 같이 발생된 변형부의 크랙은 상부 전극과 하부 전극간의 쇼트(Short) 등을 유발하여 광로 조절 장치의 손상을 초래하게 된다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소시키기 위하여 안출된것으로서, 본 발명의 목적은 비아컨택을 형성하기 위한 비아홀에 의해서 발생되는 단차를 해소하여 비아홀 부위의 변형부에서 발생되는 크랙 발생을 방지할 수 있는 광로 조절 장치의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
상술한 목적을 달성하기 위해서 본 발명에서는, 능동 소자가 매트릭스 구조로 형성된 구동 기판과 복수의 층으로 이루어진 액츄에이터를 포함하는 광로 조절 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 능동 소자가 매트릭스 구조로 형성된 구동 기판의 상부에 보호층(410), 식각 스톱층(420), 희생층(430)을 순차적으로 형성하는 공정; 상기 희생층(430)의 표면을 평탄화 시킨후 상기 희생층(430)을 패터닝하는 공정; 상기 희생층(430) 및 희생층(430)의 패터닝으로 노출된 식각 스톱층(420)의 상부에 멤브레인(440), 하부 전극(450) 및 변형부(460)를 순차적으로 형성하는 공정; 상기 변형부(460) 및 하부 전극(450)을 패터닝하여 상기 능동 소자의 수직 상방향에 형성된 상기 변형부(460) 및 하부 전극(450)의 일부를 제거하는 공정; 상기 변형부(460) 및 하부 전극(450)의 패터닝으로 노출된 부위의 수직 하방향에 위치한 상기 멤브레인(440), 식각 스톱층(420), 보호층(410)을 순차적으로 식각하여 상기 능동 소자를 노출시키는 비아 홀을 형성하는 공정; 상기 비아 홀에 비아 콘택층(470)을 형성하는 공정; 상기 비아 콘택층(470)의 상부에 절연층(480)을 형성하는 공정; 상기 절연층(480) 및 변형부(460)의 상부에 상부 전극(490)을 형성하는 공정; 상기 과정에 의해서 형성된 상부 전극(490)으로부터 멤브레인(440)까지 순차적으로 식각하여 픽셀 단위로 패터닝 하는 공정; 상기 픽셀 단위로 패터닝된 액츄에이터(400')의 전면에 보호막을 도포하는 공정; 상기 희생층(430)을 식각하여 제거하는 공정; 상기 보호막의 일부분을 제거하여 상부 전극을 노출 시키는 공정으로 이루어진 광로 조절 장치의 제조 방법을 제공한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
제4(a)도 내지 (l)도는 본 발명에 따른 광로 조절 장치의 제조 공정을 순차적으로 나타낸 도면이다.
먼저, 제4(a)도에 도시된 반도체 집적 회로 제조의 미세 패턴 형성 공정에 의하여 트랜지스터로 이루어진 복수개의 능동 소자(도면의 간략화를 위해서 도시하지 않음)가 매트릭스 구조로 형성된 구동 기판(400)의 상부에, 이 후에 수행되는 증착 공정에 의해서 복수개의 층으로 구성된 미러 어레이가 형성될 때 상기 복수개의 능동 소자가 고온의 분위기 하에서 외부로부터 물리적 또는 화학적 손상을 받는 것을 방지시키기 위하여 절연 물질을 상기 구동 기판(400)의 상부에 소정 두께로 도포함으로써, 제4(b)도에 도시된 바와 같이 상기 능동 소자를 보호하기 위한 보호층(410)을 형성시킨다.
상기에서, 상기 절연 물질은 상기 구동 기판(400)상에 형성된 복수개의 능동 소자가 상호간에 전기적으로 도통되는 것을 방지하는 절연 특성을 나타낼 수 있을 뿐만 아니라 상기 능동 소자의 표면 보호(Passivation) 특성을 나타내는 것이 바람직하며 이러한 특성 요구를 마족시키기 위하여 사용되는 절연 물질은 고온에서 양호한 유동 특성을 나타내는 인이 함유된 실리콘 산화물(Phospho-Silicate Glass;이하 PSG라 칭함) 또는 BPSG(Borophoshosilicate Glass)로 구성되고 이러한 절연 물질을 증착시키기 위한 증착 공정은 화학 기상 증착 공정(Chemical Vapor Deposition;이하,CVD라 칭함)으로 이루어진다.
한편, 이 후의 식각 공정에 의하여 상기 보호층(410)이 불산(HF) 용액에 노출되어서 화학적 손상을 입는 것을 방지시키기 위하여 상기 보호층(410)의 상부에 불산(HF) 용액에 대한 내식성이 양호하고 절연특성이 우수한 절연 물질을 화학 증착 공정(CVD), 특히, 본 발명에 있어서는 저압 화학 증착 공정(Low Pressure Chemical Vapor Deposition; 이하, LPCVD라 칭함)에 의하여 소정 두께로 적층시켜서 식각 스톱층(420)을 형성 시킨다.
또한, 상기 식각 스톱층(420)에 제4(b)도에 도시된 바와 같이 인이 다량 함유된 실리콘 산화물(PSG) 또는 다결정 실리콘과 같은 절연 물질을 스핀 온 코팅 공정(Spin-On Coating)과 같은 물리 기상 증착 공정(Physical Vapor Deposition; 이하 PVD라 칭함)또는 화학 기상 증착 공정(CVD)에 의하여 소정 두께로 적층시킴으로써 희생층(430)을 형성시키는데, 본 발명의 일실시예에서는 대기압 화학 기상 증착(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition)으로 형성한다.
이때, 상기 희생층(430)은 이 후의 공정에 의하여 형성되는 미러 어레이의 액츄에이터를 캔틸레버 구조로 형성시키기 위하여 제거되며, 상기된 바와 같이 이루어진 희생층(430)은 복수개의 능동 소자가 매트릭스 형태로 형성되어 있는 구동 기판(400)의 상부에 적층되어 있기 때문에 표면의 평탄도가 매우 불균일 하므로 상기 희생층(430)을 통상의 SOG(Spin On Glass) 공정이나 화학적 기계 연마 공정(Chemical Mechanical Polishing Process;이하 CMP라 칭함)을 이용하여 희생층(430)의 표면을 평탄화 하는데, 본 발명의 일실시예에서는 화학적 기계 연마 (CMP)공정을 이용하여 제4(c)도에 도시된 바와 같이 희생층(430)의 표면을 평탄화 한 후, 스크루빙(Scrubbing) 처리를 한다.
이 후에, 상기 희생층(430)의 평탄화된 표면을 제4(d)도에 도시된 바 같이 미세 패턴 형성 공정에 의하여 패터닝(Patterning)시키며 이러한 희생층(430)의 패턴을 통하여 노출되는 상기 구동 기판(400)의 일부는 액츄에이터(400')의 지지부 및 브리지를 형성시키기 위한 장소로 제공된다.
한편, 상기 소정 형상의 희생층(430) 및 상기 희생층(430)의 패턴을 통하여 노출된 상기 식각 스톱층(420)의 상부에 절연 특성이 양호하고 불산(HF) 용액에 대한 내성이 양호한 절연 물질을 화학 기상 증착(CVD) 공정, 특히 본 발명에서는, 저압 화학 기상 증착(LPCVD) 공정에 의하여 소정 두께로 증착시켜서 제4(e)도에 도시된 바와 같이 멤브레인(440)을 형성시키며, 이러한 멤브레인(440)을 형성시킬 때 가스 비율(Ratio)을 시간별로 변화시키면서 형성하여 박막의 스트레스(Stress)를 조절한다.
상기에서, 상기 멤브레인(440)을 구성하는 절연 물질은 액츄에이터의 반복적인 상하 변위의 구동에 의한 피로 응력의 내성이 우수한 금속 또는 실리콘 질화물(SiNx)로 이루어진다.
또한, 상기 희생층(430)의 패턴을 통하여 노출된 식각 스톱층(420)의 상부에 형성된 상기 멤브레인(440)의 일부는 캔틸레버 구조로 형성된 액츄에이터(400')의 지지부 및 이러한 지지부를 연결시키기 위한 브리지의 역할을 하는 반면에 상기 희생층(430)의 상부에 형성된 멤브레인(440)의 일부는 액츄에이터(400')가 소정의 각도로 상하 변위를 나타내는 구동부로 작동한다.
이후, 상기 멤브레인(440)의 상부에 백금(Pt) 같이 양호한 도전 특성을 나타내는 금속을 스퍼터링(Sputtering) 증착 공정과 같은 진공 증착 공정에 의하여 소정 두께로 적층시켜서 제4(e)도에 도시된 바와 같이 하부 전극(450)을 형성시킨다.
한편, 상기 하부 전극(450)의 상부에 압전 특성을 나타내는 세라믹 재료를 증착 공정에 의하여 소정 두께로 적층시켜서 제4(e)도에 도시된 바와 같이 변형부(460)를 형성시키며 이러한 세라믹 재로는 BaTiO4, Pb(Zr,TI)O4, (Pb,La)(Zr,Ti)O4조성의 압전 세라믹 또는 Pb(Mg,Nb)O4, 조성의 전왜 세라믹 등이 사용되고 상기 증착 공정은 스퍼터링(Sputtering) 증착 공정, 화학 기상 증착(CVD)공정, 또는 졸-겔(Sol-Gel) 공정에 의하여 수행되는 데, 본 발명에서는 특히 졸-겔(Sol-Gel) 공정에 의하여 형성된다.
상기된 바와 같이, 소정 두께로 적층되어 형성된 상기 변형부(460)는 열처리 공정 특히 급가열 공정(Rapid Thermal Annealing)에 의하여 열처리되며, 그 결과 상기 변형부(460)를 구성하고 있는 세라믹 조성물의 결정 구조를 페로브스카이트(perovskite) 결정 구조로 형성시킴으로써, 상기 변형부(460)는 양호한 압전 특성을 나타낸다.
한편, 상기 변형부(460) 및 하부 전극(450)을 반응성 이온 식각 공정(Reactive Ion Etching)과 같이 이방성 에칭 특성이 양호한 건식 식각 공정에 의하여 제4(f)도에 도시된 바와 같이 각각 순차적으로 픽셀형상으로 패터닝한다.
이 후, 상기 멤브레인(440), 식각 스톱층(420), 보호층(410)을 순차적으로 건식 식각 또는 습식 식각하여 제4(g)도에 "V.H"로 도시된 바와 같이 비아 컨택(Via-Contact)을 형성하기 위한 비아 홀(Via-Hole)을 형성하며, 이때, 상기 비아 홀(Via-Hole)은 상기된 바와 같은 식각 공정에 의하여 제4(g)도에 도시된 바와 같이 액츄에이터(400')를 통하여 상기 식각 스톱층(420) 및 보호층(410)을 관통하여 연장되어 있으며,그 결과 상기 구동 기판(400)에 내장되어 있는 능동 소자는 상기 비아 홀(Via-Hole)을 통해서 외부에 노출된다.
한편, 상기 비아 홀(Via-Hole)을 통하여 노출된 상기 능동 소자의 상부에 전기 전도성이 양호한 금속을 리프트 오프(Lift-Off) 방법으로 제4(h)도에 도시된 바와 같이 비아 콘택층(470)을 형성시키며 이러한 비아 콘택층(470)을 통하여 상기 능동 소자와 상기 액츄에이터(400')를 구성하는 하부 전극(440)은 전기적으로 도통되고 그 결과 상기 하부 전극(450)은 신호 전극으로 작동된다.
이때, 상기된 바와 같은 증착 공정에 의하여 형성되는 상기 비아 콘택층(470)의 증착 두께는 제4(h)도에 도시된 바와 같이 상기 구동 기판(400)에 내장된 능동 소자의 상부 표면부터 상기 액츄에이터의 하부 전극(450)의 상부 표면까지의 두께로 유지되는 것이 바람직하다.
제4(i)도를 참조하면, 상기 비아 콘택층(470)이 형성된 비아홀의 내부를 절연물질로 매립한다. 즉, 상기 비아 콘택층(470)의 상부를 포함한 변형부(460)의 상부에 절연성이 좋은 옥사이드(Oxide)나 니트라이드(Nitride)를 증착(Evaporation), 스퍼터링(Sputtering) 또는 플라즈마 기상 증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등의 공정으로 적층하여 절연층(Isolation Layer,480)을 형성한 후, 비아 콘택층(480)의 상부에 형성된 절연층(480)을 제외한 나머지 절연층(480)을 포토리쏘그래피(Photolithography) 등의 방법으로 제거한다.
한편, 상기 패터닝된 절연층(480) 및 변형부(460)의 상부에 상기된 바와 같은 물리 기상 증착 공정(PVD)에 의하여 전기 전도도 및 반사 특성이 양호한 알루미늄(Al) 또는 백금(Pt) 및 티타늄(Ti)과 같은 금속을 스퍼터링 증착 공정과 같은 진공 증착 공정에 의하여 소정 두께로 증착시킴으로써, 제4도(j)도에 도시된 바와 같이 상부 전극(490)을 형성하며, 이 후 공정에서 상기 상부 전극(490)의 반사성능을 향상시키기 위하여 상기 상부 전극(490)의 소정 부분을 절단(strife)하므로써 박막 액츄에이터의 광효율을 증가시킨다.
이 후, 상기 액츄에이터(400')가 개별적으로 구동하도록, 상부 전극(490) 및 멤브레인(440)을 건식 식각 공정 또는 습식 식각 공정에 의해서 제4도(k)도에 도시된 바와 같이 개별적인 능동소자 단위로 형성한다.
따라서, 상기된 바와 같은 증착 공정에 의하여 소정 형상의 희생층(430)이 형성된 기 구동 기판(400)상에는 순차적으로 적층되어 있는 멤브레인(440), 하부 전극(450), 변형부(460) 및 상부 전극(490)으로 이루어진 개별적으로 액츄에이터(400')가 형성된다.
한편, 이 후의 희생층(430) 제거를 위한 식각 공정시 액츄에이터(400')가 화학적 또는 물리적으로 손상받는 것을 방지시키기 위하여 절연 물질 화학 기상 증착(CVD) 공정, 물리 기상 증착(PVD) 공정 또는 PR등의 Polymer를 스핀 코팅 공정(Spin Coating)에 의해서 상기 액츄에이터(400')의 전면에 소정 두께로 적층시켜서 보호막(도면의 간략화를 위해 도시 생략된)을 형성시킨다.
이때, 액츄에이터(400')의 전면에 소정 두께로 적층된 보호막을 구성하는 물질은 PR(Photo Resist)로 이루어져 있으므로 상기 액츄에이터(400')는 외부로부터의 화학적 물리적 침해로부터 양호하게 보호된다.
이후에 제4(l)도에 도시되어 있는 바와 같이, 상기의 공정 과정에 의해 형성된 복수개의 액츄에이터(400')를 캔틸레버 구조로 형성시킬 수 있도록 소정 형상으로 구동 기판(400)상에 잔존하는 상기 희생층(430)을 불산(HF)과 같은 식각 용액의 식각 작용에 의하여 제거하며 그 결과 상기의 공정 과정에 의해 형성된 복수개의 액츄에이터(400')는 그의 일단부가 상기 식각 스톱층(420)상에 지지되고 그의 타단부가 상기 식각 스톱층(420)으로부터 소정 간격으로 이격되어 있는 캔틸레버 구조로 형성된다.
또한, 상기 희생층(430) 제거후, 세척하는 공정에서 발생되는 표면장력으로 인하여 액츄에이터가 기울어져 구동 기판과 접촉되는 스티킹(Sticking)을 방지하기 위하여 표면장력을 최소화 한다.
이후에, 이온 밀링 공정과 같은 건식 식각 공정에 의하여 상기 액츄에이터(400')의 상부 전극(490))상에 소정 두께로 잔존하는 상기 보호막(도면의 간략화를 위해 도시 생략된)을 부분적으로 제거하여서 상기 상부 전극(490)을 노출시킨다.
따라서, 외부의 제어 시스템으로부터 구동 기판(400)에 내장되어 있는 능동 소자를 통하여 상기 액츄에이터(400')의 하부 전극(450)에 전기적 신호가 인가되면 상기 하부 전극(450)과 상기 상부 전극(490)사이에 소정 크기의 전위차가 발생되고 이러한 전위차 발생에 의한 상기 변형부(460)의 압전 변형을 나타내며 이에 의하여 복수개의 액츄에이터(400')가 개별적으로 구동하게 된다.
즉, 반사면으로 작용하는 상기 상부 전극(490)의 표면으로 입사된 광원의 백색광은 상기 액츄에이터(400')의 구동에 의하여 변경된 광로를 따라 반사되어서 도시되어 있지 않은 스크린상에 화상을 표시하게 된다.
따라서, 본 발명에 따르면, 고온 공정인 변형부의 형성후 비아홀 및 비아컨택을 형성하므로 비아홀에서 발생되는 단차로 인해서 발생되는 변형부의 크랙이 방지되고, 비아컨택과 상부 전극 사이에 절연층이 형성되므로 하부 전극과 상부 전극간의 쇼트 발생이 방지되는 바, 광로 조절 장치의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
이상, 상기 내용은 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일실시예를 단지 예시한 것으로 본 발명의 당업자는 청구 범위에 기재된 본 발명의 요지를 변경시킴이 없이 본 발명에 대한 수정 및 변경을 가할 수 있다.

Claims (3)

  1. 능동 소자가 매트릭스 구조로 형성된 구동 기판과 복수의 층으로 이루어진 액츄에이터를 포함하는 광로 조절 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 능동 소자가 매트릭스 구조로 형성된 구동 기판의 상부에 보호층(410), 식각 스톱층(420), 희생층(430)을 순차적으로 형성하는 공정; 상기 희생층(430)의 표면을 평탄화 시킨후 상기 희생층(430)을 패터닝하는 공정; 상기 희생층(430) 및 희생층(430)의 패터닝으로 노출된 식각 스톱층(420)의 상부에 멤브레인(440), 하부 전극(450) 및 변형부(460)를 순차적으로 형성하는 공정; 상기 변형부(460) 및 하부 전극(450)을 패터닝하여 상기 능동 소자의 수직 상방향에 형성된 상기 변형부(460) 및 하부 전극(450)의 일부를 제거하는 공정; 상기 변형부(460) 및 하부 전극(450)의 패터닝으로 노출된 부위의 수직 하방향에 위치한 상기 멤브레인(440), 식각 스톱층(420), 보호층(410)을 순차적으로 식각하여 상기 능동 소자를 노출시키는 비아 홀을 형성하는 공정; 상기 비아 홀에 비아 콘택층(470)을 형성하는 공정; 상기 비아 콘택층(470)의 상부에 절연층(480)을 형성하는 공정; 상기 절연층(480) 및 변형부(460)의 상부에 상부 전극(490)을 형성하는 공정; 상기 과정에 의해서 형성된 상부 전극(490)으로부터 멤브레인(440)까지 순차적으로 식각하여 픽셀 단위로 패터닝 하는 공정; 상기 픽셀 단위로 패터닝된 액츄에이터(400')의 전면에 보호막을 도포하는 공정; 상기 희생층(430)을 식각하여 제거하는 공정; 상기 보호막의 일부분을 제거하여 상부 전극을 노출 시키는 공정으로 이루어진 광로 조절 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연층(480)은, 옥사이드(Oxide) 또는 나이트라이드(Nitride)중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 절연층(480)은, 증착(Evaporation), 스퍼터링(Sputtering), 프라즈마 화학 기상 증착(PCVD)중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 광로 조절 장치의 제조 방법.
KR1019960018392A 1996-05-29 1996-05-29 광로 조절 장치의 제조 방법 KR100220585B1 (ko)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960018392A KR100220585B1 (ko) 1996-05-29 1996-05-29 광로 조절 장치의 제조 방법
US08/858,885 US5930025A (en) 1996-05-29 1997-05-19 Array of thin film actuated mirrors and method for the manufacture thereof
AU27935/97A AU716242B2 (en) 1996-05-29 1997-05-20 Array of thin film actuated mirrors and method for the manufacture thereof
CN97195061A CN1220067A (zh) 1996-05-29 1997-05-20 薄膜致动反射镜阵列及其制造方法
JP54206197A JP3881697B2 (ja) 1996-05-29 1997-05-20 薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方法
PCT/KR1997/000089 WO1997046025A1 (en) 1996-05-29 1997-05-20 Array of thin film actuated mirrors and method for the manufacture thereof
DE69706762T DE69706762T2 (de) 1996-05-29 1997-05-20 Anordnung von gesteuerten Dünnschichtspiegeln und Verfahren zu deren Herstellung
IDP971711A ID16958A (id) 1996-05-29 1997-05-23 Barisan cermin-cermin yang digerakan lapisan tipis dan metode pembuatannya
ARP970102296A AR007778A1 (es) 1996-05-29 1997-05-29 Conjunta de m x n espejos accionados de pelicula delgada y metodo para la fabricacion del mismo

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960018392A KR100220585B1 (ko) 1996-05-29 1996-05-29 광로 조절 장치의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970077762A KR970077762A (ko) 1997-12-12
KR100220585B1 true KR100220585B1 (ko) 1999-09-15

Family

ID=19459997

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960018392A KR100220585B1 (ko) 1996-05-29 1996-05-29 광로 조절 장치의 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100220585B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100710235B1 (ko) * 2006-03-02 2007-04-20 엘지전자 주식회사 주파수 편이 보상장치 및 그 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR970077762A (ko) 1997-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100229788B1 (ko) 광로 조절 장치의 제조 방법
KR100220585B1 (ko) 광로 조절 장치의 제조 방법
KR100212539B1 (ko) 박막형 광로조절장치의 엑츄에이터 및 제조방법
KR100243859B1 (ko) 광로 조절 장치의 제조 방법
KR100200233B1 (ko) 광로 조절 장치의 평탄화 방법
KR100243860B1 (ko) 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법
KR100229789B1 (ko) 광로 조절 장치의 평탄화 방법
KR0159393B1 (ko) 광로 조절 장치의 제조방법
KR100220584B1 (ko) 광로 조절 장치용 액츄에이터의 제조 방법
KR100237602B1 (ko) 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법
KR100209145B1 (ko) 박막형 광로 조절 장치의 평탄화 방법
KR100212563B1 (ko) 광로 조절 장치용 액츄에이터의 평탄화 방법
KR100237604B1 (ko) 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법
KR100212562B1 (ko) 광로 조절 장치용 액츄에이터의 제조 방법
KR100195639B1 (ko) 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법
KR100212564B1 (ko) 광로 조절 장치용 액츄에이터 및 이의 제조 방법
KR100239045B1 (ko) 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법
KR100200234B1 (ko) 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법
KR100291551B1 (ko) 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법
KR100195640B1 (ko) 광로조절장치의 제조방법
KR0159394B1 (ko) 광로 조절 장치의 제조방법
KR0159415B1 (ko) 광로 조절 장치의 제조 방법
JP3881697B2 (ja) 薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方法
KR100220685B1 (ko) 박막형 광로조절장치의 제조방법
KR100209427B1 (ko) 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090601

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee