KR100218360B1

KR100218360B1 - Apparatus for detecting quantity of coated photoresist

Info

Publication number: KR100218360B1
Application number: KR1019970005293A
Authority: KR
Inventors: 김진옥
Original assignee: 구본준; 엘지반도체주식회사
Priority date: 1997-02-21
Filing date: 1997-02-21
Publication date: 1999-09-01
Also published as: KR19980068609A

Abstract

본 발명은 발광다이오드센서를 이용하여 웨이퍼(W)상에 감광제가 정상적으로 도포되었는지의 여부를 감지하는 장치에 관한 것으로, 빛을 발산하는 광원(1)과 발산된 빛을 웨이퍼(W)의 표면에 일정방향으로 투광시켜주는 렌즈(2)를 포함하는 발광부(L)와, 상기 웨이퍼(W)의 표면으로부터 반사된 입사광을 인식하기 위한 수광센서(3)가 구비된 수광부(D)로 이루어진 센서헤드부(T)와: 상기 센서헤드부(T)에서 감지된 광량을 검출 및 분석하고, 그 분석된 형태에 따라 상기 웨이퍼(W) 표면의 감광제 도포유무 여부를 사용자가 인식할 수 있는 상태로 출력할 수 있도록 상기 센서헤드부에(T)와 연결된 엠프유닛(AU)으로 구성된 것으로서, 종래의 발광다이오드가 내장된 감지장치를 웨이퍼(W)의 감광제 도포유무 판별을 위한 기기로 적용하여 그 활용성을 극대화함과 아울러, 이에 따른 감광제 도포유무여부를 간편하고 신속하게 인식하므로써 미도포 웨이퍼(W1)가 후처리공정에 투입되어 불량제품이 발생하게 되는 사례를 방지할 수 있도록 한 웨이퍼 감광제 도포유무 감지장치에 관한 것이다.The present invention relates to a device for detecting whether the photosensitive agent is normally applied to the wafer (W) by using a light emitting diode sensor, the light source (1) for emitting light and the emitted light to the surface of the wafer (W) Sensor consisting of a light emitting portion (L) including a lens (2) for transmitting in a predetermined direction, and a light receiving portion (D) having a light receiving sensor (3) for recognizing incident light reflected from the surface of the wafer (W) Head portion (T): and detects and analyzes the amount of light detected by the sensor head portion (T), according to the analyzed form in the state that the user can recognize whether the photosensitive agent is applied on the surface of the wafer (W) It is composed of an amplifier unit (AU) connected to the sensor head portion (T) to output, using a conventional sensing device with a light-emitting diode as a device for determining whether the photosensitive agent coating on the wafer (W) Maximizing Sex and Ah The present invention relates to a wafer sensitizer application device for preventing a case in which an uncoated wafer (W1) is introduced into a post-treatment process by easily and quickly recognizing whether or not the sensitizer application is applied accordingly. .

Description

Wafer photosensitive agent

본 발명은 발광다이오드센서를 이용하여 웨이퍼상에 감광제가 정상적으로 도포되었는지의 여부를 감지하는 장치에 관한 것으로, 특히 일반적인 반사형 발광다이오드센서(Light Emitting Diode Sensor; LED Sensor)를 이용하여 반도체 제조공정중 사진광공정에서 웨이퍼 상면에 감광제(Photo Resist)가 도포되었는지 또는 미도포 되었는지를 반사된 광량의 검출상태에 따라 분석하여 소정의 출력상태로 표시하므로써 웨이퍼의 도포유무를 인식할 수 있게 한 웨이퍼 감광제 도포유무 감지장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a device for detecting whether a photosensitive agent is normally applied onto a wafer using a light emitting diode sensor, and in particular, a semiconductor light emitting diode sensor is used in a semiconductor manufacturing process using a light emitting diode sensor. In the photolithography process, the photosensitive agent is applied on the upper surface of the wafer to analyze whether the photoresist is applied or not. It relates to the presence detection device.

일반적인 웨이퍼 처리공정중에는 연마된 실리콘 웨이퍼의 표면보호 및 사진식각을 위하여 그 표면에 산화막을 형성하는 산화처리공정과, 상기 산화막 위에 액체상태의 감광제(Photo Resist)를 떨어뜨린 후 고속 회전시켜 균일한 감광막을 형성하는 감광막 부착공정을 포함한다.In the general wafer processing process, an oxide process is formed on the surface of the polished silicon wafer to protect and photograph the silicon wafer, and a liquid photoresist is dropped on the oxide film and then rotated at a high speed to provide a uniform photoresist. It includes a photosensitive film attachment step of forming a.

일련의 웨이퍼 처리공정이 순차적으로 진행될 때, 예기치 않은 공정상의 오류나, 시스템의 이상 또는 도포 원료의 고갈 등으로 인해 웨이퍼 상에 삼광제가 도포되지 않은 상태로 노광, 현상, 식각 및 전극증착 등의 공정이 계속 진행된다면 불량 웨이퍼를 양산하게 될 것이고, 결국 막대한 경제적 손실을 입게 되므로, 반드시 각 공정별로 단계적인 검사가 이루어져 생산 효율성을 극대화할 필요가 있다.When a series of wafer processing processes are performed in sequence, processes such as exposure, development, etching, and electrode deposition are performed without the triconductor applied on the wafer due to an unexpected process error, abnormality of the system, or depletion of coating materials. If the process continues, the defective wafers will be mass-produced, resulting in huge economic losses. Therefore, step-by-step inspection must be performed for each process to maximize production efficiency.

이러한 관점에서 살펴볼 때, 종래에는 웨이퍼의 도포상태, 즉 감광막의 도포두께등을 확인하는 검사단계에 치중하였던 반면에, 더욱 근본적인 문제가 발생될 수 있는 웨이퍼의 감광제 도표유무를 판별하기 위한 검사는 크게 중요시되지 않았을 뿐만 아니라, 간편하면서도 체계적인 검사방법이 제시되어 있지 않았다.In view of this point of view, in the past, the focus was on the inspection step of checking the application state of the wafer, that is, the coating thickness of the photoresist film. Not only was it important, but a simple and systematic test method was not suggested.

한편, 발광다이오드센서가 내장된 감지장치는 포장용 투명필름이나 투명용기의 투명성 유무판별, 도포물질의 유무판별 및 시트지 등의 이음매 유무판별 등와 같은 용도로 사용될 수 있으나, 주로 대상물체의 유무를 판별하기 위해 사용되어 왔으며, 상기의 발광다이오드센서가 내장된 감지장치는 도1에 도시한 바와 같이, 빛을 발산하는 광원(1)과 발산된 빛을 대상물의 표면에 일정방향으로 투광시켜주는 렌즈(2)를 포함하는 발광부(L)와, 상기 대상물의 표면으로부터 반사된 입사광을 인식하기 위한 수광센서(3)가 구비된 수광부(D)로 이루어진 센서헤드부(T)와; 상기 센서헤드부(T)에서 감지된 광량을 검출 및 분석하고, 그 분석된 형태에 따라 상기 대상물의 유무여부를 사용자가 인식할 수 있는 상태로 출력할 수 있도록 상기 센서헤드부(T)와 연결된 엠프유닛(AU)으로 구성된 것이다.On the other hand, the sensing device with a built-in light-emitting diode sensor can be used for the purpose of determining the presence or absence of the object, such as whether the transparent film of the packaging film or transparent container, the presence or absence of the coating material, and the presence or absence of joints such as sheet paper. The light emitting diode sensor has a built-in sensing device, as shown in Figure 1, a light source (1) for emitting light and a lens (2) for transmitting the emitted light in a predetermined direction on the surface of the object (2) A sensor head portion (T) comprising a light emitting portion (L) including a light emitting portion (L) and a light receiving portion (D) having a light receiving sensor (3) for recognizing incident light reflected from the surface of the object; Connected to the sensor head part T to detect and analyze the amount of light detected by the sensor head part T, and to output the presence or absence of the object according to the analyzed form. It consists of an amplifier unit (AU).

즉, 대상물체에 광(光)을 조사(照射)하면 상기 대상물체 표면의 광택도에 따라 반사상태가 변하게 되는데, 도 2a 내지 도 2c는 상기 감지장치에 의해 나타나는 각부의 작동상태에 따른 수광량 출력형태를 도시한 것이며, 도 2a와 같이 표면 광택도가 높은 물체를 설치한 경우에는 투광점(Projection Spot;4)이 그대로 정반사하여 광량이 크게 나타나고, 도 2b와 같이 표면 광택도가 낮은 물체를 설치한 경우에는 투광점(4)이 일부만 반사하여 상기 도 2a에서 보다 광량이 작게 나타나며, 도 2c와 같이 물체를 설치하지 않은 경우에는 투광점(4)이 난반사하여 광량이 0값을 갖게된다.That is, when light is irradiated onto the object, the reflection state is changed according to the glossiness of the surface of the object. FIGS. 2A to 2C show light reception amounts according to operating states of each part displayed by the sensing device. Figure 2a shows a case in which an object having a high surface glossiness is installed as shown in FIG. 2a, and the projection spot 4 is reflected as it is, resulting in a large amount of light, and an object having a low surface glossiness as shown in FIG. In one case, only a part of the light emitting point 4 reflects the light quantity, which is smaller than that shown in FIG. 2A. When the object is not installed as shown in FIG. 2C, the light emitting point 4 diffusely reflects the light quantity to have a zero value.

따라서, 이 값을 수광센서(3)에 의해 검출하므로서 물체의 유무여부를 판별할 수 있게 되는 것이다.Therefore, by detecting this value by the light receiving sensor 3, it is possible to determine the presence or absence of an object.

결국 상기한 바와 같이, 종래의 발광다이오드센서가 내장된 감지장치는 단순히 대상물체의 존재유무 여부를 판별하는 용도로만 제한적으로 사용되어 왔다는 점과, 또한 최근까지도 웨이퍼(W)의 감광제 도포유무를 판별하기 위한 간편하면서도 체계적인 검사방법이 제시되어 있지 않다는 점 등이 각각 해결해야 할 과제로 남아 있었다.As a result, as described above, the conventional sensing device with a light emitting diode sensor has been used only for the purpose of simply determining the presence or absence of an object, and until recently, the presence or absence of a photoresist coating on the wafer W is determined. The simple and systematic method of testing was not presented, and each of them remained a problem to be solved.

이에 본 발명은 상기와 같은 제반 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 종래의 발광다이오드가 내장된 감지장치를 웨이퍼의 감광제 도포유무 판별을 위한 기기로 적용함과 아울러, 이에 따른 감광제 도포유무여부를 간편하고 신속하게 인식할 수 있도록 구성한 웨이퍼 감광제 도포유무 감지장치를 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, by applying a conventional sensing device with a light-emitting diode as a device for determining whether the photosensitive agent is applied to the wafer, and whether or not the photosensitive agent is applied accordingly It is an object of the present invention to provide a wafer photosensitive agent presence detection device configured to recognize the device quickly and quickly.

제1도는 본 발명의 발광다이오드센서에 의한 웨이퍼 도포유무 감지과정을 도시한 사시도.1 is a perspective view showing a wafer coating presence detection process by the light emitting diode sensor of the present invention.

제2a도 내지 c도는 본 발명의 감지장치에 의해 나타나는 각부의 작동상태에 따른 수광량 출력형태를 도시한 것.2a to c show the light receiving amount output form according to the operating state of each part represented by the sensing device of the present invention.

제2a도는 미도포된 웨이퍼가 존재하여 큰 광량이 출력되는 경우, b도는 도포된 웨이퍼가 존재하여 다소의 광량이 출력되는 경우, c도는 웨이퍼가 존재하지 않아 광량이 전혀 출력되지 않은 경우.FIG. 2A is a case where a large amount of light is output due to the presence of an uncoated wafer, b is a case where a small amount of light is output due to the presence of a coated wafer, and a degree of light is not output at all due to the absence of a wafer.

제3a도 내지 d도는 본 발명에 따른 감지장치의 센서를 셋팅하기 위한 각 트리머의 조정상태도.3a to d are diagrams illustrating an adjustment state of each trimmer for setting the sensor of the sensing device according to the present invention.

제4도는 본 발명에 따른 엠프유닛의 출력 회로도.4 is an output circuit diagram of an amplifier unit according to the present invention.

제5도는 본 발명에 따른 출력 표시부의 회로 구성도이다.5 is a circuit diagram of an output display unit according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

AU : 앰프유닛 D : 수광부AU: Amplifier unit D: Receiver

H : 응차조정 트리머 L : 발광부H: Hysteresis trimmer L: Light emitting part

S : 감도조정 트리머 T : 센서헤드부S: Sensitivity adjustment trimmer T: Sensor head

W : 웨이퍼 W1 : 미도포 웨이퍼(Bare Wafer)W: Wafer W1: Uncoated Wafer (Bare Wafer)

W2 : 도포 웨이퍼(Coated Wafer) 1 : 광원W2: Coated Wafer 1: Light Source

2 : 렌즈 3 : 수광센서(라인센서)2: lens 3: light receiving sensor (line sensor)

4 : 투광점 5 : 표시램프4: Light emitting point 5: Display lamp

6 : 부져 7 : 출력표시부6: buzzer 7: output display

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼 감광제 도포유무 감지장치는 빛을 발산하는 광원과 발산된 빛을 웨이퍼의 표면에 일정방향으로 투광시켜주는 렌즈를 포함하는 발광부와, 상기 웨이퍼의 표면으로부터 반사된 입사광을 인식하기 위한 수광센서가 구비된 수광부로 이루어진 센서헤드부와; 상기 센서헤드부에서 감지된 광량을 검출 및 분석하고, 그 분석된 형태에 따라 상기 웨이터 표면의 감광제 도포유무 여부를 사용자가 인식할 수 있는 상태로 출력할 수 있도록 상기 센서헤드부와 연결된 앰프유닛으로 구성된 것이다.Wafer photosensitive agent coating presence detection apparatus according to the present invention for achieving the above object includes a light emitting unit including a light source for emitting light and a lens for transmitting the emitted light in a predetermined direction on the surface of the wafer, and A sensor head portion including a light receiving portion having a light receiving sensor for recognizing incident light reflected from the surface; The amplifier unit connected to the sensor head unit detects and analyzes the amount of light sensed by the sensor head unit and outputs a state in which the user can recognize whether the photosensitive agent is applied on the surface of the waiter according to the analyzed form. It is composed.

상기 앰프유닛은 그 출력상태를 나타내기 위한 출력표시부에 표시램프 및 부져를 연결하여 인식가능하도록 된 것을 특징으로 한다.The amplifier unit is characterized in that the display lamp and the buzzer are connected to the output display unit for indicating the output state of the amplifier unit.

이하, 본 발명을 첨부된 도면에 의거하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도1, 도4 및 도5에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼 감광제 도포유무 감지장치는 빛을 발산하는 광원(1)과 발산된 빛을 웨이퍼(W)의 표면에 일정방향으로 투광시켜주는 렌즈(2)를 포함하는 발광부(L)와, 상기 웨이퍼(W)의 표면으로부터 반사된 입사광을 인식하기 위한 수광센서(3)가 구비된 수광부(D)로 이루어진 센서헤드부(T)와; 상기 센서헤드부(T)에서 감지된 광량을 검출 및 분석하고, 그 분석된 형태에 따라 상기 웨이퍼(W) 표면의 감광제 도포유무 여부를 사용자가 인식할 수 있는 상태로 출력할 수 있도록 상기 센서헤드부(T)와 연결된 앰프유닛(AU)으로 구성되며, 상기 엠프우닛(AU)은 그 출력상태를 나타내기 위한 출력표시부(7)에 표시램프(5) 및 부져(6)를 연결하여 인식가능하도록 되어 있다.1, 4 and 5, the wafer photosensitive agent coating presence detection apparatus according to the present invention by emitting a light source (1) and the emitted light in a predetermined direction to the surface of the wafer (W) Sensor head portion (T) consisting of a light emitting portion (L) including a main lens (2) and a light receiving portion (D) having a light receiving sensor (3) for recognizing incident light reflected from the surface of the wafer (W) Wow; The sensor head detects and analyzes the amount of light detected by the sensor head part T, and outputs a state in which a user can recognize whether a photosensitive agent is applied to the surface of the wafer W according to the analyzed form. The amplifier unit (AU) is connected to the unit (T), and the amplifier unit (AU) is recognizable by connecting the display lamp (5) and the buzzer (6) to the output display unit (7) for indicating the output state It is supposed to be.

도1은 본 발명의 발광다이오드센서에 의한 웨이퍼(W) 도포유무 감지과정을 도시한 사시도이고, 도4는 본 발명에 따른 앰프유닛(AU)의 출력 회로도이며, 도 5는 본 발명에 따른 출력 표시부(7)의 회로 구성도를 나타낸다.1 is a perspective view illustrating a process of detecting the presence of a wafer W by a light emitting diode sensor according to the present invention, FIG. 4 is an output circuit diagram of an amplifier unit AU according to the present invention, and FIG. 5 is an output according to the present invention. The circuit block diagram of the display part 7 is shown.

한편, 도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 따른 감지장치의 수광센서(3)를 셋팅하기 위한 각 트리머(Trimmer;미세 조정기)의 조정상태를 도시한 것으로, 검사할 웨이퍼(W)의 감광제 도포유무에 대한 원하는 출력형태를 얻기 위해서는 도 3a 내지 도3d에 나타낸 바와 같이 수광센서(3)의 셋팅이 선행되어야 하며, 상기 도면의 순서에 의하여 셋팅방법을 설명하면 다음과 같다.Meanwhile, FIGS. 3A to 3D show adjustment states of trimmers for setting the light receiving sensor 3 of the sensing device according to the present invention, and whether the photosensitive agent is applied to the wafer W to be inspected. In order to obtain a desired output form, the setting of the light receiving sensor 3 should be preceded as shown in FIGS. 3A to 3D. The setting method will be described in the order of the drawings.

먼저, 응차조정 트리머(H)를 시계침 회전방향으로 돌려 중간위치에 설정하고, 미도포 웨이퍼(W1)를 센서헤드부(T) 아래에 배치한 후, 감도조정 트리머(S)를 시계침 회전방향으로 돌려 해당 동작 표시등(미도시)이 점등되는 위치를 A로 한다.First, turn the hysteresis adjustment trimmer H in the clockwise rotation direction to set it at an intermediate position, and arrange the uncoated wafer W1 under the sensor head portion T, and then move the sensitivity adjustment trimmer S in the clockwise rotation direction. Turn A to the position where the operation indicator (not shown) lights up.

그 다음에, 도포 웨이퍼(W2)를 상기 센서헤드부(T) 아래에 배치하고, 상기 감도조정 트리머(S)를 시계침 회전방향으로 서서히 돌려 상기 동작 표시등이 점등되는 위치를 B로 한다.Subsequently, the coating wafer W2 is disposed below the sensor head portion T, and the sensitivity adjustment trimmer S is gradually turned in the clockwise rotation direction to set the position at which the operation indicator is lit.

그 다음에, 감도조정 트리머(S)를 상기 A와 B의 중간위치로 돌려 상기 동작 표시등이 점등되는 위치를 C로 하고, C와 A 사이로 상기 감도조정 트리머(S)를 돌려 상기 동작 표시등이 소등되는 위치를 찾는다.Then, turn the sensitivity adjustment trimmer S to the intermediate position between A and B to set the position at which the operation indicator is lit to C, and turn the sensitivity adjustment trimmer S between C and A to turn the operation indicator off. Find a location

그 다음에, 동작이 불안정하거나 응차를 크게 하고 싶은 경우에는 상기 응차조정 트리머(H)를 시계침 회전방향으로 돌리고, 또한 응차를 작게하고 싶은 경우에는 시계침 회전을 반대방향으로 약간 돌리게 된다.Then, when the operation is unstable or the hysteresis is to be increased, the hysteresis adjustment trimmer H is turned in the clockwise rotation direction, and when the hysteresis is desired, the clockwise rotation is slightly turned in the opposite direction.

도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 감지장치에 의해 나타나는 각부의 작동상태에 따른 수광량 출력형태를 도시한 것으로, 상기와 같이 수광센서(3)가 셋팅된 상태에서 웨이퍼(W)의 표면에 광(光)을 조사(照射)하면, 상기 웨이퍼(W)의 표면상태에 따라 반사상태가 변하게 된다. 즉, 도 2a와 같이 미도포된 웨이퍼(W1)가 존재할 경우에는 상기 웨이퍼(W1)의 높은 반사도로 인해 투광점(4)의 크기가 작고 예리한 상태로 형성되면서 큰 광량이 출력되고, 도 2b와 같이 도포된 웨이퍼(W2)가 존재할 경우에는 감광제에 의해 반사도가 저하되어 약한 광량이 출력되며, 도 2a와 같이 웨이퍼(W)가 존재하지 않을 경우에는 광량이 전혀 출력되지 않게 된다.2A to 2C show the light receiving amount output form according to the operating state of each part shown by the sensing device of the present invention, and the light on the surface of the wafer W in the state where the light receiving sensor 3 is set as described above. When the light is irradiated, the reflection state is changed according to the surface state of the wafer (W). That is, when the uncoated wafer W1 is present as shown in FIG. 2A, a large amount of light is output while the light emitting point 4 is formed in a small and sharp state due to the high reflectivity of the wafer W1. In the case where the coated wafer W2 is present, the reflectivity is lowered by the photosensitive agent so that a weak amount of light is output. When the wafer W is not present as shown in FIG. 2A, the amount of light is not output at all.

이중에서도 도포된 웨이퍼(W2)가 존재하는 도 2b와 웨이퍼(W)가 존재하지 않는 도 2c의 경우는 무시하고 미도포된 웨이퍼(W1)가 존재하는 도 2a의 경우에 주안점을 두어, 미도포된 상태의 웨이퍼(W1)가 설치되었을 때에만 상기 앰프유닛(AU) 내의 출력표시부(7)를 통해 신호가 출력되도록 하므로써 웨이퍼(W)의 검사를 보다 용이하게 할 수 있는 것이다. 즉, 도4와 같은 센서 출력단에 도5에서와 같이 표시램프(5), 부져(6) 또는 발광다이오드 등을 연결하거나, 기존의 웨이퍼 감지장치의 인터록(Inter lock)회로가 구비된 위치상에 상기 출력표시부(7)를 연결하고, 미도포 웨이퍼(W1)가 설치된 상태에서 수광센서(3)로부터의 입력값에 따라 신호를 출력하여 사용자에게 정보를 제공하므로써, 상기 미도포 웨이퍼(W1)가 후처리공정에 투입되어 불량제품이 발생하게 되는 사례를 방지할 수 있다.In the case of FIG. 2B in which the coated wafer W2 exists and in FIG. 2C in which the wafer W does not exist, the unfocused case is given in the case of FIG. 2A in which the uncoated wafer W1 exists. The inspection of the wafer W can be made easier by allowing the signal to be output through the output display unit 7 in the amplifier unit AU only when the wafer W1 in the closed state is installed. That is, as shown in FIG. 5, the display lamp 5, the buzzer 6, or the light emitting diode is connected to the sensor output terminal as shown in FIG. 4, or the interlock circuit of the conventional wafer sensing device is provided. By connecting the output display unit 7 and outputting a signal in accordance with an input value from the light receiving sensor 3 while the uncoated wafer W1 is installed, the uncoated wafer W1 is provided. It is possible to prevent the occurrence of defective products by being put into the post-processing process.

상기와 같은 구성 및 작용에 의해 기대할 수 있는 본 발명의 효과는 다음과 같다.The effects of the present invention that can be expected by the configuration and action as described above are as follows.

본 발명에 따른 웨이퍼 감광제 도포유무 감지장치는 종래의 발광다이오드가 내장된 감지장치를 웨이퍼(W)의 감광제 도포유무 판별을 위한 기기로 적용하여 그 활용성을 극대화함과 아울러, 이에 따른 감광제 도포유무여부를 간편하고 신속하게 인식하므로써 미도포 웨이퍼(W1)가 후처리공정에 투입되어 불량제품이 발생하게 되는 사례를 방지할 수 있는 효과가 있다.Wafer photosensitive agent coating presence detection apparatus according to the present invention by applying the conventional detection device with a built-in light emitting diode as a device for determining whether the photosensitive agent is applied to the wafer (W) to maximize its utilization, and accordingly whether there is a photosensitive agent coating By simply and quickly recognizing whether or not the uncoated wafer W1 is put into the post-treatment process, there is an effect of preventing a case in which a defective product is generated.

Claims

Sensor head comprising a light emitting unit including a light source for emitting light and a lens for transmitting the emitted light to the surface of the wafer in a predetermined direction, and a light receiving unit having a light receiving sensor for recognizing incident light reflected from the surface of the wafer Wealth; The amplifier unit connected to the sensor head unit detects and analyzes the amount of light sensed by the sensor head unit and outputs a state in which a user can recognize whether or not the photosensitive agent is applied to the wafer surface according to the analyzed form. Wafer photosensitive agent coating presence detection device.

The apparatus of claim 1, wherein the amplifier unit is recognizable by connecting a display lamp and a buzzer to an output display unit for indicating an output state of the amplifier unit.