KR100215886B1 - Photoresist removing apparatus of wafer edge for semiconductor process - Google Patents

Photoresist removing apparatus of wafer edge for semiconductor process Download PDF

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KR100215886B1
KR100215886B1 KR1019960020986A KR19960020986A KR100215886B1 KR 100215886 B1 KR100215886 B1 KR 100215886B1 KR 1019960020986 A KR1019960020986 A KR 1019960020986A KR 19960020986 A KR19960020986 A KR 19960020986A KR 100215886 B1 KR100215886 B1 KR 100215886B1
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Abstract

본 발명은 반도체소자 제조를 위한 웨이퍼 노광 공정시 웨이퍼 가장자리에 도포된 포토레지스트를 일정한 폭으로 깨끗이 제거하여 노광 공정의 웨이퍼의 수율을 향상시킬 수 있도록 한 것이다.The present invention can improve the yield of wafers in the exposure process by removing the photoresist applied to the edge of the wafer with a predetermined width in the wafer exposure process for manufacturing semiconductor devices.

이를 위해, 본 발명은 웨이퍼(1)의 반경방향으로 이동 가능하게 설치되는 사이드 린스 아암(2)의 일측면 후방에 나란히 설치되어 제 1, 2 자외선(3)(4)을 조사하는 광섬유(5)와, 상기 광섬유(5)를 통해 조사된 자외선을 검출하도록 웨이퍼(1) 가장자리 하부에 각각 설치되는 복수개의 광센서(6a),(6b)와, 상기 광센서(6a),(6b)에서 각각 검출되는 검출신호에 따라 사이드 린스 아암(2)을 전, 후진시키는 한편 상기 사이들 린스 아암(2)의 분사노즐(7)을 통해 분사되는 세정액(8)의 분사타이밍을 제어하는 컨트롤러(9)로 구성된 반도체소자 제조를 위한 노광 공정용 웨이퍼 가장자리 포토레지스트 세정 장치이다.To this end, the present invention relates to an optical fiber 5 (hereinafter referred to simply as " optical fiber 5 ") which is installed in parallel to a side of a side rinse arm 2, A plurality of optical sensors 6a and 6b provided under the edge of the wafer 1 to detect ultraviolet rays irradiated through the optical fiber 5 and a plurality of optical sensors 6a and 6b A controller 9 for controlling the spray timing of the cleaning liquid 8 sprayed through the spray nozzle 7 of the sidestill arm 2 while forwarding and backward the sidestream arm 2 in accordance with detection signals respectively detected ) Wafer edge photoresist cleaning apparatus for an exposure process for manufacturing a semiconductor device.

Description

반도체소자 제조를 위한 노광 공정용 웨이퍼 가장자리 포토레지스트 세정 장치Wafer edge photoresist cleaning device for exposure process for semiconductor device fabrication

제 1 도는 종래의 웨이퍼 가장자리 세정 장치를 나타낸 정면도1 is a front view showing a conventional wafer edge cleaning apparatus;

제 2 도는 제 1 도의 웨이퍼 가장자리가 세정된 상태를 나태낸 평면도FIG. 2 is a plan view of the wafer edge of FIG. 1,

제 3 도는 본 발명에 따른 웨이퍼 가장자리 세정 장치를 나타낸 정면도3 is a front view showing a wafer edge cleaning apparatus according to the present invention;

제 4 도는 제 3 도의 A부 확대도로서,FIG. 4 is an enlarged view of part A of FIG. 3,

(a)는 린스 아암이 플랫존을 제외한 웨이퍼 가장자리 세정을 위한 초기 위치에 위치한 상태를 나타낸 정면도(a) is a front view showing a state in which the rinse arm is located at an initial position for wafer edge cleaning excluding the flat zone

(b)는 린스 아암이 웨이퍼의 플랫존 세정을 위산 초기 위치에 위치한 상태를 나타낸 정면도(b) is a front view showing a state in which the rinse arm is located at the initial position of gastric acid in the flat zone cleaning of the wafer

(c)는 린스 아암이 웨이퍼의 플랫존의 1/2지점에 위치한 후 다시 후퇴하기 시작하는 시점의 상태를 나타낸 정면도(c) is a front view showing a state at a time point when the rinse arm starts to be retracted after being located at a half point of the flat zone of the wafer

(d)는 린스 아암이 웨이퍼 가장자리의 세정을 완료한 시점의 상태를 나타낸 정면도(d) is a front view showing a state at the time when the rinsing arm completes the cleaning of the edge of the wafer

제 5 도는 본 발명에 따라 웨이퍼 가장자리가 세정된 상태를 나타낸 평면도5 is a plan view showing a state in which the wafer edge is cleaned according to the present invention;

도면의 주요부분에 대한 부호의 설명DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS

1 : 웨이퍼 2 : 사이드 린스 아암1: wafer 2: side rinse arm

3 : 제 1 자외선 4 : 제 2 자외선3: first ultraviolet ray 4: second ultraviolet ray

5 : 광섬유 6a, 6b : 제 1, 2 광센서5: optical fiber 6a, 6b: first and second optical sensors

7 : 분사노즐 8 : 세정액7: jet nozzle 8: cleaning liquid

9 : 컨트롤러 10 : 플랫존9: Controller 10: Flat zone

본 발명은 반도체소자 제조를 위한 노광 공정용 웨이퍼 가장자리 포토레지스트 세정 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체소자 제조를 위한 웨이퍼 노광 공정시 웨이퍼 가장자리에 도포된 포토레지스트를 일정한 폭으로 깨끗하고 정밀하게 제거할 수 있도록 한 것이다.The present invention relates to a wafer edge photoresist cleaning apparatus for an exposure process for manufacturing semiconductor devices, and more particularly, to a wafer edge photoresist cleaning apparatus for removing semiconductor wafers, To be able to do.

종래의 웨이퍼 노광 공정 수행시에는 먼저 제 1 도에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(1)를 코팅 장비(Coater) 내의 고정척(11)에 로딩시킨 후, 고정척(11)을 회전시키면서 웨이퍼(1) 상면에 포통레지스트를 분사하여 웨이퍼(1) 상면에 고르게 포토레지스트를 도포한다.In the conventional wafer exposure process, as shown in FIG. 1, the wafer 1 is loaded on a fixed chuck 11 in a coating device, and then the fixed chuck 11 is rotated, And the photoresist is uniformly applied to the upper surface of the wafer 1. [0051]

또한, 포토레지스트의 도포가 완료된 후에는,고정척(11)을 회전시키면서 웨이퍼(1) 가장자리 상부의 일정 위치에 고정되어 있는 사이드 린스 아암(2a)(Side Rinse Arm)의 분사노즐(7)을 통해 세정액(8)(Thinner)을 웨이퍼(1) 가장자리에 분사하여 웨이퍼(1) 가장자리에 도포된 포토레지스트(12)를 제거하게 된다.After the application of the photoresist is completed, the injection nozzle 7 of the side rinse arm 2a fixed at a predetermined position above the edge of the wafer 1, while rotating the fixation chuck 11, The photoresist 12 applied to the edge of the wafer 1 is removed by spraying a cleaning liquid 8 (Thinner) on the edge of the wafer 1. [

그러나, 이와 같은 종래의 웨이퍼(1) 세정 장치는 코팅 장비 내로 반송되는 웨이퍼(1)가 전송과정에서 정위치를 이탈하게 되므로써 고정척의 정위치에 안착되지 못할 경우, 웨이퍼(1)의 위치를 보정할 수 있는 수단이 없었다.However, such conventional wafer 1 cleaning apparatuses can not correct the position of the wafer 1 when the wafer 1 conveyed into the coating equipment deviates from the correct position in the transfer process, There was no way to do it.

이에 따라, 웨이퍼(1)의 미스 로딩에 기인한 센터링 불량에 의해 세정액(8)이 정확한 위치에 분사되지 않아 웨이퍼(1) 가장자리의 포토레지스트가 일정한 폭으로 제거되지 못하는 문제점이 있었다.Accordingly, the cleaning liquid 8 is not sprayed to the correct position due to the centering failure due to the misloading of the wafer 1, and the photoresist at the edge of the wafer 1 can not be removed with a certain width.

특히, 종래의 웨이퍼 세정장치는 사이드 린스 아암(2a)의 분사노즐(7)이 일정 위치에 고정된 상태로 세정액(8)을 분사하게 되는 구조이므로 웨이퍼(1)의 플랫존(10) 영역에 도포된 포토래지스트(12)의 제거가 불가능하였다.Particularly, the conventional wafer cleaning apparatus has a structure in which the cleaning liquid 8 is injected while the injection nozzle 7 of the side rinse arm 2a is fixed at a fixed position. Therefore, in the region of the flat zone 10 of the wafer 1 Removal of the coated photoresist 12 was impossible.

이로 인해, 후속 공정의 진행시 플랫존(10)에 도포되어 있던 포토레지스트(12)가 웨이퍼(1)를 오염시키는 파티클(particle)로 작용하므로써 웨이퍼(1)의 수율을 저하시키게 되는 등 많은 문제점이 있었다.As a result, the photoresist 12 applied to the flat zone 10 acts as a particle contaminating the wafer 1 in the course of the subsequent process, thereby lowering the yield of the wafer 1, .

본 발명은 상기한 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 반도체소자 제조를 위한 웨이퍼 노광 공정시 웨이퍼 가장자리에 도포된 포토레지스트를 일정한 폭으로 깨끗이 제거하여 노광 공정의 웨이퍼의 수율을 향상시킬 수 있도록 한 반도체 소자 제조를 위한 노광 공정용 웨이퍼 가장자리 포토레지스트 세정 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems and it is an object of the present invention to provide a semiconductor device capable of improving the yield of wafers in the exposure process by removing the photoresist applied to the edge of the wafer at a wafer width, And to provide a wafer edge photoresist cleaning apparatus for an exposure process for manufacturing a wafer edge photoresist.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 웨이퍼의 반경방향으로 이동 가능하게 설치되는 사이드 린스 아암의 일측면 후방에 나란히 설치되어 제 1, 2 자외선을 조사(照射)하는 광섬유와, 상기 광섬유를 통해 조사된 자외선을 검출하도록 웨이퍼 가장자리 하부에 각각 설치되는 복수개의 광센서와, 상기 광센서에서 각각 검출되는 검출신호에 따라 사이드 린스 아암을 전, 후진시키는 한편 상기 사이드 린스 아암의 분사노즐을 통해 분사되는 세정액의 분사타이밍을 제어하는 컨트롤러로 구성된 반도체소자 제조를 위한 노광 공정용 웨이퍼 가장자리 포토레지스트 세정 장치이다.In order to accomplish the above object, the present invention provides an optical device comprising: an optical fiber arranged side by side on one side of a side rinse arm movably installed in a radial direction of a wafer and irradiating first and second ultraviolet rays; A plurality of optical sensors respectively provided below the edges of the wafer so as to detect the irradiated ultraviolet rays, and a plurality of optical sensors disposed on the periphery of the wafer to detect ultraviolet rays irradiated with ultraviolet rays emitted from the side rinse arms, And a controller for controlling the timing of spraying the cleaning liquid on the wafer edge photoresist.

이하, 본 발명의 일 실시예를 첨부도면 제 3 도 내지 제 5 도를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 through 5.

제 3 도는 본 발명에 따른 웨이퍼 가장자리 세정 장치를 나타낸 정면도이고, 제 4 도는 제 3 도의 A부 확대도이며, 제 5 도는 본 발명에 따라 웨이퍼에 포토레지스트가 도포된 상태를 나타낸 평면도로서, 본 발명은 웨이퍼(1)의 반경방향으로 이동 가능하게 설치되는 사이드 린스 아암(2)의 일측면 후방에 제 1, 2 자외선(3),(4)을 조사하는 광섬유(5)(Optical Fiber)가 나란히 설치되고, 상기 웨이퍼(1)가장자리 하부에는 광섬유(5)를 통해 조사된 자외선(Ultraviolet)을 검출하는 복수개의 광센서(6a),(6b)가 설치되며, 상기 복수개의 광센서(6a),(6b)에는 광센서(6a),(6b)로부터 검출되는 검출신호에 따라 사이드 린스 아암(2)을 전, 후진시키는 한편 상기 사이드 린스 아암(2)의 분사노즐(7)을 통해 분사되는 세정액(8)의 분사 타이밍을 제어하는 컨트롤러(9)가 연결되어 구성된다.FIG. 3 is a front view showing a wafer edge cleaning apparatus according to the present invention, FIG. 4 is an enlarged view of part A of FIG. 3, FIG. 5 is a plan view showing a state where a photoresist is applied to a wafer according to the present invention, Optical fibers 5 (optical fibers) for irradiating the first and second ultraviolet rays 3 and 4 are arranged side by side on one side of the side rinse arm 2 which is provided movably in the radial direction of the wafer 1 And a plurality of optical sensors 6a and 6b for detecting ultraviolet rays irradiated through the optical fiber 5 are provided under the edge of the wafer 1 and the plurality of optical sensors 6a, (6b) is provided with a cleaning liquid (5) which is sprayed through the spray nozzle (7) of the side rinse arm (2) while advancing and retracting the side rinse arm (2) And a controller 9 for controlling the injection timing of the fuel injection valve 8 are connected.

이 때, 상기 제 1 광센서(6a)와 제 2 광센서(6b) 사이의 거리는 웨이퍼(1)의 회전 각속도와 동일한 속도로 이동하는 사이드 린스 아암(2)의 분사노즐(7)이 플랫존(10)의 1/2지점까지 이동하는 거리와 일치하도록 구성된다.At this time, the distance between the first photosensor 6a and the second photosensor 6b is set such that the jetting nozzle 7 of the side rinse arm 2, which moves at the same speed as the rotational angular velocity of the wafer 1, To a half of the distance (10).

이와 같이 구성된 본 발명의 작용 및 효과를 설명하면 다음과 같다.The operation and effect of the present invention constructed as described above are as follows.

반도체소자 제조를 위한 웨이퍼(1)의 노광 공정 수행시, 웨이퍼(1)를 코팅장비(Coater)내의 고정척(11)에 로딩시킨 후에는, 웨이퍼(1)를 회전시키면서 웨이퍼(1) 상면에 포토레지스트를 분사하게 된다.After the wafer 1 is loaded on the fixed chuck 11 in the coating apparatus during the exposure process of the wafer 1 for semiconductor device manufacture, the wafer 1 is rotated on the upper surface of the wafer 1 while rotating the wafer 1 The photoresist is sprayed.

또한, 상기와 같이 하여 웨이퍼(1) 상면에 포토레지스트(12)가 도포된 후에는 웨이퍼(1) 가장자리에 도포된 포토레지스트(12)를 일정폭으로 제거하기 위한 가장자리 세정 공정을 수행하게 된다.After the photoresist 12 is applied on the upper surface of the wafer 1 as described above, the edge cleaning process for removing the photoresist 12 applied to the edge of the wafer 1 with a predetermined width is performed.

이를 위해, 우선 컨트롤러(9)의 제어에 따라 웨이퍼(1) 외측에 위치하고 있던 사이드 린스 아암(2)이 구동수단(도시는 생략함)에 의해 구동되어 세정액(8)을 분사하기 위한 위치로 이동하게 된다.The side rinse arm 2 positioned at the outer side of the wafer 1 is driven by the driving means (not shown) under the control of the controller 9 to move to the position for spraying the cleaning liquid 8 .

이 때, 상기 사이드 린스 아암(2)의 일측면 후방에 나란히 설치된 광섬유(5)에서는 컨트롤러(9)의 제어에 따라 제 1 자외선(3)만이 조사된다.At this time, only the first ultraviolet ray 3 is irradiated under the control of the controller 9 in the optical fiber 5 arranged side by side on the side of the side rinse arm 2.

따라서, 상기 광섬유(5)를 통해 조사된 제 1 자외선(3)이 사이드 린스 아암(2)의 이동중 제 4 도의 (a)에 나타낸 바와 같이 제 1 광센서(6a)에 도달하면 제 1 광센서(6a)는 이를 감지하여 컨트롤러(9)에 전달하게 되며, 이에 따라 컨트롤러(9)의 제어에 의해 사이드 린스 아암(2)은 이동을 멈추고 정지하게 된다.Therefore, when the first ultraviolet ray 3 irradiated through the optical fiber 5 reaches the first photosensor 6a during the movement of the side rinse arm 2 as shown in FIG. 4 (a) The controller 6 stops the movement of the side rinse arm 2 under the control of the controller 9 and stops the movement.

이에 따라, 상기 사이드 린스 아암(2)의 분사노즐(7)은 웨이퍼(1)의 플랫존(10)이 형성된 영역을 제외한 가장자리를 세정할 수 있는 위치에 정지하게 된다.The injection nozzle 7 of the side rinse arm 2 is stopped at a position where the edge of the wafer 1 excluding the area where the flat zone 10 is formed can be cleaned.

한편, 상기 광섬유(5)를 통해 조사된 제 1 자외선(3)이 제 1 광센서(6a)에 도달하여 사이드 린스 아암(2)이 정지한 후에는 컨트롤러(9)의 제어에 따라 제 2 자외선(4)이 동시에 조사된다.On the other hand, after the first ultraviolet ray 3 irradiated through the optical fiber 5 reaches the first photosensor 6a and the sidestream arm 2 is stopped, (4) are simultaneously inspected.

이때, 조사되는 제 2 자외선(4)의 경로 상에는 제 4 도의 (a)에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(1)의 플랫존(10)이 형성되지 않은 영역의 가장자리가 위치하게 되므로 제 1 자외선(4)은 제 2 광센서(6b)에 도달하지 못하고 차단된다.At this time, since the edge of the region where the flat zone 10 of the wafer 1 is not formed is positioned on the path of the irradiated second ultraviolet ray 4 as shown in FIG. 4 (a), the first ultraviolet ray 4, Is blocked without reaching the second photosensor 6b.

또한, 상기한 바와 같이 웨이퍼(1) 가장자리에 사이드 린스 아암(2)의 분사노즐(7)이 위치한 후에는 컨트롤러(9)의 제어에 따라 고정척(11)이 일정 속도로 회전하면서 분사노즐(7)을 통해 세정액(8)이 분사되면 웨이퍼(1)의 플랫존(10)을 제외한 영역의 가장자리에 도포된 포토레지스트(12)의 제거가 진행된다.After the injection nozzle 7 of the side rinse arm 2 is positioned at the edge of the wafer 1 as described above, the fixing chuck 11 rotates at a constant speed under the control of the controller 9, The removal of the photoresist 12 applied to the edge of the area of the wafer 1 excluding the flat zone 10 proceeds.

한편, 상기 고정척(11)에 로딩된 웨이퍼(1)의 회전에 따라 제 4 도의 (b)에 나타낸 바와 같이 제 2 광센서(6b)가 웨이퍼(1)에 의해 더 이상 가려지지 않고 노출되어 광섬유(5)로부터 조사되는 제 2 자외선(4)이 제 2 광센서(6b)에 의해 감지되면 컨트롤러(9)의 제어 작용에 따라 사이드 린스 아암(2)은 다시 웨이퍼(1) 내측으로 이동하게 된다.On the other hand, as the wafer 1 loaded on the fixed chuck 11 rotates, the second photosensor 6b is exposed and is no longer covered by the wafer 1 as shown in FIG. 4 (b) When the second ultraviolet ray 4 irradiated from the optical fiber 5 is sensed by the second photosensor 6b, the side rinse arm 2 moves back to the inside of the wafer 1 according to the control action of the controller 9 do.

이때, 상기 사이드 린스 아암(2)은 컨트롤러(9)의 제어 작용에 따라 웨이퍼(1)의 각속도와 동일한 속도로 웨이퍼(1) 내측으로 이동하게 되며, 사이드 린스 아암(2)의 분사노즐(7)에서는 세정액(8)이 계속 분사된다.At this time, the side rinse arm 2 moves to the inside of the wafer 1 at the same speed as the angular velocity of the wafer 1 according to the control action of the controller 9, and the injection nozzles 7 of the side rinse arm 2 The cleaning liquid 8 is continuously sprayed.

한편, 이와 같이 플랫존(10) 영역의 웨이퍼(1) 가장자리에 대한 포토레지스트(12)의 제거를 위해 웨이퍼(1) 내측으로 이동하는 사이드 린스 아암(2)은 제 4 도의 (c)에 나타낸 바와 같이 광섬유(5)를 통해 조사되는 제 1 자외선(3)이 제 2 광센서(6b)에 의해 감지되는 위치에 도달하면 제 2 광센서(6b)의 검출신호를 받은 컨트롤러(9)의 제어에 의해 웨이퍼(1)의 각속도와 동일한 속도로 역방향인 웨이퍼(1) 외측으로 이동하게 된다.On the other hand, the side rinse arm 2 moving to the inside of the wafer 1 for removal of the photoresist 12 from the edge of the wafer 1 in the flat zone 10 as shown in Fig. 4 (c) When the first ultraviolet ray 3 irradiated through the optical fiber 5 arrives at a position where the second ultraviolet ray 3 is detected by the second photosensor 6b as shown in FIG. 2B, the control of the controller 9 receiving the detection signal of the second photosensor 6b And moves to the outside of the wafer 1, which is opposite to the wafer 1 at the same speed as the angular velocity of the wafer 1. [

이 때, 상기에서 제 1 광센서(6a)와 제 2 광센서(6b) 사이의 거리는 웨이퍼(1)의 회전 각속도와 동일한 속도로 이동하는 사이드 린스 아암(2)의 분사노즐(7)이 플랫존(10)의 1/2에 해당하는 지점까지 이동하는 거리와 일치하도록 설정된다.The distance between the first photosensor 6a and the second photosensor 6b is set such that the jetting nozzle 7 of the side rinse arm 2 moving at the same speed as the rotational angular velocity of the wafer 1 is flat Is set to coincide with a distance moving to a point corresponding to 1/2 of the zone (10).

이는, 상기 웨이퍼(1)에 형성된 플랫존(10)의 1/2에 해당하는 지점이 웨이퍼(1) 중심으로부터의 반경이 가장 작아 사이드 린스 아암(2)이 다시 웨이퍼(1) 외측으로 웨이퍼(1)의 각속도와 동일하게 후진하여야만 계속적으로 플랫존(10)이 형성된 영역의 웨이퍼(1) 가장자리를 세정액(8)이 세정할 수 있기 때문이다.This is because a half of the flat zone 10 formed on the wafer 1 has the smallest radius from the center of the wafer 1 so that the side rinse arm 2 is moved back to the wafer 1 1, the cleaning liquid 8 can be cleaned at the edge of the wafer 1 in the region where the flat zone 10 is continuously formed.

또한, 상기한 바와 같이 웨이퍼(1)의 플랫존(10) 영역중 나머지 1/2 영역에 대한 포토레지스트(12)의 제거 작업을 위해 다시 웨이퍼(1) 외측으로 이동하는 사이드 린스 아암(2)은 제 4 도의 (d)에 나타낸 바와 같이 광섬유(5)를 통해 조사된 제 1 자외선(3)이 제 1 광센서(6a)에 의해 다시 감지됨에 따라 정지하게 되며, 이와 더불어 세정액(8)의 분사가 정지되므로써 웨이퍼(1) 가장자리에 대한 포토레지스트(12)의 제거 작업을 완료하게 된다.The side rinse arm 2 moving to the outside of the wafer 1 again for removing the photoresist 12 for the remaining half area of the flat zone 10 of the wafer 1 as described above, As shown in (d) of FIG. 4, the first ultraviolet ray 3 irradiated through the optical fiber 5 is stopped by the first photosensor 6a again, and the cleaning liquid 8 The injection is stopped and the removal of the photoresist 12 from the edge of the wafer 1 is completed.

따라서, 본 발명은 웨이퍼(1)의 노광 공정시, 사이드 린스 아암(2)의 전, 후진 작용에 의해 웨이퍼(1)의 플랫존(10)이 형성된 영역 및 플랫존(10)이 형성되지 않은 영역의 전영역에 걸쳐 가장자리에 도포된 포토레지스트(12)를 일정한 폭으로 깨끗이 제거하여 플랫존(10)에 도포된 포토레지스트(12)가 파티클로 작용하는 현상을 방지할 수 있게 된다.Therefore, the present invention can be applied to the case where the flat zone 10 of the wafer 1 is formed by the forward and backward action of the side rinse arm 2 during the exposure process of the wafer 1, It is possible to remove the photoresist 12 applied to the edge over the entire area with a predetermined width and to prevent the photoresist 12 applied to the flat zone 10 from acting as particles.

이에 따라, 웨이퍼(1)의 노광 공정시 웨이퍼 가장자리에 잔류한 포토레지스트(12)에 의한 웨이퍼(1) 오염을 확실히 방지할 수 있게 되므로 인해 웨이퍼(1)의 공정 수율을 향상시킬 수 있게 된다.Accordingly, contamination of the wafer 1 due to the photoresist 12 remaining on the periphery of the wafer during the exposure process of the wafer 1 can be reliably prevented, and the process yield of the wafer 1 can be improved.

뿐만 아니라, 노광 공정시 세정액(8)에 의한 포토레지스트(12) 제거 작업의 신뢰성을 향상시켜 세정액(8)에 의한 웨이퍼(1) 가장자리의 세정과는 별도로 행하던 웨이퍼(1) 가장자리만의 노광 작업을 생략할 수 있으므로 노광 공정의 공정수를 줄여 생산성을 향상시킬 수 있게 된다.In addition, reliability of the photoresist 12 removing operation by the cleaning liquid 8 during the exposure process can be improved, and the exposure of only the edge of the wafer 1 performed separately from the cleaning of the edge of the wafer 1 by the cleaning liquid 8 It is possible to reduce the number of steps of the exposure process and improve the productivity.

이상에서와 같이, 반도체소자 제조를 위한 웨이퍼(1) 노광 공정시 웨이퍼(1) 가장자리에 도포된 포토레지스트를 일정한 폭으로 깨끗이 제거하여 노광 공정의 웨이퍼(1)의 수율을 향상시킬 수 있도록 한 매우 유용한 발명이다.As described above, in order to improve the yield of the wafer 1 in the exposure process by removing the photoresist applied to the edge of the wafer 1 by a predetermined width during the exposure process of the wafer 1 for semiconductor device fabrication, It is a useful invention.

Claims (1)

웨이퍼의 반경 방향으로 이동 가능하게 설치되는 사이드 린스 아암의 일측면 후방에 웨이퍼 반경방향을 따라 나란히 설치되어 제 1, 2 자외선을 조사하는 광섬유와,An optical fiber arranged side by side along a radial direction of the wafer on one side of a side rinse arm movably in the radial direction of the wafer and irradiating the first and second ultraviolet rays, 상기 광섬유를 통해 조사된 자외선을 검출하도록 웨이퍼 가장자리 하부에 각각 설치되는 제 1 광센서 및 제 2 광센서와,A first photosensor and a second photosensor respectively installed under the edge of the wafer to detect ultraviolet rays irradiated through the optical fiber, 상기 광센서에서 각각 검출되는 검출신호에 따라 사이드 린스 아암을 전, 후진시키는 한편 상기 사이드 린스 아암의 분사노즐을 통해 분사되는 세정액의 분사 타이밍을 제어하는 컨트롤러가 구비됨과 더불어,And a controller for controlling the spraying timing of the cleaning liquid sprayed through the spray nozzles of the side rinse arms, 상기 제 1 광센서와 제 2 광센서 사이의 거리는, 웨이퍼의 회전 각속도와 동일한 속도로 이동하는 사이드 린스 아암의 분사노즐이 플랫존의 1/2지점에 이르기까지 이동하는 거리와 일치하도록 한 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조를 위한 노광 공정용 웨이퍼 가장자리 포토레지스트 세정 장치.The distance between the first photosensor and the second photosensor is set so as to coincide with a distance that the injection nozzle of the side rinse arm moving at the same speed as the rotational angular velocity of the wafer moves to a half point of the flat zone Of the wafer edge photoresist cleaner for an exposure process for the manufacture of a semiconductor device.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20010046733A (en) * 1999-11-15 2001-06-15 윤종용 Wafer side rinse apparatus for semiconductor wafer coater
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KR100835514B1 (en) * 2003-12-16 2008-06-04 동부일렉트로닉스 주식회사 Jet Scrubber and Cleaning Method using The Jet Scrubber

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