KR100211638B1 - Method and apparatus for cleaning the semiconductor wafer - Google Patents
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Abstract
본 발명은 브러쉬와 웨이퍼 사이의 갭(Gap)을 항상 일정하게 유지하여 세척성능을 향상시킬 수 있도록 한 반도체 웨이퍼 세정방법 및 그 장치에 관한 것으로, 상기 브러쉬와 웨이퍼 표면과의 갭을 브러쉬의 무게에 의한 접촉력으로 유지시켜 세척하는 것이고, 상기 브러쉬가 고정바에 상, 하 이동이 자유롭게 설치되어 브러쉬의 자중에 의한 접촉력이 웨이퍼 표면에 작용하여 갭이 유지되도록 구성된 것이다.The present invention relates to a semiconductor wafer cleaning method and apparatus for improving cleaning performance by maintaining a constant gap between a brush and a wafer at all times, wherein the gap between the brush and the wafer surface is determined by the weight of the brush. It is maintained by the contact force to wash, the brush is configured to move freely up and down on the fixed bar so that the contact force by the weight of the brush acts on the wafer surface to maintain the gap.
따라서, 브러쉬와 웨이퍼의 접촉력이 브러쉬의 자중에 의해 결정되는 것이므로 접촉력의 설정이 용이하고 별도의 게이지나 특수한 카메라를 사용할 필요가 없어 작업상이 향상되는 것이며, 세척중에도 접촉력이 변화되지 않고 동일한 접촉력이 지속적으로 유지됨으로서 파티클이 한 쪽으로 밀리거나 웨이퍼가 손상되는 것을 방지하여 수율이 향상됨과 동시에 세척효율이 증대되는 효과가 있다.Therefore, the contact force between the brush and the wafer is determined by the self-weight of the brush, which makes it easy to set the contact force and improves operation by eliminating the need for a separate gauge or a special camera. By maintaining it, the particle is prevented from being pushed to one side or the wafer is damaged, thereby improving yield and increasing cleaning efficiency.
Description
제1도는 종래의 반도체 웨이퍼 세척장치를 나타낸 정면도이다.1 is a front view showing a conventional semiconductor wafer cleaning apparatus.
제2(a)(b)도는 종래의 세척장치에 의한 세척 불량상태를 나타낸 정면도이다.Figure 2 (a) (b) is a front view showing a bad state of cleaning by the conventional washing apparatus.
제3도는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세척장치를 일부 절결하여 나타낸 정면도이다.3 is a front view showing a part of the semiconductor wafer cleaning apparatus according to the present invention.
제4도는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세척장치의 동작상태도이다.4 is an operational state diagram of the semiconductor wafer cleaning apparatus according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
2, 12 : 브러쉬 3, 11 : 웨이퍼2, 12: brush 3, 11: wafer
13 : 삽입물 14 : 고정바13: insert 14: fixed bar
12a, 14a : 단턱 15 : 공간부12a, 14a: step 15: space part
본 발명은 반도체 웨이퍼 세척방법 및 그 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 브러쉬와 웨이퍼 사이의 갭(Gap)을 항상 일정하게 유지하여 세척성능을 향상시킬 수 있도록 한 반도체 웨이퍼 세척방법 및 그 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor wafer cleaning method and apparatus, and more particularly, to a semiconductor wafer cleaning method and apparatus for improving cleaning performance by maintaining a constant gap (gap) between the brush and the wafer at all times. will be.
일반적으로 반도체 웨이퍼상에 특정한 막을 형성하는 공정이나 식각공정을 마친 다음에는 웨이퍼의 표면에 파티클이 발생하기 때문에 이를 수시로 제거해야 한다.In general, after the process of forming a specific film on the semiconductor wafer or the etching process, particles are generated on the surface of the wafer, so they must be removed from time to time.
제1도는 상기와 같은 공정후 웨이퍼상의 파티클을 제거하기 위한 종래의 세척장치를 나타낸 것으로, 세척장치는 로봇의 아암(1)에 고정 설치된 브러쉬(2)에 의해 이루어지고, 상기 브러쉬(2)는 웨이퍼(3)의 상부에 위치되어 소정의 접촉력으로 웨이퍼(3) 표면에 밀착되어진다.1 shows a conventional cleaning device for removing particles on a wafer after the process as described above, wherein the cleaning device is made by a brush 2 fixed to the arm 1 of the robot, and the brush 2 is It is located on top of the wafer 3 and is in close contact with the surface of the wafer 3 with a predetermined contact force.
이러한 세척장치의 웨이퍼 세척과정은 웨이퍼(3)를 제위치에서 회전시킴과 동시에 웨이퍼(3)의 표면에 DIW(De-ionized Water; 순수(純水))가 공급되도록 하고, 로봇의 아암(1)이 브러쉬(2)를 화살표로 표시된 바와 같이 수평방향으로 직선 이동시켜 웨이퍼(3)의 중심으로부터 가장자리부까지 왕복이동시킴으로써 수행되어진다.The wafer cleaning process of the cleaning apparatus rotates the wafer 3 in place, and at the same time, DIW (De-ionized Water) is supplied to the surface of the wafer 3, and the robot arm 1 ) Is performed by reciprocating the brush 2 from the center of the wafer 3 to the edge by linearly moving the brush 2 in the horizontal direction as indicated by the arrow.
이때 제2(a)도에 도시된 바와 같이 브러쉬(2)와 웨이퍼(3) 표면의 접촉력은 이들 사이의 갭(a)에 의해 결정되고, 이 갭(a)을 일정하게 유지하는 것은 세척성능과 직결되는 것이다. 예를 들어 이들 사이의 갭(a)을 크게하여 접촉력이 커지게 되면, 웨이퍼(3) 표면에 손상을 주게 되고, 이들 사이의 갭(a)을 작게하여 접촉력이 작아지게 되면, 웨이퍼(3) 표면의 파티클이 완전히 제거되지 않아 세척 성능을 저하시키게 된다.At this time, as shown in FIG. 2 (a), the contact force between the brush 2 and the surface of the wafer 3 is determined by the gap (a) between them, and keeping the gap (a) constant is the cleaning performance. It is directly connected with. For example, when the contact force increases by increasing the gap a between them, the surface of the wafer 3 is damaged, and when the contact force decreases by decreasing the gap a between them, the wafer 3 is reduced. Particles on the surface are not completely removed, which degrades the cleaning performance.
따라서 종래에는 갭(a)의 조절을 위한 방법으로서, 상기 브러쉬(2)의 접촉력을 일정하게 유지시키기 위하여 상기 갭(a)의 크기에 따라 실린더나 작동모터에 의해 승하강하는 로봇의 아암(1)을 미세하게 승하강시키는 방법이 사용되었다. 즉, 실린더나 작동모터에 의해 승하강되는 로봇의 아암(1)이 상기 웨이퍼(3)의 표면에브러쉬(2)를 위치시키면 상기 로봇의 아암(1)이 미세하게 승하강하여 상기 브러쉬(2)가 상기 웨이퍼(3)와 항상 일정한 갭(a)을 유지할 수 있도록 상기 실린더나 작동모터에 제어신호를 인가하여 정밀제어하는 별도의 제어부(도시하지 않음)를 설치하고, 상기 갭(a)의 크기를 감지하는 별도의 센서, 게이지, 특수 카메라 등을 설치하여 작업자가 상기 갭(a)을 육안으로 확인하여 제어부에 설치된 조절노브등을 조작하여 수동으로 갭(a)의 크기를 조절하거나, 또는, 상기 센서가 상기 제어부에 갭(a)의 크기신호를 인가하도록 하여 상기 제어부가 상기 센서에 의해 상기 갭(a)의 크기신호를 인가받아 이를 적정치수와 비교하여 상기 갭(a)의 크기가 너무 크면 상기 실린더나 작동모터를 제어하여 상기 브러쉬(2)가 상기 웨이퍼(3)에 밀착하도록 상기 갭(a)이 적정수치가 될 때까지 상기 로봇의 아암(1)을 하강시키고, 상기 갭(a)의 크기가 너무 작으면 상기 실린더나 작동모터를 제어하여 상기 브러쉬(2)가 상기 웨이퍼(3)로부터 이격되도록 상기 갭(a)이 적정수치가 될 때까지 상기 로봇의 아암을 승강시킴으로써 항상 일정한 갭이 유지되도록 하였다. 그러나, 이처럼 갭(a)을 수동 및 자동으로 정밀하게 조정하여도 웨이퍼(3) 세척시 DIW의 흡수 및 사용 횟수에 따라 갭(a)이 수시로 변경되기 때문에 매순간 갭(a)을 조정해야 하는 번거로움이 있고, 제어부나 센서, 게이지, 특수카메라 등의 설치비가 추가되는 등 많은 문제점이 있었다.Therefore, in the related art, as a method for adjusting the gap (a), in order to maintain a constant contact force of the brush (2), the arm (1) of the robot that is moved up and down by a cylinder or an operating motor according to the size of the gap (a) ), A method of finely raising and lowering was used. That is, when the arm 1 of the robot, which is lifted up or down by a cylinder or an operating motor, places the brush 2 on the surface of the wafer 3, the arm 1 of the robot is raised and lowered finely so that the brush 2 A separate control unit (not shown) for precise control by applying a control signal to the cylinder or the operating motor so as to maintain a constant gap a with the wafer 3 at all times, and the size of the gap a By installing a separate sensor, a gauge, a special camera to detect the operator visually check the gap (a) by operating a control knob installed in the control unit, or manually adjust the size of the gap (a), or The sensor applies the magnitude signal of the gap (a) to the controller so that the controller receives the magnitude signal of the gap (a) by the sensor and compares it with an appropriate dimension so that the size of the gap (a) is too large. If larger, the cylinder or working cap To lower the arm (1) of the robot until the gap (a) is a suitable value so that the brush (2) is in close contact with the wafer (3), the size of the gap (a) is too small In this case, the cylinder or the operating motor was controlled so that the constant gap was always maintained by raising and lowering the arm of the robot until the gap a became an appropriate value so that the brush 2 was separated from the wafer 3. However, even when the gap (a) is precisely adjusted manually and automatically, the gap (a) is frequently changed depending on the number of times the DIW is absorbed and used when cleaning the wafer (3). There is a lot of problems, such as adding the installation cost of the control unit, sensor, gauge, special camera, and the like.
또한 제2(b)도에 도시된 바와 같이 웨이퍼(3)의 수평상태가 정확하지 않아 어느 한 쪽으로 기울어져 브러쉬(2)와 웨이퍼(3) 표면사이에 미세한 각(θ)이 형성되면, 웨이퍼(3)의 가장자리부로 갈수록 갭(a)의 변화가 심해 위치에 따라서 파티클이 몰리게 됨으로써 세척성능이 저하된다.In addition, as shown in FIG. 2 (b), when the horizontal state of the wafer 3 is not accurate, the wafer 3 is inclined to one side and a fine angle θ is formed between the brush 2 and the surface of the wafer 3. The gap (a) changes more severely toward the edge of (3), and the particles are driven by the position, thereby degrading the washing performance.
더욱이 브러쉬(2)가 고정된 아암(1)의 직선 왕복운동시에도 정확하게 수평방향으로 이동하지 못하게 되면, 역시 위치에 따라 브러쉬(2)와 웨이퍼(3) 표면과의 갭(a)이 변화되고, 이로써 웨이퍼(3)에 손상을 주거나 세척이 이루어지지 않게 되는 문제점이 있었다.Furthermore, if the brush 2 does not move correctly horizontally even during the linear reciprocation of the fixed arm 1, the gap a between the brush 2 and the surface of the wafer 3 also changes depending on the position. Thereby, there was a problem that damage to the wafer 3 or cleaning is not made.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은, 브러쉬와 웨이퍼 표면에 일정한 갭을 유지시키는 별도의 장비를 사용하지 않도록 상기 갭을 일정하게 유지할 수 있도록 하여 작업성을 향상시킬 수 있도록 한 반도체 웨이퍼 세척방법 및 그 장치를 제공하는 데 있다.The present invention is to solve the conventional problems as described above, the object is to improve the workability by maintaining the gap constant so as not to use a separate equipment for maintaining a constant gap on the brush and wafer surface. To provide a semiconductor wafer cleaning method and apparatus therefor.
본 발명의 다른 목적은 웨이퍼의 수평상태가 정확하게 유지되지 않거나 브러쉬가 수평방향으로 정확하게 이동하지 않아도 갭의 변화가 없도록 하여 웨이퍼의 손상을 방지함과 동시에 세척 성능을 향상시킬 수 있는 반도체 웨이퍼 세척방법 및 그 장치를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is a semiconductor wafer cleaning method that can improve the cleaning performance and at the same time prevent the damage of the wafer by changing the gap even if the horizontal state of the wafer is not accurately maintained or the brush does not move correctly in the horizontal direction and To provide the device.
상기의 목적은 로봇에 고정된 브러쉬를 웨이퍼 표면과 소정의 접촉력을 갖도록 갭을 유지시키고, 웨이퍼를 회전시킴과 동시에 브러쉬를 수평방향으로 직선이동시켜 웨이퍼를 세척하도록 된 반도체 웨이퍼 세척방법에 있어서, 상기 브러쉬와 웨이퍼 표면과의 갭이 브러쉬의 무게에 의한 접촉력을 유지되어 세척됨을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세척방법에 의해 달성될 수 있다The above object is a semiconductor wafer cleaning method for cleaning a wafer by maintaining a gap in the brush fixed to the robot so as to have a predetermined contact force with the wafer surface, while rotating the wafer and linearly moving the brush in the horizontal direction. The gap between the brush and the wafer surface can be achieved by a semiconductor wafer cleaning method characterized in that the cleaning is maintained while maintaining the contact force by the weight of the brush.
또한 본 발명은 로봇의 고정바에 설치된 브러쉬를 웨이퍼 표면과 소정의 접촉력을 갖도록 갭을 유지시켜 웨이퍼를 세척하도록 된 반도체 웨이퍼 세척장치에 있어서, 상기 브러쉬가 고정바에 상, 하 이동이 자유롭게 설치되어 브러쉬의 자중에 의해 웨이퍼 표면과 접촉력이 작용하여 갭이 유지되도록 구성됨을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세척장치에 의해 달성될 수 있다.In addition, the present invention is a semiconductor wafer cleaning device to clean the wafer by maintaining a gap in the brush is installed on the fixed bar of the robot to have a predetermined contact force with the wafer surface, the brush is freely moved up and down on the fixed bar is installed It can be achieved by the semiconductor wafer cleaning apparatus, characterized in that the contact force is applied to the wafer surface by its own weight so that the gap is maintained.
이때 상기 브러쉬내에 삽입물을 설치하여 브러쉬의 무게 조절을 용이하게 하는 것이 바람직하다.At this time, it is preferable to install the insert in the brush to facilitate the weight control of the brush.
이하, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세척장치를 첨부도면에 의하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, a semiconductor wafer cleaning apparatus according to the present invention will be described in detail with the accompanying drawings.
제3도 및 제4도는 본 발명의 바람직한 일 실시예를 나타낸 것으로, 본 발명의 세척방법은 웨이퍼(11)의 표면과 브러쉬(12) 사이에 일정한 접촉력을 유지시키고 브러쉬(12)를 수평방향으로 직선 왕복운동시킴과 동시에 웨이퍼(11)를 제위치에서 회전시킴으로써 세척이 이루어지게 되며, 브러쉬(12)의 이동거리는 웨이퍼(11)의 중심으로부터 가장자리부까지 왕복하게 되고 세척액으로는 DIW가 웨이퍼(11)상에 공급되어 파티클을 제거하게 된다.3 and 4 show a preferred embodiment of the present invention, in which the cleaning method of the present invention maintains a constant contact force between the surface of the wafer 11 and the brush 12 and moves the brush 12 in a horizontal direction. Cleaning is performed by rotating the wafer 11 in place at the same time as the linear reciprocating motion, and the movement distance of the brush 12 is reciprocated from the center of the wafer 11 to the edge portion, and DIW is transferred to the wafer 11 as the cleaning liquid. To remove particles.
이때 본 발명은 상기 브러쉬(12)와 웨이퍼(11) 표면과의 접촉력이 브러쉬(12)의 자중에 의해 이루어지도록 함으로써 접촉력을 항상 일정하게 유지할 수 있다. 즉 브러쉬(12)의 무게를 가볍게 하면 웨이퍼(11) 표면과의 접촉력이 작아지게 되고 브러쉬(12)의 무게를 무겁게 하면 웨이퍼(11) 표면과의 접촉력이 커지기 때문에 브러쉬(12)의 무게를 설정하는 것에 의해 웨이퍼(11)와의 접촉력을 조절할 수 있게 된다.In this case, the contact force between the brush 12 and the surface of the wafer 11 is made by the weight of the brush 12 so that the contact force can be constantly maintained. In other words, if the weight of the brush 12 is reduced, the contact force with the surface of the wafer 11 is reduced, and if the weight of the brush 12 is heavy, the contact force with the surface of the wafer 11 is increased, so the weight of the brush 12 is set. By doing so, the contact force with the wafer 11 can be adjusted.
상기 브러쉬(12)의 무게조절은 브러쉬(12) 자체의 크기나 밀도를 조절함으로써 이루어질 수 있고, 별도로 이중 재질의 삽입물(13)을 브러쉬(12)내에 설치하여 브러쉬(12)의 크기나 밀도 조절없이 삽입물(13)의 무게를 조절함으로서 브러쉬(12)의 무게를 조절할 수 있다.Weight adjustment of the brush 12 can be made by adjusting the size or density of the brush 12 itself, and separately installed a double material insert 13 in the brush 12 to adjust the size or density of the brush 12 The weight of the brush 12 can be adjusted by adjusting the weight of the insert 13 without.
따라서 웨이퍼(11)의 세척시 표면에 손상을 주지 않도록 함과 동시에 세척효율을 높일 수 있는 접촉력을 유지하는 것이 브러쉬(12)의 무게를 조절하는 것에 의해 간단하게 이루어지고, 접촉력이 브러쉬(12)의 자중에 의해 이루어지게 됨으로써 세척중에도 접촉력이 변화됨이 없이 지속적으로 유지되어 세척효율이 향상되는 것이다.Therefore, to maintain the contact force to prevent damage to the surface during the cleaning of the wafer 11 and at the same time increase the cleaning efficiency is made by simply adjusting the weight of the brush 12, the contact force is the brush 12 By being made by the weight of the chair, the cleaning force is continuously maintained without changing the contact force during cleaning, thereby improving the cleaning efficiency.
또한 상기와 같은 세척방법을 수행하기 위한 세척장치는 제3도 및 제4도에 도시된 바와 같이 로봇의 고정바(14)에 브러쉬(12)를 설치함에 있어 브러쉬(12)의 내부에 공간부(15)를 형성하여 브러쉬(12)가 소정거리 상, 하 이동이 자유롭게 하고, 브러쉬(12)가 고정바(14)에서 이탈되지 않도록 브러쉬(12)의 공간부(15)에 위치한 고정바(14)의 끝단과 브러쉬(12)의 상부에 단턱(12a)(14a)을 각각 형성한다.In addition, the cleaning device for performing the cleaning method as described above is shown in Figures 3 and 4 in the installation of the brush 12 in the fixed bar 14 of the robot space in the interior of the brush 12 A fixing bar (15) is formed in the space (15) of the brush 12 so that the brush 12 is free to move up and down a predetermined distance, and the brush 12 is not separated from the fixing bar 14. Steps 12a and 14a are formed at the ends of the ends 14 and the top of the brush 12, respectively.
그리고 상기 브러쉬(12)의 공간부(15)와 고정바(14)의 단턱(14a)은 단면을 원형으로 하여 세척중 고정바(14)를 중심으로 브러쉬(12)가 회전가능하게 구성할 수 있고, 타원이나 다각형상으로 형성하여 세척중 고정바(14)를 중심으로 브러쉬(12)가 회전하지 못하도록 구성할 수도 있다.In addition, the space part 15 of the brush 12 and the stepped portion 14a of the fixing bar 14 may be configured such that the brush 12 may be rotatable about the fixing bar 14 during cleaning by having a circular cross section. In addition, it may be configured to prevent the brush 12 from rotating around the fixed bar 14 during the cleaning by forming an ellipse or polygonal shape.
상기 브러쉬(12)의 공간부(15)와 고정바(14)의 단턱(14a) 사이의 틈새는 브러쉬(12)가 자유롭게 상, 하 이동가능한 정도로 유지하되, 제4도에 도시된 바와 같이 웨이퍼(11)가 수평을 유지하지 못하여 미세하게 기울어진 경우에도 이에 대응하여 전면에 걸쳐서 접촉될 수 있도록 고정바(14)를 중심으로 어느 정도 기울어질 수 이는 틈새를 갖도록 구성하는 것이 바람직하다.The gap between the space portion 15 of the brush 12 and the stepped portion 14a of the fixing bar 14 is maintained such that the brush 12 can be freely moved up and down, and the wafer as shown in FIG. Even if the angle 11 is inclined finely, it may be inclined to some extent about the fixing bar 14 so as to be in contact with the front surface, which is preferably configured to have a gap.
또한 브러쉬(12)와 웨이퍼(11) 표면의 접촉력은 브러쉬(12)의 자중에 의해 결정되므로 브러쉬(12) 자체의 밀도나 크기를 변경하여 브러쉬(12)의 무게를 조절함으로써 접촉력을 설정할 수 있으며, 이종 재질의 삽입물(13)을 브러쉬(12)내에 설치하고, 이 삽입물(13)의 무게를 조절함으로써 웨이퍼(11) 표면과의 접촉력을 조절할 수 있다.In addition, since the contact force between the brush 12 and the surface of the wafer 11 is determined by the weight of the brush 12, the contact force can be set by adjusting the weight of the brush 12 by changing the density or size of the brush 12 itself. The contact force with the surface of the wafer 11 can be adjusted by installing an insert 13 of different materials in the brush 12 and adjusting the weight of the insert 13.
이러한 본 발명은 웨이퍼(11)의 세척을 위해 로봇이 브러쉬(12)를 웨이퍼(11)상에 위치시키게 되면, 브러쉬(12)는 로봇의 고정바(14)에 상, 하 이동이 자유롭게 설치된 것이므로 자중에 의해 웨이퍼(11)의 표면과 접촉하게 되고, 이때의 접촉력은 브러쉬(12)의 무게에 의해 결정되는 것이므로 접촉력은 항상 일정하게 작용하게 된다.In the present invention, when the robot places the brush 12 on the wafer 11 for cleaning the wafer 11, the brush 12 is freely moved up and down on the fixing bar 14 of the robot. The self-weight is brought into contact with the surface of the wafer 11, and the contact force at this time is determined by the weight of the brush 12, so that the contact force always works constantly.
또한 웨이퍼(11)의 세척시 웨이퍼(11)가 수평방향을 유지하지 못하여 미세한 각(θ)으로 경사지거나 브러쉬(12)가 정확하게 수평이동하지 않는 경우에도 브러쉬(12)가 자중에 의해 고정바(14)를 중심으로 기울어지게 됨으로써 브러쉬(12)의 접촉면 전체가 웨이퍼(11) 표면에 접촉될 수 있는 것이므로 세척중에도 동일한 접촉력을 지속적으로 유지할 수 있는 것이다.In addition, even when the wafer 11 is inclined at a fine angle θ or the brush 12 does not move horizontally correctly when the wafer 11 is not cleaned in the horizontal direction, the brush 12 is fixed by the weight of the fixed bar ( Since the entire contact surface of the brush 12 may be in contact with the surface of the wafer 11 by being inclined about 14, the same contact force may be continuously maintained during cleaning.
이상에서와 같이 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세척방법 및 그 장치에 의하면, 웨이퍼에 대한 상기 브러쉬의 접촉력이 브러쉬의 자중에 의해 항상 일정하게 결정되는 것이므로 접촉력의 설정이 용이하고 별도의 게이지나 특수한 카메라 또는 로봇암의 승하강위치를 정밀제어하는 별도의 제어부를 설치할 필요가 없어 작업성이 향상되고, 제작비가 절감되는 것이다. 또한 세척중에도 접촉력이 변화되지 않고 동일한 접촉력이 지속적으로 유지됨으로써 파티클이 한 쪽으로 밀리거나 웨이퍼가 손상되는 것을 방지하여 수율이 향상됨과 동시에 세척효율이 증대되는 효과가 있다.As described above, according to the semiconductor wafer cleaning method and apparatus according to the present invention, since the contact force of the brush to the wafer is always determined by the weight of the brush, it is easy to set the contact force, and a separate gauge or a special camera or It is not necessary to install a separate control unit for precisely controlling the elevating position of the robot arm, thereby improving workability and reducing manufacturing costs. In addition, the contact force is not changed during cleaning, and the same contact force is continuously maintained, thereby preventing particles from being pushed to one side or damaging the wafer, thereby improving yield and increasing cleaning efficiency.
본 발명은 이상에서 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 사상과 범위내에서 다양한 변형이나 수정이 가능함은 본 발명이 속하는 분야의 당업자에게는 명백한 것이며, 이러한 변형이나 수정이 첨부된 특허 청구범위에 속함은 당연하다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the embodiments described above, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the spirit and scope of the present invention, and such modifications or modifications are included in the appended claims. Belonging is natural.
Claims (7)
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