KR100207587B1 - Electroluminescence element and manufacturing method - Google Patents

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Abstract

전계발광소자를 개시한다. 본 발명의 전계발광소자는 유리 기판의 전면에 형성된 제1 투명전극과, 상기 제1 투명전극 상에 형성된 제1 절연층과, 상기 제1 절연층 상에 형성된 박막형 녹색 형광체 패턴과, 상기 박막형 녹색 형광체 패턴과 이격되어 상기 제1 절연층 상에 형성된 박막형 적색 형광체 패턴과, 상기 박막형 녹색 형광체 패턴과 박막형 적색 형광체 패턴의 전면에 형성된 제2 절연층과, 상기 박막형 녹색 형광체 패턴과 박막형 적색 형광체 패턴에 대응하여 상기 제2 절연층 상에 형성된 제2 투명전극과, 상기 유리기판의 후면에 형성된 제3 투명전극과, 상기 제3 투명전극 상에 형성된 제3 절연층과, 상기 제3 절연층 상에 형성된 후막형 청색 형광체 패턴과, 상기 후막형 청색 형광체 패턴 상에 형성된 하부 전극을 포함한다.An electroluminescent device is disclosed. The electroluminescent device of the present invention comprises a first transparent electrode formed on an entire surface of a glass substrate, a first insulating layer formed on the first transparent electrode, a thin film type green phosphor pattern formed on the first insulating layer, and the thin film type green. A thin film red phosphor pattern formed on the first insulating layer and spaced apart from the phosphor pattern, a second insulating layer formed on the entire surface of the thin film green phosphor pattern and the thin film red phosphor pattern, and the thin green phosphor pattern and the thin film red phosphor pattern. A second transparent electrode formed on the second insulating layer, a third transparent electrode formed on the rear surface of the glass substrate, a third insulating layer formed on the third transparent electrode, and on the third insulating layer. The formed thick film blue phosphor pattern and a lower electrode formed on the thick film blue phosphor pattern are included.

Description

전계발광소자 및 그 제조방법Electroluminescent element and manufacturing method thereof

본 발명은 평판표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 전계발광소자[electroluminescence(EL) device] 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flat panel display device and a manufacturing method thereof, and more particularly to an electroluminescence device (EL) device and a manufacturing method thereof.

어떤 정보를 나타내는 데 사용되는 표시소자로서 열전자방출 및 형광물체의 발광을 이용한 음극선관(CRT), 음극선관의 원리와 유사하지만 전자방출음극이 실선 구조로 되어 있고 전체적인 형태가 주로 평판형으로 되어 있는 형광표시관(VFD), 액정의 전기광학적 특성을 이용한 액정표시소자(LCD), 대전된 양 전극사이에서의 기체 방전 현상을 이용한 플라즈마 표시소자(PDP), 전계발광효과를 이용한 전계발광소자(EL device) 등이 있다. 이러한 표시소자들은 각각의 기능 및 구조적 특성이 상이하므로 사용 목적에 맞게 선택적으로 적용되고 있다.As a display element used to display certain information, it is similar to the principle of cathode ray tube (CRT) and cathode ray tube using hot electron emission and light emission of fluorescent substance, but the electron emission cathode has a solid line structure and the overall shape is mainly flat. Fluorescent display tube (VFD), Liquid crystal display device (LCD) using electro-optical properties of liquid crystal, Plasma display device (PDP) using gas discharge phenomenon between charged both electrodes, Electroluminescent device (EL) using electroluminescent effect device). These display elements are selectively applied according to the purpose of use because their respective functions and structural characteristics are different.

이중에서, 상기 전계발광소자는 소비전력이 적고 충격에 대하여 안정성이 우수하고 내환경특성이 강하여 내환경특성 평가장비 또는 응답속도가 빠른 것을 필요로하는 의료장비 등의 디스플레이 장치에 이용되고 있다. 상기 전계발광소자는 형광체를 바인더와 혼합하여 페이스트 상태로 인쇄한 후막형 전계발광소자와 박막공정을 이용한 박막형 전계발광소자로 대별할 수 있다. 그런데, 상기 후막형 전계발광소자는 고해상도의 적색(R)을 나타내기가 힘들고 상기 박막형 전계발광소자는 고해상도의 청색(B)을 나타내기가 힘든 단점이 있다.Among them, the electroluminescent device has been used in display devices such as low power consumption, excellent stability against impact and strong environmental characteristics, such as environmental characteristics evaluation equipment or medical equipment requiring fast response speed. The electroluminescent device may be roughly classified into a thick film electroluminescent device printed by mixing a phosphor with a binder and a thin film electroluminescent device using a thin film process. However, the thick film type electroluminescent device has a disadvantage in that it is difficult to display a high resolution red (R), and the thin film type electroluminescent device is difficult to display a high resolution blue (B).

따라서, 본 발명의 기술적 과제는 청색(B), 녹색(G) 및 적색(R)을 효과적으로 나타낼 수 있는 전계발광소자를 제공하는 데 있다.Accordingly, the technical problem of the present invention is to provide an electroluminescent device capable of effectively representing blue (B), green (G), and red (R).

또한, 본 발명의 다른 기술적 과제는 상기 전계발광소자를 제조하는 데 적합한 제조방법을 제공하는 데 있다.In addition, another technical problem of the present invention is to provide a manufacturing method suitable for manufacturing the electroluminescent device.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 의한 전계발광소자를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing an electroluminescent device according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 제2 실시예에 의한 전계발광소자를 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing an electroluminescent device according to a second embodiment of the present invention.

도 3 내지 도 8은 도 1에 도시한 본 발명의 전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.3 to 8 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the electroluminescent device of the present invention shown in FIG.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일예에 따른 전계발광소자는 유리 기판의 전면에 형성된 제1 투명전극과, 상기 제1 투명전극 상에 형성된 제1 절연층과, 상기 제1 절연층 상에 형성된 박막형 녹색 형광체 패턴과, 상기 박막형 녹색 형광체 패턴과 이격되어 상기 제1 절연층 상에 형성된 박막형 적색 형광체 패턴과, 상기 박막형 녹색 형광체 패턴과 박막형 적색 형광체 패턴의 전면에 형성된 제2 절연층과, 상기 박막형 녹색 형광체 패턴과 박막형 적색 형광체 패턴에 대응하여 상기 제2 절연층 상에 형성된 제2 투명전극과, 상기 유리기판의 후면에 형성된 제3 투명전극과, 상기 제3 투명전극 상에 형성된 제3 절연층과, 상기 제3 절연층 상에 형성된 후막형 청색 형광체 패턴과, 상기 후막형 청색 형광체 패턴 상에 형성된 하부 전극을 포함한다.In order to achieve the above technical problem, an electroluminescent device according to an embodiment of the present invention, the first transparent electrode formed on the front surface of the glass substrate, the first insulating layer formed on the first transparent electrode, and the first insulating layer A thin film type green phosphor pattern formed on the thin film green phosphor pattern, a thin film type red phosphor pattern formed on the first insulating layer, a second insulating layer formed on the entire surface of the thin film type green phosphor pattern and the thin film type red phosphor pattern; A second transparent electrode formed on the second insulating layer corresponding to the thin film green phosphor pattern and the thin red phosphor pattern, a third transparent electrode formed on the rear surface of the glass substrate, and a third formed on the third transparent electrode And an insulating layer, a thick film blue phosphor pattern formed on the third insulating layer, and a lower electrode formed on the thick film blue phosphor pattern. .

상기 후막형 청색 형광체 패턴은 상기 박막형 녹색 형광체 패턴과 박막형 적색 형광체 패턴에 대응되게 구성하거나 대응하여 중첩되지 않게 구성한다.The thick film type blue phosphor pattern may be configured to correspond to the thin film type green phosphor pattern and the thin film type red phosphor pattern or to not overlap each other.

상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일예에 따른 전계발광소자의 제조방법은 제1 유리 기판 상에 제1 투명전극을 형성하는 단계와, 상기 제1 투명전극 상에 제1 절연층을 형성하는 단계와, 상기 제1 절연층 상에 박막형 녹색 형광체 패턴과 상기 박막형 녹색 형광체 패턴과 이격된 박막형 적색 형광체 패턴을 형성하는 단계와, 상기 박막형 녹색 형광체 패턴 및 박막형 적색 형광체 패턴이 형성된 제1 유리 기판의 전면에 제2 절연층을 형성하는 단계와, 상기 박막형 녹색 형광체 패턴 및 박막형 적색 형광체 패턴에 대응되게 상기 제2 절연층 상에 제2 투명전극을 형성하는 단계와, 제2 유리 기판 상에 제3 투명전극을 형성하는 단계와, 상기 제3 투명전극 상에 제3 절연층을 형성하는 단계와, 상기 제3 절연층 상에 후막형 청색 형광체 패턴을 형성하는 단계와, 상기 후막형 청색 형광체 패턴 상에 하부 전극을 형성하는 단계와, 상기 제1 유리기판 및 제2 유리기판을 접합하는 단계를 포함한다.In order to achieve the above technical problem, a method of manufacturing an electroluminescent device according to an embodiment of the present invention comprises the steps of forming a first transparent electrode on a first glass substrate, and a first insulating layer on the first transparent electrode Forming a thin film green phosphor pattern and a thin film red phosphor pattern spaced apart from the thin film green phosphor pattern on the first insulating layer, and forming the thin film green phosphor pattern and the thin film red phosphor pattern Forming a second insulating layer on the front surface of the substrate, forming a second transparent electrode on the second insulating layer to correspond to the thin film green phosphor pattern and the thin film red phosphor pattern, and forming a second transparent electrode on the second glass substrate. Forming a third transparent electrode, forming a third insulating layer on the third transparent electrode, and forming a thick blue phosphor pattern on the third insulating layer. And a step that generates, a step of forming the lower electrode on the thick film pattern and a blue phosphor, the method comprising: bonding the first glass substrate and the second glass substrate.

상기 후막형 청색 형광체 패턴은 상기 박막형 녹색 형광체 패턴과 박막형 적색 형광체 패턴에 대응되게 형성할 수 있다. 또한, 상기 후막형 청색 형광체 패턴은 상기 박막형 녹색 형광체 패턴과 박막형 적색 형광체 패턴에 대응하여 중첩되지 않게 형성할 수 도 있다.The thick film type blue phosphor pattern may be formed to correspond to the thin film type green phosphor pattern and the thin film type red phosphor pattern. The thick film blue phosphor pattern may be formed so as not to overlap the thin film green phosphor pattern and the thin film red phosphor pattern.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1는 본 발명의 제1 실시예에 의한 전계발광소자를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing an electroluminescent device according to a first embodiment of the present invention.

구체적으로, 본 발명의 전계발광소자는 크게 유리기판(100)의 전면에 형성된 박막형 전계발광부(A)와 유리기판의 후면에 형성된 후막형 전계발광부(B)로 구성되어 있다. 상기 박막형 전계발광부(A)는 유리기판(100)의 전면에 제1 투명전극(102), 예컨대 ITO(Indium Tin Oxide)이 형성되어 있고, 상기 제1 투명전극(102) 상에 고유전특성을 갖는 막, 예컨대 Y2O3막으로 제1 절연층(104)이 형성되어 있다. 상기 제1 절연층(104) 상에 박막형 녹색 형광체 패턴(G:106)과 박막형 적색 형광체 패턴(R:108)이 형성되어 있다. 본 실시예에서 상기 박막형 녹색 형광체 패턴(106)은 발광 모체가 ZnS이고 발광중심이 Tb 인 ZnS:Tb로 구성하며, 상기 박막형 적색 형광체 패턴(108)은 발광모체가 CaS이며 발광중심이 Eu인 CaS:Eu로 구성한다. 그리고 상기 박막형 녹색 형광체 패턴(106) 및 박막형 적색 형광체 패턴(108)을 덮도록 제2 절연층(110), 예컨대 Y2O3막이 형성되어 있다. 또한, 상기 박막형 녹색 형광체 패턴(106) 및 박막형 적색 형광체 패턴(108)에 대응되게 상기 제2 절연층(110) 상에 제2 투명전극(112), 예컨대 ITO전극이 형성되어 있다.Specifically, the electroluminescent device of the present invention is composed of a thin film type electroluminescent part A formed on the front surface of the glass substrate 100 and a thick film type electroluminescent part B formed on the rear surface of the glass substrate. The thin film type electroluminescent unit A has a first transparent electrode 102, for example, indium tin oxide (ITO), formed on the entire surface of the glass substrate 100, and has high dielectric properties on the first transparent electrode 102. The first insulating layer 104 is formed of a film having, for example, a Y 2 O 3 film. A thin film green phosphor pattern G: 106 and a thin film red phosphor pattern R 108 are formed on the first insulating layer 104. In the present embodiment, the thin-film green phosphor pattern 106 is composed of ZnS: Tb having a light emitting matrix of ZnS and the emission center is Tb, and the thin-film red phosphor pattern 108 is a CaS having a light emitting matrix of CaS and an emission center of Eu. It consists of: Eu. A second insulating layer 110, for example, a Y 2 O 3 film, is formed to cover the thin film green phosphor pattern 106 and the thin film red phosphor pattern 108. In addition, a second transparent electrode 112, for example, an ITO electrode, is formed on the second insulating layer 110 to correspond to the thin-film green phosphor pattern 106 and the thin-film red phosphor pattern 108.

한편, 상기 후막형 전계발광부(B)는 유리기판(100)의 배면에 제3 투명전극(114), 예컨대 ITO전극이 형성되어 있고 상기 제3 투명전극(114) 상에 제3 절연층(116)이 형성되어 있다. 상기 제3 절연층(116)은 고유전특성을 갖는 막, 예컨대 BaTiO3막으로 구성한다. 그리고, 상기 제3 절연층(116) 상에 상기 박막형 녹색 형광체 패턴(106) 및 박막형 적색 형광체 패턴(108)에 대응되게 후막형 청색 형광체 패턴(B:118)이 형성되어 있다. 상기 후막형 청색 형광체 패턴(118)은 발광모체가 ZnS이며 발광중심이 Cu인 ZnS:Cu로 구성한다. 상기 후막형 청색 형광체 패턴(118)은 위와 동일 재료를 사용하면 박막형으로도 구성할 수 있다.Meanwhile, in the thick film type electroluminescent part B, a third transparent electrode 114, for example, an ITO electrode, is formed on the rear surface of the glass substrate 100, and a third insulating layer on the third transparent electrode 114 is formed. 116 is formed. The third insulating layer 116 is composed of a film having high dielectric properties, for example, a BaTiO 3 film. A thick film blue phosphor pattern B 118 is formed on the third insulating layer 116 to correspond to the thin film green phosphor pattern 106 and the thin film red phosphor pattern 108. The thick film-type blue phosphor pattern 118 is composed of ZnS: Cu having a light emitting matrix of ZnS and a light emitting center of Cu. The thick film type blue phosphor pattern 118 may be configured as a thin film type by using the same material as above.

또한, 상기 후막형 청색 형광체 패턴(118) 상에 하부 전극(120), 예컨대 ITO막 또는 Al막이 형성되어 있다. 따라서, 본 발명의 전계발광소자는 상기 박막형 전계발광부(A)를 이용하여 녹색과 적색을 구현하고 상기 후막형 전계발광부(B))를 이용하여 청색을 구현한다.In addition, a lower electrode 120, for example, an ITO film or an Al film, is formed on the thick film blue phosphor pattern 118. Therefore, the electroluminescent device of the present invention implements green and red using the thin film type electroluminescent unit A and implements blue using the thick film type electroluminescent unit B).

도 2는 본 발명의 제2 실시예에 의한 전계발광소자를 도시한 단면도이다. 도 2에서, 도 1과 동일한 참조번호는 동일한 부재를 나타낸다.2 is a cross-sectional view showing an electroluminescent device according to a second embodiment of the present invention. In Fig. 2, the same reference numerals as in Fig. 1 denote the same members.

구체적으로, 본 발명의 제2 실시예에 의한 전계발광소자도 상기 제1 실시예와 마찬가지로 크게 유리기판(100)의 전면에 형성된 박막형 전계발광부(A)와 유리기판(100)의 후면에 형성된 후막형 전계발광부(B)로 구성되어 있다. 그런데, 상기 제2 실시예에 의한 전계발광소자는 상기 후막형 전계발광부(B)에 형성되는 후막형 청색 형광체 패턴(122)이 상기 제1 실시예와는 다르게 박막형 녹색 형광체 패턴(106) 및 박막형 적색 형광체 패턴(108)과 중첩(대응)되지 않게 형성되어 있다. 또한, 상기 후막형 청색 형광체 패턴(122) 상에 하부전극(124)이 형성되어 있다. 따라서, 상기 제2 실시예에 의한 전계발광소자는 제1 실시예와는 동일하게 상기 박막형 전계발광부(A)를 이용하여 녹색과 적색을 구현하고 상기 후막형 전계발광부(B)를 이용하여 청색을 구현한다.Specifically, the electroluminescent device according to the second embodiment of the present invention is also formed on the rear surface of the thin film type electroluminescent unit A and the glass substrate 100 formed on the front surface of the glass substrate 100 as in the first embodiment. It consists of a thick film type electroluminescent part (B). However, in the electroluminescent device according to the second embodiment, the thick film type blue phosphor pattern 122 formed in the thick film type electroluminescent part B is different from the first embodiment in the thin film type green phosphor pattern 106 and It is formed so as not to overlap (correspond to) the thin film type red phosphor pattern 108. In addition, a lower electrode 124 is formed on the thick film type blue phosphor pattern 122. Accordingly, the electroluminescent device according to the second embodiment implements green and red colors using the thin film type electroluminescent unit A and the thick film type electroluminescent unit B, similarly to the first embodiment. Implement blue.

도 3 내지 도 8은 도 1에 도시한 본 발명의 전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다. 도 3 내지 도 6은 도 1에 도시한 박막형 전계발광부의 제조방법을 설명하기 위하여 도시한 것이고, 도 7 및 도 8은 도 1에 도시한 후막형 전계발광부의 제조방법을 설명하기 위하여 도시한 것이다. 먼저, 박막형 전계발광부의 제조방법을 설명한다.3 to 8 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the electroluminescent device of the present invention shown in FIG. 3 to 6 are views for explaining the manufacturing method of the thin film type electroluminescent unit shown in FIG. 1, and FIGS. 7 and 8 are for explaining the manufacturing method of the thick film type electroluminescent unit shown in FIG. It is. First, the manufacturing method of a thin film type electroluminescent part is demonstrated.

도 3을 참조하면, 제1 유리 기판(100) 상에 제1 투명전극(102), 예컨대 ITO 전극을 형성한다. 이어서, 상기 제1 투명전극(102) 상에 제1 절연층(104)을 고유전특성을 갖는 막, 예컨대 Y2O3막으로 형성한다. 이때, 상기 제1 유리 기판(100) 상에 투명전극(102)을 형성하는 대신, 제1 투명전극(102)이 형성된 유리기판을 사용할 수도 있다.Referring to FIG. 3, a first transparent electrode 102, for example, an ITO electrode, is formed on the first glass substrate 100. Subsequently, the first insulating layer 104 is formed on the first transparent electrode 102 as a film having a high dielectric property, for example, a Y 2 O 3 film. In this case, instead of forming the transparent electrode 102 on the first glass substrate 100, a glass substrate on which the first transparent electrode 102 is formed may be used.

도 4를 참조하면, 상기 제1 절연층 상에 박막형 녹색 형광체 패턴(106)을 형성한다. 상기 박막형 녹색 형광체 패턴(106)은 발광 모체가 ZnS이고 발광중심이 Tb 인 ZnS:Tb로 이루어진 발광층을 증착한 후 패터닝하여 형성한다.Referring to FIG. 4, a thin green phosphor pattern 106 is formed on the first insulating layer. The thin-film green phosphor pattern 106 is formed by depositing and patterning a light emitting layer made of ZnS: Tb having a light emitting matrix of ZnS and a light emitting center of Tb.

도 5를 참조하면, 상기 박막형 녹색 형광체 패턴(106)이 형성된 제1 유리 기판(100)의 전면에 발광모체가 CaS이며 발광중심이 Eu인 CaS:Eu로 이루어진 발광층을 형성한 후 패터닝하여 박막형 적색 형광체 패턴(108)을 형성한다. 상기 박막형 적색 형광체 패턴(108)은 상기 박막형 녹색 형광체 패턴(106)과 소정거리 이격되게 형성한다.Referring to FIG. 5, a light emitting layer including CaS: Eu having a light emitting matrix of CaS and an emission center of Eu is formed on the entire surface of the first glass substrate 100 on which the thin film green phosphor pattern 106 is formed, and patterned to form a thin film red. The phosphor pattern 108 is formed. The thin film red phosphor pattern 108 is formed to be spaced apart from the thin film green phosphor pattern 106 by a predetermined distance.

본 실시예에서는 상기 박막형 녹색 형광체 패턴(106)을 형성한 후 박막형 적색 형광체 패턴(108)을 형성하였으나, 박막형 적색 형광체 패턴(108)을 형성한 후 박막형 녹색 형광체 패턴(106)을 형성할 수 도 있다.In the present exemplary embodiment, the thin-film green phosphor pattern 106 is formed and then the thin-film red phosphor pattern 108 is formed, but after the thin-film red phosphor pattern 108 is formed, the thin-film green phosphor pattern 106 may be formed. have.

도 6을 참조하면, 상기 박막형 녹색 형광체 패턴(106) 및 박막형 적색 형광체 패턴(108)이 형성된 유리 기판(100)의 전면에 고유전특성을 갖는 막, 예컨대 Y2O3막으로 제2 절연층(110)을 형성한다. 이어서, 상기 박막형 녹색 형광체 패턴(106) 및 박막형 적색 형광체 패턴(108)에 대응되게 상기 제2 절연층(110) 상에 제2 투명전극(112)을 ITO막으로 형성한다.Referring to FIG. 6, a second insulating layer is formed of a film having high dielectric properties on the entire surface of the glass substrate 100 on which the thin green phosphor pattern 106 and the thin red phosphor pattern 108 are formed, for example, a Y 2 O 3 film. Form 110. Subsequently, a second transparent electrode 112 is formed on the second insulating layer 110 as an ITO film so as to correspond to the thin film green phosphor pattern 106 and the thin film red phosphor pattern 108.

다음에, 후막형 전계발광부의 제조방법을 설명한다.Next, the manufacturing method of a thick film type electroluminescent part is demonstrated.

도 7을 참조하면, 제2 유리 기판(100a) 상에 제3 투명전극(114), 예컨대 ITO 전극을 형성한다. 이어서, 상기 제3 투명전극(114) 상에 제3 절연층(116)을 고유전특성을 갖는 막, 예컨대 BaTiO3막으로 형성한다. 이때, 상기 제2 유리 기판(100a) 상에 제3 투명전극(114)을 형성하는 대신, 제1 투명전극(114)이 형성된 유리기판을 사용할 수도 있다.Referring to FIG. 7, a third transparent electrode 114, for example, an ITO electrode, is formed on the second glass substrate 100a. Subsequently, a third insulating layer 116 is formed on the third transparent electrode 114 with a film having a high dielectric property, for example, a BaTiO 3 film. In this case, instead of forming the third transparent electrode 114 on the second glass substrate 100a, a glass substrate on which the first transparent electrode 114 is formed may be used.

도 8를 참조하면, 상기 제3 절연층(116) 상에 상기 박막형 전계발광부의 박막형 녹색 형광체 패턴(106) 및 박막형 적색 형광체 패턴(108)에 대응되게 후막형 청색 형광체 패턴(118)을 형성한다. 상기 후막형 청색 형광체 패턴(118)은 발광 모체가 ZnS이고 발광중심이 Cu 인 ZnS:Cu로 이루어진 발광층을 증착한 후 패터닝하여 형성한다. 상기 후막형 청색 형광체 패턴(118)은 위와 동일 재료를 사용하면 박막형으로 형성할 수 도 있다. 이어서, 상기 후막형 청색 형광체 패턴(118) 상에 하부 전극(120), 예컨대 ITO막 또는 Al막으로 형성한다. 이상과 같이 형성된 박막형 전계발광부와 후막형 전계발광부가 형성된 제1 유리기판(100) 및 제2 유리기판(100a)를 접합하여 본 발명의 전계발광소자를 완성한다.Referring to FIG. 8, a thick film type blue phosphor pattern 118 is formed on the third insulating layer 116 to correspond to the thin film type green phosphor pattern 106 and the thin film type red phosphor pattern 108. do. The thick film type blue phosphor pattern 118 is formed by depositing and patterning a light emitting layer made of ZnS: Cu having a light emitting matrix of ZnS and a light emitting center of Cu. The thick film blue phosphor pattern 118 may be formed into a thin film by using the same material as above. Subsequently, a lower electrode 120, for example, an ITO film or an Al film, is formed on the thick film blue phosphor pattern 118. The first glass substrate 100 and the second glass substrate 100a on which the thin film type electroluminescent part and the thick film type electroluminescent part formed as described above are bonded are completed to complete the electroluminescent device of the present invention.

본 발명이 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 기술적 사상내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진자에 의하여 가능함은 명백하다.The present invention is not limited to the above embodiments, and it is apparent that many modifications are possible by those skilled in the art within the technical idea of the present invention.

상술한 바와 같이 본 발명의 전계발광소자는 유리기판의 전면에 박막형 녹색 형광체 패턴 및 박막형 적색 형광체 패턴을 구비하는 박막형 전계발광부가 형성되어 있고 유리기판의 후면에 후막형 청색 형광체 패턴을 구비하는 후막형 전계발광부가 형성되어 있다. 따라서, 상기 박막형 전계발광부를 이용하여 녹색과 적색을 구현하고 상기 후막형 전계발광부를 이용하여 청색을 구현할 수 있다.As described above, in the electroluminescent device of the present invention, a thin film type electroluminescent part having a thin film type green phosphor pattern and a thin film type red phosphor pattern is formed on a front surface of a glass substrate, and a thick film type having a thick film type blue phosphor pattern on a rear surface of the glass substrate. An electroluminescent unit is formed. Therefore, green and red colors may be implemented using the thin film type electroluminescent unit, and blue may be implemented using the thick film type electroluminescent unit.

Claims (11)

유리 기판의 전면에 형성된 제1 투명전극;A first transparent electrode formed on the front surface of the glass substrate; 상기 제1 투명전극 상에 형성된 제1 절연층;A first insulating layer formed on the first transparent electrode; 상기 제1 절연층 상에 형성된 박막형 녹색 형광체 패턴;A thin film green phosphor pattern formed on the first insulating layer; 상기 박막형 녹색 형광체 패턴과 이격되어 상기 제1 절연층 상에 형성된 박막형 적색 형광체 패턴;A thin film type red phosphor pattern formed on the first insulating layer to be spaced apart from the thin film type green phosphor pattern; 상기 박막형 녹색 형광체 패턴과 박막형 적색 형광체 패턴의 전면에 형성된 제2 절연층;A second insulating layer formed on an entire surface of the thin film green phosphor pattern and the thin film red phosphor pattern; 상기 박막형 녹색 형광체 패턴과 박막형 적색 형광체 패턴에 대응하여 상기 제2 절연층 상에 형성된 제2 투명전극;A second transparent electrode formed on the second insulating layer corresponding to the thin film green phosphor pattern and the thin film red phosphor pattern; 상기 유리기판의 후면에 형성된 제3 투명전극;A third transparent electrode formed on a rear surface of the glass substrate; 상기 제3 투명전극 상에 형성된 제3 절연층;A third insulating layer formed on the third transparent electrode; 상기 제3 절연층 상에 형성된 후막형 청색 형광체 패턴; 및A thick film blue phosphor pattern formed on the third insulating layer; And 상기 후막형 청색 형광체 패턴 상에 형성된 하부 전극을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.And a lower electrode formed on the thick film type blue phosphor pattern. 제1항에 있어서, 상기 후막형 청색 형광체 패턴은 상기 박막형 녹색 형광체 패턴과 박막형 적색 형광체 패턴에 대응되게 구성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.The electroluminescent device according to claim 1, wherein the thick film blue phosphor pattern is configured to correspond to the thin film green phosphor pattern and the thin film red phosphor pattern. 제1항에 있어서, 상기 후막형 청색 형광체 패턴은 상기 박막형 녹색 형광체 패턴과 박막형 적색 형광체 패턴에 대응하여 중첩되지 않게 구성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.The electroluminescent device according to claim 1, wherein the thick film blue phosphor pattern is configured not to overlap the thin film green phosphor pattern and the thin film red phosphor pattern. 제1항에 있어서, 상기 박막형 녹색 형광체 패턴은 ZnS:Tb로 구성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.The electroluminescent device according to claim 1, wherein the thin film green phosphor pattern comprises ZnS: Tb. 제1항에 있어서, 상기 박막형 적색 형광체 패턴은 CaS:Eu로 구성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.The electroluminescent device according to claim 1, wherein the thin-film red phosphor pattern comprises CaS: Eu. 제1항에 있어서, 상기 후막형 청색 형광체 패턴은 ZnS:Cu로 구성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.The electroluminescent device according to claim 1, wherein the thick film-type blue phosphor pattern comprises ZnS: Cu. 제1항에 있어서, 상기 제1 절연층과 및 제2 절연층은 Y2O3막으로 구성되고, 제3 절연층은 BaTiO3막으로으로 구성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.The electroluminescent device according to claim 1, wherein the first insulating layer and the second insulating layer are composed of a Y 2 O 3 film, and the third insulating layer is composed of a BaTiO 3 film. 제1항에 있어서, 상기 제1 투명전극, 제2 투명전극 및 제3 투명전극은 ITO(indium Tin Oxide)막으로 구성하고, 상기 하부전극은 ITO막 또는 Al막으로 구성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.The electric field of claim 1, wherein the first transparent electrode, the second transparent electrode, and the third transparent electrode are made of an indium tin oxide (ITO) film, and the lower electrode is made of an ITO film or an Al film. Light emitting element. 제1 유리 기판 상에 제1 투명전극을 형성하는 단계;Forming a first transparent electrode on the first glass substrate; 상기 제1 투명전극 상에 제1 절연층을 형성하는 단계;Forming a first insulating layer on the first transparent electrode; 상기 제1 절연층 상에 박막형 녹색 형광체 패턴과 상기 박막형 녹색 형광체 패턴과 이격된 박막형 적색 형광체 패턴을 형성하는 단계;Forming a thin film type green phosphor pattern and a thin film type red phosphor pattern spaced apart from the thin film type green phosphor pattern on the first insulating layer; 상기 박막형 녹색 형광체 패턴 및 박막형 적색 형광체 패턴이 형성된 제1 유리 기판의 전면에 제2 절연층을 형성하는 단계;Forming a second insulating layer on an entire surface of the first glass substrate on which the thin film type green phosphor pattern and the thin film type red phosphor pattern are formed; 상기 박막형 녹색 형광체 패턴 및 박막형 적색 형광체 패턴에 대응되게 상기 제2 절연층 상에 제2 투명전극을 형성하는 단계;Forming a second transparent electrode on the second insulating layer to correspond to the thin film type green phosphor pattern and the thin film type red phosphor pattern; 제2 유리 기판 상에 제3 투명전극을 형성하는 단계;Forming a third transparent electrode on the second glass substrate; 상기 제3 투명전극 상에 제3 절연층을 형성하는 단계;Forming a third insulating layer on the third transparent electrode; 상기 제3 절연층 상에 후막형 청색 형광체 패턴을 형성하는 단계;Forming a thick film type blue phosphor pattern on the third insulating layer; 상기 후막형 청색 형광체 패턴 상에 하부 전극을 형성하는 단계; 및Forming a lower electrode on the thick film type blue phosphor pattern; And 상기 제1 유리기판 및 제2 유리기판을 접합하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.A method of manufacturing an electroluminescent device comprising the step of bonding the first glass substrate and the second glass substrate. 제9항에 있어서, 상기 후막형 청색 형광체 패턴은 상기 박막형 녹색 형광체 패턴과 박막형 적색 형광체 패턴에 대응되게 형성하는 것을 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.10. The method of claim 9, wherein the thick film blue phosphor pattern is formed to correspond to the thin film green phosphor pattern and the thin film red phosphor pattern. 제9항에 있어서, 상기 후막형 청색 형광체 패턴은 상기 박막형 녹색 형광체 패턴과 박막형 적색 형광체 패턴에 대응하여 중첩되지 않게 형성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.10. The method of claim 9, wherein the thick film blue phosphor pattern is formed so as not to overlap the thin film green phosphor pattern and the thin film red phosphor pattern.
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