KR100205518B1 - Exposed light device and exposed light method - Google Patents
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Abstract
본 발명은 노광장치 및 노광방법에 관한 것으로서 투명한 유리로 이루어진 기판의 상부에 도포된 감광막을 배면노광하는 노광장치는 집속성 및 방향성을 갖는 광을 발생하는 광원과, 상기 광원에서 발생된 광의 손실을 방지하고 분산시키며 조도의 균일도를 향상시켜 기판의 하부로 조사하여 상부의 감광막을 배면노광하는 광학계와, 상기 기판의 하부로부터 조사되어 감광막을 노광시킨 후 투과되는 광을 감지하는 광센서와, 상기 광학계를 통과한 광이 상기 기판에 조사 또는 차단되게 제어하는 셔터와, 상기 기판 상에 도포된 감광막이 노광에 필요한 광량이 설정되면 상기 셔터가 '온'된 후에 상기 광센서에서 감지되는 광의 양을 적산하여 상기 설정된 광량과 적산된 광량을 비교하는 광량적산기와, 상기 광량적산기에서 적산된 광량이 설정된 광량과 일치되면 '온'상태의 셔터를 '오프'시키는 셔터조절기를 포함한다. 따라서, 기판을 투과하는 광을 감지하고 적산함으로 감광막에 조사되는 광량을 일정하게 할 수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus and an exposure method, and more particularly, to an exposure apparatus for exposing a photoresist layer coated on a transparent glass substrate to light, a light source for generating light having a concentrated property and directionality, An optical system for irradiating a lower portion of the substrate with a back surface light so as to expose the upper surface of the photoresist film; an optical sensor for sensing light transmitted through the lower portion of the substrate after exposing the photoresist film; The amount of light detected by the photosensor after the shutter is turned on is accumulated when a light amount required for exposure of the photosensitive film applied on the substrate is set, A light amount integrator for comparing the set light amount with the accumulated light amount, Quot; off " the shutter of the " on " state. Therefore, by sensing and integrating the light transmitted through the substrate, the amount of light irradiated on the photosensitive film can be made constant.
Description
제1도는 종래 기술에 따른 노광장치의 개략도.FIG. 1 is a schematic view of an exposure apparatus according to the prior art; FIG.
제2도는 제1도의 노광장치를 이용한 노광방법을 나타내는 흐름도.FIG. 2 is a flow chart showing an exposure method using the exposure apparatus of FIG. 1;
제3도는 본 발명에 따른 노광장치의 개략도.FIG. 3 is a schematic view of an exposure apparatus according to the present invention. FIG.
제4도는 제3도의 노광장치를 이용한 노광방법을 나타내는 흐름도.4 is a flow chart showing an exposure method using an exposure apparatus of FIG. 3;
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS
31 : 노광장치 33 : 광원31: Exposure device 33: Light source
35, 39 : 제1 및 2 평면거울 37 : 광학계35, 39: first and second plane mirrors 37: optical system
41 : 기판 43 : 광센서41: substrate 43: light sensor
45 : 광량적산기 47 : 셔터조절기45: light amount integrator 47: shutter adjuster
49 ; 셔터49; shutter
본 발명은 노광장치 및 노광방법에 관한 것으로서, 특히, 박막트랜지스터의 제조 공정에서 배면 노광시 감광막을 투과하는 광의 량을 감지하여 기판을 투과하여 감광막에 도달하는 노광량을 정확하게 조절함으로써 양호한 감광막 패턴을 얻을 수 있는 노광장치 및 노광방법에 관한 것이다.The present invention relates to an exposure apparatus and an exposure method, and more particularly, to a method of manufacturing a thin film transistor, in which a good photosensitive film pattern is obtained by detecting the amount of light transmitted through a photoresist film upon back exposure, To an exposure apparatus and an exposure method.
일반적으로 액정표시장치의 박막 트랜지스터에 있어서 반도체층으로 비정질실리콘을 사용하는 스테거(stagger)형 구조는 게이트가 소오스 및 드레인전극의 하부에 있는 역 스테거형과 상부에 있는 스테거형으로 구별된다. 상기 역 스테거형은 성막시 비정질실리콘에 대한 플라즈마 손상이 작고 전자의 이동도가 스테거형 보다 크다.In general, a staggered structure in which amorphous silicon is used as a semiconductor layer in a thin film transistor of a liquid crystal display device is distinguished by an inverted staggered type in a lower portion of the source and drain electrodes and a staggered type in the upper portion. The inverse stagger type has a smaller plasma damage to amorphous silicon and a higher electron mobility than a stagger type at the time of film formation.
상기 역 스테거형 박막트랜지스터는 소오스 및 드레인전극 형성시 채널로 이용되는 반도체층이 식각되는 것을 방지하기 위해 게이트 상부에 식각방지막을 형성한다. 상기 식각방지막은 하부에 형성된 게이트를 마스크로 사용하여 배면 노광함으로써 형성되는데, 게이트 전극과 드레인전극 사이의 캐패시턴스를 일정하게 하기 위해서는 중첩되는 부분이 일정하여야 한다. 상기에서 게이트전극과 드레인전극의 중첩되는 부분이 일정하지 않아 캐패시턴스가 변하게 되면 화질이 저하됨으로 배면 노광시 감광막의 노광량을 일정하게 조정하여야 한다.In the inverse stagger type thin film transistor, an etch stop layer is formed on the gate to prevent the semiconductor layer used as a channel when the source and drain electrodes are formed from being etched. The etch stopping layer is formed by back-side exposure using a gate formed at the bottom as a mask. In order to make the capacitance between the gate electrode and the drain electrode uniform, the overlapping portion must be constant. In this case, since the overlapping portion of the gate electrode and the drain electrode is not constant, the quality of the image is deteriorated when the capacitance is changed, so that the exposure amount of the photoresist layer must be adjusted to be constant at the time of backside exposure.
제1도는 종래 기술에 따른 노광장치(11)의 개략도 이다.1 is a schematic view of an exposure apparatus 11 according to the prior art.
종래 기술에 따른 투명한 유리로 이루어지며 상부에 감광막(도시되지 않음)이 도포된 기판(21)의 하부로 광을 조사하여 노광시키는 노광장치(11)는 광원(13), 제1 및 제2 및 평면거울(15)(19), 광학계(17), 기판(21), 광센서(23), 시간설정타이머(25), 셔터제어기(27) 및 셔터(29)를 포함한다.An exposure apparatus 11 for irradiating light to a lower portion of a substrate 21 made of transparent glass according to the related art and coated with a photoresist (not shown) on the top thereof exposes the light source 13, the first, And includes a flat mirror 15 (19), an optical system 17, a substrate 21, an optical sensor 23, a time setting timer 25, a shutter controller 27 and a shutter 29.
상기 광원(13)은 집속성 및 방향성을 갖는 광을 발생한다.The light source 13 generates light having a concentrated property and directionality.
제1 평면거울(15)은 광원(13)에서 발생된 광이 광학계(17)로 입사 되도록 방향을 바꾸어 준다.The first plane mirror 15 changes direction so that light generated in the light source 13 is incident on the optical system 17.
광학계(17)는 입사되는 광의 손실을 방지하는 집광렌즈(condenserlens)와 광의 조도의 균일도를 향상시키기 위해 광을 고르게 분산시키는 파리의 눈(Fly's Eye) 렌즈 등으로 구성된다.The optical system 17 includes a condenser lens for preventing loss of incident light and a fly's eye lens for evenly dispersing the light to improve the uniformity of light intensity.
제2 평면거울(19)은 상기 광학계(17)를 통과한 광이 기판(21)으로 입사되도록 방향을 바꾸어 준다.The second plane mirror 19 changes the direction so that the light having passed through the optical system 17 is incident on the substrate 21.
광센서(23)는 상기 기판(21)에 입사되는 광의 단위 면적당 조도를 측정하여 광량을 검출한다.The light sensor 23 measures the illuminance per unit area of the light incident on the substrate 21 and detects the light amount.
셔터(29)는 '온(on)' 또는 '오프(off)'되어 광이 기판(21)에 조사되게 하거나 또는 조사되는 것을 차단한다.The shutter 29 is turned 'on' or 'off' to block light from being irradiated or irradiated to the substrate 21.
시간설정타이머(25)는 기판(21)의 필요한 노광량을 설정하면 상기 광센서(23)에 의해 검출된 조도에 따라 소정의 노광시간이 설정된다.The time setting timer 25 sets a predetermined exposure time in accordance with the illuminance detected by the photosensor 23 when the necessary exposure amount of the substrate 21 is set.
셔터조정기(27)는 시간설정타이머(25)의 의해 상기 셔터(29)를 '온' 되거나 또는 '오프' 되도록 제어한다.The shutter adjuster 27 controls the shutter 29 to be turned 'on' or 'off' by the time setting timer 25.
제2도는 제1도의 노광장치(11)를 이용한 노광방법을 나타내는 흐름도이다. 제2도를 참조하여 제1도에 도시된 노광장치(11)를 이용한 노광방법을 설명한다.FIG. 2 is a flow chart showing an exposure method using the exposure apparatus 11 of FIG. An exposure method using the exposure apparatus 11 shown in FIG. 1 will be described with reference to FIG.
기판(21) 상에 배면 노광에 의해 감광막을 노광하여 패턴을 형성하는 데 필요한 노광량(A1)을 설정한다. 이 노광량은 실험에 의해 얻어진다. 그리고, 광원(13)에서 발생되어 제1 평면거울(15), 광학계(17) 및 제2 평면거울(19)을 통해 기판(21)에 도달하는 광의 조도(luminous intensity : I1)를 광센서(23)에서 감지한다(S11).The exposure amount A1 necessary for forming a pattern on the substrate 21 by exposing the photosensitive film by back exposure is set. This exposure amount is obtained by an experiment. The luminous intensity I1 of the light generated in the light source 13 and reaching the substrate 21 through the first plane mirror 15, the optical system 17 and the second plane mirror 19 is detected by the optical sensor 23) (S11).
그리고, 기판(21) 상의 감광막을 노광하는 데 필요한 노광량(B)을 광센서(23)에서 감지된 조도와 계산하여 시간설정타이머(25)에서 셔터(29)가 '온'될 시간(T1=A/B)을 설정한다(S12).The exposure amount B necessary for exposing the photosensitive film on the substrate 21 is calculated as the illuminance sensed by the photosensor 23 and the time at which the shutter 29 is turned on in the time setting timer 25 A / B) (S12).
상기 설정된 셔터(29)가 '온'될 시간(T1)은 셔터조절기(27)에 전달되며, 이 셔터조절기(27)는 셔터(29)를 '온' 시켜 기판(21)에 필요한 노광량(A)이 조사 되도록 한다(S13).The time T1 at which the set shutter 29 is to be turned on is transmitted to the shutter controller 27 which turns the shutter 29 on to cause the substrate 21 to emit the necessary exposure dose A (S13).
그리고, 셔터조절기(27)는 계속해서 측정되는 시간(t1) 동안 셔터(29)를 '온'시켜 광이 기판(21)에 조사되게 하는데, 상기 셔터의 '온' 시간(t1)이 설정된 시간(T1)보다 작으면 셔터(29)를 '온'시킨다(S14).Then, the shutter controller 27 causes the shutter 29 to be turned on for a time t1 to be continuously measured so that light is irradiated to the substrate 21, and the 'on' time t1 of the shutter (T1), the shutter 29 is turned on (S14).
이 때, 상기 셔터(29)의 '온'시간(t1)이 설정된 시간(T1)과 같으면 셔터(29)를 '오프'시킨다(S15).At this time, if the 'on' time t1 of the shutter 29 is equal to the set time T1, the shutter 29 is turned off (S15).
상술한 바와 같이 종래의 노광장치 및 그를 이용한 노광방법은 배면 노광에 의해 감광막 패턴을 형성하는 데, 필요한 노광량을 설정하고 기판에 도달하여 투과하기 전의 광의 조도를 광센서에서 감지한 후 기판 상의 감광막을 노광하는데 필요한 노광량을 광센서에서 감지된 조도와 계산하여 시간설정타이머에 셔터가 '온'될 시간을 설정한다. 그리고, 이 설정된 시간을 셔터조절기에 전달하여 이 시간 동안 셔터를 '온'시켜 기판에 광을 조사한다.As described above, in the conventional exposure apparatus and the exposure method using the same, in order to form a photoresist pattern by back exposure, it is necessary to set the necessary exposure amount, to detect the illuminance of the light before reaching the substrate, The amount of exposure required for exposure is calculated as the illuminance sensed by the optical sensor, and the time at which the shutter is turned on to the time setting timer is set. Then, the set time is transmitted to the shutter controller, and the shutter is turned on during this time to irradiate the substrate with light.
그리고, 상술한 종래의 조광장치 및 그를 이용한 노광방법은 비정질실리콘의 물질층을 포함하는 광을 흡수하는 물질의 적층된 기판을 배면에서 노광함으로 적층된 물질층들의 두께에 따라 흡수되는 광량이 변하게 되어 감광막에 도달하는 노광량을 정확하게 조절하기 어려운 문제점이 이었다.The conventional light modulation apparatus and the exposure method using the light modulation apparatus described above expose the laminated substrate of the light-absorbing material including the material layer of amorphous silicon to the back surface to change the amount of light absorbed depending on the thickness of the laminated material layers It is difficult to precisely control the amount of exposure reaching the photosensitive film.
따라서, 본 발명의 목적의 배면 노광시 기판을 투과하는 광을 감지하여 감광막에 일정한 노광량을 조사할 수 있는 노광장치를 제공함에 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide an exposure apparatus capable of sensing a light transmitted through a substrate during a back-side exposure and irradiating a photosensitive film with a predetermined exposure dose.
본 발명의 다른 목적은 배면 노광시 기판에 적층된 비정질실리콘의 물질층을 포함하는 광을 흡수하는 물질로 이루어진 물질층들의 두께와 무관하게 감광막에 도달되는 노광량을 정확하게 조절할 수 있는 노광방법을 제공함에 있다.It is another object of the present invention to provide an exposure method capable of precisely controlling an amount of exposure reaching a photoresist film regardless of the thickness of material layers made of a material capable of absorbing light including a material layer of amorphous silicon deposited on a substrate during back exposure have.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판의 상부에 도포된 감광막을 배면노광하는 노광장치는 집속성 및 방향성을 갖는 광을 방생하는 광원과, 상기 광원에서 발생된 광의손실을 방지하고 분산시키며 조도의 균일도를 향상시켜 기판의 하부로 조사하여 상부의 감광막을 배면노광하는 광학계와, 상기 기판의 하부로 부터 조사되어 감광막을 노광시킨 후 투과되는 광을 감지하는 광센서와, 상기 광학계를 통과한 광이 상기 기판에 조사 또는 차단되게 제어하는 셔터에, 상기 기판 상에 도포된 감광막의 노광에 필요한 광량이 설정되며 상기 셔터가 '온'된 후에 상기 광센서에서 감지되는 광의 양을 적산하여 상기 설정된 광량과 적산된 광량을 비교하는 광량적산기와, 상기 광량적산기에서 적산된 광량이 설정된 광량과 일치되면 '온'상태의 셔터를 '오프'시키는 셔터조절기를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus for exposing a photoresist layer on a substrate, the apparatus comprising: a light source for generating light having a collection property and directionality; a light source for preventing and dispersing light generated from the light source; An optical system for irradiating a lower portion of the substrate with light to improve the uniformity of light emitted from the lower portion of the substrate and exposing the upper portion of the photoresist film to a back exposure; The amount of light required for exposure of the photoresist film coated on the substrate is set to a shutter that controls the substrate to be irradiated or blocked, and the amount of light sensed by the photosensor after the shutter is turned on is accumulated, And a light quantity accumulator for comparing the accumulated light quantity with the light quantity accumulated in the light quantity accumulator, And a shutter that controls "off".
상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판의 상부에 도포된 감광막을 배면에서 노광하는 노광방법은 광량적산기에 기판 상에 형성 된 감광막을 배면 노광하여 패턴을 형성하는 데 필요한 노광량을 설정하는 단계와, 상기 기판을 노광하기 위해 광원을 켠 후 셔터를 '온'시켜 상기 광원에서 발생된 광이 기판을 배면노광하여 기판 상의 감광막을 노광시키고 광센서의 의해 투과되는 광을 감지하는 단계와, 상기 광센서에서 감지된 광의 양을 적산하여 상기 설정된 광량과 동일할 때 까지 비교하는 단계와, 상기 광량적산기에서 적산된 광량이 상기 설정된 광량과 동일해지면 셔터를 '오프'시키는 단계를 구비한다.According to another aspect of the present invention, there is provided an exposure method for exposing a photoresist layer on a back surface of a substrate according to the present invention includes the steps of: setting a light exposure amount necessary for forming a pattern by back exposure of a photoresist layer formed on a substrate, A step of turning on a light source to turn on the light source to expose the substrate, thereby exposing the substrate to a back light by the light generated from the light source to expose the photoresist film on the substrate, and sensing light transmitted by the light sensor; Integrating the amount of light sensed by the optical sensor and comparing the amount of light sensed by the optical sensor until the light amount is equal to the set light amount; and turning off the shutter when the amount of light integrated in the light amount integrator becomes equal to the set light amount.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.
제3도는 본 발명에 따른 노광장치(31)의 개략도이다.3 is a schematic view of an exposure apparatus 31 according to the present invention.
본 발명에 따른 투명한 유리로 이루어지며 상부에 감광막(도시되지 않음)이 도포된 기판(41)의 하부로 광을 조사하여 노광시키는 노광장치(31)는 광원(33), 제1 및 제2 평면거울(35)(39), 광학계(37), 광센서(43), 광량적산기(45), 셔터제어기(47) 및 셔터(49)를포함한다.An exposure apparatus 31 for exposing light to a lower portion of a substrate 41 made of transparent glass according to the present invention and coated with a photoresist film (not shown) on the upper surface thereof includes a light source 33, Mirrors 35 and 39, an optical system 37, an optical sensor 43, a light amount accumulator 45, a shutter controller 47, and a shutter 49.
상기 광원(33)은 자외선, 적외선 또는 가시광선 등의 광을 집속성 및 방향성을 갖도록 발생시킨다.The light source 33 generates light such as ultraviolet rays, infrared rays, or visible rays to have a concentrated property and a directionality.
제1 평면거울(35)은 광원(33)에서 발생된 광의 광로와 소정 각도를 이루도록 설치되어 반사된 광이 광학계(37)로 입사되게 한다.The first plane mirror 35 is installed at a predetermined angle with the optical path of the light generated by the light source 33 so that the reflected light enters the optical system 37.
광학계(37)는 집광렌즈와 파리의 눈 렌즈 등으로 구성되어 제1 평면거울(35)에 의해 반사되어 입사되는 광이 산란 및 퍼짐 등의 현상에 의한 광의 손실을 방지하고 광을 고르게 분산시켜 광의 조도의 균일도를 향상시킨다.The optical system 37 is composed of a condenser lens and a fly-eye lens. The light reflected by the first plane mirror 35 prevents light from being lost due to scattering and spreading, Thereby improving the uniformity of the roughness.
제2 평면거울(39)은 상기 광학계(37)를 통과한 광의 광로와 소정 각도를 이루도록 설치되어 반사된 광이 기판(41)으로 입사되게 한다.The second plane mirror 39 is installed at a predetermined angle with the optical path of the light passing through the optical system 37 so that the reflected light is incident on the substrate 41.
광센서(43)는 제2 평면거울(39)로 부터 기판(41)에 조사되어 감광막을 노광시킨 후 투과되는 광의 양을 감지하여 기판(41)이 노광된 정도를 감지한다.The photosensor 43 irradiates the substrate 41 from the second plane mirror 39 to expose the photosensitive film, and senses the amount of the transmitted light to detect the degree of exposure of the substrate 41.
광량적산기(45)는 기판(41)상에 도포된 감광막의 노광에 필요한 광량(12)이 설정된다. 그리고, 상기 셔터조절기(47)에 의해 셔터(49)가 '온'된 후에 상기 광센서(43)에 의해 검출된 광량을 적산하여 이 적산된 총 광량(It)과 상기 설정된 광량(12)이 일치 될 때까지 비교한다.The light amount accumulator 45 sets the light amount 12 required for exposure of the photosensitive film applied on the substrate 41. [ Then, after the shutter 49 is turned on by the shutter controller 47, the light amount detected by the optical sensor 43 is accumulated, and the total light amount It and the set light amount 12 Compare until they match.
셔터조절기(47)는 셔터(49)의 동작을 제어하는 것으로 셔터(49)를 '온'시키고 광량적산기(45)를 구동시켜 적산된 총 광량(It)이 설정된 광량(12)과 일치되면 셔터(49)를 '오프'시킨다.The shutter controller 47 controls the operation of the shutter 49 to turn on the shutter 49 and drives the light amount integrator 45 to cause the integrated total light amount It to coincide with the set light amount 12 The shutter 49 is turned off.
셔터(49)는 셔터조절기(47)에 의해 '온' 또는 '오프'되어 광이 기판(41)에 조사되게 하거나 또는 조사되는 것을 차단한다.The shutter 49 is turned 'on' or 'off' by the shutter controller 47 to block the light from being irradiated or irradiated onto the substrate 41.
제4도는 제3도의 노광장치(31)를 이용한 노광방법을 나타내는 흐름도이다. 제4도를 참조하여 제3도에 도시된 노광장치(31)를 이용한 노광방법을 설명한다.FIG. 4 is a flowchart showing an exposure method using the exposure apparatus 31 of FIG. An exposure method using the exposure apparatus 31 shown in FIG. 3 will be described with reference to FIG.
광량적산기(45)에 기판(41) 상에 형성된 감광막을 배면 노광하여 패턴을 형성하는 데 필요한 노광량(12)을 설정한다. 상기 노광량(12)은 기판(41)상의 감광막을 충분히 노광시키는 정도의 광량으로 실험에 의해 얻어진다(S21).The exposure amount 12 necessary for forming a pattern on the back surface of the photosensitive film formed on the substrate 41 is set in the light amount accumulator 45. [ The exposure dose 12 is obtained experimentally by an amount of light enough to sufficiently expose the photosensitive film on the substrate 41 (S21).
그리고, 광원(33)을 켜면서 셔터(49)를 '온'시켜 광원(33)에서 발생된 광이 제1 평면거울(39), 광학계(37) 및 제2 평면거울(39)을 통해 기판(41)을 배면노광시킨다. 이 때, 광센서(43)는 기판(41)의 감광막을 노광시키고 투과되는 광을 감지한다(S22).When the light source 33 is turned on, the shutter 49 is turned on so that the light generated by the light source 33 passes through the first plane mirror 39, the optical system 37 and the second plane mirror 39 41 are back exposed. At this time, the photosensor 43 exposes the photosensitive film of the substrate 41 and senses the transmitted light (S22).
상기 광센서(43)에서 감지된 광을 광량적산기(45)가 적산한다. 상기 광량적산기(45)는 적산된 총 광량 (It)을 상기 설정된 광량(12)과 동일할 때까지 비교한다. 상기에서 적산된 총 광량(It)이 상기 설정된 광량(12) 보다 작으면 셔터(49)를 계속 '온'시킨다(S23).The light amount integrator 45 integrates the light sensed by the optical sensor 43. The light amount integrator 45 compares the accumulated total light amount It until it is equal to the set light amount 12. If the total light amount It is smaller than the set light amount 12, the shutter 49 is continuously turned on (S23).
상기에서 적산된 광량(It)이 상기 설정된 광량(12)과 동일해지면 광량적산기(45)는 적산된 광량(It)과 상기 설정된 광량(12)이 동일하다는 것을 셔터조절기(47)에 전달한다. 이에, 셔터조절기(47)는 셔터(49)를 '오프'시켜 기판(41)에 광이 더 이상 조사되는 것을 방지한다(S24).When the accumulated light amount It is equal to the set light amount 12, the light amount accumulator 45 transmits to the shutter regulator 47 that the accumulated light amount It and the set light amount 12 are equal . Thus, the shutter adjuster 47 turns off the shutter 49 to prevent light from being further irradiated to the substrate 41 (S24).
상술한 바와 같이 본 발명은 광량적산기에 기판 상에 형성된 감광막을 배면 노광하여 패턴을 형성하는 데 필요한 노광량을 설정한 후 기판을 배면 노광하여 이 기판을 투과하는 광을 광센서에서 감지하고 광량적산기에서 적산하여 미리 설정된 노광량과 비교하여 동일할 때 까지 셔터를 '온'시켜 기판을 노광시킨다.As described above, according to the present invention, the amount of exposure required to form a pattern on a photoresist layer formed on a substrate is exposed on a back surface of a photoresist layer formed on a substrate, the backside of the substrate is exposed, the light transmitted through the substrate is detected by an optical sensor, And the shutter is turned on until it is the same as the predetermined exposure amount to expose the substrate.
따라서, 본 발명은 기판을 투과하는 광을 감지하고 적산함으로 감광막에 조사 되는 광량을 일정하게 할 수 있는 잇점이 있다.Accordingly, the present invention has the advantage that the amount of light irradiated on the photosensitive film can be made constant by sensing and integrating the light transmitted through the substrate.
Claims (4)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960037418A KR100205518B1 (en) | 1996-08-31 | 1996-08-31 | Exposed light device and exposed light method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960037418A KR100205518B1 (en) | 1996-08-31 | 1996-08-31 | Exposed light device and exposed light method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19980017625A KR19980017625A (en) | 1998-06-05 |
KR100205518B1 true KR100205518B1 (en) | 1999-07-01 |
Family
ID=19472171
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960037418A KR100205518B1 (en) | 1996-08-31 | 1996-08-31 | Exposed light device and exposed light method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100205518B1 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100309697B1 (en) * | 1999-03-26 | 2001-09-26 | 황인길 | Semiconductor edge expose apparatus |
KR100624065B1 (en) * | 2001-05-23 | 2006-09-15 | 삼성전자주식회사 | apparatus for exposing a light onto substrate |
JP2007273758A (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processor |
JP4937808B2 (en) * | 2007-03-26 | 2012-05-23 | フェニックス電機株式会社 | Light source device and exposure apparatus using the same |
-
1996
- 1996-08-31 KR KR1019960037418A patent/KR100205518B1/en active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR19980017625A (en) | 1998-06-05 |
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E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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FPAY | Annual fee payment |
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