KR100201395B1 - 반도체 노광장비의 얼라인 키 인식방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 노광장비의 얼라인 키 인식방법에 관한 것으로, 종래에는 얼라인 키의 단차부가 경사진 경우에 인식오차가 발생하여 정렬 및 노광불량이 발생하는 문제점이 있었다. 본 발명 반도체 노광장비의 얼라인 키 인식방법은 웨이퍼의 상면에 형성된 얼라인 키의 단차부에 경사가 형성된 경우에 2개의 스코프로 경사지도록 빛을 비추어 측정되는 시그널 중심치를 인식하여 얼라인함으로써, 종래보다 인식오차를 줄이는데 따른 정렬오차를 줄일 수 있고, 따라서 정확한 노광을 실시할 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 노광장비의 얼라인 키 인식방법
제1도는 종래 반도체 노광장비의 얼라인먼트 메카니즘을 보인 개략구성도.
제2도는 종래 반도체 노광장비에서 얼라인 키를 인식하는 순서를 보인 상태도.
제3도는 종래 반도체 노광장비에서 얼라인 키를 인식하는 상태를 보인 상태도.
제4도는 본 발명 반도체 노광장치의 얼라인 키 인식방법을 설명하기 위한 상태
도로서,
(a)는 제1스코프의 검출 시그널 도면.
(b)는 제2스코프의 검출 시그널 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 얼라인 키
본 발명은 반도체 노광장비의 얼라인 키(ALIGN KEY) 인식방법에 관한 것으로, 특히 웨이퍼의 상면에 형성되어 있는 얼라인 키의 단차부가 경사진 경우에 인식오차를 줄여서 장비의 정렬정도를 향상시키도록 하는데 적합한 반도체 노광장비의 얼라인 키 인식방법에 관한 것이다.
제1도는 종래 반도체 노광장비의 얼라인먼트 메카니즘을 보인 개략구성도이고,
제2도는 종래 반도체 노광장비에서 얼라인 키를 인식하는 순서를 보인 상태도이다.
도시된 바와 같이, 일반적인 종래의 얼라인먼트 메카니즘은 웨이퍼(1)상에 형성되어 있는 2개의 얼라인 키(미도시)를 2개의 시시디 카메라인 B 스코프(2)와 C 스코프(3)로 X,Y방향의 키 위치를 인식시켜 웨이퍼(1)상에 형성되어 있는 얼라인 키와의 중첩을 달성하게 된다.
즉, 제2도에 도시되어 있는 바와 같이, BSM, CSM이라고 하는 것은 X방향의 키와 Y방향의 키를 별도로 인식할 수 있도록 구성되어 있는 것이다.
상기와 같이 구성되어 있는 노광장비에서 웨이퍼(1) 상의 얼라인 키를 인식할때는 빛을 얼라인 키의 상면에 비추고, 이와 같이 비춰진 빛이 반사되는 세기(INTENSITY)를 측정하며, 이때 나타난 빛의 세기 그래프의 면적을 적분하여 그 중심값을 구해 얼라인 키의 위치를 인식하게 되는 것이다.
이때, 상기와 같은 얼라인 키에 빛을 비출때는 수직방향으로 비추게 된다.
그러나, 대부분의 얼라인 키는 제3도에 도시되어 있는 바와 같이 식각하는 과정에서 단차부가 조금씩 경사지게 되고, 이와 같은 경사진 얼라인 키에 수직방향으로 빛을 비추게 되는데, 이때, 그 빛에 의해 측정된 피지컬(PHYSICAL) 중심치를 a라고 하면 측정한 세기의 시그널(SIGNAL) 중심치는 그 a에서 벗어난 위치인 b로 측정이 되어 Δ(a-b) 만큼의 인식오차가 발생하게 된다. 이로인하여 정확한 정열 노광이 이루어지지 못하는 문제점이 있었다.
상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 발명의 목적은 피지컬 중심치와 측정한 시그널 중심치의 인식오차를 최소화 하도록 하는데 적합한 반도체 노광장비의 얼라인 키 인식방법을 제공함에 있다.
상기와 같은 본 발명의 톡적을 달성하기 위하여 웨이퍼 상에 형성되어 있는 X축 또는 Y축의 얼라인 키에 각각 2개의 스코프를 경사지도록 설치하여 일정 각도로 경사지도록 빛을 비추고, 그 비춰진 빛의 반사된 시그널을 합성하여 적분함으로써 중심치를 구하여 정열오차를 감소시키도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 노광장비의 얼라인 키 인식방법이 제공된다.
이하, 상기와 같은 본 발명 반도체 노광장비의 얼라인 키 인식방법을 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
제4도는 본 발명 반도체 노광장치의 얼라인 키 인식방법을 설명하기 위한 상태도로서, (a)는 제1스코프의 검출 시그널 도면이고, (b)는 제2스코프의 검출 시그널 도면이다.
도시된 바와 같이, 웨이퍼의 상면에 형성된 X축 또는 Y축의 얼라인 키(10)에 제1스코프(미도시)와 제2스코프(미도시)를 각각 설치하여 상기 얼라인 키(10)에 소정각도(θ1,θ2)만큼 반대방향으로 경사지도록 빛을 비춘다.
이와 같이, 1개의 얼라인 키(10)에 2개의 스코프에서 빛을 비추고, 그 제1스코프(미도시)와 제2 스코프(미도시)에서 감지되는 시그널에 의해 인식된 얼라인 키(10)의 중심치는 피지컬 중심치 대비 서로 반대방향(+)(-)으로 나타나게 되어 있다.
즉, 제1 및 제2스코프(미도시)에서 인식되는 2개의 시그널 중심치가 피지컬 중심치의 반대로 나타나게 되어 단차부분이 경사진 얼라인 키(10)의 경우에 인식되는 오차△(a-b)가 보다 줄어들게 된다.
상기와 같은 인식방법은 얼라인 키(10)의 단차부에 경사가 형성된 경우에는 정렬오차를 줄일 수 있으나, 단차부에 경사가 형성되지 않은 경우에는 종래보다 정렬오차를 줄일수는 없다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명 반도체 노광장비의 얼라인 키 인식 방법은 웨이퍼의 상면에 형성된 얼라인 키의 단차부에 경사가 형성된 경우에 2개의 스코프로 경사지도록 빛을 비추어 측정되는 시그널 중심치를 인식하여 얼라인함으로써, 종래보다 인식오차를 줄이는데 따른 정렬오차를 줄일 수 있고, 따라서 정확한 노광을 실시할 수 있는 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 웨이퍼 상에 형성되어 있는 X축 또는 Y축의 얼라인 키에 각각 2개의 스코프를 경사지도록 설치하여 일정각도로 경사지도록 빛을 비추고, 그 비춰진 빛의 반사된 시그널을 합성하여 적분함으로써 중심치를 구하여 정열오차를 감소시키도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 노광장비의 얼라인 키 인식방법.
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