KR100199373B1 - Method of cleaning wafer - Google Patents
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Abstract
본 발명은 웨이퍼 세정방법을 제공하는 것으로, 실리콘기판 상에 산화막을 형성한 후 산화막 상에 잔류하는 유기물 및 무기물 등의 불순물을 황산, 불산 및 암모니아를 사용한 순차적인 세정공정으로 제거하므로써 높은 신뢰성을 갖는 소자의 개발 및 원형 결함을 제거할 수 있는 효과가 있다.The present invention provides a wafer cleaning method in which an oxide film is formed on a silicon substrate and then impurities such as organic substances and minerals remaining on the oxide film are removed by a sequential cleaning process using sulfuric acid, The device can be developed and the circular defect can be removed.
Description
본 발명은 실리콘기판 상에 산화막을 형성한 후 산화막 상에 잔류하는 유기물 및 무기물 등의 불순물을 제거하기 위한 웨이퍼 세정방법에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer cleaning method for removing impurities such as organic substances and minerals remaining on an oxide film after an oxide film is formed on a silicon substrate.
일반적으로 실리콘기판 상에 소자를 형성하기 위하여 소정부분에 다층의 막을 형성하게 되는데, 각각의 막을 형성한 후에는 막 상에 잔류하는 불순물을 제거하기 위하여 세정공정을 실시하고 있다.Generally, in order to form devices on a silicon substrate, a multilayer film is formed on a predetermined portion. After each film is formed, a cleaning process is performed to remove impurities remaining on the film.
종래에는 실리콘기판 상에 산화막을 형성한 후 산화막 상에 폴리실리콘층을 증착하기 전에 산화막 상에 잔류하는 불순물을 제거하기 위하여 황산 및 불산을 이용한 세정공정을 순차적으로 실시하였으나 마지막에 실시되는 불산 세정공정은 산화막상에 원형의 결함(Defect)을 유발시키게 되는 문제가 있다.Conventionally, a cleaning process using sulfuric acid and hydrofluoric acid is sequentially performed to remove impurities remaining on the oxide film before the polysilicon layer is deposited on the oxide film after the oxide film is formed on the silicon substrate. However, in the last hydrofluoric acid cleaning process There is a problem that circular defects are caused on the oxide film.
본 발명은 실리콘기판 상에 산화막을 형성하고 산화막 상에 잔류하는 불순물을 세정공정으로 제거할 수 있는 웨이퍼 세정방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a wafer cleaning method capable of forming an oxide film on a silicon substrate and removing impurities remaining on the oxide film by a cleaning process.
상술한 목적을 실현하기 위한 본 발명의 세정방법은 실리콘기판 상에 산화막을 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 산화막 상에 잔류하는 유기물을 제거하기 위하여 황산 세정공정을 실시한 후 초순수를 사용하여 린스 처리를 실시하는 단계와, 상기 단계로부터 산화막 상에 잔류하는 무기물을 제거하기 위하여 불산 세정공정을 실시한 후 초순수를 사용하여 린스 처리를 실시하는 단계와, 상기 단계로부터 산화막 상에 잔류하는 불순물을 최종적으로 제거하기 위하여 암모니아 세정공정을 실시한 후 초순수를 사용하여 린스 처리를 실시하는 단계로 이루어진다.In order to achieve the above object, the cleaning method of the present invention includes the steps of forming an oxide film on a silicon substrate, rinsing the substrate with ultrapure water after performing a sulfuric acid cleaning process to remove organic substances remaining on the oxide film, A step of rinsing with ultrapure water after performing a hydrofluoric acid cleaning process to remove the inorganic substances remaining on the oxide film from the above step and finally removing the impurities remaining on the oxide film from the above step Followed by rinsing with ultra pure water after the ammonia cleaning process.
본 발명에 따른 웨이퍼 세정방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.The wafer cleaning method according to the present invention will be described in detail as follows.
실리콘기판 상에 산화막을 형성시킨 후 산화막 상에 잔류하는 무기물 및 유기물 등과 같은 불순물을 제거하기 위하여 세정공정을 실시한다.After the oxide film is formed on the silicon substrate, a cleaning process is performed to remove impurities such as inorganic substances and organic substances remaining on the oxide film.
먼저, 실리콘기판에 황산(H2SO4) : 과산화 수소(H202)의 비율이 3 내지 5 : 1인 혼합 용액을 사용하여 110 내지 130℃의 온도 조건에서 8 내지 12분간 황산 세정공정을 실시한 다음 초순수(DI Water)를 사용하여 린스(Rinse)처리를 한다. 이때, 산화막 상에 잔류하는 무기물이 제거된다.First, a mixed solution having a ratio of sulfuric acid (H 2 SO 4 ): hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) of 3 to 5: 1 is used as a silicon substrate, and a sulfuric acid cleaning process is performed at a temperature of 110 to 130 ° C. for 8 to 12 minutes And then subjected to a rinse treatment using ultrapure water (DI Water). At this time, the inorganic material remaining on the oxide film is removed.
다음으로, 실리콘기판에 HF : 순수(H20)의 비율이 1 : 40 내지 60인 혼합용액을 사용하여 상온(25℃)에서 20 내지 40초간 실시한 다음 초순수를 사용하여 린스 처리를 한다. 이때, 산화막 상에 잔류하는 무기물이 제거된다.Next, the silicon substrate is subjected to a mixed solution of HF: pure water (H 2 O) in a ratio of 1:40 to 60 at 20 ° C. for 20 to 40 seconds at room temperature (25 ° C.), followed by rinsing with ultrapure water. At this time, the inorganic material remaining on the oxide film is removed.
마지막으로, 실리콘기판에 수산화 암모늄(NH4OH) : 과산화수소(H202) : 순수(H202)의 비율이 1 : 4 : 15 내지 25인 혼합용액을 사용하여 60 내지 80℃의 온도 조건에서 8 내지 12 분간 암모니아 세정공정을 실시한 다음 초순수를 사용하여 린스 처리를 한다. 이때, 과산화 수소(H202) 의 산화작용 및 수산화 암모늄(NH4OH) 의 산화막 식각이 반복되면서 산하막 상에 남아있는 불순물이 최종적으로 제거된다.Finally, a mixed solution of ammonium hydroxide (NH 4 OH): hydrogen peroxide (H 2 O 2 ): pure water (H 2 O 2 ) in a ratio of 1: 4: The ammonia cleaning process is performed at a temperature of 8 to 12 minutes, followed by rinsing with ultrapure water. In this case, impurities remaining on the film under oxide film etching as the repetition of the oxidation and ammonium hydroxide (NH 4 OH) of hydrogen peroxide (H 2 0 2) is finally removed.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 실리콘기판 상에 산화막을 형성하고 산화막 상에 잔류하는 불순물을 황산, 및 암모니아를 사용한 순차적인 세정공정으로 제거하므로써 높은 신뢰성을 갖는 소자의 개발 및 원형결함을 제거할 수 있는 탁월한 효과가 있다.As described above, according to the present invention, an oxide film is formed on a silicon substrate and impurities remaining on the oxide film are removed by a sequential cleaning process using sulfuric acid and ammonia, so that a device having high reliability and a circular defect can be removed There is an excellent effect.
Claims (4)
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019960048290A KR100199373B1 (en) | 1996-10-25 | 1996-10-25 | Method of cleaning wafer |
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| KR1019960048290A KR100199373B1 (en) | 1996-10-25 | 1996-10-25 | Method of cleaning wafer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR19980029051A KR19980029051A (en) | 1998-07-15 |
| KR100199373B1 true KR100199373B1 (en) | 1999-06-15 |
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| KR1019960048290A KR100199373B1 (en) | 1996-10-25 | 1996-10-25 | Method of cleaning wafer |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101001307B1 (en) | 2008-10-24 | 2010-12-14 | 세메스 주식회사 | Method for Cleaning Wafer |
| KR101757811B1 (en) * | 2011-06-02 | 2017-07-14 | 세메스 주식회사 | Method for cleaning substrate |
-
1996
- 1996-10-25 KR KR1019960048290A patent/KR100199373B1/en not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101001307B1 (en) | 2008-10-24 | 2010-12-14 | 세메스 주식회사 | Method for Cleaning Wafer |
| KR101757811B1 (en) * | 2011-06-02 | 2017-07-14 | 세메스 주식회사 | Method for cleaning substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980029051A (en) | 1998-07-15 |
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