KR100190639B1 - Bias supplying circuit for vhf high frequency amplifier - Google Patents
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Abstract
본 발명은 증폭소자의 바이어스전압이 동조필터에 연결되는 스위칭다이오드 및 저항을 통해 인가되도록 구성하여 저전압인가시의 고주파특성을 개선하는 브이에이취에프 고주파증폭기의 바이어스공급회로를 제공하는데 그 목적이 있는 것으로, 상기 목적을 달성하는 수단으로써, 브이에이취에프 고주파증폭기의 바이어스공급회로에 있어서, 상기 고주파증폭소자의 게이트에 저항의 일단을 연결하고, 상기 저항의 타단은 애노드가 로우채널선택단에 연결된 제1다이오드의 캐소드와, 애노드가 하이채널선택단에 연결된 제2다이오드의 캐소드가 공통으로 연결함에 의한다.It is an object of the present invention to provide a bias supply circuit of a VH high frequency amplifier configured to apply a bias voltage of an amplifying element through a switching diode connected to a tuning filter and a resistor to improve high frequency characteristics when a low voltage is applied. In a bias supply circuit of a VH RF amplifier, a first end of a resistor is connected to a gate of the high frequency amplifier, and the other end of the resistor is connected to a low channel selection stage. This is because the cathode of the diode and the anode of the second diode whose anode is connected to the high channel select stage are connected in common.
Description
본 발명은 튜너에 구비되는 VHF대역 고주파증폭기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 VHF의 채널대역과는 관계없이 고주파증폭기에 일정한 바이어스전압을 공급하는 브이에이취에프 고주파증폭기의 바이어스공급회로에 관한 것이다.The present invention relates to a VHF band high frequency amplifier provided in a tuner, and more particularly, to a bias supply circuit of a VH F amplifier supplying a constant bias voltage to a high frequency amplifier regardless of the VHF channel band.
일반적으로, 튜너는 수신채널의 주파수대역에 따라서 UHF대역의 신호를 수신하여 중간주파신호로 변환하는 UHF튜너부와 VHF 대역의 채널신호를 수신하여 중간주파신호로 변환하는 VHF튜너부로 구분되며, 상 VHF튜너부의 선단부는 VHF 대역신호만 통과시키는 VHF 동조필터와, 상기 VHF 동조필터로부터 인가된 고주파신호를 증폭하는 VHF 고주파증폭기와, 상기 VHF고주파증폭기의 출력측에 연결되어 선택채널에 따라 VHF대역의 하이채널 또는 로우채널신호에 동조하는 VHF 단간동조부로 이루어져 있다. 상기에서, VHF 고주파증폭기의 구성을 제1도에 보였다.In general, the tuner is divided into a UHF tuner unit for receiving signals in the UHF band and converting them into intermediate signals according to the frequency band of the reception channel, and a VHF tuner unit for receiving channel signals in the VHF band and converting them into intermediate signals. The VHF tuner section has a VHF tuning filter for passing only the VHF band signal, a VHF high frequency amplifier for amplifying the high frequency signal applied from the VHF tuning filter, and an output of the VHF high frequency amplifier, and the high frequency of the VHF band according to the selected channel. It consists of a VHF inter-step tuning section that tunes to a channel or low channel signal. In the above, the configuration of the VHF high frequency amplifier is shown in FIG.
제1도에서, 고주파증폭소자인 전계효과트랜지스터(TR10)는 그 제1게이트(G1)가 저항(R17)을 통해 그 캐소드가 로우채널선택단(BL)에 연결되는 단간동조회로부(23)의 스위칭다이오드(D14)의 애노드에 연결되며, 제2게이트(G2)는 저항(R16)을 통해 이득제어단(AGC)에 연결되고, 소스(S)는 저항(R17)을 통해 상기 단간동조회로부(23)의 그 캐소드가 로우채널선택단(BL)에 연결되는 스위칭다이오드(D14)의 애노드에 연결되며 또한 저항 (R18)을 통해 접지되고, 드레인(D)은 단간동조회로부(13)에 연결된다.In FIG. 1, the field effect transistor TR10, which is a high frequency amplification element, has a first intermittent tuning circuit section 23 whose first gate G1 is connected to the low channel select terminal BL through a resistor R17. It is connected to the anode of the switching diode (D14), the second gate (G2) is connected to the gain control terminal (AGC) through the resistor (R16), the source (S) through the resistor (R17) the inter-step tuning circuit unit ( The cathode of 23 is connected to the anode of the switching diode D14, which is connected to the low channel select stage BL, is also grounded via a resistor R18, and the drain D is connected to the inter-terminal tuning circuit portion 13. .
상기 구성에 의하여 종래의 고주파증폭부(12)에 구비된 전계효과트랜지스터(TR10)는 아래와 같이 드레인전압 및 바이어스전압을 공급받아 동작한다. 먼저, 로우채널선택단(BL)으로 하이레벨전압이 인가되면, 스위칭 다이오드(D14)가 도통되어, 상기 로우채널선택단(BL)으로 인가되는 전원전압이 단간동조회로부(13)의 상기 도통된 스위칭다이오드(D14), 직렬연결된 세 코일(L17, L16, L15)를 통해 전계효과트랜지스터(TR10)의 드레인(D)으로 인가되면, 또한 상기 로우채널선택단(BL)로 인가된 전원전압은 도통된 스위칭다이오드(D14) 및 저항(R15), (R14)를 통해 전계효과트랜지스터(TR10)의 제1게이트에 바이어스전압으로 인가된다. 그리고, 하이채널선택단(BH)으로 하이레벨전압이 인가되면, 단간동조회로부(13)의 스위칭다이오드(D13)과 스위칭다이오드(D15)가 도통되고, 따라서, 하이채널선택단(BH)으로 인가되는 전원 전압이 단간동조회로부(13)의 도통된 스위칭다이오드(D13) 및 코일(L15)을 통해 전계효과트랜지스터(TR10)의 드레인전압으로 인가되고, 또한 스위칭 다이오드(D13)와, 직렬 연결된 두 코일(L16, L17)과, 저항(R15), 저항(R14)를 통해 전계효과트랜지스터(TR10)의 제1게이트(G1)에 바이어스전압으로 인가된다.By the above configuration, the field effect transistor TR10 provided in the conventional high frequency amplifier 12 operates by receiving a drain voltage and a bias voltage as follows. First, when a high level voltage is applied to the low channel selection terminal BL, the switching diode D14 is turned on so that the power supply voltage applied to the low channel selection terminal BL is turned on. When applied to the drain D of the field effect transistor TR10 through the switching diode D14 and the three coils L17, L16, and L15 connected in series, the power supply voltage applied to the low channel selection terminal BL is conducted. Through the switching diode D14 and the resistors R15 and R14, a bias voltage is applied to the first gate of the field effect transistor TR10. When the high level voltage is applied to the high channel selection terminal BH, the switching diode D13 and the switching diode D15 of the inter-stage tuning circuit 13 are turned on, and thus are applied to the high channel selection terminal BH. The power supply voltage is applied to the drain voltage of the field effect transistor TR10 through the conductive switching diode D13 and the coil L15 of the single-interval tuning circuit unit 13, and is further connected to the switching diode D13 and two coils connected in series. A bias voltage is applied to the first gate G1 of the field effect transistor TR10 through L16 and L17, the resistor R15, and the resistor R14.
그런데, 상기와 같은 회로구성은 전원전압이 낮게 인가되는 경우, 예를들어 5V이하로 인가되는 경우에 전계효과트랜지스터에 안정된 바이어스전압을 공급할 수 없게 되어 고주파증폭특성(즉, 이득, 잡음특성, 이득감쇄비, 혼변조특성등)이 열화되는 문제점이 있었다.However, the above circuit configuration can not supply a stable bias voltage to the field effect transistor when the power supply voltage is applied low, for example, 5V or less, so that the high frequency amplification characteristics (ie, gain, noise characteristics, gain) Attenuation ratio, intermodulation characteristics, etc.) was deteriorated.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하고자 안출된 것으로써, 그 목적은 증폭소자의 바이어스전압이 동조필터에 연결되는 스위칭다이오드 및 저항을 통해 인가되도록 구성하여 저전압인가시의 고주파특성을 개선하는 브이에이취에프 고주파증폭기의 바이어스공급회로를 제공하는데 있는 것이다.The present invention has been made to solve the conventional problems as described above, the object of which is to configure the bias voltage of the amplifying element is applied through a switching diode and a resistor connected to the tuning filter to improve the high-frequency characteristics at low voltage application It is to provide bias supply circuit of VH high frequency amplifier.
제1도는 종래 고주파증폭기의 바이어스공급회로를 보이는 회로도이다.1 is a circuit diagram showing a bias supply circuit of a conventional high frequency amplifier.
제2도는 본 발명에 의한 고주파증폭기의 바이어스공급회로를 보이는 회로도이다.2 is a circuit diagram showing a bias supply circuit of a high frequency amplifier according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
TR20 : 전계효과트랜지스터 R21~R25 : 저항TR20: Field effect transistor R21 ~ R25: Resistance
C21~C28 : 캐패시터 L20 : 쵸크코일C21 ~ C28: Capacitor L20: Choke Coil
L21~L29 : 코일 RFin : 고주파입력단L21 ~ L29: Coil RFin: High Frequency Input
RFout : 고주파출력단 AGC : 이득제어단RFout: High Frequency Output Stage AGC: Gain Control Stage
BH : 하이채널선택단 BL : 로우채널선택단BH: High channel selection stage BL: Low channel selection stage
21 : VHF 동조필터부 22 : VHF 고주파증폭부21: VHF tuning filter section 22: VHF high frequency amplifier section
23 : VHF 단간동조회로부23: VHF inter-stage tuning circuit
본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 기술적인 수단으로서, 고주파증폭소자에 바이어스전압을 공급하는 브이에이취에프 고주파증폭기의 바이어스공급회로에 있어서,The present invention is a technical means for achieving the above object, in the bias supply circuit of the VH F amplifier supplying a bias voltage to the high frequency amplifier,
상기 고주파증폭소자의 게이트에 저항의 일단을 연결하고, 상기 저항의 타단은 애노드가 로우채널선택단에 연결된 제1다이오드의 캐소드와, 애노드가 하이채널선택단에 연결된 제2다이오드의 캐소드가 공통으로 연결됨을 특징으로 한다.One end of a resistor is connected to a gate of the high frequency amplifier, and the other end of the resistor has a cathode of a first diode having an anode connected to a low channel selection stage and a cathode of a second diode having an anode connected to a high channel selection stage in common. Characterized in that connected.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the configuration and operation of the present invention.
제2도는 본 발명에 의한 브이에이취에프 고주파증폭기의 바이어스공급회로를 보이는 회로구성도로써, 고주파입력단(RFin)에 캐패시터(C21)의 일단을 연결하고 상기 캐패시터(C21)은 직렬연결되는 두 코일(L21, L22) 및 캐패시터(C22)를 통해 접지시키고, 상기 캐패시터(DC2)에 병렬로 저항(R21)을 연결하며, 상기 캐패시터(C21)를 스위칭다이오드(D25)의 캐소드에 연결하고, 상기 고주파입력단(RFin)에 연결된 캐패시터(C21)의 타단은 직렬연결되는 두 코일(L23, L24) 및 캐패시터(C26)을 통해 전계효과트랜지스터(T20)의 제1게이트(G1)에 연결되며 상기 코일(L23)의 양단에 각각 애노드가 연결된 두 스위칭다이오드(D21, D22)의 캐소드가 연결되고, 상기 두 스위칭다이오드(D21, D22)의 애노드는 캐패시터(C23)를 통해 두 코일(L21, L22)의 접점에 연결하며 또한 쵸크코일(L20) 및 캐패시터(C24)를 통해 접지되고, 상기 쵸크코일(L20)과 캐패시터(C24)의 접점은 하이채널선택단(BH)에 연결되고 상기 코일(L24)과 캐패시터(C26)의 접점은 캐패시터(C25) 및 가변용량다이오드(VD21)을 통해 접지시키는 VHF동조필터부(21)와, 제1게이트(G1)이 상기 VHF 동조필터부(21)의 캐패시터(C26)에 연결되며 제2게이트(G2)는 저항(R25)를 통해 이득제어단(AGC)에 연결되고 소스(S)는 저항(R24)를 통해 접지되는 전계효과트랜지스터(TR20)와 상기 전계효과트랜지스터(TR20)의 제1게이트(G1)과 접지사이에 구비되는 저항(R22)과 상기 전계효과트랜지스터(TR20)의 제1게이트(G1)에 저항(R23)을 통해 그 캐소드가 공통으로 연결되는 두 스위칭다이오드(D23), (D24)를 구비하고 상기 스위칭다이오드(D23)의 애노드는 VHF동조필터부(21)에 연결되는 하이채널선택단(BH)에 연결되고 다른 스위칭다이오드(D24)의 애노드는 로우채널선택단(BL)에 연결되는 고주파증폭부(22)와, 상기 고주파증폭부(22)에 구비되는 전계효과트랜지스터(TR20)의 드레인(D)에 연결되는 다수의 코일(L25~L29) 및 캐패시터(C27)로 이루어지는 VHF단간동조회로부(23)를 구비한다.2 is a circuit diagram showing a bias supply circuit of a VH RF amplifier according to the present invention, in which one end of a capacitor C21 is connected to a high frequency input terminal RFin and the capacitor C21 is connected in series to two coils ( Through L21 and L22 and the capacitor C22, the resistor R21 is connected in parallel to the capacitor DC2, the capacitor C21 is connected to the cathode of the switching diode D25, and the high frequency input terminal The other end of the capacitor C21 connected to RFin is connected to the first gate G1 of the field effect transistor T20 through two coils L23 and L24 and a capacitor C26 connected in series, and the coil L23. Cathodes of two switching diodes D21 and D22, each having an anode connected to each other, are connected, and anodes of the two switching diodes D21 and D22 are connected to the contacts of two coils L21 and L22 through a capacitor C23. And choke coils (L20) and capacitors ( C24 is grounded, the contact point of the choke coil (L20) and the capacitor (C24) is connected to the high channel selection terminal (BH) and the contact point of the coil (L24) and capacitor (C26) is the capacitor (C25) and variable The VHF tuning filter unit 21 grounded through the capacitor diode VD21, the first gate G1 is connected to the capacitor C26 of the VHF tuning filter unit 21, and the second gate G2 is connected to the resistor ( A field effect transistor TR20 connected to the gain control terminal AGC through R25 and grounded through a resistor R24, and a ground between the first gate G1 of the field effect transistor TR20 and ground. Two switching diodes D23 and D24 having a cathode connected to the resistor R22 and a first gate G1 of the field effect transistor TR20 through a resistor R23 in common; The anode of the switching diode D23 is connected to the high channel selection stage BH which is connected to the VHF tuning filter 21 and the other switching diode D24 is connected. The anode of the plurality of coils L25 connected to the high frequency amplifier 22 connected to the low channel select terminal BL and the drain D of the field effect transistor TR20 provided in the high frequency amplifier 22. A VHF inter-stage tuning circuit section 23 composed of ˜L29 and a capacitor C27 is provided.
다음으로 상기 제1도에 보인 회로도의 동작을 설명한다.Next, the operation of the circuit diagram shown in FIG. 1 will be described.
전원(B+)이 인가되면, 직렬연결된 세 코일(L27, L26, L25)를 통해 전계효과트랜지스터(TR20)의 드레인(D)으로 전압이 인가된다.When the power source B + is applied, a voltage is applied to the drain D of the field effect transistor TR20 through three coils L27, L26, and L25 connected in series.
상기 상태에서, VHF대역의 하이채널이 선택되어 하이채널선택단(BH)으로 하이레벨전압이 인가되면, VHF동조필터부(21)의 통과대역이 VHF의 하이채널대역으로 되면서, 다이오드(D23) 및 저항(R23)과 상기 제1게이트(G1)와 접지사이에 구비되는 저항(R22)을 통해 전계효과트랜지스터(TR20)의 제1게이트(G1)에 바이어스전압이 인가된다. 따라서, VHF필터부(21)를 통해 고주파증폭부(22)로 입력된 VHF 하이채널 고주파신호는 다이오드(D23), 저항(R23), (R22)를 통해 안정된 바이어스전압을 인가받고 단간동조회로부(23)를 통해 드레인으로 전원전압을 인가받은 전계효과트랜지스터(TR20)에 의하여 제2게이트(G2)로 인가되는 이득제어신호에 따른 증폭율로 증폭출력된다.In this state, when the high channel of the VHF band is selected and a high level voltage is applied to the high channel selection terminal BH, the pass band of the VHF tuning filter 21 becomes the high channel band of the VHF, and thus, the diode D23. The bias voltage is applied to the first gate G1 of the field effect transistor TR20 through the resistor R23 and the resistor R22 provided between the first gate G1 and the ground. Accordingly, the VHF high channel high frequency signal inputted to the high frequency amplifier 22 through the VHF filter unit 21 receives a stable bias voltage through the diodes D23, resistors R23, and R22, and is provided with a short inter-tuning circuit unit ( The amplification output is performed at the amplification rate according to the gain control signal applied to the second gate G2 by the field effect transistor TR20 applied with the power supply voltage to the drain through 23).
반대로, VHF 로우채널이 선택되어 로우채널선택단(BL)으로 하이레벨전압이 인가되면, VHF 동조필터(21)의 통과대역은 VHF의 로우채널대역으로 되며, 그리고, 상기 로우채널선택단(BL)으로 인가된 전압은 다이오드(D24)와 저항(R23)과 저항(R22)에 의하여 전계효과트랜지스터(TR20)의 제1게이트(G1)에 바이어스전압으로 인가된다.On the contrary, when the VHF low channel is selected and the high level voltage is applied to the low channel selection terminal BL, the pass band of the VHF tuning filter 21 becomes the low channel band of the VHF, and the low channel selection terminal BL ) Is applied as a bias voltage to the first gate G1 of the field effect transistor TR20 by the diode D24, the resistor R23 and the resistor R22.
따라서, 고주파신호입력단(RFin)으로 입력되는 고주파신호는 VHF동조필터(21)에 의하여 로우채널신호만 고주파증폭부(22)로 입력되고, 상기 고주파증폭부(22)로 입력된 VHF 로우채널신호는 다이오드(D24), 저항(R23), 저항(R22)에 의하여 안정된 바이어스전압을 인가받고 VHF단간동조회로부(23)를 통해 드레인전압이 인가되는 전계효과트랜지스터(TR20)에 의하여 제2게이트(G2)로 인가되느 이득제어신호에 따른 증폭율로 증폭된다.Accordingly, the high frequency signal inputted to the high frequency signal input terminal RFin is input to the high frequency amplifier 22 by the VHF tuning filter 21, and only the low channel signal is input to the high frequency amplifier 22. The second gate G2 is applied by the field effect transistor TR20 to which the stable bias voltage is applied by the diode D24, the resistor R23, and the resistor R22, and the drain voltage is applied through the VHF inter-stage tuning circuit unit 23. Amplification rate is amplified according to gain control signal applied to
이와같이, 본 발명은 VHF 고주파증폭기의 증폭소자에 단간동조회로를 통해 바이어스전압을 인가하지 않고, 로우채널선택단 또는 하이채널선택단으로 인가되는 전압을 다이오드 및 저항을 통해 증폭소자의 게이트로 인가하도록 함으로써, 항상 안정된 바이어스전압이 인가되도록 하여 저전압동작시의 고주파증폭특성을 개선하는 우수한 효과가 있는 것이다.As described above, the present invention does not apply a bias voltage to the amplification element of the VHF high frequency amplifier through the inter-step tuning circuit, and applies a voltage applied to the low channel selection stage or the high channel selection stage to the gate of the amplifier through the diode and the resistor. As a result, a stable bias voltage is always applied, thereby improving the high frequency amplification characteristics during low voltage operation.
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