KR0177685B1 - Vhf synthesizing & high frequency amplifing circuit - Google Patents

Vhf synthesizing & high frequency amplifing circuit Download PDF

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Abstract

발명은 증폭소자에 동조제어신호와 관계없이 직접 일정한 전원이 인가되도록 구성하여 저전압의 동조제어신호가 인가되더라도 고주파특성이 저하되지 않도록 하는 VHF단간동조 및 고주파증폭회로에 관한 것으로, 동조제어신호(BL,BH)에 따라 동조대역이 가변되는 VHF단간동조 및 고주파증폭회로에 있어서, 이득제어신호에 따른 증폭도로 고주파신호를 증폭하는 증폭소자와, 상기 증폭소자의 출력측에 구비되는 다수의 캐패시턴스소자와 인덕턴스소자로 이루어지는 동조회로를 구비하고, 상기 동조회로의 인덕턴스소자를 통해 증폭소자의 드레인에 일정레벨의 전원전압이 인가되도록 하며, 상기 전원전압 인가라인에 병렬로 상기 동쪼제어신호에 따라 스위칭 동작하여 캐패시턴스소자를 상기 동조회로에 연결 또는 차단하는 스위칭다이오드를 연결한다.The present invention relates to a VHF inter-stage tuning and high-frequency amplifying circuit which is constructed so that a constant power is directly applied to an amplifying element regardless of a tuning control signal so that a high-frequency characteristic is not degraded even if a low-voltage tuning control signal is applied. , BH) according to an embodiment of the present invention includes an amplification element for amplifying a high-frequency signal with an amplification degree according to a gain control signal, and a plurality of capacitance elements and inductance elements provided on an output side of the amplification element, And a power supply voltage of a predetermined level is applied to the drain of the amplification element through an inductance element of the tuning circuit, and a switching operation is performed in parallel with the power supply voltage supply line in accordance with the equalization control signal, Connecting a switching diode to connect or disconnect the device to the tuning circuit .

Description

브이에이취에프(VHF)의 단간동조 및 고주파증폭 회로VHF (short-term tuning) and high-frequency amplifying circuit

본 발명은 튜너에 구비되는 VHF 단간동조 및 고주파증폭회로에 관한 것으로, 보다 상세하게는 단간동조 스위칭전압을 통하지 않고 증폭소자에 직접 전원을 공급하여 고주파증폭특성을 개선시키는 VHF 단간동조 및 고주파증폭회로에 관한 것이다.[0001] The present invention relates to a VHF inter-stage tuning and high-frequency amplifying circuit provided in a tuner, and more particularly to a VHF inter-stage tuning and high-frequency amplifying circuit which improves a high frequency amplifying characteristic by directly supplying power to an amplifying element without passing through a short- .

일반적으로, 텔레비젼의 선단부에 구비되는 튜너는 안테나를 통해 입력된 신호를 선국수신하여 중간주파신호로 주파수변환하는 장치이며, 수신되는 방송채널은 채널의 주파수특성에 따라서 VHF(Very High Frequency)의 하이채널과 로우채널, 및 UH F(Ultra High Frequency)채널로 구분된다.In general, a tuner provided at a front end of a television is a device for receiving a signal input through an antenna and converting the received signal into an intermediate frequency signal. The received broadcast channel is a VHF (Very High Frequency) Channel, a low channel, and a UH F (Ultra High Frequency) channel.

그리고, 상기 튜너에 구비되는 VHF단간동조 및 고주파증폭회로부를 VHF대역의 하이채널 또는 로우채널에 동조하여, 수신된 고주파신호중 VHF대역의 하이채널 또는 로우채널신호를 증폭하여 출력하는 회로이다.The VHF tuning section and the high-frequency amplifying circuit section included in the tuner are tuned to a high channel or a low channel of the VHF band and amplify and output a high channel or low channel signal of the VHF band among the received high frequency signals.

제1도에 종래의 VHF 단간동조 및 고주파증폭회로의 실예를 보였으며, 기본적으로 증폭트랜지스터(TR10)는 제2게이트(G2)로 인가되는 이득조절신호인 바이어스전압에 따른 증폭도로 제1게이트(G1)로 입력된 고주파신호를 증폭하여 출력한다. 그리고, 동조는 제어신호(BH,BL)에 따라서 이루어지는데, BH단으로 하이레벨전압이 인가되면 다이오드(D11,D12)가 도통되고, 이에 상기 BH단으로 인가된 전압이 도통된 다이오드(D11)과 코일(L11)을 통해 증폭트랜지스터(TR10)의 드레인(D)으로 인가된다. 이에 증폭트랜지스터(TR10)에 충분한 드레인전류(IDSS)가 흘러 제1게이트로 인가된 고주파입력신호(RFin)는 이득제어신호(AGC)에 따른 이득으로 증폭되며, 다이오드(D11), 캐패시터(C12), 코일(L11), 캐피시터(C11) 및 가변용량다이오드(VD11)에 의해 동조된 VHF대역의 하이채널고주파신호만이 출력단(RFout)으로 출력된다.FIG. 1 shows an example of a conventional VHF inter-stage tuning and high-frequency amplifying circuit. Basically, the amplifying transistor TR10 has an amplification degree according to a bias voltage, which is a gain control signal applied to the second gate G2, G1 to amplify and output the high-frequency signal. When a high level voltage is applied to the BH stage, the diodes D11 and D12 are turned on, and a diode D11 having a voltage applied to the BH stage is turned on. And to the drain D of the amplifying transistor TR10 through the coil L11. A high frequency input signal RFin applied to the first gate through the drain current IDSS flowing in the amplifying transistor TR10 is amplified by a gain according to the gain control signal AGC and is supplied to the diode D11, Only the high-channel high-frequency signal of the VHF band tuned by the coil L11, the capacitor C11 and the variable capacitance diode VD11 is output to the output terminal RFout.

반면에, BL단으로 하이레벨전압이 인가되면 스위칭다이오드(D13)가 도통되어, BL단으로 인가된 전압은 다이오드(D13)와 세 코일(L13,L12,L11)을 통해 증폭트랜지스터(TR10)의 드레인(D)으로 인가되며, 이에 증폭트랜지스터(TR10)에 충분한 드레인전류(IDSS)가 흘러, 제1게이트(G1)으로 입력된 고주파신호는 이득제어신호(AGC)에 따른 증폭도로 증폭되며, 그 신호중 캐패시터(C11), 가변용량다이오드(VD11), 세 코일(L11,L12,L13)과 캐패시터(C15)에 의한 동조대역 VHF의 로우채널대역신호만 출력단(RFout)으로 출력된다.On the other hand, when a high level voltage is applied to the BL stage, the switching diode D13 is turned on and the voltage applied to the BL stage is applied to the amplification transistor TR10 through the diode D13 and the three coils L13, L12, A sufficient drain current IDSS flows through the amplifying transistor TR10 and the high frequency signal input to the first gate G1 is amplified by the gain corresponding to the gain control signal AGC, Only the low-channel band signal of the tuned band VHF by the capacitor C11, the variable capacitance diode VD11, the three coils L11, L12 and L13 and the capacitor C15 is output to the output terminal RFout.

그런데, 종래의 단간동조 및 고주파증폭회로는 동조제어신호인가단(BH,BL)으로 인가되는 전압을 스위칭다이오드를 통해 증폭소자의 드레인에 인가하여 증폭소자가 동작하도록 이루어졌기 때문에, 상기 동조제어신호로써 저전압, 예를들어, 5V 내지 2V를 사용할 때, 증폭소자의 드레인에 인가되는 전압은 스위칭다이오드에 의해 전압강하된 약 4,3V 내지 2V가 된다.However, in the conventional short-term tuning and high-frequency amplifying circuit, the voltage applied to the tuning control signal applying terminals BH and BL is applied to the drain of the amplifying element through the switching diode to operate the amplifying element. The voltage applied to the drain of the amplifying device is about 4,3V to 2V which is lowered by the switching diode when using a low voltage, for example, 5V to 2V.

따라서, 종래의 단가동조 및 고주파증폭회로는 동조제어신호로 저전압을 인가하면 증폭소자의 증폭특성(즉, 혼변조특성, 잡음특성, 이득감쇄도)이 열화되어 고주파신호특성이 나빠지는 문제점이 있었다.Therefore, when the low voltage is applied to the tuning control signal, the amplification characteristics (that is, the intermodulation characteristics, the noise characteristics, and the gain attenuation) of the conventional single unit tuning and high frequency amplifying circuits are deteriorated and the high frequency signal characteristics are deteriorated .

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점들을 해결하고자 안출된 것으로써, 그 목적은 증폭소자에 동조제어신호와 관계없이 직접 일정한 전원이 인가되도록 구성하여 저전압의 동조제어신호가 인가되더라도 고주파특성이 저하되지 않도록 하는 VHF단간동조 및 고주파증폭회로를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the conventional problems as described above, and it is an object of the present invention to provide an amplifying device in which a constant power source is directly applied to a amplifying device regardless of a tuning control signal, VHF inter-stage tuning and a high-frequency amplifying circuit.

제1도는 종래의 VHF 단간동조 및 고주파증폭회로의 구성을 보이는 회로도이다.FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of a conventional VHF inter-phase tuning and high-frequency amplifying circuit.

제2도는 본 발명에 의한 VHF 단간동조 및 고주파증폭회로의 구성을 보이는 회로도이다.FIG. 2 is a circuit diagram showing the configuration of a VHF inter-stage tuning and high-frequency amplifying circuit according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS

TR20 : 증폭트랜지스터 C21∼C28 : 캐패시터TR20: Amplification transistors C21 to C28: Capacitors

VD21, VD22 : 가변용량다이오드 D21, D22 : 스위칭다이오드VD21, VD22: Variable capacitance diodes D21, D22: Switching diodes

R21∼R26 : 저항 L21∼L25 : 코일R21 to R26: Resistors L21 to L25:

RFin : 고주파입력단 RFout : 고주파출력단RFin: High frequency input stage RFout: High frequency output stage

AGC : 이득제어신호입력단AGC: gain control signal input

상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 기술적인 수단으로써, 본 발명은 동조제어신호(BL,BH)에 따라 동조대역이 가변되는 VHF단간동조 및 고주파증폭회로에 이어서, 이득제어신호에 따른 증폭도로 고주파신호를 증폭하는 증폭소자와, 상기 증폭소자의 출력측에 구비되는 다수의 캐패시턴스소자와 인덕턴스소자로 이루어지는 동조회로를 구비하고, 상기 동조회로의 인덕턴스소자를 통해 증폭소자의 드레인에 일정레벨의 전원전압이 인가되도록 하며, 상기 전원전압 인가라인에 병렬로 상기 동조제어신호에 따라 스위칭동작하여 캐패시턴스소자를 상기 동조회로에 연결 또는 차단하는 스위칭다이오드를 연결함을 특징으로 한다.As a technical means for achieving the object of the present invention as described above, according to the present invention, a tuning band is varied according to a tuning control signal (BL, BH), followed by a VHF tuning and a high- And a tuning circuit including a plurality of capacitance elements and an inductance element provided on an output side of the amplification element, wherein the tuning circuit includes an inductance element, And a switching diode for connecting or disconnecting the capacitance element to or from the tuning circuit is connected in parallel to the power supply voltage applying line in accordance with the tuning control signal.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 의한 일실시예의 구성 및 작용을 설명한다.DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the configuration and operation of an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

제2도는 본 발명에 따른 VHF단간동조 및 고주파증폭회로의 일실시예를 보이는 회로도로써, 제1게이트(G1)가 고주파신호 입력단(RFin)에 연결되고 제2게이트(G2)가 이득제어단(AGC)에 연결되는 증폭트랜지스터(TR20)의 소스(S)는 접지시키고, 드레인(D)은 직렬연결된 캐패시터(C21)와 가변용량다이오드(VD21)를 통해 접지시킴과 동시에, 직렬연결되는 세 코일(L21,L22,L23)을 통해 전원단(B+)에 연결하고, 상기 전원단(B+)와 코일(L23)은 캐패시터(C24)를 통해 접지되도록 연결하며, 상기 두 코일(L21),(L22)의 접점은 캐패시터(C22)와 저항(R21)을 통해 제1동기제어신호입력단(BL)에 연결하고, 상기 저항(R21)과 캐패시타(C22)의 접점은 저항(R22)를 통해 접지됨과 동시에 스위칭다이오드(D21)의 음극이 연결되고, 상기 스위칭다이오드(D21)의 양극은 캐패시터(C23)를 통해 접지되면서 또한 저항(R23)에 의해 제2동기제어신호입력단(BH)와 연결한다. 그리고, 상기 전원단(B+)에 그 일단이 접속된 코일(L23)의 타단은 두 코일(L24,L25)와 캐패시터(C28)을 통해 출력단(RFout)에 연결하고, 상기 두 코일(L24),(L25)의 접점은 앞서 기술한 두 코일(L21),(L22)의 접점과 유사하게, 캐패시터(C26)와 저항(R24)을 통해 제1동기제어신호입력단(BL)에 연결하며, 상기 캐피시터(C26)과 저항(C24)의 접점은 저항(R25)를 통해 접지시킴과 동시에 스위칭다이오드(D22)의 음극에 연결하고, 상기 스위칭다이오드(D22)의 양극은 저항(R26)을 통해 제2동기제어신호입력단(BH)에 연결함과 동시에 캐패시터(C27)를 통해 접지시키며, 상기 코일(L25)과 캐패시터(C28)의 접점은 캐패시터(C25)와 가변용량 다이오드(VD22)를 통해 접지되도록 구성한다.FIG. 2 is a circuit diagram showing one embodiment of a VHF inter-stage tuning and high-frequency amplifying circuit according to the present invention, in which a first gate G1 is connected to a high-frequency signal input terminal RFin and a second gate G2 is connected to a gain control terminal The source S of the amplifying transistor TR20 connected to the AGC is grounded and the drain D is grounded through the capacitor C21 connected in series and the variable capacitance diode VD21, And the coil L23 is connected to the ground through the capacitor C24 and the two coils L21 and L22 are connected to the power supply line B + The contact of the resistor R21 and the capacitor C22 is connected to the first synchronous control signal input terminal BL through the capacitor C22 and the resistor R21 and the contact point of the resistor R21 and the capacitor C22 is grounded via the resistor R22 The cathode of the switching diode D21 is connected, and the anode of the switching diode D21 is grounded through the capacitor C23, It is connected with the second synchronization control signal input terminal (BH) by wherein (R23). The other end of the coil L23 having one end connected to the power supply terminal B + is connected to the output terminal RFout through the two coils L24 and L25 and the capacitor C28. The two ends of the two coils L24, The contact of the capacitor L25 is connected to the first synchronous control signal input terminal BL through the capacitor C26 and the resistor R24 similarly to the contact of the two coils L21 and L22 described above, The contact of the resistor R26 and the resistor C24 is grounded through the resistor R25 and is connected to the cathode of the switching diode D22 while the anode of the switching diode D22 is connected to the second The control signal input terminal BH and the ground through the capacitor C27 and the contact point between the coil L25 and the capacitor C28 is grounded via the capacitor C25 and the variable capacitance diode VD22 .

다음으로, 상기에 설명한 구성에 의한 동작을 설명한다.Next, the operation of the above-described configuration will be described.

제1도에서, 증폭트랜지스터(TR20)의 드레인(D)으로는 세 코일(L21,L22,L23)을 통해 항상 일정한 레벨의 전원전압(B+)이 인가되어, 이 증폭트랜지스터(TR20)는 제2게이트(G2)로 인가되는 이득제어전압(AGC)에 따른 이득으로 제1게이트(G1)으로 입력되는 고주파신호를 증폭한다.1, a constant power source voltage B + is always applied to the drain D of the amplifying transistor TR20 through the three coils L21, L22 and L23, and the amplifying transistor TR20 is connected to the second Frequency signal inputted to the first gate G1 with a gain according to the gain control voltage AGC applied to the gate G2.

먼저, 동기제어신호입력단(BL)으로 하이레벨전압이 인가되면, 두 스위칭다이오드(D21),(D22)에 역전압이 걸려, 상기 두 스위칭다이오드(D21),(D22)는 차단된다. 이에 캐패시터(C21), 가변용량다이오드(VD21)와 세 코일(L21,L22,L23) 및 캐패시터(C24)에 의하여 1차동조회로가 구성되어 VHF의 로우채널대역으로의 동조를 이루어지면, 또한 캐패시터(C24)와 세 코일(L23,L24,L2)과 캐패시터(C25) 및 가변용량 다이오드(V22)에 의하여 폴의 로우채널대역으로의 2차동조가 이루어진다. 따라서, 상기 증폭트랜지스터(TR20)에 의하여 증폭된 고주파신호중 VHF로우채널대역의 고주파신호만 출력단(RFout)으로 출력된다.First, when a high level voltage is applied to the synchronous control signal input terminal BL, a reverse voltage is applied to the two switching diodes D21 and D22, and the two switching diodes D21 and D22 are cut off. If a primary differential circuit is constituted by the capacitor C21, the variable capacitance diode VD21 and the three coils L21, L22 and L23 and the capacitor C24 and the tuning of the VHF to the low channel band is performed, The secondary tuning to the low channel band of the pole is performed by the capacitor C24 and the three coils L23, L24 and L2, the capacitor C25 and the variable capacitance diode V22. Therefore, only the high-frequency signals in the VHF low-channel band among the high-frequency signals amplified by the amplifying transistor TR20 are output to the output terminal RFout.

반면에, 제2동기제어신호입력단(BH)으로 하이레벨전압이 인가되면, 두 스위칭다이오드(D21),(D22)는 순방향바이어스되어 도통된다. 따라서, 캐패시터(C23), 다이오드(D21), 캐패시터(C22), 코일(L21), 캐패시터(C21) 및 가변용량다이오드(VD21)에 의하여 VHF의 하이채널대역으로 1차동조가 이루어지며, 또한, 캐피시터(C27), 다이오드(D22), 캐패시터(C26), 코일(L25), 캐패시터(C25) 및 가변용량다이오드(VD22)에 의하여 2차 동조가 이루어진다.On the other hand, when a high level voltage is applied to the second synchronous control signal input terminal BH, the two switching diodes D21 and D22 are forward biased and conducted. Therefore, the primary tuning is performed in the high channel band of VHF by the capacitor C23, the diode D21, the capacitor C22, the coil L21, the capacitor C21 and the variable capacitance diode VD21, The secondary tuning is performed by the capacitor C27, the diode D22, the capacitor C26, the coil L25, the capacitor C25 and the variable capacitance diode VD22.

이에 의하여 상기 증폭트랜지스터(TR20)에 의하여 증폭된 고주파신호중 상기 동조대역인 VHF 하이채널신호만이 출력단(RFout)으로 출력된다.As a result, only the VHF high channel signal, which is the tuned band, is output from the high-frequency signal amplified by the amplifying transistor TR20 to the output terminal RFout.

상기에서, 제1,2동기제어신호입력단(BL,BH)로 저전압(예를들어, 5V 내지 2V)이 인가되더라도, 상기 증폭트랜지스터(TR20)에는 일정한 레벨의 전원전압(B+)이 인가되므로, 증폭특성에는 변함이 없게 된다. 또한, 증폭트랜지스터(TR20)로 인가되는 전원전압이 다이오드를 거치지 않음으로 인하여 전압강하에 의하여 전압레벨이 낮아지는 현상이 없게 된다.In this case, even if a low voltage (for example, 5V to 2V) is applied to the first and second synchronous control signal input terminals BL and BH, the power supply voltage B + of a constant level is applied to the amplification transistor TR20, The amplification characteristic is not changed. Also, since the power supply voltage applied to the amplifying transistor TR20 does not pass through the diode, there is no phenomenon that the voltage level is lowered due to the voltage drop.

그리고, 지금까지 본 발명의 구성 및 작용을 제2도에 보인 일실시예를 들어 설명하였으나, 본 발명은 제2도에 보인 회로도에 한정되는 것이 아니라, 제2도에 보인 회로도로부터 다양한 변경과 응용이 가능하다.2, the present invention is not limited to the circuit diagram shown in FIG. 2, but may be applied to various modifications and applications from the circuit diagram shown in FIG. 2, This is possible.

이와같이, 본 발명은 저전압으로 동조대역을 제어하더라도 증폭소자로 인가되는 전압에는 변동이 없게 구성되어, 저전압으로 인한 증폭특성의 열화를 방지하는 효과가 있으며, 또한 이로인하여 고주파신호의 특성이 저하되는 것을 막는 우수한 효과가 있는 것이다.In this way, even if the tuning band is controlled by the low voltage, the voltage applied to the amplifying device does not fluctuate, and the deterioration of the amplification characteristic due to the low voltage is prevented, and the characteristics of the high- There is an excellent effect to prevent.

Claims (3)

동조제어신호(BL,BH)에 따라 동조대역이 가변되는 VHF단간동조 및 고주파증폭회로에 있어서, 이득제어신호에 따른 증폭도로 고주파신호를 증폭하는 증폭소자와, 상기 증폭소자의 출력측에 구비되는 다수의 캐패시턴스소자와 인덕턴스소자로 이루어지는 동조회로를 구비하고, 상기 동조회로의 인덕턴스소자를 통해 증폭소자의 드레인에 일정레벨의 전원전압이 인가되도록 하며, 상기 전원전압 인가라인에 병렬로 상기 동조제어신호에 따라 스위칭동작하여 캐패시턴스소자를 상기 동조회로에 연결 또는 차단하는 스위칭다이오드를 연결함을 특징으로 하는 VHF단간동조 및 고주파증폭회로.A VHF inter-stage tuning and high-frequency amplifying circuit in which a tuning band varies according to a tuning control signal (BL, BH), comprising: an amplifying element for amplifying a high-frequency signal with an amplification degree according to a gain control signal; And a tuning circuit composed of a capacitance element and an inductance element of the tuning circuit, wherein a power supply voltage of a constant level is applied to a drain of the amplification element through an inductance element of the tuning circuit, And a switching diode for connecting or disconnecting the capacitance element to / from the tuning circuit is connected to the VHF inter-stage tuning and high-frequency amplifying circuit. 제1항에 있어서, 상기 VHF단간동조 및 고주파증폭회로는 제1게이트(G1)가 고주파입력단(RFin)에 연결되고, 제2게이트(G2)가 이득제어단(AGC)에 연결되는 증폭트랜지스터(TR20)의 소스(S)는 접지시키고, 그 드레인(D)은 다수의 코일(L21,L22,L23)을 통해 전원단(B+)에 연결하며, 상기 두 코일(L21,L22)의 접점은 캐패시터(C22), 스위칭다이오드(D21), 캐패시터(C23)를 통해 접지되며, 상기 스위칭다이오드(D21)의 음극은 저항(R21,R22)을 통해 제1동기제어신호입력단(BL)에 연결되고, 양극은 저항(R23)을 통해 제2동기제어신호입력단(BH)에 연결되며, 전원단(B+)에 연결되는 코일(L23)의 타단은 코일(L24,L25) 및 캐패시터(C28)을 통해 출력단(RFout)에 연결되고, 상기 두 코일(L24,L25)의 접점은 캐패시터(C26), 스위칭다이오드(D22), 캐패시터(C27)에 의해 접지되고, 상기 스위칭다이오드(D22)의 음극은 저항(R24,R25)에 의하여 제1동기제어신호입력단(BL)에 연결되고, 양극은 저항(R26)에 의하여 제2동기제어신호입력단(BH)에 연결되도록 구성함을 특징으로 하는 VHF단간동조 및 고주파증폭회로.The VHF inter-stage tuning and high-frequency amplifying circuit according to claim 1, wherein the VHF inter-stage tuning and high-frequency amplifying circuit comprises: an amplifying transistor (G1) having a first gate (G1) connected to a high-frequency input terminal (RFin), and a second gate The source S of the two coils L21 and L20 is grounded and the drain D thereof is connected to the power supply terminal B + through the plurality of coils L21, L22 and L23, The switching diode D21 and the capacitor C23 and the cathode of the switching diode D21 is connected to the first synchronous control signal input terminal BL through resistors R21 and R22, And the other end of the coil L23 connected to the power supply terminal B + is connected to the output terminal of the second synchronous control signal input terminal BH through the coils L24 and L25 and the capacitor C28, RFout and the contacts of the two coils L24 and L25 are grounded by a capacitor C26, a switching diode D22 and a capacitor C27 and the cathode of the switching diode D22 is grounded Is connected to a first synchronous control signal input terminal (BL) by resistors (R24, R25) and the anode is connected by a resistor (R26) to a second synchronous control signal input terminal (BH) And a high-frequency amplifying circuit. 제2항에 있어서, 상기 제1동기제어신호입력단(BL)로 하이레벨전압이 인가되면 상기 VHF단간동조 및 고주파증폭회로는 VHF의 로우채널대역으로 도조하고, 상기 제2동기제어신호입력단(BH)로 하이레벨전압이 인가되면 상기 VHF단간동조 및 고주파증폭회로는 VHF의 하이채널대역으로 동조함을 특징으로 하는 VHF단간동조 및 고주파 증폭회로.3. The method of claim 2, wherein when a high level voltage is applied to the first synchronous control signal input terminal (BL), the VHF inter-stage tuning and high-frequency amplifying circuit compose a low channel band of VHF, ), The VHF inter-stage tuning and high-frequency amplifying circuit is tuned to a high-channel band of VHF.
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