KR0186192B1 - Program apparatus for non-volatile memory - Google Patents

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KR0186192B1 KR1019950036823A KR19950036823A KR0186192B1 KR 0186192 B1 KR0186192 B1 KR 0186192B1 KR 1019950036823 A KR1019950036823 A KR 1019950036823A KR 19950036823 A KR19950036823 A KR 19950036823A KR 0186192 B1 KR0186192 B1 KR 0186192B1
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Abstract

본 발명은 비휘발성 메모리의 프로그램 장치 및 방법에 관한 것으로, 프로그램 시간을 단축하고 라이트(Write)동작시 불필요한 반복동작을 감소시키고 고가의 테스트 장비가 한번 프로그램 할때만 쓰이므로 비용이 절감되는 비휘발성 메모리의 프로그램 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다. 이를위한 본 발명의 비휘발성 메모리의 프로그램 장치는 복수개의 어드레스 라인 및 데이터 라인과, 제어 입력을 위한 OE (Output Enable)가 인가되어 데이터를 저장하는 비휘발성 메모리부와, 상기 비휘발성 메모리의 각각의 어드레스에 입력될 데이터와 쓰여진 데이터를 비교하는 데이터 비교회로부와, 상기 데이터 비교회로부의 비교결과에 의한 에러데이터를 저장하는 램(RAM)저장부와, 상기 램저장부의 어드레스 수를 카운트하는 제1카운터, 상기 램저장부의 어드레스를 지정하는 제2카운터, 에러 데이터의 반복적인 라이트 및 비교 동작이 무한번 반복하지 않도록 레퍼런스 값을 저장하는 제3카운터로 이루어지는 카운터부를 포함하여 구성되고 본 발명의 비휘발성 메모리의 프로그램 방법은 비휘발성 메모리의 처음 어드레스에서 부터 마지막 어드레스까지 데이터를 라이트(Write)하는 제1단계, 상기 비휘발성 메모리에 라이트된 데이터를 순차적으로 리드한 후, 라이트한 데이터와 비교하여 동일하면 다음 어드레스의 데이터를 리드하고, 동일하지 않으면 해당 데이터 및 어드레스를 램저장부에 저장하는 제2단계, 상기 제2단계를 반복적으로 수행하는 제3단계, 상기 램 저장부에 저장된 데이터를 다시 상기 비휘발성 메모리에 라이트한 후, 상기 제2, 제3단계를 반복수행하는 제4단계, 상기 제4단계의 동작을 일정횟수 만큼 반복하여 일정횟수가 되면, 불량처리하는 제5단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.The present invention relates to a non-volatile memory program apparatus and method, which reduces programming time, reduces unnecessary repetitive operations during write operations, and is used only when expensive test equipment is programmed once. It is to provide a program device and method. The program apparatus of the nonvolatile memory according to the present invention includes a plurality of address lines and data lines, a nonvolatile memory unit configured to store data by applying an output enable (OE) for control input, and each of the nonvolatile memories. A data comparison circuit section for comparing the data input to the address with the written data, a RAM storage section for storing error data based on a comparison result of the data comparison circuit section, and a first counter for counting the number of addresses of the RAM storage section. And a counter unit comprising a second counter specifying an address of the RAM storage unit, and a third counter storing a reference value so that repeated writing and comparison operations of error data are not repeated infinitely. The program method of the first address from the first address of the nonvolatile memory In the first step of writing data, the data written to the nonvolatile memory is sequentially read, and then the data of the next address is read if the data is the same compared with the written data. Storing the data stored in the RAM storage unit again in the non-volatile memory, and repeating the second and third operations. The fourth step of repeating the operation, the operation of the fourth step is repeated a predetermined number of times, characterized in that it comprises a fifth step of performing a bad process.

Description

비휘발성 메모리의 프로그램 장치 및 방법Program Device and Method of Nonvolatile Memory

제1도는 종래의 비휘발성 메모리의 구조를 나타낸 도면1 is a diagram showing the structure of a conventional nonvolatile memory.

제2도는 종래의 비휘발성 메모리의 프로그램 방법을 나타낸 순서도2 is a flowchart showing a conventional method of programming a nonvolatile memory.

제3도는 본 발명의 비휘발성 메모리의 프로그램 장치의 구성블럭도3 is a block diagram of a program device of a nonvolatile memory of the present invention.

제4도는 본 발명에 따른 비휘발성 메모리의 프로그램 방법을 나타낸 순서도4 is a flowchart illustrating a method of programming a nonvolatile memory according to the present invention.

제5도는 제3도의 비휘발성 메모리의 프로그램 장치의 상세도FIG. 5 is a detailed view of the program device of the nonvolatile memory of FIG.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

21 : 비휘발성 메모리 22 : 데이터 비교회로21: non-volatile memory 22: data comparison circuit

23 : 램(RAM) 24 : 제1카운터23: RAM 24: the first counter

25 : 제2카운터 26 : 제3카운터25: second counter 26: third counter

본 발명은 비휘발성 메모리의 프로그램 장치 및 방법에 관한 것으로서, 특히 메모리에 데이터를 라이트(Write)시 불필요한 반복동작을 감소시키고 에러없이 쓰게하는 비휘발성 메모리의 프로그램 장치 및 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a program apparatus and method for a nonvolatile memory, and more particularly, to a program apparatus and method for a nonvolatile memory, which reduces unnecessary repetitive operations when writing data to a memory and writes without error.

이하, 첨부도면을 참조하여 종래의 비휘발성 메모리의 프로그램 장치 및 방법을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a program apparatus and method of a conventional nonvolatile memory will be described with reference to the accompanying drawings.

제1도는 종래의 비휘발성 메모리의 구조를 나타내었고 제2도는 종래의 비휘발성 메모리의 프로그램 방법을 나타낸 순서도이다.FIG. 1 shows a structure of a conventional nonvolatile memory and FIG. 2 is a flowchart showing a program method of a conventional nonvolatile memory.

먼저, 제1도에서와 같이 종래의 비휘발성 메모리는 복수개의 제어신호 입력단자와 복수개의 어드레스 입력단자와 복수개의 데이터 입출력 단자와 입력데이터를 저장하는 메모리 셀과 데이터 신호를 센싱하는 센싱부를 포함하여 구성된다.First, as shown in FIG. 1, a conventional nonvolatile memory includes a plurality of control signal input terminals, a plurality of address input terminals, a plurality of data input / output terminals, a memory cell storing input data, and a sensing unit for sensing a data signal. It is composed.

상기와 같이 구성된 종래의 비휘발성 메모리의 프로그램 방법을 설명하면 다음과 같다.A conventional method of programming a nonvolatile memory configured as described above is as follows.

첨부도면 제2도는 종래의 비휘발성 메모리 프로그램 방법을 나타낸 순서도이다.2 is a flowchart illustrating a conventional nonvolatile memory program method.

먼저, 제2도에서와 같이 종래의 비휘발성 메모리의 프로그램 방법은 메모리의 첫번재 어드레스에 첫번째 데이터를 라이트하고(제1단계) 이어서 상기 메모리에 쓰여진 데이터를 확인하기 위해 리드(Read) 해본다(제2단계).First, as shown in FIG. 2, in the conventional nonvolatile memory program method, the first data is written to the first address of the memory (step 1), and then read to confirm the data written to the memory ( Step 2).

다음에, 상기 메모리에 라이트(Write) 한 데이터와 리드(Read)하여 확인한 데이터가 동일하면 다음 두번째 어드레스에 두번째 데이터를 라이트(Write)하고, 상기 메모리에 라이트(Write)한 데이터와 리드(Read)하여 확인한 데이터가 동일하지 않으면 첫번째 어드레스에 첫번재 데이터를 일정한 횟수(Limit)만큼 라이트(Write) 및 확인하는 동작을 반복한다(제3단계).Next, if the data written to the memory and the data read and confirmed are the same, the second data is written to the next second address, and the data and read data are written to the memory. If the checked data are not the same, the operation of writing and confirming the first data to the first address a predetermined number of times is limited (step 3).

이어서 상기 라이트(Write) 및 확인동작이 일정한 횟수(Limit)가 되면 불량(fail)처리한다(제4단계).Subsequently, when the write and check operations are reached a certain number of times, a fail process is performed (fourth step).

이때, 최종 어드레스가 될때까지 상기와 같은 방법으로 프로그램 한다.At this time, program in the same manner as above until the final address.

그러나 상기와 같은 종래의 비휘발성 메모리의 프로그램 방법은 프로그래밍 동작이 외부에서 (ROM Writer)행해지므로 롬 라이터(ROM Writer)의 종류에 따라 상기의 기능이 있을수도 없을수도 있다.However, in the conventional method of programming a nonvolatile memory as described above, since the programming operation is performed externally (ROM Writer), the above function may not be possible depending on the type of the ROM writer.

또한 라이트(Write) 및 확인하는 동작을 여러번 반복하게 되어 라이트(Write)동작이 불필요하게 증가되는 문제점이 있었다.In addition, since the write and check operations are repeated many times, there is a problem in that the write operation is unnecessarily increased.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 비휘발성 메모리에 데이터를 처음부터 끝까지 한번만 프로그램 하여 데이터 비교회로와 카운터, 램(RAM)을 사용하여 프로그램시 불필요한 라이트(Write)동작의 반복을 감소시키는 비휘발성 메모리의 프로그램 장치 및 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and the data is programmed only once from the beginning to the end in the nonvolatile memory to repeat unnecessary write operations during programming using a data comparison circuit, a counter, and a RAM. It is an object of the present invention to provide a program device and method for reducing nonvolatile memory.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 비휘발성 메모리의 프로그램 장치 및 방법을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Referring to the accompanying drawings, a program device and method of a nonvolatile memory of the present invention for achieving the above object are as follows.

제3도는 본 발명에 따른 비휘발성 메모리의 프로그램 장치의 구성블럭도이고, 제4도는 본 발명의 비휘발성 메모리의 프로그램 방법을 나타낸 순서도이다.3 is a block diagram of a program device for a nonvolatile memory according to the present invention, and FIG. 4 is a flowchart showing a program method for the nonvolatile memory according to the present invention.

먼저, 제3도에서와 같이 본 발명의 비휘발성 메모리의 프로그램 장치는 복수개의 어드레스 라인 및 데이터 라인과, 제어 입력을 위한 OE(Output Enable)가 인가되어 데이터를 저장하는 비휘발성 메모리부와, 상기 비휘발성 메모리의 각각의 어드레스에 입력될 데이터와 쓰여진 데이터를 비교하는 데이터 비교회로부와, 상기 데이터 비교회로부의 비교결과에 의한 에러 데이터 및 어드레스를 저장하는 메모리부(RAM)와, 상기 비교회로부의 신호를 받아 상기 메모리부의 어드레스를 카운트하는 카운터부를 포함하여 구성되며 상기와 같이 구성된 본 발명의 비휘발성 메모리의 프로그램 방법은 비휘발성 메모리의 처음 어드레스에서 부터 마지막 어드레스까지 데이터를 라이트(Write)하는 제1단계, 상기 비휘발성 메모리에 쓰여진 데이터를 리드(Read)하는 제2단계, 상기 리드(Read)한 데이터를 데이터 비교회로부에서 비교하여 입력될 데이터와 쓰여진 데이터가 같으면 라이트(Write)동작을 끝내고 서로 다르면 해당 데이터를 메모리부(RAM)에 저장하는 제3단계, 상기 메모리부에 저장된 데이터를 다시 비휘발성 메모리부에 라이트(Write)한 다음 상기 제3단계 동작을 반복하는 제4단계, 상기 제4단계 동작이 일정횟수(Limit)만큼 반복하여 일정횟수가 되면 불량(fail)처리하는 제5단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.First, as shown in FIG. 3, the program apparatus of the nonvolatile memory of the present invention includes a plurality of address lines and data lines, a nonvolatile memory unit for storing data by applying an output enable (OE) for control input, and A data comparison circuit unit for comparing the data to be input to each address of the nonvolatile memory and the written data, a memory unit (RAM) for storing error data and an address resulting from a comparison result of the data comparison circuit unit, and a signal of the comparison circuit unit The nonvolatile memory program method of the present invention configured as described above includes a counter unit for counting an address of the memory unit. The first method of writing data from the first address to the last address of the nonvolatile memory is performed. A second step of reading data written to the nonvolatile memory; A third step of comparing the read data by the data comparison circuit unit to finish the write operation when the data to be input and the written data are the same, and storing the corresponding data in the memory unit RAM when the data is different from each other; After the stored data is again written to the nonvolatile memory unit, the fourth step of repeating the third step operation and the fourth step operation repeat a predetermined number of times and fail if the predetermined number of times is repeated. It is characterized by comprising a fifth step.

이하, 본 발명에 따른 비휘발성 메모리의 프로그램 장치 및 방법을 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a program device and method of a nonvolatile memory according to the present invention will be described in detail.

제5도는 제3도의 본 발명에 따른 비휘발성 메모리의 프로그램 장치를 보다 상세히 나타낸 상세도로서, 먼저 제1비휘발성 메모리(21)에 기억시키고자 하는 데이터를 처음부터 끝까지 한번만 프로그램 한다.FIG. 5 is a detailed view showing the program apparatus of the nonvolatile memory according to the present invention of FIG. 3 in more detail. First, data to be stored in the first nonvolatile memory 21 is programmed only once from the beginning to the end.

이어서 상기 제1비휘발성 메모리(21)에 쓰여진 데이터를 전부 리드(Read)하여 상기 제1비휘발성 메모리(21)와 연결된 데이터 비교회로부(22)에서 비교한다.Subsequently, all data written in the first nonvolatile memory 21 is read and compared by the data comparison circuit 22 connected to the first nonvolatile memory 21.

상기 데이터 비교회로부(22)에 의한 비교결과 입력될 데이터와 쓰여진 데이터가 서로 틀리면 서로 틀린 데이터와 어드레스를 램(RAM)(23)에 저장한다.If the data to be input and the written data are different from each other as a result of the comparison by the data comparison circuit unit 22, the data and the address that are different from each other are stored in the RAM 23.

이때, 상기 램(RAM)(23)에 저장된 데이터의 각각의 어드레스는 제1카운터(24)의 지시값이 된다.At this time, each address of the data stored in the RAM 23 is an indication value of the first counter 24.

이어서 마지막 어드레스까지 리드(Read)가 모두 끝나고 LAST 신호가 생성되면 그때의 제1카운터(24)의 값을 최종 어드레스를 인식하기 위해 LAST(라스트)카운트 레지스터에 쓰고 라이트(Write)회로를 구동한다.Subsequently, when all reads are completed to the last address and a LAST signal is generated, the value of the first counter 24 at that time is written to the LAST count register to recognize the final address, and the write circuit is driven.

상기 라이트(Write)동작시 생성되는 CE(Chip Enable)신호의 갯수에 따라 상기 램(RAM)(23)과 연결된 제2카운터(25)에서 램(RAM)의 어드레스를 생성한다.The RAM address is generated by the second counter 25 connected to the RAM 23 according to the number of CE (Chip Enable) signals generated during the write operation.

이때 상기 어드레스에 저장된 데이터가 호출되어 비휘발성 메모리(21)에 프로그램 한다.At this time, data stored at the address is called and programmed in the nonvolatile memory 21.

이어서 상기 데이터 비교회로부(22)에서 입력될 데이터와 쓰여진 데이터를 또다시 비교한 뒤 각각의 데이터가 서로 같지 않으면 상기 데이터는 제1카운터에 의해 다시 램(RAM)(23)에 저장된다.Subsequently, the data to be input from the data comparison circuit section 22 and the written data are compared again. If the respective data are not equal to each other, the data is stored in the RAM 23 by the first counter again.

상기와 같은 동작을 반복함으로서 상기 제1카운터(24)의 레지스터 값이 최종적으로 ψ이되면 END 신호를 발생한 후 작업을 끝낸다.By repeating the above operation, when the register value of the first counter 24 finally becomes ψ, the END signal is generated and the operation is completed.

이때, 상기와 같은 동작이 무한번까지 않도록 LAST(라스트) 신호의 생성횟수가 n번을 초과하면 불량(fail)신호를 발생하여 작업을 끝낸다.At this time, if the number of times the LAST (last) signal is generated more than n times so that the above operation is not infinite times, a fail signal is generated and the operation is completed.

한편, 본 발명에 따른 비휘발성 메모리의 프로그램 방법은 제4도에서와 같이, 비휘발성 메모리의 어드레스를 초기화한 후(101), 상기 비휘발성 메모리의 어드레스에 데이터를 라이트(Write)한다(102).Meanwhile, in the method of programming a nonvolatile memory according to the present invention, as shown in FIG. 4, after the address of the nonvolatile memory is initialized (101), data is written to the address of the nonvolatile memory (102). .

이어서, 비휘발성 메모리의 최종 어드레스인지 검출하여(103) 최종 어드레스가 아니면 어드레스를 하나 증가하여(104) 데이터를 순차적으로 라이트(Write)하고, 최종 어드레스이면 데이터의 라이트(Write)동작을 멈추고 어드레스를 초기화 한다(105).Subsequently, it is detected whether the final address of the nonvolatile memory is 103 (step 103), and if the address is not the final address, the address is incremented by one (104), and the data is sequentially written. If the final address, the write operation of the data is stopped and the address is reset. Initialize (105).

이어서 비휘발성 메모리의 해상 어드레스의 데이터를 리드(Read)하여 비교(106)한 후 쓰여질 데이터와 쓰여진 데이터가 정확한가를 판단하여(107)정확하면 어드레스를 하나 증가시킨 후 (108) 현재의 어드레스 값과 최종 어드레스 값이 같은지를 비교한다(109).After reading and comparing the data of the resolution address of the nonvolatile memory (106), it is determined whether the data to be written and the data to be written are correct (107). If it is correct, the address is increased by one (108). The final address values are compared for equality (109).

한편, 상기 쓰여질 데이터와 쓰여진 데이터를 비교하여 정확하지 않으면 에러발생 데이터로 판단하여 제1카운터 값을 증가시키고(110), 상기 에러발생 데이터의 어드레스 및 입력데이터를 램(RAM)에 순차적으로 저장한다(111).On the other hand, by comparing the written data and the written data, if it is not correct, it is determined as error occurrence data to increase the first counter value (110), and sequentially stores the address and input data of the error occurrence data in the RAM. (111).

이어서, 상기 현재의 어드레스 값과 최종 어드레스 값이 같은지를 비교하여 같지 않으면 상기 증가된 어드레스의 데이터를 리드(Read)하여 비교하고, 상기 현재의 어드레스 값과 최종 어드레스 값이 같으면 리드(Read)동작이 완료되었음을 인식하고 제1카운터 레지스터에 최종번지를 인식하기 위해 최종 카운터 값을 저장한다(112).Subsequently, if the current address value and the final address value are the same and not equal, the data of the increased address is read and compared, and if the current address value and the final address value are the same, a read operation is performed. The final counter value is stored in order to recognize the completion and to recognize the last address in the first counter register (112).

이어서, 상기 제2카운터의 어드레스 값에 의한 램(RAM)의 어드레스와 데이터를 다시 비휘발성 메모리에 라이트(Write)한다(113).Subsequently, the address and data of the RAM according to the address value of the second counter are written back into the nonvolatile memory (113).

상기 라이트(Write)동작이 끝나면 상기 비휘발성 메모리에 쓰여진 데이터를 리드하여 비휘발성 메모리에 쓰여진 데이터와 쓰여질 데이터를 비교하여 서로 정확한지를 검출한다(114).After the write operation is completed, data written to the nonvolatile memory is read to compare the data written to the nonvolatile memory with the data to be written to detect whether they are correct (114).

상기 쓰여진 데이터와 쓰여질 데이터의 비교결과(114) 서로 같지 않으면 현재의 제3카운터 값과, 제3카운터의 세팅값을 비교하여(115), 서로 같으면 불량처리 하여 동작을 완료하고(116) 서로 같지 않으면 상기 제3카운터 값을 증가시킨 후(117), 다시 제2카운터에 의해 램(RAM)의 어드레스 값과 데이터를 비휘발성 메모리에 라이트(Write)한다.If the comparison result 114 of the written data and the data to be written is not equal to each other, the current third counter value and the setting value of the third counter are compared (115). Otherwise, after increasing the value of the third counter (117), the address and data of the RAM are written to the nonvolatile memory by the second counter.

이때, 상기 제3카운터의 세팅값은 에러발생 데이터를 상기 비휘발성 메모리에 라이트(Write)하는 동작을 무한번 반복하지 않도록 설정된 값이다. 이어서, 상기 반복되어 비휘발성 메모리에 쓰여진 데이터와 쓰여질 데이터를 비교하여(114) 서로 동일하면 제1카운터 값과 제2카운터 값을 비교한다(118).At this time, the setting value of the third counter is set so as not to repeat the operation of writing the error occurrence data to the nonvolatile memory indefinitely. Subsequently, the data repeatedly written to the nonvolatile memory and the data to be written are compared (114), and if the first counter value is equal to the second counter value (118).

상기 비교결과 제1카운터 값과 제2카운터 값이 같지 않으면 아직 에러발생 데이터가 존재함을 인식하여 상기 제2카운터를 증가시킴(119)과 동시에 다시 비휘발성 메모리에 라이트(Write)동작을 반복한다.As a result of the comparison, if the first counter value and the second counter value are not the same, it is recognized that error data still exists and the second counter is increased to increase the second counter (119). At the same time, the write operation is repeated in the nonvolatile memory. .

한편, 상기 제1카운터와 제2카운터 값을 비교하여 서로 같으면 에러발생 데이터가 불량처리 및 보정되었음을 인식하여 모든 동작을 완료한다.On the other hand, if the first counter and the second counter value is compared with each other, the error occurrence data is recognized that the defective processing and correction is completed all the operations.

이상 상술한 바와같이 본 발명의 비휘발성 메모리의 프로그램 장치 및 방법은 데이터를 저장할때 불필요한 라이트(Write)동작을 줄이고 종래에는 프로그램 시간이 길어짐에 따라 고가의 테스트 장비를 사용하므로 원가승이 되는 반면에 상기의 방법을 이용하여 비휘발성 메모리 내부에 프로그램 하거나 외장하여 JIG(지그)를 꾸미면 한번 프로그램 할때만 테스트 장비가 쓰이고 나머지는 셀프라이트(Self Write)하거나 저가의 JIG에서 하므로 비용이 절감되는 효과가 있다.As described above, the program apparatus and method of the nonvolatile memory of the present invention reduce the unnecessary write operation when storing data, and in the related art, expensive test equipment is used as the program time becomes longer. If you make a JIG (jig) by programming inside or outside the non-volatile memory using the method of, the test equipment is used only once and the rest is done by self-write or low-cost JIG.

Claims (2)

(정정) 복수개의 어드레스 라인 및 데이터 라인과, 제어입력을 위한 OE (Output Enable)가 인가되어 데이터를 저장하는 비휘발성 메모리부와, 상기 비휘발성 메모리의 각각의 어드레스에 입력될 데이터와 라이트된 데이터를 비교하는 데이터 비교회로부와, 상기 데이터 비교회로부의 비교결과에 의한 에러데이터를 저장하는 램저장부와, 상기 램저장부의 어드레스 수를 카운트하는 제1카운터, 상기 램저장부의 어드레스를 지정하는 제2카운터, 에러 데이터의 반복적인 라이트 및 비교 동작이 무한번 반복하지 않도록 레퍼런스 값을 저장하는 제3카운터로 이루어지는 카운터부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 프로그램 장치.(Correction) a plurality of address lines and data lines, a nonvolatile memory section for storing data by applying an output enable (OE) for control input, data to be input and written to respective addresses of the nonvolatile memory A data comparator circuit for comparing the data; a RAM storage unit for storing error data according to a comparison result of the data comparison circuit unit; a first counter for counting the number of addresses of the RAM storage unit; and a second counter for specifying an address of the RAM storage unit. And a counter unit comprising a third counter for storing a reference value so that the counter, the repeated writing and comparison operations of the error data do not repeat indefinitely. (정정) 비휘발성 메모리의 처음 어드레스에서부터 마지막 어드레스까지 데이터를 일괄적으로 라이트하는 제1단계, 상기 비휘발성 메모리에 라이트된 데이터를 순차적으로 리드한 후, 라이트한 데이터와 비교하여 동일하면 다음 어드레스의 데이터를 리드하고, 동일하지 않으면, 해당 데이터 및 어드레스를 램저장부에 저장하는 제2단계, 상기 제2단계를 반복적으로 수행하는 제3단계, 상기 램 저장부에 저장된 데이터를 다시 상기 비휘발성 메모리에 라이트한 후, 상기 제2, 제3단계를 반복수행하는 제4단계, 상기 제4단계 동작을 일정횟수 만큼 반복하여 일정횟수가 되면 불량처리하는 제5단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 프로그램 방법.(Correction) A first step of collectively writing data from the first address to the last address of the nonvolatile memory; sequentially reading data written to the nonvolatile memory; A second step of reading data and storing the data and address in a RAM storage unit; a third step of repeatedly performing the second step; and storing the data stored in the RAM storage unit again in the nonvolatile memory. And after the write, the fourth step of repeatedly performing the second and third steps, and the fifth step of repeating the operation of the fourth step by a predetermined number of times and performing a defect processing when the predetermined number of times is repeated How to program volatile memory.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100319870B1 (en) * 1999-08-23 2002-01-10 윤종용 Method for processing the data in the non volatilization RAM safely

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