KR0180213B1 - Method of data verification in semiconductor test - Google Patents
Method of data verification in semiconductor test Download PDFInfo
- Publication number
- KR0180213B1 KR0180213B1 KR1019950046464A KR19950046464A KR0180213B1 KR 0180213 B1 KR0180213 B1 KR 0180213B1 KR 1019950046464 A KR1019950046464 A KR 1019950046464A KR 19950046464 A KR19950046464 A KR 19950046464A KR 0180213 B1 KR0180213 B1 KR 0180213B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- verification
- data
- test
- repeatability
- significant difference
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/317—Testing of digital circuits
- G01R31/31718—Logistic aspects, e.g. binning, selection, sorting of devices under test, tester/handler interaction networks, Test management software, e.g. software for test statistics or test evaluation, yield analysis
Abstract
본 발명은 검증용 테스트 항목을 결정한 후 웨이퍼 상의 상, 하, 좌, 우 및 중앙부분등에서 1 칩씩 복수 개의 샘플칩을 선정하고, X, Y 좌표로 구분하는 샘플칩 선정 스텝과, 상기 샘플칩 선정 스텝에서 선정된 복수 개의 칩중 1개에 대해 적어도 30-60회 반복 테스트하여 평균값과 공정에서 허용하는 산포에 대한 실제 공정 산포의 비(CP)를 산출하는 산출 스텝과, 상기 산출 스텝에서 산출된 데이터 등을 이용하여 유의차 항목이 있는가를 판단하는 판단 스텝과, 상기 판단 스텝에서 유의차 항목의 원인이 없으면 반복성에 대한 데이터 검증을 완료하는 스텝으로 이루어져, 자동화 테스터에서의 프로그램과 회로 구성소자 등의 변화에 의한 테스트 데이터가 변화하는 것을 통계적 검정 이론을 테스트 데이터 분석 및 검증에 도입하여 정확하고 신뢰성 있는 데이터 검증 체계를 수립하여 반도체 소자를 제조하는 공정에서 제조의 수율과 반도체 소자의 품질을 균일하게 할 수 있는 반도체 테스트에서의 데이터 검증 방법에 관한 것이다.According to the present invention, after determining a test item for verification, a plurality of sample chips are selected one by one from the top, bottom, left, right, and center portions of the wafer, and the sample chip selection step of dividing by X and Y coordinates and the sample chip selection. A calculation step of repeating at least 30 to 60 times of one of the plurality of chips selected in the step to calculate a ratio (CP) of the average process spread to the spread allowed by the process; and the data calculated in the calculation step A judgment step of determining whether there is a significant difference item using the same, and a step of completing data verification for repeatability if there is no cause of the significant difference item in the determination step. Accurate and reliable data by applying statistical test theory to test data analysis and verification The present invention relates to a method of verifying data in a semiconductor test that can uniformize the yield and the quality of a semiconductor device in a process of manufacturing the semiconductor device by establishing a data verification system.
Description
본 발명은 반도체 테스트에서의 데이터 검증방법(TEST DATA CORRELATION METHOD)에 관한 것이다.The present invention relates to a data verification method (TEST DATA CORRELATION METHOD) in a semiconductor test.
상기 데이터 검증(DATA CORRELATION)이란 상호 다른 조건에 의해 테스트된 데이터를 일정기준에 의하여 동일하게 하는 절차를 말하며, 자동화 테스터에서 프로그램과 회로구성소자 등의 변화에 의한 테스트 데이터가 변화하는 것으로써, 통계적 검정이론을 테스트 데이터분석 및 검증에 도입하여 정확하고 신뢰성 있는 데이터 검증체계를 수립하고자 한 것이다.The DATA CORRELATION refers to a procedure of equalizing data tested under different conditions by a certain standard. The test data is changed by a change in a program and a circuit component in an automated tester, and statistically The test theory was introduced to test data analysis and verification to establish an accurate and reliable data verification system.
반도체 산업에서의 테스트 데이터검증은 수율과 품질의 균일성에 많은 영향을 미치고, 검증방법의 차이에서 발생되는 오류는 생산성저하와 품질불량을 유발하므로 데이터 검증에 정당성과 신뢰성을 부여하는 것은 무엇보다도 중요한 의미를 갖는다. 기존의 데이터 검증방법은 테스트하는 작업자의 판단으로 임의의 시료에 대한 검증 전후의 반복성과 수율 변화 여부를 데이터 검증의 기본으로 사용하였다.Validation of test data in the semiconductor industry has a great effect on yield and quality uniformity, and errors caused by differences in verification methods can lead to poor productivity and poor quality. Has Existing data verification method used the repeatability and yield change before and after the verification of any sample as the basis of data verification, at the judgment of the testing operator.
이와같은 방법은 판단의 정확성을 요구하기에는 어려운 요소들이 산재하여 자그마한 오류를 범하기 쉽다. 이러한 문제는 생산성 향상에 나쁜 영향을 끼칠 수 있으므로 데이터 검증절차를 합리적으로 설정하는 것은 매우 중요한 요소이다. 따라서, 데이터 검증절차 제정을 위한 관련 파라메터의 분석이 필요하게 된다.Such a method is likely to make small errors, interspersed with factors that are difficult to require accuracy of judgment. Since these problems can adversely affect productivity, it is very important to rationalize the data verification procedure. Therefore, it is necessary to analyze the relevant parameters for the establishment of data verification procedures.
이에 대해 본 발명은 검정이론의 F-검정을 통한 반복성 검증을, t-검정을 통한 평균값의 동일성 검증을 실시하고, 수율변화검증은 유의수준을 고려한 통계량을 적용한 결과인 3% 이내의 변화유무로 수율변화에 대한 유의차를 검증하는 방법을 제공하는데 그 목적을 두고 있다.On the other hand, the present invention performs the repeatability verification through the F-test of the test theory, the verification of the equality of the mean value through the t-test, and the yield change verification with or without the change within 3% that is the result of applying the statistics considering the significance level. Its purpose is to provide a method for verifying significant differences in yield changes.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 검증용 테스트항목을 결정한 후 웨이퍼상의 상,하,좌,우 및 중앙부분등에서 1칩씩 복수개의 샘플칩을 선정하고, X, Y 좌표로 구분하는 샘플칩 선정스텝과, 상기 샘플칩 선정스텝에서 선정된 복수개의 칩중 1개에 대해 적어도 30-60회 반복 테스트하여 평균값과 공정에서 허용하는 산포에 대한 실제 공정산포의 비(CP)를 산출하는 산출스텝과, 상기 산출스텝에서 산출된 데이터 등을 이용하여 유의차 항목이 있는가를 판단하는 판단스텝과, 상기 판단스텝에서 유의차 항목의 원인이 없으면 반복성에 대한 데이터 검증을 완료하는 스텝으로 이루어진 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention, after determining a test item for verification, selects a plurality of sample chips one by one from the top, bottom, left, right, and center portions on the wafer, and selects a sample chip divided by X and Y coordinates. A step of calculating a ratio (CP) of an average value and an actual process spread with respect to the dispersion allowed by the process by repeating at least 30-60 tests on one of the plurality of chips selected in the sample chip selecting step; And a determination step of determining whether there is a significant difference item using the data calculated in the calculation step, and a step of completing data verification of repeatability if there is no cause of the significant difference item in the determination step.
제1도는 본 발명에 의한 반도체 테스트에서의 데이터 검증방법을 설명하는 플로우챠트.1 is a flowchart illustrating a data verification method in a semiconductor test according to the present invention.
제2도는 본 발명에 의해 측정한 반복성 데이터를 나타낸 표.2 is a table showing repeatability data measured by the present invention.
제3도는 본 발명에 의한 반복성 검증을 나타낸 표.3 is a table showing the repeatability verification according to the present invention.
제4도는 본 발명에 의해 측정한 평균값의 동일성 검증표이다.4 is an identity verification table of average values measured by the present invention.
이하, 예시된 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 기술하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the illustrated drawings.
본 발명에서 인용된 Cp는 공정에서 허용하는 산포에 대한 실제 공정 산포의 비를 나타낸 것으로써, Cp 값이 크면 공정은 안정된 것이다. 이것을 반복 테스트에 적용하면 Cp(r) 값이 클수록 테스트 데이터는 일정하게 측정됨을 보이므로 테스트 결과는 안정된 것이다.The Cp cited in the present invention represents the ratio of the actual process spread to the spread allowed by the process. When the Cp value is large, the process is stable. Applying this to the repeated test shows that the test data is measured consistently as the value of Cp (r) increases, so that the test result is stable.
또한, Cpk는 품질 특성의 분포가 양쪽 규격의 중앙값에 일치하지 않는 치우침의 정도를 나타내는 비로써, Cpk의 절대치가 클수록 Spec 의 중심값에 가까이 위치한다고 할 수 있다. 따라서, Run 분포의 Cpk(run)은 3σ(run)의 여유가 얼마나 되는가의 판단의 척도가 되므로 3σ(run)의 여유도가 클수록 공정은 안정한 것이다. 이 결과로 데이터 검증과의 관계를 살펴볼 수 있다. 이와 같은 이론을 바탕으로 반복성의 Cp(r), Run 분포의 Cp(run) 및 Cpk(run)와 데이터 검증과의 관계를 정립하여 테스트 데이터 검증의 안정화를 이룬다.In addition, Cpk is a ratio indicating the degree of bias in which the distribution of quality characteristics does not coincide with the median values of both standards. The larger the absolute value of Cpk, the closer the center value of Spec is. Therefore, the Cpk (run) of the run distribution is a measure of how much margin of 3 sigma (run) is. Therefore, the larger the margin of 3 sigma (run), the more stable the process. As a result, we can examine the relationship with data verification. Based on this theory, the relationship between Cp (r), Cp (run) and Cpk (run) of Run distribution and data verification is established to stabilize test data verification.
그리고, 데이터 검증이 필요한 경우는 테스트 지그(Test JIG), 프로브 카드(Probe Card), 테스터(Tester) 및 Wafer/Package간의 데이터가 다를 경우이며, 테스터간 데이터 검증은 동일 제품의 각각에 대해 검증하고자 하는 중요 테스트 항목을 결정한다.If data verification is required, data between test jig, probe card, tester, and wafer / package is different, and data verification between testers is to verify each of the same products. Determine important test items.
제1도의 스텝 S1과 같이 검증용 테스트 항목을 결정한 후 스텝 S2로 나아가서 (1) 웨이퍼에 대한 검증을 하기 위해서는 웨이퍼상의 상, 하, 좌, 우, 중앙부분에서 1칩씩 총 5개의 샘플칩을 선정함과 동시에 X, Y 좌표로 표시하여 구분한다. 그리고, (2) 패키지에 대한 검증은 일정 Lot에서 5개의 샘플 패키지를 선정한 후 번호를 표시하여 구분한다.After determining the test items for verification as in step S1 of FIG. 1, proceed to step S2. (1) To verify the wafers, a total of five sample chips are selected, one chip from the top, bottom, left, right, and center portions of the wafer. At the same time, it is indicated by X and Y coordinates. And, (2) the verification of the package is selected by selecting five sample packages in a certain lot and then displaying the number to distinguish.
상기 스텝 S2에서 선정된 각 샘플 5개중 1개에 대하여 50회 반복 테스트(100p Test)한 후, 평균값(M), Cp, σ를 스텝 S3에서 구하여 이를 검증 전후의 데이터분석을 위한 자료로 활용한다.After 50 repeated tests (100p Test) for one of the five samples selected in step S2, the average value (M), Cp, σ are obtained in step S3 and used as data for data analysis before and after verification. .
상기 스텝 S3에서 구한 데이터를 이용하여 스텝 S4와 같이 검증전후의 반복성 데이터의 Cp를 비교하여, 각각의 Cp가 5.0이상이어야 하며, Cp의 관계는 아래와 같은 판증을 실시하여 만족되면 반복성에 대한 데이터 검증은 완료한다.By comparing the Cp of the repeatability data before and after verification using the data obtained in step S3 as in step S4, each Cp should be 5.0 or more, and the relationship of Cp is verified by performing the following verification to verify the data for repeatability. Completes.
(1) Cp1, Cp2 30 이면 유의차가 없는 것으로 판정(1) If Cp1 and Cp2 30, there is no significant difference
(2) Cp1 Cp2 이면 Cp1 x 0.79 Cp2를 적용하여 판정(2) If Cp1 Cp2, judge by applying Cp1 x 0.79 Cp2
(3) Cp1 Cp2 인 경우는 검증용 데이터의 반복성 산포가 작아진 것이므로 유의차가 없는 것으로 판정한다.(3) In the case of Cp1 Cp2, it is determined that there is no significant difference since the repeatability distribution of the verification data is reduced.
여기서, Cp1은 기준 측정데이터 Cp이고, Cp2는 검증용 측정 데이터 Cp이다.Here, Cp1 is reference measurement data Cp, and Cp2 is verification measurement data Cp.
위 판정식은 두 모분산의 동일성을 F-검정을 통하여 구하여진 식이다.The above equation is obtained from the F-test for the identity of two population variances.
두 모집단의 모분산(각각의 반복성 데이터의 분산)이 동일하지 않은 경우는 원인분석을 실시하여 위 판정식을 만족하도록 한다.If the population variances (variances of the repeatability data) of the two populations are not the same, cause analysis is performed to satisfy the above judgment.
검증전후의 평균값의 동일성에 대한 데이터 검증은 검증 통계량 T(x)를 구한 후Data verification for the equality of the mean values before and after the verification is performed after obtaining the verification statistic T (x).
즉, 신뢰수준 90%에서 두 모집단 평균이 동일하다고 판단되는 기준으로 아래 식을 만족해야 한다.In other words, at the 90% confidence level, the following equation should be satisfied as a criterion that the two population means are equal.
검정 통계량과 분포를 알고 있으므로 유의 수준 σ에 따라 기각역(棄却域 : Critical Region)(통계학에서 귀무가설을 기각하게 되는 검증통계량의 관측값영역을 나타냄)을 설정한 후 귀무가설(Ho, 歸無假說: Null Hypothesis)(동일 모집단으로부터 추출된 불규칙한 샘플의 평균값의 차이가 없거나 전혀 효과가 없다라고 하는 가설(대립가설(H1)의 반대의미임)하에서의 검정 통계량의 값이 기각역에 속하면 귀무가설(Ho)을 기각하고, 속하지 않으면 귀무가설(Ho)을 채택한다. 양측 검정에서 유의수준 σ=0.05인 경우 기각역에 속하지 않는 통계량의 범위는 식(5)과 같이 -3.4T(X)3.4인 것이다.Since we know the test statistic and distribution, we set the critical region (which represents the observed value region of the test statistic that rejects the null hypothesis in statistics) according to the significance level σ, and then the null hypothesis (Ho, 歸 無). 귀: null hypothesis if the value of the test statistic under the Null Hypothesis (the hypothesis that there is no difference or no effect on the mean value of the irregular samples from the same population) is the opposite of the alternative hypothesis (H1) (Ho) is rejected and the null hypothesis (Ho) is adopted if it does not belong If the significance level σ = 0.05 in both tests, the range of statistics not included in the rejection range is -3.4T (X) 3.4 It is
유의수준 σ란 귀무가설이 옳은데도 불구하고 이를 기각하는 확률의 크기를 말하며, 유의수준 σ=0.01은 신뢰수준 99%에서 두 모집단의 평균이 동일하다는 것을 말하고, 데이터 검증의 평균값의 동일성 검증에서는 신뢰수준 90%로 적용한 것이다.The significance level σ is the magnitude of the probability of rejecting the null hypothesis even though it is correct.The significance level σ = 0.01 indicates that the mean of the two populations is the same at the 99% confidence level, and the confidence in the equality test of the mean value of the data test. The level is 90% applied.
두 모집단의 평균(5개 샘플의 데이터의 평균)이 동일하지 않다고 판단되면 스텝 S5로 나아가서 원인 파악이 이루어진 후 대책이 마련되어야 한다.If it is judged that the average of the two populations (the average of the five samples of data) is not the same, the process must be taken after determining the cause by going to step S5.
수율변화에 대한 검증절차는 웨이퍼에 대한 수율변화 검증과 패키지에 대한 수율 변화 검증으로 나눌 수 있는데, 반복성 측정 데이터와 반복성 검증 표 및 평균값의 동일성 검증표는 제2, 3, 4도에 도시되어 있다.The procedure for verifying the yield change can be divided into the yield change verification for the wafer and the yield change verification for the package. The repeatability measurement data, the repeatability verification table, and the equality verification table of the average values are shown in FIGS. 2, 3, and 4. .
(1) 웨이퍼에 대한 수율 변화 검증(1) Verification of yield change for wafer
테스트간 웨이퍼 테스트를 통한 수율 변화를 검증시는 기존의 테스터와 검증용 테스터에서 동일 웨이퍼 1매에 대하여 테스트한 후, Bin Summary 및 시료 100개 이상의 Histogram Data를 취합한 후 상호 Bin Summary를 비교하고 유의차가 있는 항복을 선정하여 Histogram Data를 이용하여 원인분석 및 대책을 수립한다.When verifying the change in yield through the wafer test between tests, test the same wafer on the existing tester and the tester for the same wafer, collect bin summary and histogram data of 100 or more samples, and compare and compare mutual bins. Select surrender with difference and establish cause analysis and countermeasure using Histogram Data.
유의차가 있다고 판단되는 기준은 수율이 3% 이상 차이가 발생할 경우이며, 그 이하일 경우는 수율변화에 대한 검증이 완료된 것으로 한다.The criterion that there is a significant difference is when the yield difference occurs more than 3%, and when it is less than that, the verification of the yield change is completed.
(2) 패키지에 대한 수율 변화 검증(2) Verification of yield change for package
테스터간 패키지 테스트를 통한 수율 변화를 검증시는 기존 테스터와 검증용 테스터에서 동일 패키지 샘플 200개 이상에 대해 테스트한 후 Bin Summary 및 시료 100개 이상의 Histogram Data를 취합한 후, 상호 Bin Summary를 비교하여 유의차가 있는 항목을 선정하여 Histogram Data를 이용하여 원인분석 및 대책을 수립한다. 유의차가 있다고 판단하는 기준은 웨이퍼와 동일하다.When verifying the change in yield through the package test between testers, test the 200 test samples of the same package in the existing tester and the tester, collect the bin summary and more than 100 Histogram data, and compare the mutual bin summary. Select items with significant differences and establish cause analysis and countermeasure using Histogram Data. The criteria for determining that there is a significant difference are the same as those of the wafer.
상술한 본 발명에 의하면, 자동화 테스터에서의 프로그램과 회로구성소자 등의 변화에 의한 테스트 데이터가 변화하는 것을 통계적 검정이론을 테스트 데이터 분석 및 검증에 도입하여 정확하고 신뢰성 있는 데이터 검증체계를 수립함으로써 반도체 소자를 제조하는 공정에서의 제조 수율과 반도체소자의 품질을 균일하게 할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention described above, the statistical test theory is introduced into the test data analysis and verification that the test data changes due to the change of the program and the circuit components in the automated tester, thereby establishing an accurate and reliable data verification system. There is an effect that the production yield in the process of manufacturing the device and the quality of the semiconductor device can be made uniform.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950046464A KR0180213B1 (en) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | Method of data verification in semiconductor test |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950046464A KR0180213B1 (en) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | Method of data verification in semiconductor test |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970048539A KR970048539A (en) | 1997-07-29 |
KR0180213B1 true KR0180213B1 (en) | 1999-04-01 |
Family
ID=19437626
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950046464A KR0180213B1 (en) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | Method of data verification in semiconductor test |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR0180213B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101893952B1 (en) * | 2017-06-30 | 2018-08-31 | 울산과학기술원 | Device for detecting degradation |
-
1995
- 1995-12-04 KR KR1019950046464A patent/KR0180213B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101893952B1 (en) * | 2017-06-30 | 2018-08-31 | 울산과학기술원 | Device for detecting degradation |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR970048539A (en) | 1997-07-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8606536B2 (en) | Methods and apparatus for hybrid outlier detection | |
CN112382582A (en) | Wafer test classification method and system | |
KR20040067875A (en) | Methods and apparatus for semiconductor testing | |
US7174281B2 (en) | Method for analyzing manufacturing data | |
KR910003777A (en) | Inspection data interpretation system | |
CN104062305B (en) | A kind of analysis method of integrated circuit defect | |
Pan | Evaluating the gauge repeatability and reproducibility for different industries | |
EP0870218B1 (en) | Method and system for assessing a measurement procedure and measurement-induced uncertainties on a batchwise manufacturing process of discrete products | |
US20030005376A1 (en) | System and method for automatically analyzing and managing loss factors in test process of semiconductor integrated circuit devices | |
US20150235415A1 (en) | Wafer test data analysis method | |
CN114068341A (en) | Test method and test system | |
US7557598B2 (en) | Method of inspecting quiescent power supply current in semiconductor integrated circuit and device for executing the method | |
US6872582B2 (en) | Selective trim and wafer testing of integrated circuits | |
US5654632A (en) | Method for inspecting semiconductor devices on a wafer | |
US10656204B2 (en) | Failure detection for wire bonding in semiconductors | |
US6539272B1 (en) | Electric device inspection method and electric device inspection system | |
KR0180213B1 (en) | Method of data verification in semiconductor test | |
US6442499B1 (en) | Methods and apparatus for statistical process control of test | |
CN107340487A (en) | A kind of method checked test system and be in actual processing ability under stable state | |
US7137085B1 (en) | Wafer level global bitmap characterization in integrated circuit technology development | |
CN109270480B (en) | Method for detecting source monitoring unit | |
US6931297B1 (en) | Feature targeted inspection | |
KR100940414B1 (en) | A test method of a wafer for reducing a site difference | |
CN113436670B (en) | Memory detection method and memory detection system | |
CN114167335B (en) | Qualification inspection method and system for newly added detection tool |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20061128 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |