KR0174986B1 - Liquid Circulation System of Semiconductor Process - Google Patents
Liquid Circulation System of Semiconductor Process Download PDFInfo
- Publication number
- KR0174986B1 KR0174986B1 KR1019950034166A KR19950034166A KR0174986B1 KR 0174986 B1 KR0174986 B1 KR 0174986B1 KR 1019950034166 A KR1019950034166 A KR 1019950034166A KR 19950034166 A KR19950034166 A KR 19950034166A KR 0174986 B1 KR0174986 B1 KR 0174986B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer processing
- processing liquid
- liquid tank
- chemicals
- circulation system
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/048—Overflow-type cleaning, e.g. tanks in which the liquid flows over the tank in which the articles are placed
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
화학물질 웨이퍼처리액조들과 화학물질에서 이물질을 제거하는 수단을 구비한 액 순환 시스템이 개시되어 있다.A liquid circulation system is disclosed that includes chemical wafer processing baths and means for removing foreign matter from chemicals.
본 발명의 액 순환 시스템은 복수개의 웨이퍼처리액조들, 이물질 농도가 낮은 화학물질이 담긴 웨이퍼처리액조의 화학물질을 이물질 농도가 높은 화학물질이 담긴 웨이퍼처리액조로 이송시키는 웨이퍼처리액조들 간의 제1이송수단, 웨이퍼처리액조들 가운데 가장 이물질 농도가 높은 화학물질이 담긴 웨이퍼처리액조의 화학물질을 그 경로에 설치된 펌프에 의해 웨이퍼처리액조들 가운데 가장 이물질 농도가 낮은 화학물질이 담긴 웨이퍼처리액조로 이송하는 제2이송수단 및 제2이송수단의 경로상에 이물질을 제거하기 위한 필터를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The liquid circulation system of the present invention includes a plurality of wafer processing liquid tanks, a first between wafer processing liquid tanks for transferring chemicals of a wafer processing liquid tank containing a low foreign substance concentration to a wafer processing liquid tank containing a high foreign substance concentration. Transfer means, the chemicals in the wafer processing liquid tank containing the chemical substance with the highest foreign substance concentration among the wafer processing liquid tanks are transferred to the wafer processing liquid tank containing the chemical substance with the lowest foreign substance concentration among the wafer processing liquid tanks by the pump installed in the path. And a filter for removing foreign matter on the path of the second transfer means and the second transfer means.
따라서, 본 발명은 다수개의 웨이퍼처리액조에 있는 화학물질의 이물질 수준을 하나의 통합된 액 순환 시스템을 통해 관리할 수 있으므로 작은 설치공간만을 필요로 하며 적은 설치비용만으로 이물질 관리를 할 수 있다는 효과를 가진다.Therefore, the present invention can manage the foreign matter level of the chemicals in a plurality of wafer processing tanks through one integrated liquid circulation system, so it requires only a small installation space and can manage foreign matters with only a small installation cost. Have
Description
제1도는 종래의 딥(dip)형 액조(bath)와 부대장치의 개략도이다.1 is a schematic diagram of a conventional dip type bath and auxiliary device.
제2도는 종래의 순환(circulation)형 액조(bath)와 부대장치의 개략도이다.2 is a schematic diagram of a conventional circulation bath and auxiliary device.
제3a도는 제1도의 딥형 액조에서의 처리단위의 증가에 따른 이물질 갯수의 변화 추세를 나타내는 도표이다.FIG. 3A is a chart showing a trend of change in the number of foreign matters with the increase of the processing unit in the dip type liquid tank of FIG.
제3b도는 제2도의 순환형 액조에서의 처리단위의 증가에 따른 이물질의 변화 추세를 나타내는 도표이다.FIG. 3b is a graph showing the change of foreign matter with the increase of the treatment unit in the circulation type liquid tank of FIG.
제4도는 공정설비에서 딥형 액조가 순환형 액조로 변경된 후 검출된 전체 이물질 갯수의 변화를 나타내는 도표이다.4 is a chart showing the change of the total number of foreign substances detected after the dip type liquid tank is changed to the circulation type liquid tank in the process equipment.
제5도는 본 발명의 일 실시예에 따른 액 순환 시스템의 개략도이다.5 is a schematic diagram of a liquid circulation system according to an embodiment of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
11 : 액조 12,14 : 밸브(valve)11: liquid tank 12, 14: valve
13,15,24 : 필터(filter) 16 : 드레인 밸브(drain valve)13,15,24 filter 16 drain valve
21 : 액조 22 : 배출부21: liquid tank 22: discharge part
23 : 펌프(pump) 51 : 제1웨이퍼처리액조23 pump 51 first wafer treatment liquid tank
52 : 제2웨이퍼처리액조 53,54 : 화학물질 공급라인52: second wafer treatment tank 53,54: chemical supply line
55,55' : 화학물질 드레인라인 58 : 배출구55,55 ': Chemical drain line 58: Outlet
본 발명은 반도체 공정의 액 순환 시스템에 관한 것이며, 더욱 상세하게는 액상 화학물질(chemical)이 담겨있는 웨이퍼처리액조에 이물질(particle)을 제거하는 수단이 구비된 액 순환 시스템에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid circulation system of a semiconductor process, and more particularly, to a liquid circulation system provided with means for removing particles in a wafer processing tank containing liquid chemicals.
산업상의 많은 공정에서 공정의 효율성과 불량방지를 위해서 이물질을 제거하는 방법과 장치가 사용되고 있다. 그 대표적인 예로서 반도체 산업을 들 수 있다.In many industrial processes, methods and devices for removing foreign substances are used for the efficiency and prevention of defects. A typical example thereof is the semiconductor industry.
반도체 산업에서는 목적물, 가령 웨이퍼의 표면을 세척하거나 포토레지스트를 스트립하거나 화학물질로 처리하는 공정이 다수 존재하며 화학물질을 계속해서 재사용하기 위해서는 해당 화학물질에 불량을 유발하는 이물질이 일정 수준 이하로 관리되어야 한다. 그러나, 공정이 진행될수록, 즉 처리 단위(lot)수가 많아질수록 화학물질내에는 다수의 이물질이 존재하게 되어 이들 이물질에 의한 불량의 위험도 커지게 된다.In the semiconductor industry, there are many processes that clean the surface of a target, such as a wafer, strip a photoresist, or treat it with chemicals.In order to continue to reuse chemicals, foreign substances that cause defects in chemicals are managed to a certain level. Should be. However, as the process proceeds, that is, as the number of slots increases, a large number of foreign substances are present in the chemicals, thereby increasing the risk of defects caused by these foreign substances.
근래에 모니터링(monitoring) 설비가 발달하여 활용되고 공정에 사용되는 액조내의 화학물질에서 직접 이물질 알갱이의 갯수를 측정할 수 있는 장비(liquid particle counter)가 도입되면서 액조에 담긴 화학물질에 목적물을 담그는 딥형 액조와 액조의 화학물질을 순환시키면서 그 경로에서 필터를 이용하여 이물질을 제거하는 순환형 액조에 대한 평가실험이 진행되었다. 그 결과 순환형 액조가 이물질의 측면에서 매우 양호함을 알게 되었다.In recent years, the monitoring equipment has been developed and utilized, and a dip particle counter is introduced to measure the number of foreign grains directly from the chemicals in the tank used in the process. An evaluation experiment was carried out for a circulating liquid tank that circulates liquids and chemicals in the tank and removes foreign substances by using a filter in the path. As a result, it was found that the circulating liquid bath was very good in terms of foreign matter.
제1도는 종래의 반도체 설비사의 딥형 액조(11)를 나타내며, 파이프(pipe), 필터(13,15), 밸브(12,14) 등으로 구성된 화학물질의 공급라인과 파이프와 드레인 밸브(16) 등으로 구성된 화학물질 드레인라인이 병설되어 있다.FIG. 1 shows a dip type liquid tank 11 of a conventional semiconductor equipment company, and a supply line of a chemical material composed of a pipe, a filter 13, 15, a valve 12, 14, and the like, and a pipe and a drain valve 16. The chemical drain line which consists of etc. is provided.
제2도는 종래의 반도체 설비상의 순환형 액조의 구성을 나타낸다.2 shows the configuration of a circulating liquid bath on a conventional semiconductor installation.
순환형 액조는 딥형 액조에서의 화학물질의 공급라인과 드레인라인이 병설된 외에, 액조(21) 상측부에 설치된 배출부(22)로부터 배출되는 화학물질을 파이프라인과 여기에 설치된 펌프(23)에 의해 다시 액조(21)로 공급하는 이송수단 및 이송수단의 파이프라인상에, 이송수단에 의해 이송되는 화학물질에서 이물질을 제거하는 작용을 하는 필터(24)를 가진다.The circulation type liquid tank is provided with a chemical supply line and a drain line in a dip type liquid tank, in addition to the pipeline 23 and the pump 23 provided with the chemicals discharged from the discharge portion 22 provided at the upper portion of the liquid tank 21. And a filter 24 which acts to remove foreign matters from the chemicals conveyed by the conveying means, on the conveying means and the pipeline of the conveying means, which are supplied back to the liquid tank 21 by means of.
제3a도는 딥형 액조에서 처리단위 수가 늘어감에 따라 이물질이 늘어가는 추세를 나타낸 것으로서 대략 정비례의 관계임을 쉽게 알 수 있고, 제3b도는 순환형 액조에서의 이물질 증감추세로 이물질이 줄어듦을 알 수 있다.Figure 3a shows the trend that the foreign matter increases as the number of processing units in the dip type tank increases, it can be easily seen that the relationship is directly proportional, and Figure 3b shows that the foreign matter decreases due to the increase and decrease of the foreign matter in the circulating tank. .
또한 제4도는 반도체 제조에 사용되는 황산 보일 포토레지스트 스트립(H2SO4boil photoresist strip) 설비상의 딥형 액조(제1도)를 순환형 액조(제2도)로 변경한 후의 결과로서 액조에서의 전체 이물질 알갱이수가 평균 40개에서 8개로 획기적으로 감소한 사실을 나타내고 있다.Figure 4 also shows the result of changing the dip type tank (figure 1) on the H 2 SO 4 boil photoresist strip facility used for semiconductor manufacturing to the circulating liquid bath (figure 2). The total number of foreign matter grains has decreased dramatically from an average of 40 to eight.
더욱이, 일본 특개소 62-94939호(1987년 5월 1일 공개)에는 상기한 제3a도와 같은 구성에서 필터의 전단에 공정의 효율을 높이기 위하여 가열된 화학물질을 다시 냉각시키기 위한 냉각수단을 구비한 시스템을 기술하고 있다.Furthermore, Japanese Patent Laid-Open No. 62-94939 (published May 1, 1987) has a cooling means at the front end of the filter in the configuration as shown in FIG. 3A to cool the heated chemical again to increase the efficiency of the process. It describes a system.
따라서, 기존의 딥형 액조는 순환형 액조로 대체되었으나 순환형은 액조가 두 개 이상 가령 두 개가 연이어 있을 경우, 그중 하나만을 순환형을 취해 이물질 방지에 부족한 면이 있었다. 한편 두 액조를 각각 순환형으로 만들어 이물질 방지를 좀 더 완벽히 할 경우는 순환을 위한 펌프와 필터, 파이프라인 등의 부대장치를 설비하기 위한 공간과 비용이 늘어나는 등의 문제점이 있었다.Therefore, the conventional dip type liquid tank was replaced with a circulating type liquid tank, but the circulation type had two or more liquid tanks, such as two in a row, and only one of them was circulated to prevent foreign substances. On the other hand, when the two liquid tanks are each circulated to prevent foreign substances more completely, there are problems such as increased space and cost for installing additional equipment such as pumps, filters, and pipelines for circulation.
본 발명의 목적은 현재 사용하고 있는 이들 딥형 액조와 순환형 액조 각각의 문제점인 이물질의 갯수증가와 설비의 공간 및 비용의 증가를 동시에 해결하여 공정상 이물질에 의한 문제발생을 없애면서도 비용의 증가와 설비공간의 증가를 최대한 억제할 수 있는 액 순환 시스템을 제공하는 것이다.The purpose of the present invention is to solve the problem of the increase of the number of foreign matters and the increase of the space and cost of the facility, which are the problems of each of the dip type and the circulating type liquid tanks currently used, while eliminating the problem caused by the foreign matters in the process and increasing the cost and It is to provide a liquid circulation system that can suppress the increase of the installation space as much as possible.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액 순환 시스템은 복수개의 웨이퍼처리액조들, 이물질 농도가 낮은 화학물질이 채워진 웨이퍼처리액조의 화학물질을 이물질 농도가 높은 화학물질이 채워진 웨이퍼처리액조로 이송시키는 웨이퍼처리액조들 사이의 제1이송수단, 웨이퍼처리액조들 중에서 가장 이물질 농도가 높은 화학물질이 채워진 웨이퍼처리액조의 화학물질을 그 경로에 구비된 펌프에 의해 웨이퍼처리액조들 중에서 가장 이물질 농도가 낮은 화학물질이 채워진 웨이퍼처리액조로 이송하는 제2이송수단 및 제2이송수단의 경로에 설치된 이물질 제거를 위한 필터를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The liquid circulation system of the present invention for achieving the above object is a plurality of wafer processing liquid tank, a wafer for transporting the chemicals of the wafer processing liquid tank filled with a low foreign substance concentration to a wafer processing liquid tank filled with a high foreign substance concentration The first transfer means between the processing liquid tanks, the chemicals of the wafer processing liquid tank filled with the chemical substance having the highest foreign substance concentration among the wafer processing liquid tanks, and the chemicals having the lowest foreign substance concentration among the wafer processing liquid tanks by a pump provided in the path. And a filter for removing foreign matters installed in the path of the second transfer means and the second transfer means for transferring the wafer processing liquid tank filled with the substance.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 한 실시예의 구성과 작용을 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the configuration and operation of an embodiment of the present invention.
제5도는 2개의 웨이퍼처리액조를 구비하는 액 순환 시스템을 나타내며 제1웨이퍼처리액조(51)는 목적물을 처리하는 공정상 앞 쪽에 있는 웨이퍼처리액조를, 제2웨이퍼처리액조(52)는 공정상 뒤 쪽에 있는 웨이퍼처리액조를 표시한다. 화학물질은 두 개의 웨이퍼처리액조(51,52)에 채워져 있으며 제2웨이퍼처리액조(52)에서의 오버플로우는 제1웨이퍼처리액조(51)로 흐르도록 되어 있다.5 shows a liquid circulation system having two wafer processing liquid tanks, wherein the first wafer processing liquid tank 51 is the wafer processing liquid tank in the front in the process of processing the target object, and the second wafer processing liquid tank 52 is in the process. Mark the wafer processing bath on the back. The chemicals are filled in the two wafer processing liquid tanks 51 and 52, and the overflow in the second wafer processing liquid tank 52 is allowed to flow to the first wafer processing liquid tank 51.
이때 제2웨이퍼처리액조(52)에 목적물이 담기는 공정중에서 발생되고 확산되어 화학물질에 섞여있는 이물질들도 제2웨이퍼처리액조(52)의 화학물질과 함께 제1웨이퍼처리액조(51)로 이동된다. 제1웨이퍼처리액조(51)에는 여기에 담겨지는 목적물에서 발생하는 이물질 및 제2웨이퍼처리액조(52)에서의 화학물질 오버플로우와 함께 유입된 이물질이 함께 존재한다. 이들 이물질은 배출구(58)에서 화학물질과 함께 필터(24)로 들어가 제거된다. 제1웨이퍼처리액조(51)의 배출구(58)를 통해 화학물질을 뽑아내고 필터(24)를 거쳐 정제된 화학물질을 제2웨이퍼처리액조(52)로 압송하는 작용은 펌프(23)에 의하여 이루어진다. 바람직하게는 펌프(23)는 제1웨이퍼처리액조(51)와 필터(24) 사이에 위치하도록 한다.At this time, foreign matters generated and diffused during the process of containing the target object in the second wafer treatment liquid tank 52 and mixed with the chemicals are also transferred to the first wafer treatment liquid tank 51 together with the chemicals of the second wafer treatment liquid tank 52. Is moved. In the first wafer treatment liquid tank 51, there are foreign matters generated in the object contained therein and foreign substances introduced together with the chemical overflow in the second wafer treatment liquid tank 52. These foreign matter enters the filter 24 along with the chemical at the outlet 58 and is removed. The chemicals are extracted through the outlet 58 of the first wafer treatment liquid tank 51 and the chemicals are pumped through the filter 24 to the second wafer treatment liquid tank 52 by the pump 23. Is done. Preferably, the pump 23 is positioned between the first wafer treatment liquid tank 51 and the filter 24.
이러한 액 순환 시스템을 채택할 경우, 목적물을 화학물질로 처리하는 공정에서는 정제된 화학물질이 유입되는 제2웨이퍼처리액조(52)가 항상 좀 더 이물질이 적은 상태로 유지되며, 펌프(23)의 압력이나 필터(24)를 통과하는 화학물질의 양에 의해 전체의 화학물질에서의 이물질의 존재빈도가 조정되고 억제될 수 있다.When the liquid circulation system is adopted, in the process of treating the target substance with chemicals, the second wafer treatment liquid tank 52 into which the purified chemicals are introduced is always kept in a state of less foreign substances, and the pump 23 By the pressure or the amount of chemical passing through the filter 24, the presence frequency of foreign matter in the whole chemical can be adjusted and suppressed.
제5도에서 본 발명의 한 실시예인 액 순환 시스템의 웨이퍼처리액조와 연결되는 화학물질 공급장치(53,54)는 제2웨이퍼처리액조(52)에만 연결되어 있다. 웨이퍼처리액조의 화학물질을 제거하는 파이프라인과 드레인 밸브 등으로 구성된 화학물질 제거장치(55,55')는 제1웨이퍼처리액조(51)와 제2웨이퍼처리액조(52)에 각각 연결되어 있으나 정상상태에서는 화학물질은 제1웨이퍼처리액조(51)에서만 제거되는 것이 바람직하다. 이는 이물질 제거의 효율을 높이기 위해서다.In FIG. 5, the chemical supply apparatuses 53 and 54 which are connected to the wafer processing liquid tank of the liquid circulation system which is one embodiment of the present invention are connected to the second wafer processing liquid tank 52 only. Chemical removal devices (55, 55 ') consisting of a pipeline and a drain valve for removing chemicals in the wafer processing liquid tank are connected to the first wafer processing liquid tank (51) and the second wafer processing liquid tank (52), respectively. In the steady state, the chemical is preferably removed only from the first wafer treatment liquid tank 51. This is to increase the efficiency of removing foreign substances.
본 발명은 상기의 실시예에만 국한되는 것은 아니며 다수개의 화학물질 웨이퍼처리액조에 있어서 이물질 농도가 낮은 화학물질이 담긴 웨이퍼처리액조의 화학물질이 제1이송수단을 통해 차례로 이물질 농도가 높은 화학물질이 담긴 다른 웨이퍼처리액조로 유입되고 웨이퍼처리액조들 중에서 가장 이물질 농도가 높은 화학물질이 담긴 웨이퍼처리액조의 화학물질이 제2이송수단과 그 경로에 설치된 필터를 통해 웨이퍼처리액조들 중에서 가장 이물질 농도가 낮은 화학물질이 낮은 웨이퍼처리액조로 재투입되는 구성을 가진 액 순환 시스템의 다양한 실시예 일체를 포함하는 것이다.The present invention is not limited to the above embodiments, and the chemicals of the wafer processing liquid tank containing the chemical substances having low foreign matter concentration in the plurality of chemical wafer processing liquid tanks are sequentially supplied with high foreign matter concentrations through the first transfer means. The chemicals in the wafer processing liquid tank, which flows into the other wafer processing liquid tank and contains the chemical substance with the highest foreign substance concentration among the wafer processing liquid tanks, have the highest concentration of foreign substances in the wafer processing liquid tanks through the second transfer means and the filter installed in the path. It includes all of the various embodiments of a liquid circulation system having a configuration in which low chemicals are re-introduced into a low wafer processing bath.
따라서, 이물질의 농도가 낮은 화학물질이 담긴 웨이퍼처리액조에서 이물질의 농도가 높은 화학물질이 담긴 웨이퍼처리액조로 화학물질을 이송하는 제1이송수단은 오버플로우방식이 아닌 펌프와 파이프라인일 수도 있으며, 필터가 그 경로상에 구비된 제2이송수단에서는 화학물질은 펌프가 아닌 중력에 의한 압력에 의해 이송되는 중력식 이송수단인 것 등의 변형된 실시예를 포함할 수도 있을 것이다.Therefore, the first transfer means for transferring the chemical from the wafer processing tank containing the low concentration chemicals to the wafer processing tank containing the high concentration chemicals may be a pump and a pipeline, not an overflow method. In the second transfer means provided with the filter on the path, the chemical substance may include a modified embodiment such as a gravity transfer means that is conveyed by the pressure by gravity rather than the pump.
이상의 본 발명은 다수개의 화학물질 웨이퍼처리액조에 있는 화학물질의 이물질 수준을 통합된 하나의 액 순환 시스템을 통해 관리할 수 있으므로 작은 설치공간만을 필요로 하며 적은 설치비용만으로 이물질 관리를 할 수 있다는 효과가 있다.The present invention can manage the foreign matter level of the chemicals in a plurality of chemical wafer processing tanks through a single liquid circulation system, so it requires only a small installation space and can manage foreign matters with only a small installation cost. There is.
본 발명의 액 순환 시스템은 반도체 공정중 황산 보일 포토레지스트 스트립 공정에 특히 유용하게 이용될 수 있다. 또한 본 발명의 액 순환 시스템이 상기 스트립 공정에 채용될 때 상기 화학물질은 황산과 과산화수소(H2O2)가 될 수 있음은 자명한 사실이다.The liquid circulation system of the present invention can be particularly useful for the sulphate photoresist strip process in semiconductor processing. It is also apparent that when the liquid circulation system of the present invention is employed in the strip process, the chemicals can be sulfuric acid and hydrogen peroxide (H 2 O 2 ).
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950034166A KR0174986B1 (en) | 1995-10-05 | 1995-10-05 | Liquid Circulation System of Semiconductor Process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950034166A KR0174986B1 (en) | 1995-10-05 | 1995-10-05 | Liquid Circulation System of Semiconductor Process |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970023775A KR970023775A (en) | 1997-05-30 |
| KR0174986B1 true KR0174986B1 (en) | 1999-04-01 |
Family
ID=19429362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950034166A KR0174986B1 (en) | 1995-10-05 | 1995-10-05 | Liquid Circulation System of Semiconductor Process |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0174986B1 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110976399A (en) * | 2019-12-26 | 2020-04-10 | 郭雪瑞 | Lens film removing device and method |
-
1995
- 1995-10-05 KR KR1019950034166A patent/KR0174986B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970023775A (en) | 1997-05-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100390545B1 (en) | Substrate Cleaning Dryer, Substrate Cleaning Method and Substrate Cleaning Device | |
| KR102382902B1 (en) | Substrate processing apparatus, cleaning method of substrate processing apparatus | |
| KR19980052484A (en) | Wafer Wet Processing Equipment | |
| KR20010053300A (en) | Method and apparatus for immersion treatment of semiconductor and other devices | |
| JPH06252122A (en) | Treating device | |
| JPH07263396A (en) | Wet type treating device for semiconductor wafer | |
| JPH09302487A (en) | Cleaning method and cleaning equipment | |
| JP3884440B2 (en) | Filter and semiconductor processing apparatus | |
| KR0174986B1 (en) | Liquid Circulation System of Semiconductor Process | |
| JP3088562B2 (en) | Circulation method of plating solution in electroplating | |
| JP3582680B2 (en) | Cleaning equipment | |
| KR100683273B1 (en) | Apparatus for supplying chemical liquor | |
| TWI830345B (en) | Substrate processing device and substrate processing method | |
| US6488039B1 (en) | State of the art constant flow device | |
| KR100794585B1 (en) | Apparatus and method for wet cleaning | |
| KR100194015B1 (en) | Chemical Solution Supply Device for Semiconductor Process | |
| KR100489652B1 (en) | Hybrid wafer immersion apparatus for semiconductor device manufacturing | |
| JPH11176793A (en) | Cleaning system | |
| JPH11290800A (en) | Chemical treatment device, chemical treatment method and substrate washing method | |
| KR100872887B1 (en) | Substrate processing apparatus being capable of using multiple chemicals | |
| JPH1050654A (en) | Wafer-treating apparatus | |
| KR100623174B1 (en) | Chemical Recirculation Device for Semiconductor Device Manufacturing | |
| JPH05217988A (en) | Washing device | |
| KR200188822Y1 (en) | Wet process apparatus | |
| KR20060030689A (en) | Substrate cleaning apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| B701 | Decision to grant | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20051007 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |