KR0172836B1

KR0172836B1 - Fabricating method for ccd image device`

Info

Publication number: KR0172836B1
Application number: KR1019950020371A
Authority: KR
Inventors: 김현병
Original assignee: 문정환; 엘지반도체주식회사
Priority date: 1995-07-11
Filing date: 1995-07-11
Publication date: 1999-02-01

Abstract

본 발명은 CCD 영상소자의 제조방법에 관한 것으로, BCCD영역과 PDN영역을 하나의 공정으로 동시에 형성하여 공정을 단순화시키고, 포토다이오드 영역과 전하전송 영역을 최대한 확보할 수 있어서, 마이크로 렌즈를 통해 들어온 빛을 최대한 수광할 수 있으며, 전하전송 효율을 향상시키는데 적당한 CCD 영상소자의 제조방법을 제공하기 위함이다. 이를 위한 본 발명의 CCD 영상소자의 제조방법은 초기산화막이 형성된 반도체 기판의 특정영역에 제1 P형 웰을 형성하는 공정과, 상기 제1 P형 웰내의 소정영역에 제2 P형 웰을 형성하는 공정과, 상기 제2 P형 웰을 포함한 제1 P형 일상에 N형 불순물 이온주입을 실시하여 매몰형 N형 불순물영역(BCCD)과 N형 포토다이오드 영역을 동시에 형성하는 공정과, 상기 제2 P형 웰 양측의 소정부분과 상기 매몰형 N형 불순물영역의 소정부분이 공유되도록 채널스톱층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.The present invention relates to a method for manufacturing a CCD image device, which simultaneously forms a BCCD region and a PDN region in one process, simplifies the process, and secures the photodiode region and the charge transfer region as much as possible. It is to provide a method of manufacturing a CCD image device that can receive light as much as possible, and is suitable for improving charge transfer efficiency. A method of manufacturing a CCD image device according to the present invention includes forming a first P-type well in a specific region of a semiconductor substrate on which an initial oxide film is formed, and forming a second P-type well in a predetermined region of the first P-type well. Forming a buried N-type impurity region (BCCD) and an N-type photodiode region at the same time by implanting N-type impurity ions into the first P-type daily routine including the second P-type well; And forming a channel stop layer such that a predetermined portion of both sides of the 2 P-type well and the buried N-type impurity region are shared.

Description

Manufacturing Method of CD Image Device

제1도는 일반적인 CCD 영상소자의 레이아웃도.1 is a layout diagram of a typical CCD image device.

제2도는 일반적인 CCD 영상소자의 트랜스퍼 게이트 전극 레이아웃도.2 is a layout diagram of a transfer gate electrode of a general CCD imager.

제3도 (a)~(j)는 제2도의 X-Y단면에 따른 종래 CCD 영상소자의 공정단면도.3 (a) to 3 (j) are process cross-sectional views of a conventional CCD image device according to the X-Y cross section of FIG.

제4도 (a)~(i)는 제2도의 X-Y 단면에 따른 본 발명의 CCD영상소자의 공정단면도.4 (a) to (i) are process cross-sectional views of the CCD image device of the present invention according to the X-Y cross section of FIG.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

21 : 반도체기판 22 : 초기산화막21 semiconductor substrate 22 initial oxide film

23 : 제1 P형 웰 24 : 제2 P형 웰23: first P-type well 24: second P-type well

25 : n형 BCCD영역 26 : 채널스톱층25: n-type BCCD area 26: channel stop layer

27 : 게이트 절연막 28 : 게이트 전극27 gate insulating film 28 gate electrode

29 : 층간 산화막 30 : P형 포토다이오드 영역29 interlayer oxide film 30 P-type photodiode region

31 : 고온저압 산화막 32 : 금속 차광층31 high temperature low pressure oxide film 32 metal light shielding layer

33 : P-SiN층 34 : 평탄화용 산화막33: P-SiN layer 34: oxide film for planarization

35 : 마이크로 렌즈35 micro lens

본 발명은 CCD(Charge Coupled Device)영상소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 영상신호 출력(VSO:Video Signal Output)과 전하전송 효율(CTE:Charge Transfer Efficiency)을 향상시키는데 적당한 CCD영상소자의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a CCD (Charge Coupled Device) video device, and more particularly, to a method for manufacturing a CCD video device suitable for improving video signal output (VSO) and charge transfer efficiency (CTE). It is about.

일반적으로 CCD와 같은 주사기구를 이용하여 신호를 주사하는 방식으로는 인터레이스(Interlace)방식과 비인터레이스(Non-interlace)방식이 있다.In general, there is an interlace method and a non-interlace method for scanning signals using a syringe tool such as a CCD.

상기 방법중 비인터레이스 방식은 한 프레임(Frame)이 복수개의 필드(field)로 구성되어 있어 입력되는 필드 데이터순으로 화면에 순차적으로 주사하고, 인터레이스 방식은 한 프레임이 우수필드(Even field)와 기수필드(Odd field)로 구성되어 기수필드와 우수필드의 데이터가 교대로 주사되는데, 입력되는 데이터 순서대로 먼저 기수필드의 데이터가 주사되고 이어 우수필드의 데이터가 주사된다.In the non-interlacing method, one frame is composed of a plurality of fields, and the frames are sequentially scanned on the screen in the order of input field data.In the interlacing method, one frame is an even field and an odd number. The data of the odd field and the even field are alternately scanned by the field (Odd field), and the data of the odd field is first scanned in the order of the input data, and then the data of the even field is scanned.

따라서, 상기 비인터레이스 방식은 주사속도가 빠르므로 빠르게 움직이는 물체의 실제화상을 정확하게 포착할 수 있어 군용장비에 사용되고, 인터레이스 방식은 비인터레이스 방식에 비해 주사속도가 느려 화상이 안정감이 있으므로 주로 NTSC방식이나 PAL방식 TV의 화면 주사에 사용된다.Therefore, the non-interlacing method is used in military equipment because it can accurately capture the actual image of a fast moving object because the scanning speed is fast, and the interlacing method is mainly used in the NTSC method because the scanning speed is slower than the non-interlacing method. It is used for screen scanning of PAL TV.

이와 같은 인터레이스 방식의 일반적인 CCD영상소자는 제1도에 도시된 바와 같이, 실리콘과 같은 반도체 기판상에 일정간격을 갖고 매트릭스(Matrix)형태로 배열되어 빛의 신호를 전기적인 신호로 변환하여 영상신호 전하를 생성하는 복수개의 포토다이오드 영역과, 수직방향의 포토다이오드 영역 사이에 각각 형성되어 상기 포토다이오드 영역에서 생성된 영상신호 전하를 수직방향으로 전송하기 위한 복수개의 수직전하 전송영역(VCCD:Vertical CCD)과, 상기 수직전하 전송영역의 하측에 수평방향으로 형성되어 수직전하 전송영역에서 수직방향으로 전송된 영상신호 전하를 수평방향으로 전송하는 수평전하 전송영역(HCCD : Horizontal)과, 수평방향 전송영역(HCCD)에서 전송된 전하를 센싱하는 센싱앰프(Sensing Amp)로 구성되어 화상신호를 생성하는 촬상소자이다.As shown in FIG. 1, a typical CCD image device of such an interlace type is arranged on a semiconductor substrate such as silicon and arranged in a matrix form to convert light signals into electrical signals, thereby converting the image signals. A plurality of vertical charge transfer regions (VCCD) are formed between the plurality of photodiode regions for generating charges and the photodiode regions in the vertical direction to transfer the image signal charges generated in the photodiode regions in the vertical direction. ), A horizontal charge transfer region (HCCD: Horizontal) formed in the horizontal direction below the vertical charge transfer region to transfer the image signal charges transferred in the vertical direction from the vertical charge transfer region in the horizontal direction, and a horizontal transfer region. The image pickup device is configured by a sensing amplifier for sensing the charge transferred from the HCCD and generates an image signal.

이하, 첨부도면을 참조하여 종래의 CCD영상소자의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a manufacturing method of a conventional CCD image device will be described with reference to the accompanying drawings.

첨부도면 제2도는 일반적인 CCD영상소자의 레이아웃도이고, 제3도 (a)∼(j)는 제2도의 X-Y단면에 따른 종래 CCD영상소자의 공정단면도이다.2 is a layout diagram of a general CCD image device, and FIGS. 3A to 3J are process cross-sectional views of a conventional CCD image device according to the X-Y cross section of FIG.

먼저, 제3도 (a)에서와 같이, n형 반도체 기판(1)상에 O.N.O(Oxide-nitride-Oxide)구조를 위해 표면산화를 실시하여 산화막(2)을 형성하고, 제3도 (b)에서와 같이, 상기 산화막(2) 전면에 제1감광막(도시하지 않음)을 도포하여 제1 P형 웰 영역을 형성하기 위해 노광 및 현상공정으로 제1 감광막을 패터닝하고, 패터닝된 제1 감광막을 마스크로 이용하여 고농도 불순물 이온주입에 종해 제1 P형 웰 영역(3)을 형성한 다음 제거되지 않은 제1 감광막을 제거한다.First, as shown in FIG. 3 (a), the oxide film 2 is formed by performing surface oxidation on the n-type semiconductor substrate 1 for an oxide-nitride-oxide (ONO) structure, and FIG. In order to form a first P-type well region by applying a first photoresist film (not shown) on the entire surface of the oxide film 2), the first photoresist film is patterned by an exposure and development process, and the patterned first photoresist film is Is used as a mask to form the first P-type well region 3 by the implantation of high concentration impurity ions, and then the first photosensitive film which is not removed is removed.

이어, 제3도 (c)에서와 같이, 전면에 제2 감광막(도시하지 않음)을 도포한 후, 노광 및 현상공정으로 선택적으로 제거하고, 상기 제2 감광막을 마스크로 이용한 고농도 불순물 이온주입을 통해 상기 제1 P형 웰(3)내의 소정부분에 제2 P형 웰(4)을 형성한 후, 제거되지 않는 제2 감광막을 제거한다.Subsequently, as shown in FIG. 3 (c), a second photosensitive film (not shown) is applied to the entire surface, and then selectively removed by exposure and development, and high concentration impurity ion implantation using the second photosensitive film as a mask is performed. After forming the second P-type well 4 in a predetermined portion of the first P-type well 3 through, the second photosensitive film which is not removed is removed.

이때, HCCD영역에도 P형 웰이 형성되는데 도면에는 도시되지 않는다.At this time, a P type well is also formed in the HCCD region, which is not shown in the drawing.

이어서, 제3도 (d)에 도시된 바와같이, 전면에 제3 감광막(도시하지 않음)을 도포하고, 후 공정에서 형성될 포토다이오드(PD)영역과, 전하전송 영역과의 격리를 위해 상기 제 3 감광막을 선택적으로 제거한 후, 이를 마스크로 하여 상기 제2 P형 웰(4) 양측의 제1 P형 웰(3)내에 불순물 이온주입을 실시하여 채널스톱층(CST : Channel Stop)(5)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 3 (d), a third photoresist film (not shown) is coated on the entire surface, and the photodiode (PD) region to be formed in a later process and the above-mentioned layer are isolated for isolation from the charge transfer region. After selectively removing the third photoresist layer, impurity ions are implanted into the first P-type wells 3 on both sides of the second P-type well 4 to form a channel stop layer (CST) (5). ).

이후, 제거되지 않은 제3감광막을 제거한 후, 제3도 (e)에서와 같이, 수직전하 전송영역(VCCD)을 형성하기 위해, 즉 포토다이오드에 의해 수광된 빛을 전송하기 위한 매몰형 CCD(BCCD)영역을 상기 제2 P형 웰(4)내의 일정영역에 형성하기 위해 제4 감광막(도시하지 않음)을 마스크로 이용한 불순물 이온주입으로 매몰형 CCD영역(BCCD)(6)을 형성한다.Subsequently, after removing the third photosensitive film that has not been removed, as shown in FIG. 3 (e), the buried CCD for forming the vertical charge transfer region VCCD, that is, for transmitting the light received by the photodiode ( A buried CCD region (BCCD) 6 is formed by impurity ion implantation using a fourth photosensitive film (not shown) as a mask to form a BCCD) region in a predetermined region in the second P-type well 4.

이어, 표면산화 공정에 의해 형성된 산화막(2) 전면에 제3도 (f)에서와 같이, 나이트라이드 증착 및 나이트라이드 산화를 실시함으로써 O.N.O 구조를 갖는 게이트 산화막(7)을 형성한다.Then, the gate oxide film 7 having the O.N.O structure is formed by performing nitride deposition and nitride oxidation on the entire surface of the oxide film 2 formed by the surface oxidation process as shown in FIG.

이어, 제3도 (g)에서와 같이, 전면에 게이트용 폴리실리콘을 증착하고, 사진식각 공정을 통해 상기 폴리실리콘을 패터닝하여 게이트 전극(8)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 3 (g), the gate polysilicon is deposited on the entire surface, and the polysilicon is patterned through a photolithography process to form the gate electrode 8.

이후, 상기 게이트 전극(8)를 외부로부터 격리시키기 위해 게이트 전극(8) 상부에 층간산화막(IPO : Inter Poly Oxide)(9)을 형성한다.Thereafter, an interlayer oxide layer (IPO) 9 is formed on the gate electrode 8 to isolate the gate electrode 8 from the outside.

이어, 제3도 (h)에서와 같이, 후공정에서 형성될 마이크로 렌즈(micro-lens)를 통해 입사된 빛을 저장하기 위한 N형 포토다이오드(PDN) 영역을 상기 제1 P형 웰(3)의 양측 가장자이에 형성하기 위해 제6 감광막(도시하지 않음)을 도포한 후, 패터닝한다.Subsequently, as shown in FIG. 3 (h), an N-type photodiode (PDN) region for storing light incident through a micro-lens to be formed in a later process is formed in the first P-type well 3. A sixth photosensitive film (not shown) is applied to form both edges of the mask) and then patterned.

패터닝된 제6 감광막을 마스크로 이용한 저농도 불순물 이온주입을 실시하여 N형 포토다이오드(PDN)영역(10)을 형성한다.Low concentration impurity ion implantation using the patterned sixth photosensitive film as a mask is performed to form an N-type photodiode (PDN) region 10.

이어, 제3도 (i)에서와 같이, 상기 층간산화막(9)을 포함한 게이트 산화막(7) 전면에 제7감광막(도시하지 않음)을 도포하고, 상기 N형 포토다이오드 영역(10)을 소자표면과 격리시키기 위해 접합전위차(Junction Potential)을 이용하여 상기 N형 포토다이오드 영역(10)과 채널스톱층(5)을 공유할 수 있도록 P형 포토다이오드(PDP)영역(11)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 3 (i), a seventh photosensitive film (not shown) is coated on the entire surface of the gate oxide film 7 including the interlayer oxide film 9, and the N-type photodiode region 10 is formed. A P-type photodiode (PDP) region 11 is formed to share the N-type photodiode region 10 and the channel stop layer 5 by using a junction potential to isolate the surface.

이후, 제거되지 않은 제7감광막을 제거한 후, 제3도 (j)에서와 같이, 층간산화막(9)을 포함한 게이트 산화막(7) 전면에 고온저압 조건에 의한 산화막(HLD : High-temperature Low-pressure Deposition)(12)을 증착하고, 상기 산화막(12) 전면에 수광영역을 제외한 부분으로 빛이 입사되는 것을 방지하기 위해 금속차광층(13)을 형성한다.Then, after removing the seventh photoresist that has not been removed, as shown in FIG. 3 (j), an oxide film (HLD: High-temperature Low-) is applied to the entire surface of the gate oxide film 7 including the interlayer oxide film 9 under high temperature and low pressure conditions. pressure deposition) 12, and a metal light shielding layer 13 is formed on the oxide film 12 to prevent light from being incident to portions other than the light receiving region.

이어서, 상기 금속차광충(13)상에 제 8 감광막(도시하지 않음)을 도포하여 패터닝한 다음, 노광 및 현상공정을 통해 불필요한 부분의 금속차광막(13)을 제거하고, 상기 금속차광막(13)을 포함한 고온저압 산화막(12)상에 P-SiN층(14)을 증착한다.Subsequently, an eighth photosensitive film (not shown) is applied and patterned on the metal light shielding impingement 13, and the metal light shielding film 13 of the unnecessary portion is removed through an exposure and development process, and the metal light shielding film 13 The P-SiN layer 14 is deposited on the high temperature low pressure oxide film 12 including.

이때, P-SiN층(14)은 H기가 다량 포함된 것으로써, 플라즈마(Palsma) CVD로 형성된 실리콘 나이트라이드를 지칭하는 것으로써, H기가 다량 포함되어 있기 때문에 화학적으로는 Si_xN_yH_z으로 표현된다.In this case, the P-SiN layer 14 includes a large amount of H groups, and refers to silicon nitride formed by plasma (Palsma) CVD, and chemically Si _x N _y H _z because a large amount of H groups are included. It is expressed as

이와 같은 P-SiN층(14)은 전하의 누설을 방지하여 전하전송 효율을 증대시키기 위해 사용된다.The P-SiN layer 14 is used to increase the charge transfer efficiency by preventing leakage of charge.

이어서, 상기 P-SiN층(14) 전면에 평탄화용 산화막(15)을 증착하고, 상기 평탄화용 산화막(15) 상부의 포토다이오드 영역상에 마이크로 렌즈(16)를 형성하면 종래 기술에 따른 제조공정이 완료된다.Subsequently, the planarization oxide film 15 is deposited on the entire surface of the P-SiN layer 14, and the microlens 16 is formed on the photodiode region on the planarization oxide film 15. Is complete.

그러나 상기와 같은 종래 CCD영상소자의 제조방법은 N형 포토다이오드 영역이 한정되어 있어서, 많은 양의 빛을 수광할 수 없으며, 매몰형 CCD영역(BCCD) 또한 작기 때문에 전하전송 효율(CTE)이 불량한 문제점이 있었다.However, the conventional manufacturing method of the CCD imager as described above is limited in the N-type photodiode region, and thus cannot receive a large amount of light, and because the buried CCD region (BCCD) is also small, the charge transfer efficiency (CTE) is poor. There was a problem.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, N형 포토다이오드 영역 및 전하전송 영역을 최대한 확보하여 빛의 수광 및 전하전송 효율을 향상시키고, 상기 N형 포토다이오드 영역 형성공정과 전하전송 영역 형성공정을 하나의 공정으로하여 공정을 단순화함으로써 생산성을 증대시키는데 적당한 CCD영상소자의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, to secure the N-type photodiode region and the charge transfer region to maximize the light receiving and charge transfer efficiency of the light, the N-type photodiode region forming process and charge transfer It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a CCD image device suitable for increasing productivity by simplifying the process by using the region forming process as one process.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 CCD영상소자의 제조방법은 초기 산화막이 형성된 반도체 기판의 특정영역에 제1 P형 웰을 형성하는 공정과, 상기 제1 P형 웰내의 소정영역에 제2 P형 웰을 형성하는 공정과, 상기 제2 P형 웰을 포함한 제1 P형 웰상에 N형 불순물 이온주입을 실시하여 매몰형 N형 불순물영역(BCCD)과 N형 포토다이오드 영역을 동시에 형성하는 공정과, 상기 제2 P형 웰 양측의 소정부분파 상기 매몰형 N형 불순물영역의 소정부분이 공유되도록 채널스톱층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.A method of manufacturing a CCD image device according to the present invention for achieving the above object includes the steps of forming a first P-type well in a specific region of a semiconductor substrate on which an initial oxide film is formed, and a second region in a predetermined region in the first P-type well. Forming a P-type well and implanting N-type impurity ions into the first P-type well including the second P-type well to form a buried N-type impurity region (BCCD) and an N-type photodiode region simultaneously. And forming a channel stop layer so that a predetermined portion of the buried N-type impurity region on both sides of the second P-type well is shared.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 CCD영상소자의 제조방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a manufacturing method of a CCD image device of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

첨부도면 제4도 (a)~(i)는 제2도 X-Y단면에 따른 본 발명의 CCD영상 소자의 공정단면도로써, 먼저 제4도 (a)에서와 같이, n형 반도체 기판(21)상에 O.N.O구조를 위한 표면산화를 실시하여 산화막(22)을 형성하고, 제4도 (b)에서와 같이, 상기 산화막(22) 전면에 제1 감광막(도시하지 않음)을 도포한 후, 노광 및 현상공정에 의해 선택적으로 제거한 후, 이를 마스크로 이용한 고농도 불순물 이온주입을 실시하여 제1 P형 웰(23)을 형성한 후 제거되지 않은 제1 감광막을 제거한다.4 (a) to (i) are process cross-sectional views of the CCD image device of the present invention according to FIG. 2, XY cross-section. First, as shown in FIG. 4 (a), on the n-type semiconductor substrate 21, FIG. Surface oxidation for the ONO structure to form an oxide film 22, and as shown in FIG. 4 (b), a first photosensitive film (not shown) is applied to the entire surface of the oxide film 22, followed by exposure and After selectively removing by the developing step, a high concentration of impurity ions are implanted using this as a mask to form the first P-type well 23 and then the first photosensitive film which is not removed is removed.

이어서, 제4도 (c)에서와 같이, 전면에 제2 감광막(도시하지 않음)을 도포한 후, 상기 제1 P형 웰(23)내의 소정부분에 제2 P형 웰을 형성하기 위해 상기 제2 감광막을 노광 및 현상공정에 의해 선택적으로 제거하고, 이를 마스크로 하여 고농도 불순물 이온주입에 의해 제2 P형 웰(24)을 형성한 후, 제거되지 않은 제2 감광막을 제거한다.Subsequently, as shown in FIG. 4C, after applying a second photoresist film (not shown) to the entire surface, the second P-type well is formed in a predetermined portion of the first P-type well 23. The second photoresist film is selectively removed by an exposure and development process, and the second P-type well 24 is formed by high concentration impurity ion implantation using this as a mask, and then the second photoresist film that is not removed is removed.

이어, 제4도 (d)에서와 같이, N형 포토다이오드 영역과 상기 포토다이오드 영역에 의해 수광된 빛을 전송하기 위한 매몰형 CCD영역(이하, BCCD라 칭함)을 형성하기 위해 제3 감광막(도시하지 않음)을 도포하여 패터닝한 후, 이를 마스크로 불순물 이온주입을 주입하여 BCCD영역(25)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 4 (d), the third photoresist film (hereinafter referred to as BCCD) for forming an buried CCD region (hereinafter referred to as BCCD) for transmitting light received by the N-type photodiode region and the photodiode region. (Not shown) and then patterned, and implanted with impurity ions into a mask to form the BCCD region 25.

이때, 상기 BCCD영역(25)의 일부는 N형 포토다이오드 영역으로도 사용되는데, 상기 BCCD영역과 포토다이오드영역은 동일 도전형의 불순물이고, 도즈(dose)량도 비슷하다.At this time, a part of the BCCD region 25 is also used as an N-type photodiode region, wherein the BCCD region and the photodiode region are impurities of the same conductivity type and have a similar dose.

이어서, 채널스톱층(CST)을 형성하기 위해 제4도 (e)에서와 같이, 전면에 제4 감광막(도시하지 않음)을 도포하여 BCCD영역(25)내의 소정부분과 제1 P형 웰(23)의 소정부분을 공유하도록 상기 제4 감광막을 노광 및 현상공정으로 패터닝한 후, 상기 제4 감광막을 마스크로 이용한 불순물 이온 주입으로 채널스톱층(26)을 형성한다.Subsequently, to form the channel stop layer CST, a fourth photoresist film (not shown) is applied to the entire surface, as shown in FIG. 4E, to form a predetermined portion of the BCCD region 25 and the first P-type well ( After patterning the fourth photoresist film by an exposure and development process so as to share a predetermined portion of 23), a channel stop layer 26 is formed by implanting impurity ions using the fourth photoresist film as a mask.

이어, 제4도 (f)에서와 같이, 상기 결과물 전면에 O.N.O구조를 위한 나이트라이드의 증착 및 산화공정을 실시하여 게이트 산화막(22)을 형성하고, 제4도 (g)에서와 같이, 전면에 게이트용 폴리실리콘을 증착한 후, 포토리소그래피(photolithography) 공정을 통해 게이트전극(28)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 4 (f), the gate oxide film 22 is formed by depositing and oxidizing nitride for the ONO structure on the entire surface of the resultant, and as shown in FIG. 4 (g). After depositing the gate polysilicon on, the gate electrode 28 is formed through a photolithography process.

이후, 상기 게이트전극(28)을 외부로부터 격리시키기 위해 게이트 전극 상부에 층간산화막(29)을 형성한다.Thereafter, an interlayer oxide layer 29 is formed on the gate electrode to isolate the gate electrode 28 from the outside.

이어, 제4도 (h)에서와 같이, 층간산화막(29)을 포함한 게이트 산화막(27) 전면에 고온저압 산화막(31)을 증착하고, 상기 고온저압 산화막(31) 전면에 금속차광층(32)을 형성한 다음, 제7 감광막(도시하지 않음)을 도포하고, 불필요한 부분의 금속차광층(32)을 제거하기 위해 상기 제7 감광막을 노광 및 현상공정으로 패터닝한 후, 이를 마스크로 금속차광층(32)을 선택적으로 식각한다.Subsequently, as shown in FIG. 4 (h), the high temperature low pressure oxide film 31 is deposited on the entire surface of the gate oxide film 27 including the interlayer oxide film 29, and the metal light shielding layer 32 is formed on the entire surface of the high temperature low pressure oxide film 31. ), And then applying a seventh photoresist film (not shown), patterning the seventh photoresist film by an exposure and development process to remove the metal light shielding layer 32 of an unnecessary portion, and then shielding the metal with a mask. The layer 32 is selectively etched.

이어, 상기 금속차광층(32)을 포함한 고온저압 산화막(31) 전면에 P-SiN층(33)을 증착하는데, 이때 상기 P-SiN층(33)은 표면부 실리콘의 불완전한 결합상태를 H기가 다량 포함한 P-SiN층(33)을 증착하여 실리콘 격자간의 연결고리를 메꿔줌으로써 안정화시킬 수 있다.Subsequently, a P-SiN layer 33 is deposited on the entire surface of the high temperature low pressure oxide film 31 including the metal light shielding layer 32. In this case, the P-SiN layer 33 is formed by the H By depositing a large amount of P-SiN layer 33 can be stabilized by filling the connection between the silicon lattice.

이어서, 상기 P-SiN층(33)상부에 평탄화용 산화막(34)을 증착하고, 상기 평탄화용 산화막(34)상부에 마이크로 렌즈(35)를 형성시킴으로써 공정을 완료한다.Subsequently, the planarization oxide film 34 is deposited on the P-SiN layer 33, and the microlens 35 is formed on the planarization oxide film 34 to complete the process.

이상 상술한 바와 같이, 본 발명의 CCD영상소자의 제조방법은 BCCD와 포토다이오드(PDN)를 하나의 공정으로 형성하여 공정을 단순화함으로써 생산성을 향상시키며, 상기 포토다이오드 영역과 전하전송 영역(BCCD)을 최대한 확보할 수 있어 마이크로 렌즈를 통해 들어온 빛을 최대한 수광할 수 있으며, 아울러 전하전송 효율(CTE)이 향상되는 효과가 있다.As described above, the method of manufacturing the CCD image device according to the present invention improves productivity by forming a BCCD and a photodiode (PDN) in one process to simplify the process, and the photodiode region and the charge transfer region (BCCD). It is possible to secure the maximum to receive the maximum light received through the micro lens, and also has the effect of improving the charge transfer efficiency (CTE).

Claims

Forming a first P-type well in a specific region of a semiconductor substrate on which an initial oxide film is formed, forming a second P-type well in a predetermined region of the first P-type well, and including the second P-type well Implanting N-type impurity ions into the first P-type well to simultaneously form a buried N-type impurity region (BCCD) and an N-type photodiode region; and predetermined portions of both sides of the second P-type well and the buried type And forming a channel stop layer such that a predetermined portion of the N-type impurity region is shared.

The method of claim 1, wherein the photodiode region is formed at one side of the channel stop layer.