KR0165820B1 - Semiconductor device film forming method - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 디바이스 제조장치의 막(film)형성장치에 관한 것으로써, 다수개의 반도체 웨이퍼가 장입되는 몸체와, 몸체 외부에서 몸체 내부로 인입되어 몸체 내부에 몸체 길이방향의 한쪽단 부위에 형성되고 다수개의 홀이 비교적 균일한 간격으로 형성되며 상기 몸체의 몸통 둘레방향으로 원을 그리는 링(Ring)형태의 반응가스 공급라인과, 몸체 길이방향의 다른쪽단 면에 비교적 균일한 배열로 형성된 다수개의 배기홀과, 배기홀을 덮으며 형성되는 배기라인을 포함하여 이루어진다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film forming apparatus of a semiconductor device manufacturing apparatus, comprising a body into which a plurality of semiconductor wafers are loaded, and which are inserted into the body from the outside of the body and formed at one end of the body in the longitudinal direction of the body. A plurality of holes are formed at relatively uniform intervals and a ring-shaped reaction gas supply line is circled in the circumferential direction of the body, and a plurality of exhausts formed in a relatively uniform arrangement on the other end surface in the longitudinal direction of the body. And an exhaust line covering the exhaust hole and the exhaust hole.
Description
제1도의 (a)는 종래의 반도체 디바이스 제조장치의 막 형성장치의 정면도.1A is a front view of a film forming apparatus of a conventional semiconductor device manufacturing apparatus.
제1도의 (b)는 종래의 반도체 디바이스 제조장치의막 형성장치의 평면도.1B is a plan view of a film forming apparatus of a conventional semiconductor device manufacturing apparatus.
제1도의 (c)는 제1도(b)의 A-A'선에 따른 단면도.(C) is sectional drawing along the AA 'line | wire of (b).
제1도의 (d)는 제1도(b)의 일부를 절개하여 도시한 도면.(D) of FIG. 1 is a figure which cuts out a part of 1st (b).
제2도의 (a)는 본 발명에 따른 일실시예의 반도체 디바이스 막 형성장치의 정면도.2A is a front view of the semiconductor device film forming apparatus of one embodiment according to the present invention.
제2도의 (b)는 본 발명에 따른 일실시예의 반도체 디바이스 막 형성장치의 평면도.2B is a plan view of the semiconductor device film forming apparatus of one embodiment according to the present invention.
제2도의 (c)는 제2도(b)의 B-B'선에 따른 단면도.(C) of FIG. 2 is sectional drawing along the B-B 'line | wire of (b).
제2도의 (d)는 제2도(b)의 일부를 절개한 도면.(D) of FIG. 2 is a figure which cut | disconnected a part of FIG.
제3도는 본 발명에 따른 일실시예의 반도체 디바이스 막 형성장치의 반응 가스 공급라인을 도시한 도면이다.3 is a view showing a reactive gas supply line of the semiconductor device film forming apparatus of one embodiment according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
20 : 몸체 22 : 공급라인20: body 22: supply line
22-1 : 홀 25 : 배기홀22-1: hole 25: exhaust hole
26 : 배기라인26: exhaust line
본 발명은 반도체 디바이스(Device)제조장치의 막(film)형성장치에 관한 것으로, 특히 고집적 디바이스의 제조공정에 있어 반도체 기판에 막 형성시에 균일한 막 형성에 적당하도록 한 막 형성장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film forming apparatus of a semiconductor device manufacturing apparatus, and more particularly, to a film forming apparatus suitable for forming a uniform film when forming a film on a semiconductor substrate in a manufacturing process of a highly integrated device. .
반도체 디바이스의 제조 공정은 반도체 기판(또는 웨이퍼)에 다층의 막을 형성하는 공정을 포함하고 있다. 통상 막 형성공정은 반응이 일어나는 장치 몸체 내로 반응가스의 공급 및 몸체로부터 배기 시키는 방식을 택하고 있으며, 반도체 디바이스 고집적화에 따라 기판 상에 형성되는 막의 균일도의 중요성이 더해지고 있다.The manufacturing process of a semiconductor device includes the process of forming a multilayer film in a semiconductor substrate (or wafer). In general, the film forming process adopts a method of supplying the reaction gas into the apparatus body in which the reaction takes place and evacuating it from the body, and the importance of the uniformity of the film formed on the substrate is increasing due to the high integration of semiconductor devices.
제1도는 종래의 반도체 디바이스 제조장치의 막 형성장치를 설명하기 위해 도시한 도면으로써, (a)는 정면도이고 (b)는 평면도이며, (c)는 (b)도의 A-A'선에 따른 단면도이며, (d)는 (b)도의 일부를 절개하여 도시한 도면이다.1 is a view for explaining a film forming apparatus of a conventional semiconductor device manufacturing apparatus, where (a) is a front view, (b) is a plan view, and (c) is along the line A-A 'in (b). It is sectional drawing, (d) is a figure which cut | disconnected and showed a part of (b) figure.
도시한 바와 같이 종래의 장치는, 몸체(10)와, 몸체 상단면에 형성된 반응가스 주입홀(11)를 포함하고 있다. 이 반응가스 주입홀(11)은 지름이 약 3㎜ 정도인 약 28개가 비교적 균일한 배열로 형성되어 있으며, 반응가스 공급라인(12)에 의해 덮여져 있다. 몸체 하단 일측면에 배개구(13)가 형성되어 외부의 중앙 배기부(Main exhaust)(도시안함)와 연결된다. 도면부호(14)는 몸체 받침을 나타내고 있다.As shown in the drawing, the conventional apparatus includes a body 10 and a reaction gas injection hole 11 formed in an upper surface of the body. The reaction gas injection holes 11 are formed in a relatively uniform array of about 28 diameters of about 3 mm and are covered by the reaction gas supply line 12. A vent opening 13 is formed at one side of the lower end of the body and is connected to an external main exhaust (not shown). Reference numeral 14 denotes a body support.
따라서 종래의 장치는, 반응가스 공급라인(12)과 반응가스 주입홀(11)을 통하여 반응가스 예로써 O2를 몸체(10) 내로 유입시키면 반응가스가 상부에서 하부로 흐르면서 산화반응을 일으켜 몸체 내 장입된 반도체 기판(도시안함)에 산화막을 성장시키고 몸체(10) 하단 부위 일측면에 형성된 배기구(13)를 통하여 몸체(10) 외부로 배기되어진다.Therefore, in the conventional apparatus, when O 2 is introduced into the body 10 through the reaction gas supply line 12 and the reaction gas injection hole 11, for example, the reaction gas flows from the top to the bottom to cause an oxidation reaction, thereby causing the body to react. An oxide film is grown on an embedded semiconductor substrate (not shown) and exhausted to the outside of the body 10 through an exhaust port 13 formed at one side of the lower portion of the body 10.
그런데 종래의 장치는 배기구(13)가 몸체 하단 부위 일측면 즉, 한쪽으로 치우쳐 형성되어 있어서, 배기구(13)와 근접한 부위에서는 배기가 빨리 이루어져 산화막 두께가 얇고, 배기구(13) 반대쪽 부위에서는 배기의 정체가 발생하여 두께가 상대적으로 두꺼워져 반도체 기판 상에 형성된 막의 균일성이 나빠지게 되고, 따라서 고집적 디바이스의 대량 생산에 문제가 있었다.In the conventional apparatus, however, the exhaust port 13 is formed on one side of the lower end portion of the body, that is, on one side, and the exhaust port 13 is quickly exhausted at the portion close to the exhaust port 13, so that the oxide film is thin and the exhaust port 13 is located at the opposite side of the exhaust port 13. Stagnation occurs and the thickness becomes relatively thick, resulting in poor uniformity of the film formed on the semiconductor substrate, thus causing a problem in mass production of highly integrated devices.
이에 본 발명은 상술한 종래 장치의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로써, 몸체 내의 각부위의 가스를 균일하게 배기시키므로써, 반도체 기판에 형성되는 막의 균일도를 높일 수 있는 반도체 제조장치의 막 형성장치를 제공하고자 한다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems of the conventional apparatus, and by uniformly exhausting the gas in each part of the body, the film forming apparatus of the semiconductor manufacturing apparatus which can increase the uniformity of the film formed on the semiconductor substrate To provide.
본 발명의 반도체 디바이스 제조장치의 막 형성장치는, 다수개의 반도체 웨이퍼가 장입되는 몸체와, 몸체 외부에서 몸체 내부로 인입되어 몸체 내부에 몸체 길이방향의 한쪽단 부위에 다수개의 홀이 비교적 균일한 간격으로 형성되며 상기 몸체의 몸통 둘레방향으로 원을 그리는 링(Ring)형태의 반응가스 공급라인과, 몸체 길이방향의 다른쪽단 면에 비교적 균일한 배열로 형성된 다수개의 배기홀과, 배기홀을 덮으며 형성되는 배기라인을 포함하여 이루어진다.The film forming apparatus of the semiconductor device manufacturing apparatus of the present invention comprises a body in which a plurality of semiconductor wafers are inserted, and a plurality of holes are introduced into the body from the outside of the body and a plurality of holes are relatively uniform in one end portion in the longitudinal direction of the body inside the body. And a reaction gas supply line having a ring shape in a circumferential direction of the body, a plurality of exhaust holes formed in a relatively uniform arrangement on the other end surface in the longitudinal direction of the body, and covering the exhaust holes. It includes an exhaust line is formed.
여기서, 몸체는 수직형인 것이 특징이며, 상기 몸체 내에 형성된 반응가스 공급라인의 링 부위의 원둘레면이 상기 몸체 내면에 인접하여 형성된 것이 특징이다.Here, the body is characterized in that the vertical, the circumferential surface of the ring portion of the reaction gas supply line formed in the body is characterized in that formed adjacent to the inner surface of the body.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
제2도와 제3도는 본 발명의 바람직한 일실시예를 설명하기 위해 도시한 도면으로써 제2도의 (a)는 본 발명에 따른 일실시예를 반도체 디바이스 막 형성장치의 정면도이고, 제2도의 (b)는 평면도이고, 제2도(c)는 제2도(b)의 B-B'선에 따른 단면도이고, 제2도(d)는 제2도(b)의 일부를 절개한 도면이며, 제3도는 본 발명에 따른 일실시예의 반도체 디바이스 막 형성장치의 반응가스 공급라인을 도시한 도면이다.2 and 3 are views for explaining a preferred embodiment of the present invention. FIG. 2 (a) is a front view of a semiconductor device film forming apparatus according to an embodiment of the present invention. ) Is a plan view, and FIG. 2 (c) is a cross-sectional view taken along line B-B 'of FIG. 2 (b), and FIG. 2 (d) is a view of a portion of FIG. 3 is a view showing a reaction gas supply line of the semiconductor device film forming apparatus of one embodiment according to the present invention.
도시한 바와 같이 본 발명의 반도체 디바이스 막 형성장치는, 다수개의 반도체 기판(웨이퍼)(도시안함)이 장입되는 수직형 몸체(20)를 포함하고 있다.As shown, the semiconductor device film forming apparatus of the present invention includes a vertical body 20 into which a plurality of semiconductor substrates (wafers) (not shown) are inserted.
반응가스 공급라인(22)은, 제2도 및 제3도에 도시된 바와 같이 몸체(20) 하단부위 측면을 통과하여 외부에서 몸체 내부로 인입되어 형성되는데, 몸체 내부에 몸체의 몸통 둘레방향으로 원을 그리는 링(Ring)형태로써, 다수개의 홀(22-1)이 비교적 균일한 간격으로 형성되어 있다. 이렇게 홀(22-1)을 균일한 간격으로 16개 이상 정도로 형성하므로써, 몸체(20) 내부로 공급되는 반응가스가 몸체 내 각부위로 균일하게 확산되어지게 된다.The reaction gas supply line 22 is formed through the side of the lower end of the body 20 and drawn into the body from the outside as shown in FIGS. 2 and 3, in the body circumferential direction of the body. As a ring-shaped ring, a plurality of holes 22-1 are formed at relatively uniform intervals. By forming 16 or more holes 22-1 at uniform intervals as described above, the reaction gas supplied into the body 20 is uniformly diffused into each part of the body.
또한 도시한 바와 같이, 몸체 내에 형성된 반응가스 공급라인의 링 부위의 원둘레면이 몸체 내면에 인접하게 형성되도록 하면 몸체 내 각부위로 반응 가스 확산되는데 도움이 된다.In addition, as shown in the figure, the circumferential surface of the ring portion of the reaction gas supply line formed in the body is formed adjacent to the inner surface of the body helps to spread the reaction gas to each part of the body.
몸체 상단면에 비교적 균일한 배열로 형성된 약 28개의 배기홀(25)이 형성되는데, 이 배기홀(25)들은 몸체 외부쪽으로 배기라인(26)에 덮여 지게 된다. 이렇게 공급라인(22)을 몸체의 하단부위에 형성하고, 배기홀(25)을 몸체의 상단면에 형성하여 상호 먼거리를 유지하도록 하므로써, 반응가스가 효과적으로 몸체 내 각부위를 지나게 된다. 도면부호(24) 몸체 받침을 나타내고 있다.About 28 exhaust holes 25 formed in a relatively uniform arrangement are formed on the upper surface of the body, and the exhaust holes 25 are covered by the exhaust line 26 toward the outside of the body. In this way, the supply line 22 is formed at the lower end of the body, and the exhaust hole 25 is formed at the upper end of the body to maintain a long distance from each other, the reaction gas effectively passes each part in the body. Reference numeral 24 denotes a body support.
따라서 본 발명의 장치는, 반응가스 공급라인(22)과 그에 형성된 홀(22-1)을 통하여 몸체(20) 내부로 반응가스 예로써 O2를 유입시키면, 장입된 반도체 기판의 바깥쪽에서 안쪽으로, 몸체 하부에서 상부로 반응가스가 확산되면서 산화반응을 일으켜 반도체 기판에 산화막을 형성하게 된다. 가스의 배기는 몸체 상단면에 형성된 균일하게 형성된 다수개의 배기홀(25)을 통하여 몸체(20)내 각부위에 치우지지 않고 고르게 배기가 이루어지게 된다.Therefore, in the apparatus of the present invention, when O 2 is introduced as a reaction gas into the body 20 through the reaction gas supply line 22 and the holes 22-1 formed therein, from the outside to the inside of the loaded semiconductor substrate, In addition, the reaction gas diffuses from the lower part of the body to the upper part to cause an oxidation reaction to form an oxide film on the semiconductor substrate. The gas is exhausted evenly without being removed from each part of the body 20 through a plurality of uniformly formed exhaust holes 25 formed on the upper surface of the body.
본 발명의 반도체 디바이스 제조장치의 막 형성장치는, 배기구가 한쪽으로 치우쳐 형성되어 균일도 떨어지는 막을 형성하는 종래의 장치와는 달리, 배기가 몸체 내 각부위로부터 균일하게 이루어지고 반응가스 공급역시 균일하게 이루어지므로써, 반도체 기판에 형성되는 막의 균일도를 향상시킬 수 있으며, 따라서 고집적 디바이스의 대량생산에 잇점이 있다.In the film forming apparatus of the semiconductor device manufacturing apparatus of the present invention, unlike the conventional apparatus in which the exhaust port is formed to be biased to one side to form a film that is inferior in uniformity, the exhaust is made uniform from each part in the body and the reaction gas supply is also uniform. As a result, the uniformity of the film formed on the semiconductor substrate can be improved, and therefore, there is an advantage in mass production of highly integrated devices.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950065781A KR0165820B1 (en) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | Semiconductor device film forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950065781A KR0165820B1 (en) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | Semiconductor device film forming method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR0165820B1 true KR0165820B1 (en) | 1999-02-01 |
Family
ID=19447160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950065781A KR0165820B1 (en) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | Semiconductor device film forming method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0165820B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7520068B2 (en) | 2003-11-04 | 2009-04-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and method for drying semiconductor substrates |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950065781A patent/KR0165820B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7520068B2 (en) | 2003-11-04 | 2009-04-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and method for drying semiconductor substrates |
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