KR0140652B1 - Cleaning method of semiconducotr substrate - Google Patents

Cleaning method of semiconducotr substrate

Info

Publication number
KR0140652B1
KR0140652B1 KR1019940035691A KR19940035691A KR0140652B1 KR 0140652 B1 KR0140652 B1 KR 0140652B1 KR 1019940035691 A KR1019940035691 A KR 1019940035691A KR 19940035691 A KR19940035691 A KR 19940035691A KR 0140652 B1 KR0140652 B1 KR 0140652B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cleaning
substrate
hydrogen fluoride
gas
semiconductor substrate
Prior art date
Application number
KR1019940035691A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR960026316A (en
Inventor
안현수
Original Assignee
김주용
현대전자산업주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019940035691A priority Critical patent/KR0140652B1/en
Publication of KR960026316A publication Critical patent/KR960026316A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR0140652B1 publication Critical patent/KR0140652B1/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 기판 표면에 잔존하는 유기물, 금속이온 및 자연 산화막을 제거하는 반도체 기판의 세정방법에 관한 것으로, 특히 게이트 산화전의 웨이퍼 세정에 있어서, 불화수소 용액 딥 공정으로 완전히 제거되지 않은 자연 산화막을 무수(無水)의 플루오르화 수소(Anhydrous Hydrogen Fluorid)로 제거하고, 잔류 플루오르 성분을 크세논 램프 플라즈마(Xe lamp plasma)를 이용하여 제거하는 반도체 기판의 세정방법에 관한 것이다. 이와 같은 본 발명은 반도체 기판의 게이트 산화 전처리를 위한 세정방법에 있어서, 유기물 제거를 위한 피라나 세정 단계, 플루오르화 수소를 이용하여 자연 산화막을 제거하는 가스 세정 단계, 기판에 잔류하는 플루오르 이온을 제거하기 위하여 기판을 크세논 램프 플라즈마에 노출시켜 진행하는 드라이 세정 단계, 및 금속이온 제거를 위한 염산 세정 단계를 포함하여 구성된다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for cleaning a semiconductor substrate that removes organic substances, metal ions, and natural oxide films remaining on the surface of the semiconductor substrate. In particular, in a wafer cleaning prior to gate oxidation, a natural oxide film not completely removed by a hydrogen fluoride solution dip process is disclosed. The present invention relates to a method for cleaning a semiconductor substrate in which anhydrous hydrogen fluoride is removed and residual fluorine is removed using a xenon plasma. As described above, the present invention provides a cleaning method for gate oxidation pretreatment of a semiconductor substrate, which comprises a piranha cleaning step for removing organic substances, a gas cleaning step for removing a native oxide film using hydrogen fluoride, and removal of fluorine ions remaining on the substrate. To dry the substrate by exposing the substrate to xenon lamp plasma, and hydrochloric acid cleaning to remove the metal ions.

Description

반도체 기판의 세정방법Cleaning Method of Semiconductor Substrate

본 발명은 반도체 기판 표면에 잔존하는 유기물, 금속이온 및 자연 산화막을 제거하는 반도체 기판의 세정방법에 관한 것으로, 특히 게이트 산화전의 웨이퍼 세정에 있어서, 불화수소 용액 딥 공정으로 완전히 제거되지 않은 자연 산화막을 무수(無水)의 플루오르화 수소(Anhydrous Hydrogen Fluorid)로 제거하고, 잔류 플루오르 성분을 크세논 램프 플라즈마(Xe lamp plasma)를 이용하여 제거하는 반도체 기판의 세정방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for cleaning a semiconductor substrate that removes organic substances, metal ions, and natural oxide films remaining on the surface of the semiconductor substrate. In particular, in a wafer cleaning prior to gate oxidation, a natural oxide film not completely removed by a hydrogen fluoride solution dip process is disclosed. The present invention relates to a method for cleaning a semiconductor substrate in which anhydrous hydrogen fluoride is removed and residual fluorine is removed using a xenon plasma.

반도체 장치의 제조공정은 일련의 여러 반복공정을 거치게 되며, 열처리공정, 산화막 형성공정, 식각공정의 전후에 웨이퍼의 표면에 묻어있는 이물질을 제거하는 세정공정이 반드시 수반된다. 세정된 웨이퍼의 표면 청정도는 후속공정의 공정불량을 최소화하는 가장 중요한 요인이 된다.The manufacturing process of the semiconductor device goes through a series of repetitive processes, and a cleaning process for removing foreign matters on the surface of the wafer before and after the heat treatment process, the oxide film forming process, and the etching process is necessarily accompanied. Surface cleanliness of the cleaned wafers is the most important factor in minimizing process defects in subsequent processes.

반도체 기판의 오염으로는 미립자와 막질등이 있다. 미립자는 이미 한정된 경계를 갖고 웨이퍼 표면상에 나타나는 물질의 조각들로서 이들은 화학번응을 주체로 한 건식세정으로 제거하기란 기본적으로 곤란하기 때문에 습식 세정방법을 쓰게 된다. 또한 세정으로 제거해야 할 오염으로서 미립자 이외에 유기막, 금속이온 및 자연 산화막 등이 있다. 이러한 여러종류의 오염에 대하여 그들의 각각을 제거하는 데에는 별개의 세정과정이 필요하게 된다.Contamination of the semiconductor substrate includes fine particles and film quality. Particulates are fragments of material that already appear on the wafer surface with defined boundaries, and they use wet cleaning methods because they are basically difficult to remove by chemical cleaning. In addition to the fine particles, there are organic membranes, metal ions and natural oxide films as contaminations to be removed by washing. For each of these different types of contamination, a separate cleaning procedure is required to remove each of them.

전형적인 습식 세정방법은 세정목적에 다라 화학약품이 담긴 일련의 세정조에서 수행된다. 즉 세정액이 담긴 화학세정조, 순수의 오버플로우로 세정액이 묻은 웨이퍼를 수세하는 순수세정조 및 최종 순수 세정조를 거쳐 스핀 드라이하는 반복공정으로 유기물, 금속이온 및 자연 산화막을 제거하게 된다. 여기서 각각의 세정목적에 따라 사용되는 세정액은 다음과 같다.Typical wet cleaning methods are carried out in a series of cleaning baths containing chemicals for different cleaning purposes. That is, the organic material, metal ions, and natural oxide film are removed by a spin-drying process through a chemical cleaning tank containing a cleaning liquid, a pure water cleaning tank washing the wafer with the cleaning liquid due to the overflow of pure water, and a final pure cleaning tank. Here, the cleaning solution used according to each cleaning purpose is as follows.

(1) 유기물 세정액 : H2SO4: H2O2= 4 : 1(1) organic matter cleaning liquid: H 2 SO 4 : H 2 O 2 = 4: 1

NH4OH : H2O2: DI = 1 : 1: 19NH 4 OH: H 2 O 2 : DI = 1: 1: 19

(2)금속이온 세정액 : HCl : H2O2: DI =1 : 2: 10(2) Metal ion cleaning liquid: HCl: H 2 O 2 : DI = 1: 2: 10

(3)자연 산화막 세정액 : DI : HF = 100 : 1∼200 : 1(3) Natural oxide film cleaning liquid: DI: HF = 100: 1-200: 1

상기와 같은 세정액을 선택적으로 사용하면서 세정목적에 따라 세정공정을 진행하는 것이다. 일 예로 반도체 기판의 게이트 산화막 전처리 세정과정을 살펴보면 다음과 같다.While selectively using the cleaning solution as described above is to proceed with the cleaning process according to the cleaning purpose. As an example, the process of cleaning the gate oxide film pretreatment of the semiconductor substrate is as follows.

먼저, 기판의 유기물을 제거하기 위한 피라나 세정을 실시한 후, 자연 산화막을 제거하기 위하여 물과 불화수소를 50 : 1의 비율로 혼합한 용액에 기판을 담그어 행하는 불화수소 용액 세정을 실시한다. 그런 다음 금속이온을 제거하기 위한 염산 세정을 실시함으로써 기판에 묻어 있는 유기물과, 기판에 생선된 자연 산화막 및 금속이온등을 제거하는 것이다. 이와같은 공정후에도 스핀 드라이어를 이용한 건조 공정을 진행한다.First, after performing the piranha cleaning for removing the organic substance of a board | substrate, hydrogen fluoride solution washing | cleaning is performed by immersing a board | substrate in the solution which mixed water and hydrogen fluoride in the ratio of 50: 1 in order to remove a natural oxide film. Then, hydrochloric acid cleaning to remove metal ions is carried out to remove organic substances on the substrate, natural oxide film and metal ions on the substrate. Even after such a process, a drying process using a spin dryer is performed.

그러나, 상기한 바와 같은 종래의 기판 세정방법에 있어서는, 자연 산화막 제거를 위한 불화수소 용액 딥 공정시 자연 산화막이 완전히 제거되지 않고, 기판의 표면에 플루오르가 잔류하여 또 다른 오염원이 되는 단점이 있었다. 또 상기와 같은 잔연 산화막의 불완전한 제거로 다크 커런트(dark current)와 리크 커런트(leak current)가 발생됨으로써 소자 제조의 수율 저하 문제가 대두되었다.However, the conventional substrate cleaning method as described above has a disadvantage in that the natural oxide film is not completely removed during the hydrogen fluoride solution dip process for removing the natural oxide film, and fluorine remains on the surface of the substrate to become another pollution source. In addition, due to the incomplete removal of the residual oxide film as described above, a dark current and a leak current are generated, resulting in a problem of lowering the yield of device fabrication.

본 발명은 상기와 같은 종래의 단점을 해소하기 위하여 창안한 것으로, 기판의 자연 산화막 및 잔류 플루오르 이온을 완전하게 제거할 수 있는 반도체 기판의 세정방법을 제공한느데 그 주된 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above disadvantages, and a main object of the present invention is to provide a method for cleaning a semiconductor substrate capable of completely removing the native oxide film and residual fluorine ions.

본 발명의 다른 목적은, 기판의 자연 산화막 및 잔류 플루오르 이온을 완전히 제거함으로써 불완전한 자연 산화막의 제거로 인한 다크 커런트 및 리크 커런트를 방지하여 소자 제조의 수율을 향상시킬 수 있도록 한 반도체 기판의 세정방법을 제공함에 있다.It is another object of the present invention to provide a method for cleaning a semiconductor substrate, by which the natural oxide film and residual fluorine ions of the substrate are completely removed to prevent dark and leak currents caused by the removal of the incomplete natural oxide film, thereby improving the yield of device fabrication. In providing.

상기와 같은 본 발명의 목적은, 반도체 기판의 게이트 산화 전처리를 위한 세정방법에 있어서, 유기물 제거를 위한 피라나 세정 단계, 플루오르화 수소를 이용하여 자연 산화막을 제거하는 가스 세정 단계, 기판에 잔류하는 플루오르 이온을 제거하기 위하여 기판을 크세논 램프 플라즈마에 노출시켜 진행하는 드라이 세정 단계, 및 금속이온 제거를 위한 염산 세정 단계를 포함하여 구성함을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법을 제공함으로써 달성된다. 또한 본 발명의 목적은, 반도체 기판의 게이트 산화 전처리를 위한 세정방법에 있어서, 유기물 제거를 위한 피라나 세정 단계 및 자연 산화막 제거를 위한 불화수소 용액 세정 단계 후, 불화수소 용액 세정시 기판에 잔류하는 플루오르 이온을 제거하기 위하여 기판을 크세논 램프 플라즈마에 노출시키는 드라이 세정 단계를 진행하고, 금속이온 제거를 위함 염산 세정을 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법을 제공하는 것에 의하여 달성된다.An object of the present invention as described above, in the cleaning method for the gate oxidation pretreatment of the semiconductor substrate, a pyranha cleaning step for removing organic matter, a gas cleaning step for removing the natural oxide film using hydrogen fluoride, remaining on the substrate A dry cleaning step is performed by exposing a substrate to a xenon lamp plasma to remove fluorine ions, and a hydrochloric acid cleaning step for removing metal ions. In addition, an object of the present invention, in the cleaning method for the gate oxidation pre-treatment of the semiconductor substrate, after cleaning the pyranha step for removing organic matter and the hydrogen fluoride solution cleaning step for removing the natural oxide film, remaining on the substrate during hydrogen fluoride solution cleaning A dry cleaning step of exposing the substrate to a xenon lamp plasma to remove fluorine ions, and hydrochloric acid cleaning to remove the metal ions is achieved by providing a method for cleaning a semiconductor substrate.

이하에서는 상기하 바와 같은 본 발명에 따른 반도체 기판의 세정방법을 실시예를 들어 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a method of cleaning a semiconductor substrate according to the present invention as described above will be described in detail with reference to Examples.

[실시예 1]Example 1

후술되는 제1실시예에서는 일반적인 기판 세정방법에서, 물과 불화수소를 50:1의 비율로 혼합한 세정액을 이용한 자연 산화막 세정시 자연 산화막이 불완전하게 제거되는 문제를 해소하기 위하여 불화수소 용액 세정 대신에 가스 상태의 플루오르화 수소를 이용한 가스 세정을 실시 함으로써 자연 산화막의 완전한 제거를 달성하고, 또 기판에 잔류하는 플루오르 이온을 매우 낮은 압력의 크세는 램프 플라즈마에 노출시켜 진행하는 드라이 세정을 실시함으로써 완전히 제거하는 방법을 채택하였다. 이와 같은 공정후에는 금속이온 제거를 위한 염산 세정을 실시하며, 이후 스핀 드라이어를 이용한 건조 공정을 행하는 것으로 반도체 기판의 게이트 산화 전처리 세정을 종료하는 것이다.In the first embodiment described later, in the general substrate cleaning method, instead of cleaning the hydrogen fluoride solution in order to solve the problem that the natural oxide film is incompletely removed when the natural oxide film is cleaned using a cleaning solution in which water and hydrogen fluoride are mixed at a ratio of 50: 1. Complete removal of the native oxide film is achieved by performing gas cleaning using hydrogen fluoride in the gas state, and by performing dry cleaning by exposing the fluorine ions remaining on the substrate to a very low pressure x-lamp plasma. The method of removal was adopted. After such a process, hydrochloric acid cleaning is performed to remove metal ions, and then, the gate oxidation pretreatment cleaning of the semiconductor substrate is completed by performing a drying process using a spin dryer.

즉, 본 발명에 의한 반도체 기판의 세정방법은 유기물 제거를 위한 피라나 세정을 실시하는 단계와, 플루오르화 수소를 이용한 가스 세정을 실시하는 단계와, 크세논 램프 플라즈마에 기판을 노출시켜 잔류하는 플루오르 이온을 제거하는 단계와, 금속이온 제거를 위한 염산 세정을 실시하는 단계로 진행된다.In other words, the method for cleaning a semiconductor substrate according to the present invention comprises the steps of performing a pirana cleaning for removing organic matter, performing a gas cleaning using hydrogen fluoride, and exposing the substrate to a xenon lamp plasma, thereby remaining fluorine ions. It proceeds to the step of removing, and performing a hydrochloric acid cleaning to remove the metal ions.

상기와 같은 본 발명의 세정 방법에서, 플루오르화 수소를 이용한 가스 세정시 옥시데이션을 촉진시키는 습기를 배제하기 위하여 무수(無水)의 플루오르화 수소 가스를 사용한다. 또한 가스 세정시 적정한 식각 효과를 얻기 위하여 가스 흐름을 20∼70sccm 범위내에서 유지함이 바람직하다. 또 알에프 파워는 200w 이하에서 사용함이 바람직하다.In the cleaning method of the present invention as described above, anhydrous hydrogen fluoride gas is used to exclude moisture that promotes oxidation during gas cleaning with hydrogen fluoride. In addition, it is preferable to maintain the gas flow within the range of 20 to 70 sccm in order to obtain a proper etching effect during gas cleaning. In addition, it is preferable to use RF power at 200w or less.

그리고, 크세논 램프 플라즈마를 이용한 드라이 세정 단계에서 파워는 10w/cm2가 적당하며, 압력은 1×10-8torr정도가 적당하다. 상기와 같은 방법으로 기판 세정을 실시하면, 습식 세정보다 자연 산화막을 보다 효과적으로 제거할 수 있고, 또 기판의 재오염원이 되는 플루오르 이온을 빠른 시간내에 완전하게 제거할 수 있다.In the dry cleaning step using xenon lamp plasma, the power is appropriately 10 w / cm 2 , and the pressure is appropriately about 1 × 10 −8 torr. When the substrate is cleaned in the above manner, the natural oxide film can be more effectively removed than wet cleaning, and fluorine ions, which are the source of recontamination of the substrate, can be completely removed in a short time.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명의 세정방법을 적용하면, 기판의 완전한 자연 산화막 제거로 인한 다크 커런트 및 리크 커런트등의 불량을 방지할 수 있고, 기판의 재오염원인 플루오르 이온을 완전히 제거할 수 있으므로 소자의 특성 개선은 물론 소자 생산의 수율을 향상시킬 수 있다.As described in detail above, by applying the cleaning method of the present invention, it is possible to prevent defects such as dark current and leak current due to the removal of the entire natural oxide film of the substrate, and to completely remove fluorine ions, which are recontamination sources of the substrate. Therefore, it is possible to improve the device characteristics as well as improve the yield of device production.

[실시예 2]Example 2

본 발명의 제2실시예는 유기물 제거를 위한 피라나 세정을 실시한 후 통상적인 불화수소 용액 세정을 실시하고, 불화수소 용액 세정후 기판에 잔류하게 되는 플루오르 이온을 매우 낮은 압력하에서 크세논 램프 플라즈마에 노출시킴으로써 플루오르 이온을 제거하는 방법으로서, 세정시 기판을 재오염시키는 플루오르 이온을 완전히 제거하는데 그 목적을 두고 있다.According to a second embodiment of the present invention, after performing a Pirana cleaning for organic matter removal, the conventional hydrogen fluoride solution cleaning is performed, and the fluorine ions remaining on the substrate after the hydrogen fluoride solution cleaning are exposed to the xenon lamp plasma under very low pressure. This method is to remove fluorine ions by removing the fluorine ions completely recontaminating the substrate during cleaning.

부연하면, 제2실시예에 의한 본 발명은 피라나 세정을 실시한 다음 50:1의 불화수소 용액을 이용한 담금을 실시하여 자연 산화막을 제거하고, 이때 생성되거나 기판에 잔류하는 플루오르 이온을 제거하기 위한 크세논 램프 플라즈마 세정을 실시한다. 이와 같은 단계후 염산 세정을 실시하고, 이어서 통상적인 건조 공정을 진행하여 일련의 세정을 마치는 것이다.In other words, the present invention according to the second embodiment of the present invention performs a pirana washing and then immerses using a 50: 1 hydrogen fluoride solution to remove the native oxide film and to remove fluorine ions generated or remaining on the substrate. Xenon lamp plasma cleaning is performed. After this step, hydrochloric acid washing is performed, followed by a general drying process to complete a series of washings.

여기서, 크세논 램프 플라즈마를 이용한 드라이 세정 단계에서 램프 플라즈마의 파워는 10w/cm2가 적당하다. 또한 압력은 1×10-8torr 정도로 유지함이 바람직하다.Here, in the dry cleaning step using the xenon lamp plasma, the power of the lamp plasma is appropriate 10w / cm 2 . In addition, the pressure is preferably maintained at about 1 × 10 -8 torr.

이와 같은 방법으로 세정을 실시하면, 불화수소 용액 세정시 기판 표면에 잔류하여 재오염원으로 작용하는 플루오르 이온을 빠른 시간(1분 이내)에 제거할 수 있다.By cleaning in this manner, fluorine ions remaining on the surface of the substrate during hydrogen fluoride solution cleaning can be removed quickly (within 1 minute).

이상과 같은 본 발명의 제2실시예에 의한 세정방법에서 나타나는 효과는 상술한 제1실시예에 의한 세정방법과 같으므로 여기서는 상세한 설명을 생략한다.Since the effect of the cleaning method according to the second embodiment of the present invention as described above is the same as the cleaning method according to the first embodiment described above, a detailed description thereof will be omitted.

Claims (9)

반도체 기판의 게이트 산화 전처리를 위한 세정방법에 있어서, 유기물 제거를 위한 피라나 세정 단계, 플루오르화 수소를 이용하여 자연 산화막을 제거하는 가스 세정 단계, 기판에 잔류하는 플루오르 이온을 제거하기 위하여 기판을 크세논 램프 플라즈마에 노출시켜 진행하는 드라이 세정 단계, 및 금속이온 제거를 위한 염산 세정 단계를 포함하여 구성함을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.A cleaning method for gate oxidation pretreatment of a semiconductor substrate, comprising: a pyranha cleaning step for removing an organic substance, a gas washing step for removing a native oxide film using hydrogen fluoride, and a xenon substrate for removing fluorine ions remaining on the substrate And a hydrochloric acid cleaning step for removing metal ions. 제1항에 있어서, 자연 산화막 제거를 위한 가스 세정 단계는 옥시데이션을 촉진시키는 습기를 배제하기 위하여 무수(無水)의 플루오르화 수소가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.The method of cleaning a semiconductor substrate according to claim 1, wherein the gas cleaning step for removing a natural oxide film uses anhydrous hydrogen fluoride gas to exclude moisture that promotes oxidation. 제1항 또는 제2항에 있어서, 플루오르화 수소 가스를 이용한 가스 세정시 소정의 시각 효과를 얻기 위하여 20∼70sccm 정도의 가스 흐름을 유지하고, 200w 이하의 알에프 파워를 유지하여 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.The gas cleaning method according to claim 1 or 2, wherein a gas flow of about 20 to 70 sccm is maintained in order to obtain a predetermined visual effect when the gas is washed with hydrogen fluoride gas, and the RF power of 200 w or less is maintained. A method of cleaning a semiconductor substrate. 제1항에 있어서, 드라이 세정 단계시 크세논 램프 플라즈마의 파워는 10w/cm2내외로 유지시켜 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.The method of claim 1, wherein the power of the xenon lamp plasma is maintained at about 10 w / cm 2 during the dry cleaning step. 제1항에 있어서, 드라이 세정 단계시 크세논 램프 플라즈마의 압력 1×10-8torr내외로 유지시켜 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.The method of claim 1, wherein the dry cleaning step is performed by maintaining the xenon lamp plasma at a pressure of about 1 × 10 −8 torr. 제4항 또는 제5항에 있어서, 플루오르화 수소 가스를 이용한 가스 세정시 소정의 식각 효과를 얻기 위하여 20∼70sccm 정도의 가스 흐름을 유지하고, 200w 이하의 알에프 파워를 유지하여 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.The gas cleaning method according to claim 4 or 5, wherein a gas flow of about 20 to 70 sccm is maintained in order to obtain a predetermined etching effect when the gas is washed with hydrogen fluoride gas, and the RF power of 200 w or less is maintained. A method of cleaning a semiconductor substrate. 반도체 기판의 게이트 산화 전처리를 위한 세정방법에 있어서, 유기물 제거를 위한 피라나 세정 단계 및 자연 산화막 제거를 위한 불화수소 용액 세정 단게 후, 불화수소 용액 세정시 기판에 잔류하는 플루오르 이온을 제거하기 위하여 기판을 크세논 램프 플라즈마에 노출시키는 드라이 세정 단계를 진행하고, 금속이온 제거를 위한 염산 세정을 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.In the cleaning method for the gate oxidation pretreatment of a semiconductor substrate, a substrate for removing fluorine ions remaining on the substrate during the hydrogen fluoride solution cleaning step after the step of cleaning the pirana for organic matter removal and cleaning the hydrogen fluoride solution to remove the natural oxide film Performing a dry cleaning step of exposing to xenon lamp plasma, and performing hydrochloric acid cleaning to remove metal ions. 제7항에 있어서, 드라이 세정 단계시 크세논 램프 플라즈마의 알에프 파워는 10w/cm2내외로 유지시키는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.8. The method of claim 7, wherein the RF power of the xenon lamp plasma is maintained at about 10 w / cm 2 during the dry cleaning step. 제7항에 있어서, 드라이 세정 단계시 크세논 램프 플라즈마의 압력은 1×10-8torr내외로 유지시키는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.8. The method of claim 7, wherein the pressure of the xenon lamp plasma is maintained at about 1x10 -8 torr during the dry cleaning step.
KR1019940035691A 1994-12-21 1994-12-21 Cleaning method of semiconducotr substrate KR0140652B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940035691A KR0140652B1 (en) 1994-12-21 1994-12-21 Cleaning method of semiconducotr substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940035691A KR0140652B1 (en) 1994-12-21 1994-12-21 Cleaning method of semiconducotr substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960026316A KR960026316A (en) 1996-07-22
KR0140652B1 true KR0140652B1 (en) 1998-07-15

Family

ID=19402724

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940035691A KR0140652B1 (en) 1994-12-21 1994-12-21 Cleaning method of semiconducotr substrate

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0140652B1 (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100233146B1 (en) * 1996-08-21 1999-12-01 윤종용 Method for fabricating polysilicon
KR100253583B1 (en) * 1997-04-21 2000-04-15 김영환 Fabricating method for junction soi wafer
KR100292218B1 (en) * 1997-11-25 2001-07-12 황 철 주 Method of fabricating semiconductor device
KR100366623B1 (en) * 2000-07-18 2003-01-09 삼성전자 주식회사 Method for cleaning semiconductor substrate or LCD substrate
KR100909160B1 (en) * 2002-12-24 2009-07-23 동부일렉트로닉스 주식회사 Cleaning method of semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
KR960026316A (en) 1996-07-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2581268B2 (en) Semiconductor substrate processing method
Hattori et al. Contamination Removal by Single‐Wafer Spin Cleaning with Repetitive Use of Ozonized Water and Dilute HF
JPH08264500A (en) Cleaning of substrate
KR0140652B1 (en) Cleaning method of semiconducotr substrate
JP3535820B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR100253087B1 (en) Method for fabricating a semiconductor device
JPH0536661A (en) Cleaning method
KR20050116584A (en) Wet cleaning apparatus and method
JPH05283389A (en) Method of cleaning semiconductor wafer
KR20060059785A (en) 3 bath 1 batch type wafer cleaning apparatus
JP2002018379A (en) Thin film peeling method, thin film peeling device and method for manufacturing electronic device
KR0171983B1 (en) Wafer cleaning method
KR0170459B1 (en) Wafer cleaning method and its apparatus
KR100732775B1 (en) Cleaning bath for regenerating a dummy wafer and method of cleaning the dummy wafer using the same
JPH09190994A (en) Deionizing water/ozone cleanig after hydrofluoric acid treatment for prevention of creation of residue of silicic acid
JPH0461328A (en) Washing of teflon carrier
JP3489329B2 (en) Silicon wafer surface treatment method
KR920007190B1 (en) Drying method at cleaning process
KR100199376B1 (en) Cleaning apparatus and cleaning method thereby
KR20090044397A (en) Method for fabricaing cleaning in photomask
JPH02215127A (en) Treatment device for semiconductor substrate
JPH07321080A (en) Method for cleaning silicon wafer
JP2007281148A (en) Method for washing base body, method for manufacturing semiconductor device, and washing device
KR950006976B1 (en) Surface cleaning method of contact hole
KR940007053B1 (en) Cleaning method of semiconductor substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090223

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee